samsung内存识别法
芯片上的代码就是型号
内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看：
samsung内存
例：samsungk4h280838b-tcb0
第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；
56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10 为10ns(66mhz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。
三星颗粒介绍
三星DDR内存颗粒的编号共分为四段数字或字母，19个部分组成。请看下面的三星内存编号示意图，图中有A、B、C、D、E和F为四段数字或字母，而19部分则是指包含在A、B、C、D、E和F四段数字或字母组成的编号，主要对内存规格进行说明。下面，就给大家分别解释。 首先来解释一下四段号码的大概含义。 A部分我想不用解释了吧，标明的是生产企业的名称——SAMSUNG。 B部分说明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。其中第一个阿拉伯数字表明，生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产的。例如，上图中的446就该表示该模组是在04年的第46周生产的。如果三位数字是532，则表明该内存模组是05年第32周生产的。 C部分说明的是该内存的封装类型，由一个英文字母表示。该部分将分别以T、U、N、V、G、Z几个字母来代表不同的封装类型。其中T代表是TSOP2封装，U表示TOSP2（Lead-Free）封装，N表示sTSOP2封装，V表示sTOSP2（Lead -Free）封装，G表示FBGA封装，Z表示FBGA（Lead-Free）封装。 D部分说明是该内存模组的工作温度与功耗，由一个英文字母表示。该部分将以C和L两个字母来表示该内存颗粒的不同工作温度与功耗。其中C表示该内存模组为大众商用型内存，普通功耗，工作温度在0 °C~70 °C之间；L表示该内存模组也属于大众商业型，但却是低功耗，工作温度也在0 °C~70 °C之间。这部分标注为L的模组，在笔记本内存中比较常见。 E部分说明的是该内存模组的频率和各项延迟（即CL-tRCD-tRP），由两个英文字母或数字组成。该部分分别以A0、B 0、A2、B3和CC这五个字母/数字组合来代表不同频率和延迟的DDR内存模组。其中，A0代表该模组的工作做频率为DDR-200（100MHz），延迟为2-2-2；B0代表DDR 266（133MHz），延迟为2.5-3-3；A2代表DDRDDR 266（133MH z），延迟为2-3-3；B3代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；CC代表DDR400（200MHz），延迟为3-3-3。 F部分实际上是由8个小部分组成的，分别表示该内存模组的类型、容量、位宽、接口类型、工作电压等等内容。详细分解请看下一页。 三星内存编号揭秘（二）应该说F部分是三星内存编号中传达内容最多的。由8个小部分构成，下面就来详细分解一下这8个小部分所代表的内容。 12345678 K4X XX XX X X X
【CN110070029A】一种步态识别方法及装置【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910309192.7 (22)申请日 2019.04.17 (71)申请人 北京易达图灵科技有限公司 地址 100013 北京市朝阳区安定门外大街1 号1幢9层905室 (72)发明人 袁飞 华仁红 马向军 孙文凤 (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限 公司 11002 代理人 王庆龙 苗晓静 (51)Int.Cl. G06K 9/00(2006.01) G06K 9/46(2006.01) G06N 3/04(2006.01) (54)发明名称 一种步态识别方法及装置 (57)摘要 本发明实施例提供一种步态识别方法及装 置。方法包括：获取待识别视频中任一行人对应 的人体关键点特征向量序列；将人体关键点特征 向量序列输入至目标神经网络，根据目标神经网 络的输出结果，识别人体关键点特征向量序列对 应的行人身份；其中，目标神经网络是根据带有 行人身份标签的人体关键点特征向量序列进行 训练后得到的。本发明实施例提供的方法及装 置，通过获取待识别视频中任一行人对应的人体 关键点特征向量序列，并将该序列输入至目标神 经网络，根据目标神经网络的输出结果，识别该 序列对应的行人身份。通过充分利用人体关键点 特征，自学习人体的步态特征，大大提高了步态 识别的鲁棒性和准确性，并且，对硬件的要求较 低， 便于实际应用。权利要求书2页 说明书8页 附图2页CN 110070029 A 2019.07.30 C N 110070029 A
权 利 要 求 书1/2页CN 110070029 A 1.一种步态识别方法，其特征在于，包括： 获取待识别视频中任一行人对应的人体关键点特征向量序列； 将所述人体关键点特征向量序列输入至目标神经网络，根据所述目标神经网络的输出结果，识别所述人体关键点特征向量序列对应的行人身份； 其中，所述目标神经网络是根据带有行人身份标签的人体关键点特征向量序列进行训练后得到的。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取待识别视频中任一行人对应的人体关键点特征向量序列，包括： 获取待识别视频，所述待识别视频中包括若干个行人； 对所述待识别视频进行采样，得到多帧图像并组成采样图像序列； 将所述采样图像序列输入至人体关键点检测模型，得到所述待识别视频中任一行人对应的人体关键点特征向量序列。 3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述人体关键点特征向量序列输入至目标神经网络，之前还包括： 获取多个样本视频和每一样本视频中每一行人对应的行人身份标签，并获取每一样本视频中每一行人对应的人体关键点特征向量序列； 将每一行人对应的人体关键点特征向量序列和行人身份标签的组合作为一个训练样本，得到多个训练样本并组成训练集； 通过所述训练集对原始神经网络进行训练，得到所述目标神经网络。 4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过所述训练集对原始神经网络进行训练，得到所述目标神经网络，包括： 将所述训练集中的任一训练样本输入至所述原始神经网络，根据所述原始神经网络的输出结果和所述训练样本中的行人身份标签计算所述原始神经网络的损失值； 若所述损失值小于第一预设阈值，则将所述原始神经网络作为所述目标神经网络。 5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过所述训练集对原始神经网络进行训练，得到所述目标神经网络，包括： 将所述训练集中的任一训练样本输入至所述原始神经网络，根据所述原始神经网络的输出结果和所述训练样本中的行人身份标签计算所述原始神经网络的损失值； 若所述损失值小于第一预设阈值，则将所述原始神经网络作为候选神经网络； 多次调整所述神经网络的结构，每调整一次则重复执行训练过程以得到对应的候选神经网络，并从得到的多个候选神经网络中选择一个作为所述目标神经网络。 6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述从得到的多个候选神经网络中选择一个作为所述目标神经网络，包括： 从所述多个候选神经网络中，选择损失值小于第二预设阈值的若干个候选神经网络； 基于验证集对所述若干个候选神经网络中的每一候选神经网络进行验证，得到每一候选神经网络的准确率，并将准确率最高的候选神经网络作为所述目标神经网络。 7.根据权利要求1-6任一所述的方法，其特征在于，所述目标神经网络为长短期记忆网络。 8.一种步态识别装置，其特征在于，包括： 2
贴片电容规格识别
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贴片电容常见的质量问题 首先是贴片电容本体问题-断裂或微裂，这是最常见的问题之一。断裂现象较明显，而微裂一般出在内部，不容易观察到，涉及到贴片电容的材质、加工工艺和贴片电容使用过程中的机械、热应力等作用因素影响。 其次是贴片电容电性能问题。贴片电容使用一段时间后出现绝缘电阻下降、漏电。 以上两个问题往往同时产生，互为因果关系。电容器的绝缘电阻是一项重要的参数，衡量着工作中贴片电容漏电流大小。漏电流大，贴片电容储存不了电量，贴片电容两端电压下降。往往由于漏电流大导致了贴片电容失效，引发了对贴片电容可靠性问题的争论。 可靠性问题：贴片电容失效分为三个阶段。 第一阶段是贴片电容生产、使用过程的失效，这一阶段贴片电容失效与制造和加工工艺有关。贴片电容制造过程中，第一道工序贴片电容粉料、有机黏合剂和溶剂混合配料时，有机黏合剂的选型和在瓷浆中的比例决定了瓷浆干燥后瓷膜的收缩率；第三道工序丝印时内电极金属层也较关键，否则易产生强的收缩应力，烧结是形成瓷体和产生贴片电容电性能的决定性工序，烧结不良可以直接影响到电性能，且内电极金属层与贴片电容介质烧结时收缩不一致导致瓷体内部产生了微裂纹，这些微裂纹对一般电性能不会产生影响，但影响产品的可靠性。主要的失效模式表现为贴片电容绝缘电阻下降，漏电。
防范、杜绝微裂纹的产生：从原材料选配、瓷浆制备、丝网印刷和高温烧结四方面优选工艺参数，以达到贴片电容内部结构合理，电性能稳定，可靠性好。 第二阶段是贴片电容稳定地被用于电子线路中，该阶段贴片电容失效概率正逐步减小，并趋于稳定。分析贴片电容使用过程中贴片电容受到的机械和热应力，即分析加工过程中外力对贴片电容可能的冲击作用，并依据贴片电容在加工过程中受到的应力作用，设计各种应力实验条件，衡量作用在贴片电容上的外应力大小及其后果。也可具体做一些贴片电容可靠性实验以明确贴片电容前阶段是否存在可靠性隐患。 贴片电容在该过程中受到热和机械应力的作用，严重时出现瓷体断裂现象。若贴片电容受到的热和机械应力接近临界时，则不出现明显的断裂现象，而是表现为内部裂纹的出现或内部微裂纹的产生。用烙铁补焊时，明显裂纹则表现为断裂，微裂纹大多数表现为电性能恢复正常，漏电现象消失，但时间一长，贴片电容可靠性差的缺陷就体现出来。 第三阶段是贴片电容长时间工作后出现失效现象，这一阶段贴片电容失效往往由于老化、磨损和疲劳等原因使元件性能恶化所致。电子整机到消费者手中出现整机功能障碍，追溯原因，发现贴片电容漏电流大，失效。一般此类问题源自于第一阶段或第二阶段贴片电容可靠性隐患的最终暴露，该阶段出现的质量比前两个阶段严重得多。由于整
如何看内存条型号(容量)
金士顿 1.KVR代表kingston value RAM 2.外频速度单位：兆赫 3.一般为X 4. 64为没有ECC；72代表有ECC 5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存 6. 一般为C C3：CAS=3； C2.5：CAS=2.5； C2：CAS=2 7.分隔符号 8.内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例： 编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是.金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC校验 CAS=2.5 256M内存 HY（现代HYNIX） 现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大. HY的编码规则： HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、HY代表现代. 2、一般是57，代表SDRAM. 3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V. 4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新. 5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位. 6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 7、I／O界面：一般为0 8、产品线：从A－D系列 9、功率：空白则为普通，L为低功耗. 10、封装：一般为TC（TSOP） 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：
贴片电容基础知识
贴片电容 英贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。英文全称：Multi-layerceramiccapacitors。英文缩写：MLCC。 目录 一、基本概述二、尺寸 三、命名四、分类 五、MLCC电容品牌与选型六、作用 七、内部结构八、封装 一、基本概述 贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法。 二、尺寸 贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法，04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02英寸，其他类同型号尺寸（mm） 三、命名 1、贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。如下 华新科（WALSIN）系列的贴片电容的命名： 原厂命名料号：0805N102J500CT 0805：是指该贴片电容的尺寸套小，是用英寸来表示的08 表示长度是0.08 英寸、05 表示宽度为 0.05 英寸； N：是表示做这种电容要求用的材质，这个材质一般适合于做小于10000PF以下的电容；102：是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个零102=10×102也就是= 1000PF ； J：是要求电容的容量值达到的误差精度为5%，介质材料和误差精度是配对的；500：是要求电容承受的耐压为50V 同样500前面两位是有效数字，后面是指有多少个零； C：是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镍、锡 T：是指包装方式； T：表示7"盘装编带包装； 2、贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄和青灰色，这在具体的生产过程中会有
模式识别研究进展-刘成林and谭铁牛
模式识别研究进展 刘成林，谭铁牛 中国科学院自动化研究所 模式识别国家重点实验室 北京中关村东路95号 摘要 自20世纪60年代以来，模式识别的理论与方法研究及在工程中的实际应用取得了很大的进展。本文先简要回顾模式识别领域的发展历史和主要方法的演变，然后围绕模式分类这个模式识别的核心问题，就概率密度估计、特征选择和变换、分类器设计几个方面介绍近年来理论和方法研究的主要进展，最后简要分析将来的发展趋势。 1. 前言 模式识别(Pattern Recognition)是对感知信号（图像、视频、声音等）进行分析，对其中的物体对象或行为进行判别和解释的过程。模式识别能力普遍存在于人和动物的认知系统，是人和动物获取外部环境知识，并与环境进行交互的重要基础。我们现在所说的模式识别一般是指用机器实现模式识别过程，是人工智能领域的一个重要分支。早期的模式识别研究是与人工智能和机器学习密不可分的，如Rosenblatt的感知机[1]和Nilsson的学习机[2]就与这三个领域密切相关。后来，由于人工智能更关心符号信息和知识的推理，而模式识别更关心感知信息的处理，二者逐渐分离形成了不同的研究领域。介于模式识别和人工智能之间的机器学习在20世纪80年代以前也偏重于符号学习，后来人工神经网络重新受到重视，统计学习逐渐成为主流，与模式识别中的学习问题渐趋重合，重新拉近了模式识别与人工智能的距离。模式识别与机器学习的方法也被广泛用于感知信号以外的数据分析问题（如文本分析、商业数据分析、基因表达数据分析等），形成了数据挖掘领域。 模式分类是模式识别的主要任务和核心研究内容。分类器设计是在训练样本集合上进行优化（如使每一类样本的表达误差最小或使不同类别样本的分类误差最小）的过程，也就是一个机器学习过程。由于模式识别的对象是存在于感知信号中的物体和现象，它研究的内容还包括信号/图像/视频的处理、分割、形状和运动分析等，以及面向应用（如文字识别、语音识别、生物认证、医学图像分析、遥感图像分析等）的方法和系统研究。 本文简要回顾模式识别领域的发展历史和主要方法的演变，介绍模式识别理论方法研究的最新进展并分析未来的发展趋势。由于Jain等人的综述[3]已经全面介绍了2000年以前模式分类方面的进展，本文侧重于2000年以后的研究进展。
电容的识别与读数
一、认识电容 二、电容容量的表示方法 三、电容例子和型号命名方法 四、电容的主要特性参数 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 一、认识电容 1、在各种电子设备中，调谐、耦合、滤波、去耦、隔断直流电、旁路交流电等，都需要用到电容器。电容器通常叫做电容。电容的种类很多，按结构形式来分，有固定电容、半可变电容、可变电容。常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容、铝电解电容、钽、铌电解电容等。 2、在电路图中电容单位的标注规则。通常在容量小于10000pF的时候，用pF做单位，大于10000pF的时候，用uF做单位。为了简便起见，大于100pF而小于1uF的电容常常不注单位。没有小数点的，它的单位是pF，有小数点的，它的单位是uF。例如，3300就是3300pF，0.1就是0.1uF等。 3、电容使用常识。电容在电路中实际要承受的电压不能超过它的耐压值。在滤波电路中，电容的耐压值不要小于交流有效值的1.42倍。使用电解电容的时候，还要注意正负极不要接反。 不同电路应该选用不同种类的电容。揩振回路可以选用云母、高频陶瓷电容，隔直流可以选用纸介、涤纶、云母、电解、陶瓷等电容，滤波可以选用电解电容，旁路可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容。 电容在装入电路前要检查它有没有短路、断路和漏电等现象，并且核对它的电容值。安装的时候，要使电容的类别、容量、耐压等符号容易看到，以便核实。
贴片电容 贴片钽电容 铝电解电容器
碳膜电容 二、电容容量的表示方法 电容容量的基本单位是“法拉”（F ）,1法拉的1/1000000 （百万分之一）是1微法（μ F ）,1微法的1/1000000 是1pF （1微微法,或1皮法）。它们之间的关系是百万（或称10 的6 次方）进位关系。 我们常用的电容有： 1、电介电容：多数在1 μ F 以上,直接用数字表示。如：4.7 μ F 、100 μ F 、220 μ F 等等。这种电容的两极有正负之分,长脚是正极。 2、瓷片电容：多数在1 μ F 以下,直接用数字表示。如：10 、22 、0.047 、0.1 等等,这里要注意的是单位。凡用整数表示的,单位默认pF ;凡用小数表示的,单位默认μ F 。如以上例子中,分别是10P 、22P 、0.047 μ F 、220 μ F 等。 现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法（单位默认pF ）：如：“ 473 ”即47 000 pF=0.047 μ F “ 103 ”即10 000 pF=0.01 μ F 等等, “ XXX” 第一、二个数字是有效数字,第三个数字代表后面添加0 的个数。这种表示法已经相当普遍。
怎么看三星内存条真假
怎么看三星内存条真假 看三星内存条真假方法： 要想学会识别内存真假，首先要学会认识产品标签。 m379b5273dho-yko m：m=memory 3：3=dimm 台式机内存 79：台式机黑条 b：b=ddr3 52=depth 2gb7=8bank 1.5v3=8 bitd=30nm制程h=fbga封装无铅无汞0=pcb版本 0为初版 y=1.35v低电压，k0=ddr3-1600 这个笔记本内存条竟然翻译出台式内存黑条是不是很搞笑。 这个是从三星下载的表格，红色框中表示与你这个编号最为相近的颗粒，同样表明该型号内存需要16颗256m的颗粒才能组成单根4g的内存条。这个内存与贴纸的型号是不符的，所以是假货 那是不是8颗粒的4gb内存都是假货呢?不是的，其实8颗粒的4g内存条是可以做出来的。这个才是真正的8颗粒的4g内存，规格是1333，型号为m471b5273dm0-ch9跟前面的标号相比，首先是yk0和ch9的差别，这个没关系，前者是1600，后者是1333，前者是1.35v，后者是1.5v，对于说明是8颗粒还是16颗粒毫无
帮助。而对比前面一堆数字，发现，几乎基本一样，唯一的差别就是倒数第二个数字，前者是h，而这条真的是m参考上面datasheet中的解释，m和h的区别就是m引入了一个ddp的概念这个ddp是dual die package的缩写，简单理解就是双核心封装，其实就是双核。 而这个双核应该是基于die的真双核，而不是基于chip的胶水双核。所以使用了ddp技术的颗粒应该在长宽尺寸不变的情况下，在芯片的厚度上有所增加，但是是基于die的堆叠，因此厚度也不会超过太多。所以其实，这1颗储存芯片，实际上采用的是256mb(2gb)*2的技术。因此单颗512mb*8=4gb完美对应。ok，这条才是真的8颗粒4g，关键在于那个m，本人总结：m471b5273dm0-ch9，规格是1333的8颗粒的4g内存倒数第二个数字一定是m，不是的话，就是假的，如果是1600的规格的话除外，比如原装内存编号为m471b5273dh0-ck0(ko：ddr3 1600) 真正的8颗粒4g1333的颗粒编号为k4b4g0846d，这是一种采用ddp技术的单颗4gb d型核心的颗粒，单颗规格为512m*8其实理解成(256m*8)*2更合适。 下面看下上传的水货条的颗粒。可以说，这个颗粒跟我常见的三星内存颗粒完全不同，常见怎么样的，见右边的原装内存。这条假的颗粒为k4b4g0846e和正常的颗粒的差别在于最后一个e，这个e是代表一种die的封装形式。不过从编号上看是没有问题的。哦，还有个mck0.好吧，m代表的是ddp，ck0可以理解成1600.从颗粒来看，这个条子似乎也满足4g的容量。但是三星颗粒下面是不会有256m*8ddr3 k的字样不过我没有测试到这种假的条子，
贴片电容型对照表三星国巨风华选型替代必备
风华高科电容 多层片式陶瓷电容 0805CG104J500NT 1 23 4 5 6 7 1、尺寸 2、介质种类 3、标称电容量（PF ） 4、误差级别 5、工作电压 6、端头类别 7、包装方式 型号 英寸 毫米 代码 介质材料 表示方 法 实际值 代码 误差 表示方法 实际电压 标记 端头材料 标记 包装 0402 * * CG COG 和NPO 100 10*100 J ±5% 6R3 S 纯银 T 编带 0603 * * 101 10*101 G ±2% 100 10V C 纯铜 B 散装 0805 * * 102 10*102 C ± 250 25V N 三层电镀 1206 * * 500 50V 三星电容 多层片式陶瓷电容 CL10C101JB8NNNC 1 234 5 6 7 8 9 10 11 CL 表示：多层陶瓷贴片电容 2、尺寸 3介质种类 4、标称电容量（PF ） 5、误差级别 6、工作电压 7、厚度 8端头类别 型号 英寸 毫米 代码 介质材料 表示方 法 实际值 代码 误差 表示方法 实际电压 标记 尺寸(mm) 标记 端头材 料 0402 * * C P R S T U L COG P2H R2H S2H T2H U2J S2L 100 10*100 J ±5% R 4V 3 N 三层电镀 0603 * * 101 10*101 G ±2% Q 4 0805 * * 102 10*102 C ± P 10V 8 9 A C D 1206 * * O A L B 16V 25V 35V 50V A ？ B ？ Y F X X5R X7R X7S Y5V X6S K M Z ±10% ±20% +80/-20% C D E F G H I J K 100V 200V 250V 350V 500V 630V 1000V 2000V 3000V
统计模式识别方法
统计模式识别方法 在嗅觉模拟技术领域中，模式识别问题就是由气敏传感器阵列的测量空间向被测对象的的分类或分级空间转化的问题。由于这种模式空间的变化对识别或鉴别结果有着较大的影响，因此模式识别算法的研究和讨论始终较为活跃，各种模式识别方法层出不穷，有力推动了嗅觉模拟技术的应用进程。下面介绍几种常用的统计模式识别方法。 1统计模式识别概述 统计方法，是发展较早也比较成熟的一种方法。被识别对象首先数字化，变换为适于计算机处理的数字信息。一个模式常常要用很大的信息量来表示。许多模式识别系统在数字化环节之后还进行预处理，用于除去混入的干扰信息并减少某些变形和失真。随后是进行特征抽取，即从数字化后或预处理后的输入模式中抽取一组特征。所谓特征是选定的一种度量，它对于一般的变形和失真保持不变或几乎不变，并且只含尽可能少的冗余信息。特征抽取过程将输入模式从对象空间映射到特征空间。这时，模式可用特征空间中的一个点或一个特征矢量表示。这种映射不仅压缩了信息量，而且易于分类。在决策理论方法中，特征抽取占有重要的地位，但尚无通用的理论指导，只能通过分析具体识别对象决定选取何种特征。特征抽取后可进行分类，即从特征空间再映射到决策空间。为此而引入鉴别函数，由特征矢量计算出相应于各类别的鉴别函数值，通过鉴别函数值的比较实行分类。 统计模式识别的技术理论较完善，方法也很多，通常较为有效，现已形成了一个完整的体系。尽管方法很多，但从根本上讲，都是利用各类的分布特征，即直接利用各类的概率密度函数、后验概率等，或隐含地利用上述概念进行识别。其中基本的技术为聚类分析法、判别类域代数界面法、统计决策法、最邻近法等。在聚类分析中，利用待分类模式之间的“相似性”进行分类，较相似的作为一类，较不相似的作为另外一类。在分类过程中不断地计算所划分的各类的中心，一个待分类模式与各类中心的距离作为对其分类的依据。这实际上在某些设定下隐含地利用了概率分布概念，因常见的概率密度函数中，距期望值较近的点概密值较大。该类方法的另一种技术是根据待分类模式和已指判出类别的模式的距离来确定其判别，这实际上也是在一定程度上利用了有关的概念。判别类域界面法中，用已知类别的训练样本产生判别函数，这相当于学习或训练。根据待分类模式
三星笔记本内存条
三星笔记本内存条 购买内存条的时候你们知道三星内存条怎么样吗?下面是小编收集整理的三星笔记本内存条，希望对大家有帮助~~ 三星笔记本内存条评价： 三星是大品牌，很不错 简要看完DDR3内存的时序和SPD信息后，接下来就开始正式的测试，为最大限度发挥内存的性能，测试使用了Intel新一代22nmIvyBridge处理器Corei53570K，Intel官方指导内存支持频率为DDR31600。搭配的华硕P8Z68-V主板，内存超频最高可以支持双通道DDR32800MHz规格，最大容量为32GB，当然主板支持Intel 的X.M.P技术。 内存方面自然是本次测试的重点，选用了一对俗称三星“金条”的DDR31600内存，产品DDR31600频率这一档内存时序为11-11-11，而根据以前的经验产品可以轻松超越DDR32133MHz，并且保持在较好的时序下，而市面上就有一些内存就完全基于三星金条，只不过套了一个散热马甲，频率预设这在DDR32133MHz，当然无可厚非三星金条确实有不错超频潜能。 三星新款内存模组编号为M378B5273DH0-CK0，生产日期为2012年第38周，产品使用的内存颗粒编号为K4B2G0446D-BCK0，不过在官方查询到的资料上面并没有这样一个产品，官方有的编号为K4B2G0446D-HCK0以及我们熟知的K4B2G0446D-HCH9。
内存颗粒编号K4B2G0446D-BCK0 三星笔记本内存条相关文章： 1.怎么看三星内存条真假 2.三星内存条如何看型号 3.三星s6如何清理内存条 4.笔记本电脑配置添加内存条的技巧 5.三星内存条都有防伪吗 6.三星内存条频率怎么看 7.三星内存条怎么看频率 8.2016年三星笔记本购买什么好
最新常见电子元件识别
常见电子元件识别
常见电子元件识别 电阻电容可以说是电子设备中最常用的零件。 电阻按材料分一般有：碳膜电阻、金属膜电阻、水泥电阻、线饶电阻等。 一般的家庭电器使用碳膜电阻较多，因为它成本低廉。金属膜电阻精度要高些，使用在要求较高的设备上。水泥电阻和线饶电阻都是能够承受比较大功率的，线饶电阻的精度也比较高，常用在要求很高的测量仪器上。 电阻 小功率碳膜和金属膜电阻，一般都用色环表示电阻阻值的大小，这也是我们在学习电阻的很重要的一步。电阻阻值的单位是欧姆。下面详细说明。 色环电阻分为四色环和五色环，先说四色环。顾名思义，就是用四条有颜色的环代表阻值大小。每种颜色代表不同的数字，如下： 黑0 棕1 红2 橙3 黄4 绿5 蓝6 紫7 灰8 白9 金、银表示误差 各色环表示意义如下： 第一条色环：阻值的第一位数字； 第二条色环：阻值的第二位数字； 第三条色环：10的幂数； 第四条色环：误差表示。 例如：电阻色环：棕绿红金 第一位：1； 第二位：5；
10的幂为2（即100）； 误差为5% 即阻值为：15X100=1500欧=1.5千欧=1.5K 如果有不明白，你可以直接来信或留言。 还有精确度更高的“五色环”电阻，用五条色环表示电阻的阻值大小，具体如下： 第一条色环：阻值的第一位数字； 第二条色环：阻值的第二位数字； 第三条色环：阻值的第三未数字； 第四条色环：阻值乘数的10的幂数； 第五条色环：误差（常见是棕色，误差为1%） （可见，四色环电阻误差为5-10%，五色环常为1%，精度提高了） 例如：有电阻：黄紫红澄棕 前三位数字是：472 第四位表示10的3次方，即1000 阻值为：472X1000欧=472千欧（即472K） 电阻还有其他好多类型，一般说的电位器，就是阻值可以调节的电阻（简称可调电阻）。在以后制作中遇到了再作介绍 电容
模式识别课程设计
模式识别课程设计 聚类图像分割 一．图像分割概述 图像分割是一种重要的图像分析技术。在对图像的研究和应用中，人们往往仅对图像中的某些部分感兴趣。这些部分常称为目标或前景（其他部分称为背景）。它们一般对应图像中特定的、具有独特性质的区域。为了辨识和分析图像中的目标，需要将它们从图像中分离提取出来，在此基础上才有可能进一步对目标进行测量，对图像进行利用。图像分割就是把图像分成各具特性的区域并提取出感兴趣目标的技术和过程。现有的图像分割方法主要分以下几类：基于阈值的分割方法、基于区域的分割方法、基于边缘的分割方法以及基于特定理论的分割方法等。近年来，研究人员不断改进原有的图像分割方法并把其它学科的一些新理论和新方法用于图像分割，提出了不少新的分割方法。 图象分割是图象处理、模式识别和人工智能等多个领域中一个十分重要且又十分困难的问题，是计算机视觉技术中首要的、重要的关键步骤。图象分割应用在许多方面，例如在汽车车型自动识别系统中，从CCD摄像头获取的图象中除了汽车之外还有许多其他的物体和背景，为了进一步提取汽车特征，辨识车型，图象分割是必须的。因此其应用从小到检查癌细胞、精密零件表面缺陷检测，大到处理卫星拍摄的地形地貌照片等。在所有这些应用领域中，最终结果很大程度上
依赖于图象分割的结果。因此为了对物体进行特征的提取和识别，首先需要把待处理的物体(目标)从背景中划分出来，即图象分割。但是，在一些复杂的问题中，例如金属材料内部结构特征的分割和识别，虽然图象分割方法已有上百种，但是现有的分割技术都不能得到令人满意的结果，原因在于计算机图象处理技术是对人类视觉的模拟，而人类的视觉系统是一种神奇的、高度自动化的生物图象处理系统。目前，人类对于视觉系统生物物理过程的认识还很肤浅，计算机图象处理系统要完全实现人类视觉系统，形成计算机视觉，还有一个很长的过程。因此从原理、应用和应用效果的评估上深入研究图象分割技术，对于提高计算机的视觉能力和理解人类的视觉系统都具有十分重要的意义。 二．常用的图像分割方法 1.基于阈值的分割方法 包括全局阈值、自适应阈值、最佳阈值等等。阈值分割算法的关键是确定阈值，如果能确定一个合适的阈值就可准确地将图像分割开来。阈值确定后，将阈值与像素点的灰度值比较和像素分割可对各像素并行地进行，分割的结果直接给出图像区域。全局阈值是指整幅图像使用同一个阈值做分割处理，适用于背景和前景有明显对比的图像。它是根据整幅图像确定的：T=T(f)。但是这种方法只考虑像素本身的灰度值，一般不考虑空间特征，因而对噪声很敏感。常用的全局阈值选取方法有利用图像灰度直方图的峰谷法、最小误差法、最大类间方差法、最大熵自动阈值法以及其它一些方法。
电容的识别方法..
1 电容的识别方法 电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F ）表示， 其它单位还有：毫法（mF ）、微法（uF ）、纳法（nF ）、皮法（pF ）。 其中：1法拉=103毫法（mF ）=106微法（uF ）=109纳法（nF ）=1012皮法（pF ） 即：1 uF ＝103nF ； 1 nF ＝10-3uF ； 1 uF ＝106pF ； 1 pF ＝10-6uF 容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10uF/16V 。 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示。 ●字母表示法：1m=1000 uF ；1P2=1.2PF ；1n=1000PF ●数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍 率。如：102表示10×102PF=1000PF ；224表示22×104PF=0.22 u F 1. 直标法 容量单位：F （法拉）、μＦ（微法）、nF （纳法）、pF （皮法或微微法）。 1法拉（F ）=106微法（uF ）=1012微微法（pF ）； 1微法（uF ）=103纳法（nF ）=106微微法（pF ）；1纳法（nF ）=103微微法（pF ） 4n7 表示4.7nF 或4700pF ；0.22 表示0.22μＦ；51 表示51pF 。 有时用大于1的两位以上的数字表示单位为pF 的电容，例如101表示100 pF 。用小于1的数字表示单位为μF 的电容，例如0.1表示0.1μＦ。 2. 数码表示法 一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF 。前两位为有效数字，后一位表示位率。 即乘以10n ，n 为第三位数字。如223J 代表22×103pF ＝22000pF ＝0.022μＦ，允许误差 为±5% ，这种表示方法最为常见。 3. 色码表示法 这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF 。有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22000pF 。 小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示。 色标法就是用不同颜色的色带或色点，按规定的方法在电容器表面上标志出其主要参数码相的标志方法。电容器的标称值、允许偏差及工作电压均可采颜色进行标志，其规定见下表图。 电容器主要参数的色标规定
三星MCP手机内存芯片全攻略
文章的开头首先介绍一下什么是MCP，MCP=Multi-Chip Package 中文意思是多制层封装芯片，其主要应用领域为手机等手持智能终端设备。其优点在于体积小， 能适应各种手持设备节省空间的原则。成本方面较独立的芯片组和要有优势。 三星从2004年开始致力于手机内存芯片的推广，2005年在全球取得了不到10%市场份额，当时这方面的前两位分别是INTEL和SPANSION这两个厂商。2006年是三星MCP内存芯片市场份额大幅提高的一年，在2006年下半年由于SPANSION的128+32和64+16/64+31NOR+SRAM的MCP大面积缺货给了三星一次很好的机会，三星在8月开始逐步进入手机MCP领域，其推出的128+32MCP芯片只要在软件方面作一些简单的调整就可以PIN TO PIN取代SPANSION的129系列产品，并且价格比当时的SPANSION 128+32 的同类产品要低0.5USD，这使得中国大陆这一B类手机制造基地的设计公司和厂家纷纷切入到三星的MCP中来。在2007年年初，三星又推出了其最新128+32的产品2931和2731，这两款产品的推出，将冲击SPANSION很大的市场份额。下面针对三星的MCP产品做个简单的介绍，介绍从MCP制成和具体型号以及配合手机的主方案进行： MCP大致有三类: 一；替换目前市场主流的SPANSION的NOR+SRAM(PSRAM)系列 32+8型号为K5A3281CT(B)M--此款MCP主要可以应用于一些低端手机，包括英飞凌等低端方案，都可采用此款MCP。 64+16型号为K5J6316CT(B)M：三星已经在2007年将此款IC 停产，转移产能大量生产64+32制成的MCP 64+32型号为K5J6332T(B)M：这使三星2007年主要推广的MCP之一，目前已经有很多方案认可，包括MTK 6226/6219以及展讯的6600D等方案都广泛采用此款芯片。 128+32型号为 K5L2731CAM-D770：此款产品是三星2007年重点推广的128+32的MCP芯片，这款芯片可以做到和SPANSION 127芯片软件硬件完全match，并且能兼容三星2931和0607芯片。在价格方面三星会坚持走低，此款芯片会成为2007年B类手机市场最普遍使用的MCP芯片。 K5L2931CAM-D770:此款芯片的推出主要是用来抢占SPANSION 129芯片市场的，目前已经有很多方案可以采用（TI/MTK/展讯等） KADxx0700D-DLLL：此款芯片是三星2006年推出的一款128+32的MCP，此款芯片从2006.9月开始，已经被很多设计设计公司所认证，在2006年底由于众多手机厂商切换到此款IC，导致了1个多月的缺货，在2007年，三星队此款芯片的制造要降低，原因是2731和2931芯片的推出，他们会每个月逐步降低产能。 二；替换目前市场主流的TOSHIBA的NOR+NAND+SRAM(PSRAM)系 列:128+512+32/128+512+64/128+1Gb+64. 此种制成的MCP由于成本相对来说较高，所以目前就此种制成的MCP市场情况还不算明朗。 三；NAND+MOBILE DRAM/DDR/ONENAND+MobileDDR ：
常见电子元器件的识别(图片)
常见电子元器件的识别(单位，标识方法等) 电阻的识别(电阻的单位，标识方法等)一、电阻 电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。 1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。 a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示47×102Ω（即4.7K）；104则表示100K b、色环标注法使用最多，现举例如下： 四色环电阻五色环电阻（精密电阻） 2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示： 颜色有效数字倍率允许偏差（%） 银色/ 10-2 ±10 金色/ 10-1 ±5 黑色0 100 / 棕色1 101 ±1 红色2 102 ±2 橙色3 103 / 黄色4 104 / 绿色5 105 ±0.5 蓝色6 106 ±0.2 紫色7 107 ±0.1 灰色8 108 / 白色9 109 +5至-20 无色/ / ±20
4 常见电阻器的外形及电路符号 金属膜电阻光敏电阻热敏电阻 可变电阻（电位器）
12 五环电阻器色环颜色与数值对照表 ×100 黑 ×109 9 9 9 白 ±0.05% ×108 8 8 8 灰 ±0.1% ×107 7 7 7 紫 ±0.25% ×106 6 6 6 蓝 ±0.5% ×105 5 5 5 绿 ×104 4 4 4 黄 ±2% ×102 2 2 2 红 ±1% ×101 1 1 1 棕 误差 倍率 第3位数 第2位数 第1位数 第5色环 第4色环 第3色环 第2色环 第1色环 色环 颜色 电位器： 16一种阻值可以连续调节的电阻器，用来进行阻值、电位的调节。 收录机→控制音调、音量电视机→调节亮度、对比度等 8.1.2 电位器 带开关的电位器电位器的外形和电路图形符号
三星手机怎么清理内存
三星手机怎么清理内存 很多手机用户的手机使用一段时间之后，就会发现运行渐渐变慢了，那么，这个时候，就要养成定期给手机做内存清理的好习惯。那么，三星手机怎么清理内存呢?今天，小编就为大家整理一下最多人在问的：三星手机内存清理的教程。 三星手机清理内存方法如下： 步骤一：在待机页面下，点住【HMOE】键。
步骤二：点击【圆形】图标。
步骤三：选择【RAM】。
步骤四：点击【清除存储器】即可。
三星手机内存清理教程： 要采用以下方法解决手机内存越来越小，首先我们应该具有root权限，如果没有，建议先进行刷机操作之后再往下看： 1.打开re管理器，找到/data/dalvik-cache，将/data/dalvik-cache移动到/cache/data/，(或者你也可以直接把目录dalvik-cache直接删除掉)→然后就是重新启动手机，重启之后，你可以发现手机的可用内存明显回来了许多。
2.打开re管理器，找到/data/local/目录，你会看到rights 和tmp这两个文件夹(有的可能没有rights这个文件夹，不过没关系)，进入tmp文件夹，你会发现以前安装失败或是安装途中重启后失败的软件都可以在这里找到，然后当然就是删掉掉它们啦，然后看看你的手机内存，是不是多了很多了，有兴趣的朋友不妨去尝试下喔! 此方法对装40个以上软件的TX有明显效果，AD的软件更新比较快，而且官方的软件也更新较快，每次更新后您是不是发现您的内存又小了5-10M?是不是很蛋疼?蛋疼就请看下去。ROOT手机(现在ROOT很方便且无痛居家必备啊)打开RE管理器，挂载可读写。定位到DATA文件夹，找到dalvik-cache文件夹，果断删除，机器会提示XX进程强制关闭，不要理它，果断立即马上重启手机。这个过程可能要3-5分钟(软件少就快一点，软件多就慢一点)，重启后DALVIK-CACHE文件夹依然会重建出来，但是你的内存明显增加了。此方法理论支持所有的AD系统，而且没发现副作用。 另外还有一点小技巧： 系统自带的地图，市场，FLASH，等软件也经常更新，你会发现SYSTEMAPP下都有这些APK，DATAAPP下也有这些APK，SYSTEM下的是老版本，DATA下的是你更新的版本，但是两个地方
贴片电容容量与封装对照表
Reference No.：PD PD10101210101210101200000011Customer Customer: :承認書 零件名稱：積層陶瓷電容 Description ：Multi-Layer Chip Capacitor DATE ：2020101010/ /10/11宸遠科技料號CCT Part Numbers 客戶料號 Customer Customer’ ’s Part Numbers 宸遠科技 ChipCera Technology Co.,LTD 客戶承認Customer Customer’ ’s Approval 製表Prepared by 審查Checked by 核准Approved by QA Engineer QA Manager Vice G.M. 深圳市宸远科电子有限公司 ChipCera Technology CO.,LTD 深圳市宝安区银田工业区A9栋厂房TEL ：+86-7+86-7555555--29120592FAX ：+86-7+86-7555555- -29120593
Tolerance Capacitance for dielectric A=±0.05pF B=±0.10pF C=±0.25pF D=±0.50pF F=±1.0% G=±2.0% J=±5.0% K=±10% M=±20% NP0X7R X5R Y5V 10pF and below More than10pF 100pF~1μF (101~105) 1uf~100uf (105~107) 10nF~10uF (103~106) B,C,D G,J J,K,M K,M M,Z 1/12