存储芯片分类比较与应用情况介绍

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图:美光NOF Flash产品
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2.4 NAND Flash:大容量存储的最佳选择
NAND Flash的连接方式为串联,若要读取下图黄色Word Line(字线)的数据,需对其他所有Word Line进行增加电压,加压后漏极和源极处于导通状态。因此NAND Flash读取数据的最小单位是页 (即Word Line上的所有数据),无法直接运行程序,所有数据必须先读取到RAM上后才可运行。
NOF Flash的连接方式为串联,读取数据不需对Word Line进行加压,直接测量对应的Bit Line和 Source Line之间的通断即可获取该存储单元的数据。不仅实现了位读取,还大大提高了数据读取的 速度。实现位读取,程序便可在NOF Flash上运行,即所谓的芯片内执行(XIP)。
图:NOF Flash的结构特点
保存着从主存储器取出 的缓存行
保存着取自本地存储的 缓存行
CPU可直接调取并执行
文件需调取到RAM才可执 行
2.2 EEPROM:低功耗,高擦写次数存储首选方案
EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”,可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编 程 , 一 般 用 在 即 插 即 用 。 在 一 些 所 需 存 储 容 量 不 大 , 并 且 需 要 频 繁 更 新 的 场 合 , EEPROM 相 比 较 于 Flash,由于其百万次的擦写次数和更快速的写入,成为更佳选择。
2.1 存储器类型众多,应用广泛
半导体存储是存储领域的应用领域最广、市场规模最大的存储器件: 按照停电后数据是否可继续保存在器件内,半导体存储器可分为掉电易失和掉电非易失器件; 易失存储器在过去的几十年里没有特别大的变化,依然是以静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机
存取存储器(DRAM)为主; 非易失存储器从早期的不可擦除PROM,到后来的光可擦除EPROM、电可擦除EEPROM,到现在的主流的
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2.1存储器类型众多,应用广泛
众多半导体存储器中,市场规模最大的是DRAM和NAND Flash,市场规模均在数百亿美元,其中DRAM 2018年的市场规模已达到1000亿美元。除此之外,存储芯片市场空间较大的还有NOF Flash,其市场 规模曾一度随着功能手机的消亡而逐渐降低,但近年来随着新兴市场的崛起,NOF Flash的市场空间 也已逐渐恢复。
本报告讲主要针对以下几种类型存储器进行展开讨论。
表 :主要存储器类型介绍
存储芯片类型
作用
市场领先的参与者 国内主要参与者 市场规模
市场特点
代码型闪存存储器,常 华邦、旺宏、兆易
NOF Flash 用于系统启动代码的存 创新、Cypress、美


兆易创新
25亿-30 亿美元
市场规模曾随智能手机消亡而逐渐 萎缩,但目前已随着新兴应用的崛
100% 90% 80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 0%
从应用形态上看,NAND Flash的具体产品包括USB(U盘)、闪存卡、SSD(固态硬盘),以及嵌 入式存储(eMMC、eMCP、UFS)等。USB属于常见的移动存储设备,闪存卡则用于常见电子设备 的外设存储,如相机、行车记录仪、玩具等。
图:NAND Flash的结构特点
图:NAND下游应用领域
英特尔
长江存储
400亿600亿美

市场规模仅次于DRAM,市场规模随 价格波动而周期性波动
EEPROM
稳定耐用的数据存储, 意法半导体,微芯
广泛应用于手机摄像头 科技、安森美、聚
模组、可穿戴设备等
辰股份
聚辰股份、上海复旦
8亿-9亿 美元
市场规模较小,但随着智能手机摄 像头模组升级和物联网的发展,市
场规模不断增长
工业用电子
通信用电子
手机用电子 消费类电子
物联网
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2.3 NOF Flash:芯片内可执行,新兴领域应用广泛
NOF Flash应用领域极其广泛,几乎所有需要存储系统运行数据的电子设备都需要使用NOF Flash。 NOF Flash的广泛应用,主要得益于其可芯片内执行(XIP)的特点。如下图所示,Flash均使用浮栅 场效应管作为基本单元来存储数据。在控制栅极(Word Line与场效应管连接处)未施加电压时,源 极和漏极之间导通则数据为1,中断则为0。
SRAM
用于CPU内部的一级缓 赛普拉斯,来扬, 存以及内置的二级缓存 瑞萨半导体
3亿-5亿 美元
多种原因影响,市场规模不断萎缩
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2.1存储器类型众多,应用广泛
不同的存储器在性能、价格、容量等各个方面大有不同,本报告将在后面详细进行介绍与阐述,下表 做个简要梳理。
图:各存储器比较
更小, 更快, 更贵的 存储设备
近年来,EEPROM除了越来越多的集成到SOC芯片中,也可搭配AMOLED、指纹、触控、摄像头、蓝牙、 无线等芯片形成模组。EEPROM以其通用性,稳定耐用的数据存储,各种小容量规格,能满足摄像头模 组、可穿戴设备等对参数存储的要求。
Baidu Nhomakorabea
图:普冉半导体IIC EEPROM产品
图:EEPROM应用领域
车用电子
Flash,技术在不断的更新、进步。现在RAM领域还出现了铁电存储器(FRAM)、相变存储器 (PRAM)、磁存储器(MRAM)和阻变存储器(RRAM)等非易失静态存储器。
图:存储器的分类
图:2019年全球半导体存储器市场分布
1% 1%
40%
58%
DRAM NAND Flash Nor Flash 其他
起而开始复苏
DRAM
用主计于要算和应机处用、理于服器手务直机器接、的通个内讯人存,三美星光、、S南K海亚力、士华、邦
合肥长鑫、福建晋华、 紫光集团、北京矽成
(仅设计)
600亿1000亿美

市场规模最大的半导体存储器,市 场规模随价格波动而周期性波动
NAND Flash
主要存储器
三星、铠侠、西数、 美光、SK海力士、
L0
寄存器

(SRAM)
L1
芯片内高速缓存

(SRAM)
L2 :
更大, 更慢, 更便宜的 存储设备
L3 :
L4:
L5:
芯片外高速缓存(SRAM)
主存储器(DRAM)
本地存储(NOF Flash,EEPROM) 本地二级存储(本地磁盘,NAND
Flash)
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保存着从高速缓存器取 出的字
保存着取自芯片外的缓 存行
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