电子束蒸发台操作流程
电子束蒸发设备使用方法说明书
电子束蒸发设备使用方法说明书使用方法说明书一、简介电子束蒸发设备是一种常见的薄膜蒸发工艺设备，用于将固态材料蒸发成薄膜。
本使用方法说明书将详细介绍电子束蒸发设备的使用流程和注意事项，以便用户正确操作设备，获得高质量的薄膜产品。
二、设备准备1. 打开电子束蒸发设备箱体，确保所有配件完好无损，无缺陷。
2. 将电子束源、样品托板等配件装入设备，注意配件固定牢固，且无障碍物堵塞。
三、设备操作1. 打开电子束蒸发设备电源，启动电子束发射系统。
2. 调节加热系统，根据所使用的材料类型和蒸发要求，设定合适的温度和加热时间。
3. 调节电子束均匀性，确保电子束在样品表面均匀蒸发，避免产生不均匀的薄膜。
4. 调节蒸发速率，控制蒸发速度，以获得所需的薄膜厚度。
5. 监控真空度，确保设备处于适宜的真空环境，避免对薄膜质量的负面影响。
四、薄膜蒸发操作注意事项1. 室温控制：薄膜蒸发需要在适宜的工作室温度下进行，因此应确保操作环境恒温，并避免温度过高或过低对薄膜形成的影响。
2. 材料选择：根据所需薄膜的应用，选择适合的蒸发材料，并确保材料纯度，以提高薄膜质量。
3. 样品准备：将待蒸发的样品进行预处理，如清洗、抛光等，以确保薄膜附着良好。
4. 附着控制：根据所需薄膜的厚度要求，控制蒸发时间和速度，确保薄膜附着均匀。
5. 真空度控制：适当的真空度能提高薄膜的质量，因此在蒸发过程中应监测和控制真空度。
6. 安全操作：操作时应注意个人安全，避免暴露在高温、高真空等危险环境中。
五、设备维护1. 清洁保养：设备使用后，应及时清理残留物，保持设备干净，以延长设备寿命。
2. 零部件更换：定期检查设备零部件的磨损程度，如发现磨损需更换零部件，避免影响设备正常运行。
3. 执行维护：设备故障时，应立即停止使用并联系维修人员，不得私自拆卸或修理设备。
六、注意事项1. 请仔细阅读本使用方法说明书，并按照说明进行操作。
2. 请保持操作环境干燥、整洁，并避免操作过程中产生灰尘、杂质等对薄膜质量的负面影响。
电子束蒸发使用步骤
电子束蒸发使用步骤一、前期准备工作1、放基片材料（找准对应坩埚位置）。
2、将样品台和坩埚的两个挡板都挡上。
3、关门前，检查密封圈是否正常。
4、将放气和进Ar气口都拧紧。
二、抽真空1、开供电电源开冷却水（约5min之后）开真空计开机械泵开粗抽阀（先开小一点，将门压紧后，再全打开）。
2、真空计压强小于10Pa时，关粗抽阀（屏幕上尾数显示为0，尾数代表10的几次方）。
3、开电磁阀开分子泵开关，点击运行（约6min之后，分子泵进入正常工作状态，转数逐渐增大，可达27000r/min）。
4、开高真空闸板阀，开到最大（真空正常为6.67×10-4 Pa,最小为6.67×10 -5 Pa）。
5、开步进电机开关，控制转数为10 r/min（通过观察，设置好转数，然后关挡板）。
三、开始镀膜1、开E型枪电源，选择手动模式，按回车键确认（电压控制在6KV）。
2、确认屏幕上5个灯全绿。
3、点击屏幕上灯丝，调灯丝电流0.5A。
4、开气瓶，数值调为0.3左右开坩埚挡板（屏幕和遥控均可用），关基底挡板。
5、开高压，观察坩埚内是否有光斑。
6、调整X、Y位移，使光斑位于坩埚中央。
调整X、Y幅度，使光斑较大且在坩埚内均匀7、缓慢增大束流（手动遥控最下方中间的“蒸发调节旋钮”），直到观察坩埚内材料表面出现波纹状时停止，此时为坩埚内材料的束流最大值。
（经验值：钛－束流值77左右）。
8、开膜厚仪，（提前设置好厚度，根据经验找出膜厚的误差范围）。
9、开基底挡板，开始计时。
10、关基底挡板，计时结束，镀膜完成。
四、镀膜完成，关闭设备1、缓慢关束流，听到“滴”声关高压关挡板关灯丝关总电源。
2、降温30min左右。
3、关高真空闸板阀（顺时针拧，最紧时没有全关，再沿顺时针方向拧，变松即可）。
4、点击分子泵“停止”按钮（频率降为0），关分子泵电源开关关电磁阀关机械泵。
5、松开活门旋钮，打开放气孔（开到最大），从充气阀向系统充入干燥气体（最好使用N2），气瓶上读数不要超过0.3，系统气体充满，门自动打开。
电子束蒸发的制备方法研究
电子束蒸发的制备方法研究电子束蒸发是一种常见的薄膜材料制备方法，它通过电子束加热固态材料，使其蒸发成为气体，最终在衬底表面沉积为薄膜。
在材料科学、光学、电子学等领域中，电子束蒸发广泛应用，例如制备透明导电膜、光学薄膜、金属薄膜等。
本文将就电子束蒸发的制备方法，阐述其具体步骤、技术特点和存在的问题等进行探讨。
1、电子束蒸发的步骤电子束蒸发可以分为四个步骤：材料准备、固态材料的加热蒸发、蒸发材料的运输和沉积、薄膜特性分析。
首先，材料需粉碎成粉末或片剂，然后再加入到电子束蒸发器的坩埚中。
接着，通过电子束的束缚作用，将蒸发器内的固态材料加热至其蒸汽压与所需沉积压力相当。
当蒸发材料获得足够能量释放时，它将变为气体状态，由于交通运输规定，这个气体会通过依靠各种气体管道和流量计排出。
最后，电子束蒸发所得的薄膜通常需要进行检测、性质分析或者后续工艺加工。
2、电子束蒸发的技术特点电子束蒸发具有以下几方面的技术特点：（1）高度纯化：由于在真空条件下进行，可以有效避免与空气中杂质的相互干扰，蒸发出来的物质具有极高的纯度。
（2）高效性：电子束加热方式能够提供更高的蒸发速率。
（3）灵活性：通过在压缩、微加工和光学等领域的应用，利用电子束蒸发装置可以在多种衬底材料和非线性薄膜材料之上制备出一系列可能的材料和结构。
（4）厚度和位置控制：这个技术能够通过精密控制蒸发过程中的蒸汽压力、沉积速度等参数实现对厚度和位置的高度控制性。
（5）可重复性：在电子束蒸发的操作过程中，可以通过对加热温度、时间、蒸汽压、功率、坩埚耗损等多个参数的实时控制来规范化这个过程。
3、电子束蒸发的存在问题（1）电子束损耗问题：由于电子束需要对生产物资进行加热蒸发，因此电子束的数量和能量对衬底和未被用作蒸发物的部分进行了浪费。
目前，将多个蒸发器的蒸汽扔在一个专门的离子收集器中的方法目前已经被广泛采用，以用于电子回收。
（2）耗能问题：电子加热的方法与其他热蒸发和物理气相沉积等材料制备技术相比，并没有太高的能量利用效率，因此在工业生产中，需要更经济和高效的能源来源。
电子束蒸发镀膜仪简易操作流程
电子束蒸发镀膜仪简易操作流程1、打开北313高纯氮气瓶主阀（减压阀0.25 MPa，使用结束切记关阀，因为漏气）；2、打开电子束蒸发仪后面的高氮手阀；3、登陆界面。
沉积系统和膜厚系统分别登陆；4、观察两个腔室真空度情况：主腔室一般~ 10-8 torr，送样室一般~ 10-7 torr；5、在真空界面，Loadlock自动充气（提前打开门把手）；6、取样品盘，装样，放入腔体，关仓门；7、Loadlock自动抽气，待真空达到~ 10-7 torr；8、送样：在送样界面，点击自动送样，稍等一会（待字体由红变黑结束送样），打开观察窗挡板观察送样是否到位，随后关闭观察窗挡板；9、打开下方的电子束高压电源与扫描控制器；10、在膜厚系统，Edit -> Process ->选择对应靶材，更改速率Set point（Å/s）以及厚度Finalthickness（kÅ），点击OK；11、在工艺控制界面，材料分布处输入对应靶材的号码并确定，点击坩埚导位（由绿变红完成导位）；打开观察窗挡板观察是否导位正确，随后关闭观察窗挡板；12、在工艺控制界面，样品旋转~10 rpm；13、待主腔室真空度达到~ 10-8 torr，点击HV1 On，开电子束，由红变绿，响一声；14、点击Start process，开始自动镀膜；15、在膜厚系统观察蒸镀过程。
Output power graph和Rate graph；若出现异常，点Abortprocess；16、蒸镀结束后，关闭HV1 ON。
若还需蒸镀其他材料，回到第9步；17、关闭高压电源以及扫描控制器；18、在送样界面，自动取样，稍等一会，待取样完成；19、Loadlock自动充气（提前打开门把手），取样；20、将样品盘放回，关仓门，Loadlock自动抽气；21、待Loadlock自动抽气按钮变成黑色后，退出登录（点击注销）；22、关闭高氮手阀，以及北313高氮气瓶；23、实验登记。
电子束蒸发镀膜
电子束蒸发镀膜
1、电子束蒸发镀膜：
电子束蒸发镀膜（EB PVD）是一项化学上优质、性能卓越的金属镀膜方法，它
利用电子束技术使金属材料蒸发，然后以无定形溅射的方式将浓度均匀的金属材
料形成镀膜在次底面上。
电子束蒸发镀膜使用的主要金属包括黄铜、锌、锡、铬、铝及不锈钢等。
2、适用范围：
电子束蒸发镀膜适用于精密机械、工具、航空航天、集装箱和运输设备、生物医学设备、精密光学仪器、特种电子元件及不同行业中所需要的高性能件。
3、优势：
电子束蒸发镀膜技术比其他镀膜技术具有更高的表面性能，如光泽度、耐蚀性、耐磨性等等，同时也可以产生较厚的镀层，此外，这种镀膜技术对金属蒸发源的
要求低，可以使用少量金属材料，并能够产生良好的附着力和均匀性。
4、操作方式：
电子束蒸发镀膜需要一台蒸发源，采用放电的方式加热蒸发源，使金属材料汽化，然后以精确的电子束缩短端部，使金属以无定形溅射的方式投射到次底面上，通过调整放电情况及电子束形成状态，使投射金属材料以薄层沉积在基体上，建立起人为制造的金属镀膜。
5、应用场景：
电子束蒸发镀膜的应用场景比较广泛，可以用于汽车用品、交通设施及装备的防腐防护；用于摩托车、船舶及飞机等运输工具的防腐涂层；用于电子器件、保险
丝及其他电子精密件的钝化防腐涂层；在厨具行业、医疗器械行业和汽车制造等行业也有着广泛应用。
电子束蒸发系统操作步骤
电子束蒸发系统操作步骤抽真空→热蒸发/电子枪操作→关闭热蒸发/电子枪系统→关闭真空系统抽真空1.关闭进气阀，开冷却水，打开总电源（仪器柜后面与前面）2.将抽气管子放窗外，打开冷却水报警（鸣叫表示分子泵冷却水未开）3.开机械泵，电磁阀1，开角阀（先慢后快）4.开真空计，当真空度高于10帕时，关闭角阀5.电磁阀2，开插板阀（双手操作），开分子泵6.当运行分子泵后，真空示数正常下降，关闭真空计电子枪系统操作1.（当真空计读数低于6.7×10-3Pa),开内5开关2.按扫描键（柜门灯亮，开电子枪冷却水，枪水流灯亮，X电流0.8A，Y 电流0A）3.枪灯丝电源（0.4A，电压60V，预热3至5分钟）4.束流控制调为手动，打开高压8Kv5.检查束流是否最小，按手控仪上高压键，稳定2分钟6.慢慢增加束流（顺时针旋增大，不同金属蒸发束流参数不同，需保存）7.调节光斑位置（X顺时针向下，Y顺时针向右）8.打开膜厚仪冷却水，打开膜厚仪，打开样品台挡板关闭电子枪系统过程1.束流慢慢调到最小，关闭手控仪上高压，关闭8KV开关2.枪灯丝电流关闭，关闭扫描键，关闭内5开关关闭真空系统过程（电子束做完应等待半小时或更长时间才关闭真空）1.停止分子泵，关闭插板阀，分子泵转速为0，电磁阀中间2.分子泵停止半小时后，停止机械泵，关闭真空计，关闭总电源（柜门前后），关冷却水膜厚仪操作（先打开膜厚仪冷却水）Setting: 进入参数设置→移动光标到参数类型（setting只按一次，若多按请继续按setting直到回到“层次”）；↑，↓：更改参数（层次，材料，方式），厚度，密度，声阻抗按数字直接输入；begin:按两次测膜厚；operating：停止镀膜；delete：镀膜结束；再按operating回到基本显示状态热蒸发操作压缩机操作1.电源（红色把）竖直→关闭；水平→打开2.气路（0.25MPa）平直→打开；垂直→关闭旋钮：控制气压大小注意事项1.真空度低于0.1Pa，机械泵不能直接打开连通，会造成回油，电离规不能打开2.电子束结束，束流旋到最小；X/Y振幅最小，X/Y位置不要变化3.真空计，膜厚仪不需要显示时，及时关闭；真空腔及时关闭，不要让腔体长时间暴露大气4.分子泵，电子束停止操作后，冷却水继续冷却20分钟左右5.打开气路，要慢慢操作；电子器件要预热6.不要把东西丢在真空腔内7.定期清洁真空室8.戴口罩，手套，穿实验服操作紧急断电事项1.关闭高压部分：关闭手控仪上高压键，关柜8KV，束流调到自动，关枪灯丝电源，关扫描键2.关真空系统部分：电磁阀中间，关闭插板阀，关闭分子泵电源，关闭机械泵，关前后总电源3.学习灭火器灭火特别提醒定期检查分子泵，机械泵的油，注意声音水，电，气，门，窗关闭了吗？。
电子束蒸发操作规范
电子束蒸发使用安全规范1、实验前确认事项A、开启液氮；B、冷却机水箱是否具有足够的水。
2、装样A、拧开样品台上的四个螺母，断开冷却水管，取出样品台；B、使用乙醇擦拭样品台与腔体的接口；C、装样；D、把样品台放入腔体，拧紧样品台的螺母，接上冷却水管。
3、开机，抽真空A、打开总电源，开启冷却水机；B、打开电脑操作软件，启动分子泵以及机械泵。
4、除气A、待腔体内气压低于10-3pa（时间允许情况下真空度尽量低）；B、打开面板电源；C、HV降至0V；D、Control Mode设置为Filament Current;E、Pocket 1设置为Enable；F、逐渐提高Filament Current至1A，注意不要使真空度降低过快；G、将Filament Current降至0，关闭Pocket 1。
5、镀膜A、HV升高至2 kV；B、Control Mode设置为HV power；C、逐渐提高HV power（视工艺参数而定），同时注意不要使真空度降低过快；D、打开蒸发源挡板，稳定5分钟；E、打开样品台挡板，正式镀膜，记录镀膜开始时间；F、关挡板，记录结束镀膜时间，降低HV power至0 w，然后降低HV至0 V（注意降低的顺序不可颠倒）；G、冷却30分钟。
6、取样A、关闭分子泵以及机械泵，关闭冷却水机；B、待分子泵转速低于2000rpm，若电磁阀为自动开启需手动开启，拧开样品台螺母，通入氮气至样品台可取出（勿正对玻璃观察窗）；C、断开冷凝水管，取出样品台，取样；D、将样品台放入腔体，接上冷凝水管。
7、关机A、关闭总电源；B、关闭计算机（勿忘记关闭电磁阀）。
电子束蒸发镀膜仪简易操作流程
电子束蒸发镀膜仪简易操作流程1、打开北313高纯氮气瓶主阀（减压阀0.25 MPa，使用结束切记关阀，因为漏气）；2、打开电子束蒸发仪后面的高氮手阀；3、登陆界面。
沉积系统和膜厚系统分别登陆；4、观察两个腔室真空度情况：主腔室一般~ 10-8 torr，送样室一般~ 10-7 torr；5、在真空界面，Loadlock自动充气（提前打开门把手）；6、取样品盘，装样，放入腔体，关仓门；7、Loadlock自动抽气，待真空达到~ 10-7 torr；8、送样：在送样界面，点击自动送样，稍等一会（待字体由红变黑结束送样），打开观察窗挡板观察送样是否到位，随后关闭观察窗挡板；9、打开下方的电子束高压电源与扫描控制器；10、在膜厚系统，Edit -> Process ->选择对应靶材，更改速率Set point（Å/s）以及厚度Finalthickness（kÅ），点击OK；11、在工艺控制界面，材料分布处输入对应靶材的号码并确定，点击坩埚导位（由绿变红完成导位）；打开观察窗挡板观察是否导位正确，随后关闭观察窗挡板；12、在工艺控制界面，样品旋转~10 rpm；13、待主腔室真空度达到~ 10-8 torr，点击HV1 On，开电子束，由红变绿，响一声；14、点击Start process，开始自动镀膜；15、在膜厚系统观察蒸镀过程。
Output power graph和Rate graph；若出现异常，点Abortprocess；16、蒸镀结束后，关闭HV1 ON。
若还需蒸镀其他材料，回到第9步；17、关闭高压电源以及扫描控制器；18、在送样界面，自动取样，稍等一会，待取样完成；19、Loadlock自动充气（提前打开门把手），取样；20、将样品盘放回，关仓门，Loadlock自动抽气；21、待Loadlock自动抽气按钮变成黑色后，退出登录（点击注销）；22、关闭高氮手阀，以及北313高氮气瓶；23、实验登记。
电子束蒸发开机流程
一，电子束蒸发开机流程1，开循环水。
先开回水阀，再开进水阀。
打开腔室装样品(参考关机流程第7条)。
2，开总控制电源。
3，开机械泵4，开初抽阀，开真空计。
5，待真空计读书小于10Pa,关初抽阀，开电磁阀。
6，若真空计读数稳定，开分子泵。
7，开启高真空阀。
8，开控温电源并设定样品基座温度（功率限制控制在6到7之间）。
9，待真空达到工艺要求（一般小于6.7E-3Pa），则开始电子束蒸发工艺。
二电子束蒸发工艺流程1，开蒸发控制电源。
2，枪灯丝预热。
将灯丝工作电流由预置开关调整到0.6A并等待5分钟。
3，高压选择开关开，根据工艺要求可选择6千伏或者8千伏档。
4，扫描开。
此时可打开步进电机控制电源。
关闭真空计。
5，通过调节器上按纽开高压。
6，通过手动选纽调整光斑，使得光斑处于坩埚中央并有小幅晃动。
（注意应使得X扫描电流在1附近，Y扫描电流在0附近）7, 束流加大，开始融料并蒸发。
注意一定要缓慢调节束流，防止由于加热过快而打坏坩埚或者使得蒸发源飞溅出来。
8，待料融化后手动开关打开挡板。
9，打开样品挡板，开始蒸发。
蒸发结束，关闭挡板。
10，束流调为零。
（非常关键，一定要注意）11，手动高压关。
12，扫描关。
13，通过预置开关将灯丝电流调小。
14，枪灯丝开关关。
15，高压选择开关关。
16，电源关。
三电子束蒸发关机流程1，关步进电机控制电源，关控温电源。
2，关分子泵。
3，关高真空阀。
4，待分子泵转速小于10000转时，关电磁阀。
5，关机械泵。
6，关总电源。
若不直接取片，直接到第12条。
7，若需要取片，则请等待15分钟后打开前门搭扣，打开氮气充气阀充气，待充气完成后关闭充气阀。
打开腔门，取出样品。
关门，扣上搭扣。
8，打开总电源。
9，开机械泵，开初抽阀，开真空计。
待气压小于10pa后关闭初抽阀，关闭真空计，关机械泵。
10，关总电源。
12，关循环水。
先关进水，再关回水。
注意：蒸发开始后人不可离开设备，须随时观察蒸发的情况。
电子束炉安全操作规程
电子束炉安全操作规程1. 引言本文档旨在指导电子束炉的操作人员进行安全、高效的操作。
电子束炉主要用于高温、高真空下的材料熔炼、表面处理等工艺。
正确的操作是保证工艺成功实施和操作人员安全的前提条件。
2. 操作前准备2.1 清理操作区域操作人员应确保操作区域清洁、干燥，排除可燃物、易爆物和其他杂物。
2.2 工装准备根据具体工艺要求，准备好所需的炉具、试样、工装以及其他辅助设备。
检查这些设备的完整性并确保其合适并可靠。
2.3 炉具检查检查电子束炉的各项设备是否完好，如真空密封装置、冷却系统、控制系统等。
确认设备运行状态正常后，才能进行下一步操作。
2.4 操作人员准备操作人员应戴好防护设备，包括耐高温手套、防护眼镜、口罩和防护服，并确保具备相关专业知识和技能。
3. 炉内操作3.1 真空检查在开始操作之前，必须确保炉内真空度正常。
打开真空检漏仪器，检查并确认炉内的真空度符合工艺要求。
3.2 试样放置根据工艺要求，将试样放置到炉具中。
注意试样的放置位置和数量，确保其不会相互干扰或发生倾斜。
3.3 炉内密封将试样放置好后，进行炉内密封操作。
检查密封装置是否完好，并确保密封性良好。
3.4 启动电子束炉根据操作手册的要求，启动电子束炉。
确保各项参数设置正确，例如加热功率、加热时间和真空度。
3.5 监控操作在电子束炉启动后，操作人员需要持续监控设备运行情况和试样状态。
注意观察试样的熔化情况和任何异常情况的出现。
3.6 熔炼结束当试样熔炼完成或达到所需的状态后，关闭电子束炉。
注意等待设备冷却至安全温度后，才能进行下一步操作。
4. 操作后清理和检查4.1 关闭电子束炉在熔炼结束后，关闭电子束炉。
按照操作手册的指引，逐步关闭各项设备，如真空系统和冷却系统。
4.2 清理操作区域清理操作区域，包括清除试样残留物、清理操作台面和周围区域。
保持操作区域清洁整齐。
4.3 设备检查定期检查电子束炉的设备，包括密封装置、冷却系统和控制系统等。
电子束蒸发PPT-课件
电子束蒸发PPT
真空蒸发镀膜法：将固体材料置于高真空环境中加热，使之升华或蒸发 并沉积在特定衬底上以获得薄膜的工艺方法
技术分类：依据蒸发源的不同
电阻热蒸发
真
电子束蒸发
高频感应蒸发
工作原理：线圈在高频磁场作用下因产生强大的涡流损失和 磁滞损失而升温，使材料受热蒸发。
高频感应加热（叶志镇 2008）
优点：污染少 蒸发速率大 不易产生飞溅 操作简单
缺点：不能预除气 功率不能微调 装置复杂、昂
贵
激光束蒸发
工作原理：采用激光束作为蒸发材料的一种热源，让高能 量的激光束透过真空式窗口，对蒸发材料加热蒸发，通过 聚焦可使激光束功率密度提高到106w/cm2以上。
特点： 产生等离子体， 使蒸发材料和反 应气体电离活化， 提高反应效率
反应蒸发装置图（叶志镇 2008）
Thanks！
蒸度高熔点薄膜和高纯薄膜的一种主要加热方法
电子枪由电子束聚焦方式的不同分类： 直式电子枪 环枪（电偏转） e形枪（磁偏转）
环形枪结构示意图（叶志镇 2008）
优点：不易污染 功率大 可蒸发高熔点材料 成膜质量较好
缺点：要求高真空 设备成本高 易污染 斑点固定 易“挖坑” 功率和效率都不高
直枪结构示意图（叶志镇 2008）
空
蒸
高频感应蒸发
发
技
术
Hale Waihona Puke 激光束蒸发反应蒸发
电阻热蒸发
热蒸发：蒸发材料在真空室中被加热，其原子 或分子从表面逸出的现象
加热方式：电阻加热
电子束蒸发
电子束蒸发：将蒸发材料置于水冷坩埚中，利用电子 束进行直接加热，使蒸发材料汽化并在衬底上凝结形成薄 膜的方法。
由电阻加热蒸发的缺点可知，该方法不适用于高纯或高熔点物质 的蒸发，而电子束蒸发恰好可以克服电阻蒸发的这一不足，因而 电子束加热已成为蒸镀高熔点薄膜和高纯薄膜的一种主要方法。 在电子束蒸发技术中，一束电子通过5-10KV的电场后被加速， 最后聚焦到待蒸发材料的表面。当电子束打到待蒸发材料表面时 ，电子会迅速损失掉自己的能量，将能量传递给待蒸发材料使其 熔化并蒸发，也就是待蒸发材料的表面直接由撞击的电子束加热 ，这与传统的加热方式有很大不同。
优点：结构简单，成本低，使用方便
缺点：灯丝易被污染 斑点固定 易出现“挖坑”蒸发现象 功率和效率都不高
直枪是一种轴对称的直线加速枪，从加热灯丝发射出的电子束，经阳极加
速后在磁场作用下聚焦，而后轰击坩埚中的材料使之熔化和蒸发。其中， x-y偏转线圈的作用是使聚焦电子束能够在一小范围内移动，从而使聚焦
由于与盛装待蒸发材料的坩埚相接触的蒸发材料在 整个蒸发沉积过程保持固体状态不变，这样就使待 蒸发材料与坩埚发生反应的可能性减少到最低。直 接采用电子束加热使水冷坩埚中的材料蒸发是电子 束蒸发中常用的方法。对于活性材料、特别是活性 难熔材料的蒸发，坩埚的水冷是必要的。通过水冷 ，可以避免蒸发材料与坩埚壁的反应，由此即可制 备高纯度的薄膜。
斑位置得以调节。
优点：使用方便；功率变化范 围广（几百瓦到几百千瓦）； 易于调节
缺点：设备体积大、结构复杂、成 本高；蒸发材料会污染枪体结构， 同时灯丝上逸出的钠离子会引起薄 膜的沾污。
e形枪是电子束偏转270°的电子枪，因电子轨迹呈“e”形而得名。 从灯丝发射出的电子束，受到数千伏偏置电压的加速，并经横置的 磁场偏转270°后再轰击坩埚中的蒸发材料使之熔化和蒸发。
Ebeam500电子束蒸发镀膜仪操作规程
Ebeam500电子束蒸发镀膜仪操作规程Ebeam500电子束蒸发镀膜仪操作规程一、操作规程1.开启循环冷却水两个水管开关与水管打到平行位置，冷却水箱电源开关打开。
2.样品取放电子束蒸发镀膜设备总电源打开，根据操作面板上的各指示灯信号检查设备状态；检查镀膜舱室是否打开，若上次镀完后未打开,样品室处于负压状态，需先放N2至样品室至常压，再打开样品室柜门送样。
放气：先打开放气阀开关（控制面板上有一个放气阀开的按钮），N2运输开关旋转向下至镀膜仪样品室，再打开N2瓶。
根据样品室声音判断状态，直至阀门栓自动松开，然后立刻关闭N2瓶总阀及运输开关转回到N2枪方向，再关闭放气阀开关（控制面板上放气阀关闭按钮））；取样：打开挡板（控制面板上挡板打开按钮），单手水平托住托盘轻轻旋转至脱离样品架卡口，将已经镀好的样品取出。
送样：将新硅片放在托盘上并将托盘的四个豁口卡在样品架支柱上。
然后关闭挡板（控制面板上挡板关闭按钮）。
检查坩埚靶材：面板膜厚控制仪区域power按钮打开，按start/begin，坩埚挡板自动打开，检查坩埚，如果正常，关闭power 键（挡板自动关闭）。
关闭样品室柜门：首先拧紧柜门两个紧固件，然后依次打开机械泵和电磁阀I，继续拧紧柜门两个紧固件直至柜门被紧紧吸住，等待柜门边缘上的漏气声音先变大后变小至消失，然后紧固件会自动松开，再进一步手动彻底松开两个紧固件。
3.抽真空打开控制面板真空计开关，等待右边真空计示数达到6Pa以下，关闭电磁阀I，依次打开电磁阀II，按控制面板下方分子泵控制器运行键，再去打开闸板阀，朝打开方向快速旋转直至听到“噹”声，之后继续开至最大（有阻力感），再返回一点。
此时分子泵控制器显示屏提示“转速追踪中…”，在转速达到10000转/分后，分子子泵显示屏将显示其转速、频率、电流和电压（分子泵满转速率是27000转/分；）。
然后再打开电离规真空计（真空计左边显示器：依次按功能、置数按钮打开）。
18#119 电子束蒸发操作说明
电子束-电阻蒸发复合镀膜系统操作说明厂家及型号：中科院沈阳科仪公司EB500-I电子束蒸发-电阻蒸发复合镀膜系统开机及样品取放：1.打开空气压缩机，并且同时检查机器后面的压缩空气压强计（一般情况下指针指到0.5MPa）；2.打开循环水，指针一般在0.1~0.2Mpa之间；3.打开电子束蒸发总电源；4.在电脑界面上打开控制软件；5.打开氮气阀（也可以在破真空取样的时候再打开，减压阀压强调节至约为0.1MPa，不要太大）；6.点击真空控制→取样，向腔室通入氮气，待腔室压强与外界压强一致时，腔室大门自动打开（界面右上角显示腔室大门为打开状态，非红色显示），关闭减压阀及气瓶；7.将挡板放置最低位置，轻轻取出样品盘，将样品放置到样品盘上，之后将样品盘放入腔室，将挡板调至一定的高度（在取/放样品盘时，一定要确保膜厚仪传感器（立方体型）和温度传感器（两根钢丝）都放在了样品盘中间的圆孔里，同时也要注意样品的位置，尽量不碰触到，以防损坏）；8.检查要蒸发的原材料是否够用；9.关闭腔室大门；抽真空及材料蒸发：1.点击真空控制系统→抽真空，开始即可；2.当真空度需达到5×10–4Pa以下时，在REMOTE远程控制模块上，打开各个模块的电源从下到上依次为：1）打开Control，打开High V oltage；2）打开高压控制电源，AIR/CAB指示灯开始闪烁（高电压冷却风扇正在启动，当AIR/CAB指示灯常亮后，才能启动高压）；3）打开电子束控制电源；4）打开坩埚控制电源；5）选择需要蒸发的材料及相应坩埚的位置，设置要淀积薄膜的厚度；6）选择生长时电子束的形状；3.待风扇正常后，在电子枪面板→高压开（预热3~5分钟）→束流开，在高压预热期间将样品盘自转打开（10r/m）；4.点击开始层，开始镀膜；1）在预熔阶段，观察电子束束斑是否在蒸发源中心，如果偏离了中心，需联系工程师，同时在膜厚控制器中，切换为手动控制，将功率降为0；2）如果在沉积的过程中发现压强迅速增大（大于1×10–3Pa，甚至更大），各个电磁阀都关上，可能压缩机出现问题，同样切换为手动控制，将功率降为0；5.镀膜结束，待功率自动降为0，束流关→高压关，但不动面板所有开关（过5~10min后，再关面板开关，尤其是功率源开关），其他的电源保持开启状态，让高压电源散热一段时间，同时关闭样品盘自转：1）关闭坩埚控制电源；2）关闭电子束控制电源；3）关闭高压控制电源；4）关闭High V oltage，关闭Control；取样及关机：1.生长完成至少30min后（或腔室温度降至30℃或以下时），依次关闭各个阀门和泵（关闭截止阀→高阀→分子泵（等分子泵的频率降到50Hz以下时）→关闭前级阀→关闭机械泵），取样（步骤同前），如还需继续实验，只需破真空取装/样即可；2.样品取出后，要将腔室进行粗抽，使其保持一定的真空度；3.关电脑，关设备总电源，关循环水，关空气压缩机。
电子束蒸发镀膜机安全操作及保养规程
电子束蒸发镀膜机安全操作及保养规程前言电子束蒸发镀膜机是用电子束热源蒸发待镀膜物质并在基底上形成薄膜的设备。
在使用过程中需要特别注意安全操作，同时加强设备的保养维护。
安全操作规程1.在使用前，需要对设备进行全面检查，检查相关部件是否齐全，是否有畸变损坏等情况，再进行操作。
2.在使用设备的过程中，注意关注设备运行状况，避免出现异常现象。
3.在使用设备时，要按照设备正常使用条件下的工作范围来进行操作。
不要超过设备限制的工作电压和电流，以及温度等范围，注意避免起火爆炸等危险。
4.在设备运行时，需要定期清除设备内的气体及杂质，保证设备的无菌环境。
定期清理设备内部杂质。
5.在设备中添加材料时，必须要严格检查材料本身的质量和化学成分，避免使用出现质量问题的材料。
设备保养规程1.设备需要定期进行清洗维护，保证设备的整体清洁度，便于使用与管理。
2.定期检查设备的各项性能指标，以及清洗设备内部各种零件，比如光源、反射器、转盘等，保证设备顺畅运行。
3.对于需要更换部件的设备，比如离心机、电机等，需要及时更换，不要拖延时间，否则可能会影响设备的使用效果。
4.针对设备操作人员，需要定期基础培训和进阶培训，保证操作人员能够熟练掌握操作技巧。
总结电子束蒸发镀膜机在实际生产和生活中，有着重要的应用价值。
尤其在机械加工、航空、电子产品等领域。
因此，对于使用这类设备时，安全和保养就显得尤为重要。
以上规程就是对于电子束蒸发镀膜机使用这方面的完善规范，建议大家都应该仔细阅读使用。
电子束蒸发台操作流程及注意事项
电子束蒸发台操作流程及注意事项下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor.I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!电子束蒸发台操作流程与安全注意事项电子束蒸发台是纳米材料制备和薄膜沉积的重要设备，其操作需要精确且谨慎。
电子束炉操作顺序说明
操作顺序及安全注意事项一、操作顺序1、合电源柜的隔离开关（一般不断开除非长时间停炉）2、合电源柜的“真空系统空开（350A）”、“拖动系统空开（63A）“、“操作台空开(32A)”、“220V(20A)空开”。
220V空开一但合上在工作过程中严禁断开！！！3、合上以上电源后，10秒左右，真空系统面板上“手动指示灯”亮，说明PLC正常。
4、打开仪表电源柜上的真空计，进行系统抽空。
抽空过程中禁止关闭所有真空计！分子泵的电源在仪表电源柜的后面。
5、准备熔炼时，合上电源柜里的“付高压灯丝空开”，等付高压、灯丝调好后，再合“主高压空开”。
打开仪表电源柜里的直流电源（共5个）进行熔炼操作。
二、安全操作注意事项：1、熔炼之前禁止合主高压空开、付高压灯丝空开！！！！2、合高压空开、付高压灯丝空开之前确保现场人员在安全区内！！！3、熔炼过程中禁止上梯子（电子枪平台）、触碰电子枪系统的任何部位、禁止进入高压区域！！！4、熔炼结束后，确保操作台上已经断掉主高压、付高压、灯丝电压、然后断开主高压空开、付高压灯丝空开，到高压变压器区域拿放电杆进行放电。
5、如果熔炼过程中出现频繁放电打火的异常现象，操作人员需1、停止熔炼操作、操作台上调节主高压、付高压、灯丝电压电位器让主高压电压值、付高压电压值、灯丝电压值归零！2、断开主高压启停按钮、付高压启停按钮、灯丝启停按钮、断开调压柜的主高压空开、付高压灯丝空开。
3、然后进行放电操作方可打开电子枪门检查！如果操作人员到高压区域检查变压器、整流桥等是否有异常。
注意：进入高压区域之前可以在高压区域外安全区域观察，如必须要进入高压区域，严禁触摸高压室内任何电缆！必须用放电杆（绝缘铜杆）对主高压变压器与整流桥之间的铜管（三相）都进行放电操作！确保放电操作后，方可在高压区域内进行观察！！！切记！！！！！！6、如果放电严重造成任何电气元件的损坏（包括控制柜内和高压区域内）请停止熔炼操作，与我们联系！切勿再进行熔炼操作，否则必将引起整个控制系统严重故障。
EBL电子束蒸发操作流程及管理规范
电子束蒸发操作流程
1.制样：将样品用耐高温胶带贴到样品盘上，一定确保样品粘牢，防止样品中途掉下砸坏灯丝。
2.泄真空：点击面板PC vent按钮自动泄真空，待腔体压强达到室压7.6*E2 torr之后方可打开腔体。
3.将样品盘旋到盘托上然后固定，关闭腔体并检查是否严紧，检查并确定所蒸金属的坩埚是否在对应的槽内。
4.抽真空：首先确保PC Turbo Backing阀门关闭，然后点击PC Roughing 阀门进行粗抽，待压强达到1.3*E-1Torr之后，关闭PC Roughing阀门，再打开PC Turbo Backing阀门，最后打开高阀（高阀打开之后方可离开）。
待腔体真空度达到目标真空度之后，即可进行蒸镀。
5. 蒸镀：首先设置所蒸金属的参数，点击Accum Thk按钮并打开面板上EBeam Shutter挡板，然后按下控制手柄上的高压按钮，之后缓慢增大电流（一次一格，禁止跳跃式增大、减小电流），通过调节反光镜确定电子束是否打在坩埚中心，如果没有应立即调整电子束位置使其打在坩埚中心。
打开PC Substrate Shutter，逐步增大电流使其达到所
需沉积速率之后蒸镀开始。
当金属厚度达到所需厚度之后，关闭PC Substrate Shutter，缓慢减小电流，最后再关闭EBeam Shutter挡板。
待设备冷却十分钟之后，再蒸镀下一种金属。
6.取样：设备冷却之后泄真空（步骤2），将样品盘取出之后。
抽真空（步骤4），保持腔体处于真空状态。
电子束蒸发台操作流程
TF500 操作流程1 操作安全•在您操作任何部件之前请阅读所有相关的说明。
•TF500的表面或部件可能很热或很冷.请不要触碰热的或冷的表面，比如泵体，材料,夹具,真空腔体和连有石英加热并有其他排气工艺的部件。
•请保持所有配件柜处于闭锁状态。
请不要把钥匙留在锁上.•在腔体打开的时候,电子枪挡板是可以转动的。
操作员需注意，因为挡板不留意的转动可能导致人员伤害并导致设备损坏。
2 TF500启动2.1 启动TF5001. 启动冷却水源。
2. 启动压缩气体源。
3. 启动充气气体源。
4. 请确保在19寸控制柜面板上的所有部件的控制都处于“关”的位置。
5. 打开TF500的电源空气开关，确保EMO松开。
按下前面板“I/O”按钮启动设备，然后按“Reset”按钮给各个部件加电自检。
6. 打开电脑，进入Win7的密码为admin，SCADA软件将在win7中自动打开，点“Start”开始运行SCADA软件， SCADA软件将初始化并加载各部件(注意！不要关闭设备自动打开的其他界面），在主软件界面登陆相应的权限,进入组态的CONTROL SCREEN，按按钮。
抽真空系统随后将会启动。
7. 当系统状态为“TURBO PUMP READY”，这就表示腔体已经准备好了，可以对腔体抽真空开始做工艺了。
2。
2 装载TF500腔体请参考PC操作的补充材料“PC控制”文件。
当腔体处于真空状态,如果可以请先按按钮再按按钮对腔体进行充气.充气阀打开并对腔体充气,并在腔体充气时间结束后自动关闭充气阀门，如果门已经打开，充气时间还未结束，请再次按下键关闭充气气源.打开腔体门并将基板安装到旋转盘上。
关闭腔门并检查确保基板仍在正确的位置上.按或按钮对系统抽真空.3 TF500关机3.1正常关机我们推荐您使用如下流程进行关机。
在您关闭TF500时，保持TF500腔体处于真空状态。
1. 确保真空腔门是关闭的.2. 在系统控制界面，按按钮,然后等到腔体压力降到3 x 10-4 mbar或更低。
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TF500 操作流程1 操作安全警告请遵守如下给出的安全说明并注意适当的防范措施。
否则，可能导致人员伤亡和设备损坏。
在您操作任何部件之前请阅读所有相关的说明。
TF500的表面或部件可能很热或很冷。
请不要触碰热的或冷的表面，比如泵体，材料，夹具，真空腔体和连有石英加热并有其他排气工艺的部件。
请保持所有配件柜处于闭锁状态。
请不要把钥匙留在锁上。
在腔体打开的时候，电子枪挡板是可以转动的。
操作员需注意，因为挡板不留意的转动可能导致人员伤害并导致设备损坏。
2 TF500启动2.1 启动TF5001. 启动冷却水源。
2.启动压缩气体源。
3.启动充气气体源。
4.请确保在19寸控制柜面板上的所有部件的控制都处于“关”的位置。
5.打开TF500的电源空气开关，确保EMO松开。
按下前面板“I/O”按钮启动设备，然后按“Reset”按钮给各个部件加电自检。
6.打开电脑，进入Win7的密码为admin，SCADA软件将在win7中自动打开，点“Start”开始运行SCADA软件， SCADA软件将初始化并加载各部件（注意！不要关闭设备自动打开的其他界面），在主软件界面登陆相应的权限，进入组态的CONTROL SCREEN，按按钮。
抽真空系统随后将会启动。
7.当系统状态为“TURBO PUMP READY”，这就表示腔体已经准备好了，可以对腔体抽真空开始做工艺了。
2.2 装载TF500腔体警告在大气环境下（比如已经充气），基片工作台可能还是旋转的。
当您的手在腔体里或者其他在旋转基片上存有会伤害您自己的风险时，请注意不要旋转工作台。
请参考PC操作的补充材料“PC控制”文件。
当腔体处于真空状态，如果可以请先按按钮再按按钮对腔体进行充气。
充气阀打开并对腔体充气，并在腔体充气时间结束后自动关闭充气阀门，如果门已经打开，充气时间还未结束，请再次按下键关闭充气气源。
打开腔体门并将基板安装到旋转盘上。
关闭腔门并检查确保基板仍在正确的位置上。
按或按钮对系统抽真空。
3 TF500关机3.1正常关机我们推荐您使用如下流程进行关机。
在您关闭TF500时，保持TF500腔体处于真空状态。
1. 确保真空腔门是关闭的。
2. 在系统控制界面，按按钮，然后等到腔体压力降到3 x 10-4mbar或更低。
3. 在系统控制界面，按按钮。
4. 当系统状态为“腔体密封”时，在系统控制界面按按钮。
5. 当系统状态为“STAND BY”，再等待大约15分钟，分子泵转速降为0后，按“”按钮。
按钮中的绿灯随后熄灭。
6. 再关闭冷却水，工艺气体，压缩气体源和电源空开，（长期不用时请关闭气源水源，并将水箱的水排干）。
3.2 紧急停止紧急状态下，按急停按钮紧急关闭TF500。
当您按下急停按钮时，抽真空系统就会关闭并且真空系统电柜，19寸控制柜和所有装在真空腔体里的配件，它们的电源都会关闭。
3.3 电源中断如果是一次暂时的电源中断（或者大约0.5秒或更少），TF500将会正常运行。
如果电源中断长于“暂时”时间并且随后就恢复了，TF500将进入待机状态。
您必须按“Reset”按钮并在系统控制界面按按钮重启TF500。
一旦电源中断，高真空门阀将一直保持关闭，密封真空腔体并保持次级泵处于真空状态。
4 急停之后的重启警告请确保在急停之后的重启是安全的。
如不能，您可能导致人身伤害。
如果您已经按下了急停按钮关闭了TF500，您必须使用如下步骤重启TF500：1.确保急停的原因已经被更正。
2.按下并旋转以恢复急停开关。
3.按下“Reset”按钮。
5 对TF500腔体抽真空1.按按钮。
旋片泵（3）将启动，打开分子泵（4）。
2.等到分子泵加速完毕，状态显示“分子泵就绪”。
3.按下按钮（注意！如果之前腔体已有很高的真空，可能会导致抽真空失败，只需按下键给腔体稍稍充气再按按钮就可以了）。
软粗抽阀（1）打开直到腔体压力到达4X10+0mbar。
显示状态为“粗抽”然后粗抽阀（2）打开直到腔体压力到达1.0X10-1 mBar。
显示状态为“粗抽”然后高真空阀（6）打开直到我们按按钮显示状态为“抽真空完成”直到腔体压力到达1x10-5mBar以下。
显示状态为“FINE PUMPING”4.在PC控制界面，按下按钮，随后按下按钮。
系统将会进入“PROCESS”模式。
一旦状态显示为“PROCESS-FINE PUMPING”，随后系统就准备完毕，按下旋转按钮可以进行手动镀膜了。
6 基片旋转1.按下按钮开始旋转基片工作台。
绿色表示处于旋转状态。
2. 通过键入一个值（转每分钟）或通过上下键设置旋转速度。
7 电子束蒸发（手动模式）：1.请参考控制柜面板并按如下操作按上图，灯丝电流顺时针拧到最大，束流拧到最小，确保互锁关闭指示点亮；打开坩埚控制器Power按钮，将控制选择按钮打到“Auto”，并选择NORMAL模式，速度不要太快，2挡就好了；打开扫描图形控制器电源，将控制器打开为“Run”和“REMOTE CONTROL”模式；确保互锁关闭指示点亮，按下高压控制电源按钮。
2.按下基片架旋转按钮，选择所需的坩埚位（1-6）和，再按按钮。
电子束电源打开并显示-10.0kV高压。
3.设置所需的电流（每次增加5mA或10mA），熔化坩埚中的材料。
4.设置挡板打开时间（秒）。
5. 检查靶材是否完全熔化，并按按钮打开挡板开始镀膜。
速率和膜厚显示在PC控制界面。
直到设定时间到达，挡板将自动关闭，或者膜厚到达手动关闭SHUTTER。
6.设置电流对半两次减小到0。
随后按按钮关闭电子束电源。
8 自动沉积1.请参考控制柜并按如下步骤操作按上图，灯丝电流顺时针拧到最大，确保互锁关闭指示点亮；打开坩埚控制器Power按钮，将控制选择按钮打到“Auto”，并选择NORMAL模式，速度不要太快，2挡就好了；打开图形控制器电源，将控制器调整成“Run”和“REMOTE CONTROL”确保互锁关闭指示点亮，按下高压控制电源按钮。
2.请参考SQC-310说明书，使用SQC-310-COMM软件制作工艺并上传到SQC的设备。
或者直接再SQC-310的软件中设置膜系和过程参数，并确保传到SQC。
3.进入自动模式，按下ADD NEW按钮新建一个自动程序，再选中这个程序，按下RECIPE EDIT按钮，并按对话框内容编辑自动程序。
设置真空，工装夹具旋转，加热，选择SQC中设置好的PROCESS No，选择SQC程序中每步的SWEEP PATTERNS，选择VACUUM SEQ和后加热处理。
最后点击SAVE保存设置。
编辑完自动程序，点击“RECIPE SELECT”选择相应的程序。
请再次确认已放好蒸发材料和基片，关好腔门，然后点击“RUN”开始运行程序。
3.按RECIPE SELECT按钮选择所需程序，并按“RUN”按钮自动运行。
系统将运行以下过程：a.准备好真空腔体。
b.打开电子束电源。
c.选择坩埚（容器）和扫描图形。
d.按编辑的工艺加载功率进行预热。
e.打开挡板开始沉积过程。
f.编辑的膜厚到达后关闭挡板，关闭高压束流电源，结束镀膜。
软件界面会显示运行的工艺，膜层，沉积速率，膜厚，输出功率等信息。
注意：未经培训的人员不能操作该设备！请勿打开设备机柜，内有高压危险。
请勿两人同时操作设备，操作前请阅读相关操作流程和注意事项，在保护好人身安全和设备安全的前提下使用设备。
定期清洁设备腔体，保持腔体无碎屑粉尘，否则会造成高压短路。
请勿将以下材料或器件（可能危及设备真空系统，可能在真空状态下出现意外危险）放入腔体的真空腔体中：1，高于坩埚上沿的材料；2，密封容器；3，细腻粉末；4，没有固定好的薄膜或漂浮物；5，强腐蚀性物质或溶液（如需放入，请遵守相关使用和管理准则，并保护好设备及人身安全）。
1，电子束镀膜基本原理2，热阻蒸发3，磁控溅射SQC设定流程1，在SQC310上的Film Menu中添加好需要的膜层：比如：旋转右上角大旋钮，选择Ti并按下（或者选择空的膜层进行重命名并编辑），按照各个参数的设置规则进行设置，详情请参考光盘中SQC310的说明书。
点击此界面中的Film Conds进入编辑界面，编辑完后点击Prev Menu再点击Deposit Contrals进行编辑，再进入Configure Sensors进行编辑，完成膜层设置的编辑。
2，在SQC310上的Process Menu中添加或选择所需的工艺程序：使用右上角的大旋钮选择并进入所选程序，在工艺中添加所需的膜系（比如Cu，Au，Ti）建立膜层（Layer），使用右上角的大旋钮按钮选择并进入工艺膜层（Layer）的参数设计，如果需要做多膜层的逻辑设计，请编辑Inputs，Relays，Logic Menu参数。
注意：关于Ramp Soak Max Power设置的说明。
此类参数的设置需要提前在手动模式下试验并记录相关数据，需要收集束流对应蒸发速率的数据，以计算此类参数，一般束流值（mA）除以最大束流值（本设备10千瓦，10千伏，所以最大束流为1000mA）就得到功功率EBC（Max 1000mA）Rate20mA 040mA 060mA 1A80mA 4一，预熔操作：如果是空坩埚，需要对熔化型靶材进行手动预熔。
预熔时先放三分之一的材料在坩埚里进行手动熔化，不要将预熔功率加得太高，否则速率会很高浪费材料。
熔化后再放三分之一进行预熔，两次预熔后，如果材料不到75%~85%的量，再加入少量就可以使用了预熔过程：放好材料到坩埚垫子中，关门抽真空，然后在手动模式下点PROCESS，等设备显示FINE PUMPING后点EBG ON打开电子枪控制电源开始加热材料。
手动在EBG ON中增加束流，熔化材料。
等材料熔化完全后，对半减小束流到0，关闭EBG ON。
打开腔体，加入材料颗粒，再次熔化。
直到材料高度达到坩埚高度70~80%后预熔结束。
如果做完一个膜层，必须查看坩埚中材料的量，如不够需要增加。
不能加热没有材料的坩埚。
注意事项：1，请加入洁净的自来水到冷水机中。
2，先打开冷水机，等待5分钟，确认没有漏水点后才能给主机通电和开机。
3，设备接地电缆必须接地，以防高压。
4，请勿用铁磁性工具接触电子枪，以免永磁体过早失去磁性。