内存条识别
DDR1,DDR2,DDR3内存条（DDR是Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器的英文缩写）就是俗称的一二三代内存条。这三种内存条工艺不同，接口不同，性能不同，互不兼容。要区分它们，也不难。
1.仔细看看内存条上的标签，首先，这是一条金士顿牌子的内存条，频率为400MHZ,容量只有512M，也就是0.5G。频率才是关键。一代内存条的频率有333MHZ和400MHZ，所以标签上的“400”就足以证明它是一代内存条。容量不是关键，一代内存条有1G容量的，三代内存条也有1G容量的。
二代和三代很相似，接口长短也差不多，看标签识别！
2.一看到"800"字样，我就可以认定这是一条二代内存条。二代内存条有533,667,800三种频率。它们都属于二代内存条，外观，接口
都是一样的，相互兼容，可以共用。只不过高频率的内存条要迁就低
频率的内存条。假如一台电脑上同时插有800MHZ和533MHZ的两条内存条，那电脑就只能工作在533MHZ频率下，性能上会有点折损。
3.三代内存条的频率一般有1066，1333,1600,2133,用得比较多的是1333，1600。我并不太清楚为什么会是这两种频率的内存条比较流行，我并没有去过问。反正让我见到1333,1600字样，我就知道是三代内存条了。
笔记本的大小，做成短的。主要辨别方法也是看标签。
笔记本的内存条相信是比较容易区分一二三代的。只需看“PC”这个字样就OK了。“PC”代表一代，“PC2”代表二代，“PC3”代表三代。为什么ddr400后面的频率是200MHZ呢，因为DDR是双倍速率的，实际速率还是400MHZ.
PC2100是DDR266内存（133MHZ）
PC2700是DDR333内存（166MHZ）
PC3200是DDR400内存（200MHZ）
PC2 4200（有时候可能是PC4300）是DDR2 533内存（266MHZ）
PC2 5300是DDR2 667内存（333MHZ）
PC2 6400是DDR2 800内存（400MHZ）PC2 8500是DDR3 1066内存（533MHZ）PC2 10600是DDR3 1333内存（667MHZ）PC2 12800是DDR3 1600内存（800MHZ）
如何识别超频内存条和购买用于超频的内存条精品
【关键字】情况、方法、模式、稳定、需要、方式、办法、标准、水平、保证、指导、实现如何识别超频内存条和购买用于超频的内存条专家指导如何识别超频内存条和购买用于超频的内存条 网友问1：我现在有两条DDR2 800的内存，但是听说现在市场上有很多DDR2 800的内存条并不是使用标准的DDR2 800颗粒，而是由低端颗粒超频上去的。我想知道有没有什么办法或者软件区别超频的或者未超频的颗粒呢？ 网友问2：现在我想进行把我的内存升级，我现在的内存已经超到DDR2850水平，但是现在不知道需要购买什么样的内存，现在不知道什么样的内存能和它匹配。麻烦我爱电脑网专家帮我介绍些好点的特别适合超频的内存 专家答：现在还没有一款专门的软件来实现区别超频的或者未超频的颗粒这种这个功能，我们在购买内存条的时候可以用下面的几种方法来区别：看看内存条上的颗粒的编号，如果能够直接看到颗粒的编号，然后到网站上搜索即可找到相应的信息参数。其次，查看内存颗粒的工作电压，部分超频颗粒为了能够稳定工作在DDR2 800模式下，只能通过加压的方式实现，DDR2 内存的标准电压是1.80V，要是大于了这个值就要注意了，另外还要留心内存的延迟参数．按照JEDEC（电子元件工业联合会）的规定，对于DDR2 533内存来说的标准延迟参数是4-4-4-12，DDR2 667为5-5-515，DDR2 800是5-5-5-18，如果内存条的参数与标准参数持平，但是工作电压超过了1.8V，则很有可能就是超频颗粒。要注意的是为了达到更低的延迟参数加电压盼隋况不在此列，如DDR2 800 4-4-4-15 @2.2V的情况。最
教你如何调整DDR内存参数
教你如何调整DDR内存参数 日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：https://www.360docs.net/doc/4816298966.html, 同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为“520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。 基本参数介绍 目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。以下我们讲解一些重点参数的含义。 CL CL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。
从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。 RAS与CAS 内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。 Tras
如何辨别内存条的型号及大小
如何辨别内存条的型号及大小 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DD R500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133M Hz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（1 00MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。 D部分编号12个小部分分解示意图
采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存。 第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD =3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32b it。
全面教你认识内存参数
全面教你认识内存参数 内存热点 Jany 2010-4-28
内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存 第二代DDR内存
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片
怎样鉴别内存条的质量好坏
1．看内存颗粒，字迹清楚，手指摩擦不会模糊，标号正确等。不过现在造假的水平越 来越高，印字的方法也会改进不少。关于颗粒真伪可进一步查询相关资料。 2．内存颗粒的引脚排列整齐，不能歪歪扭扭，焊点要光滑圆润统一美观，以排除手工 焊接的可能。 3．除了内存颗粒，下一个稍大的器件就是SPD，这是存放内存各类相关信息的EEROM， 因为有些主板不需要读取SPD也能自动配置，所以也为造假提供可能。由于不放这个SPD 实在瞒不过去，于是有些JS就会焊一个空的SPD，可以看这个器件的焊点圆润程度简单地 判断是否是人为虚焊，进一步可注意主板的检测信息或借助测量软件。 4．电容也是一个很重要的器件，毕竟每个电容还有好几分钱，所以质量较差的内存条 上会尽可能少的放置电容。一般来说，电容是越多越好，可以提供更稳定的电源，也会 优化信号质量。如果发现每个颗粒周围平均不足3个电容，那这块内存的性能就有问题了，对任何品牌的内存这个标准也同样适合。 5．DDR内存里有个参考电平（Vref），在金手指的1号管脚，这个信号的稳定对DDR内存 来说非常重要，所以要尽量让它没有干扰。金手指1号管脚处附近最好要接一个它的专用去耦电容，每个颗粒对应的Vref管脚也均要接一个去耦电容，位置越靠管脚越好，不过 实际中由于器件摆放的缘故，这个电容一般会放在板最上沿，这时候设计者会引一根粗 线连上去，劣质的内存可能会没有这种参考电平的去耦电容。 6．剩下来的器件就是电阻了，四连的电阻叫排阻。目前主要是在数据线上和差分时钟 信号匹配会使用，对64位的数据总线来说，内存上要有64个电阻（或16个排阻），这个 电阻的作用是较少信号的震荡，提高噪声裕量，但不用这个电阻一般也能工作，所以经 常会看到有些内存条将本该焊接电阻的地方直接短路了，这样每条内存可以省好几毛钱啊！对于差分匹配电阻也一样，没有它都是能工作的，就是质量上会差不少。对于SDR来 说串联电阻一般为10欧姆，对于DDR来说为22欧姆，而差分时钟信号的匹配电阻是120欧 姆。 7．器件说完了，现在说说PCB，也就是内存条的电路板，看看色泽鲜艳与否，手摸摸平
内存芯片参数介绍
内存芯片参数介绍 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A代表256MBit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C 为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref； 257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、
教你怎么识别内存条
关于内存条 2008-10-10 09:09 金士顿内存条的行货的辨别方法 第一：拿到新的内存条后首先要确认你的内存条上必须有以下两个标签（一个是金士顿的老人头标签，一个是总代理的标签。中国总代共有五个：（弼信恒盈AVNET 联强骏禾）第二：当着卖内存条的商人的面去 https://www.360docs.net/doc/4816298966.html,/china/verify验证内存上的产品ID和序列号，如果邮件反馈该内存条被反复验证，切忌千万不能要。要求更换！一定要没有被反复验证的，因为新的内存条上的ID和序列号只能验证一次！ 第三：一定要有上面五个总代的标签，不要轻易相信什么800等一些的刮开密码的确认电话，那是忽悠人的东西。现在个人都可以申请800电话，总之只相信总代理的标签！ 由于金士顿近年来在内存市场上的优异表现，被一些不法之徒看中，假货由此也就混入市场。不过，除了假货之外，因Kingston合法代理商不同，所以贴的标也就不同，所以也有些商家为了竞争只说自己的标才是真货。 两种代理商防伪标签 1目测方法： 购买时对内存防伪标的鉴别，金士顿内存的产品铭牌同时就是防伪标。当视线与防伪标表面垂直时，看到的防伪标上Kingston的LOGO头像是玫瑰红色，而当视线与标签形成一个夹角以后，标签就变成了橄榄绿色。这种方法是最简便直接的防伪办法，消费者在购买时就可以立即检验产品真伪，及时发现假货。 铭牌同时就是防伪标 2一分钟网上辨别： 请点选与您的内存模组上完全相同的变彩防伪标或白色标签: 防伪标图样 另外，打800电话或全球网络查询网站 https://www.360docs.net/doc/4816298966.html,/china/verifynew/真假识别，你只需向该网站提交相关的内存产品信息，该网站就将会在极短的时间内帮您识别出您所购买的金士顿内存是否假冒。 先卖个关子，再次重申鉴别金士顿所有产品相对来说最安全、最快捷的方法。如照片所示，通过800防伪电话查询。但是，对眼我要提醒大家，并不是简简单单的按照您所购买产品上面的800电话联系。而是要记住本站提供的正确的800电话：800-8571992。这年头什么东西没有假的，造一个假电话防伪标签太正常
内存篇-三个影响内存性能的重要参数
内存篇-三个影响内存性能的重要参数 组装电脑选购内存时，还有一些影响其性能的重要参数需要注意，比如容量、电压和CL 值等。 ◎容量：容量是选购内存时优先考虑的性能指标，因为它代表了内存可以存储数据的多少，通常以GB 为单位。单根内存容量越大则越好。目前市面上主流的内存容量分为单条（容量为2GB、4GB、8GB、16GB）和套装（容量为2×2GB、2×4GB、2×8GB、8×4GB、4×4GB、16×2GB）两种。 ◎工作电压：内存的工作电压是指内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压不同，DDR2 内存的工作电压一般在1.8V 左右；DDR3 内存的工作电压一般在1.5V 左右；DDR4 内存的工作电压一般在1.2V 左右。电压越低，对电能的消耗越少，也就更符合目前节能减排的要求。 ◎CL 值：CL（CAS Latency，列地址控制器延迟）是指从读命令有效（在时钟上升沿发出）开始，到输出端可提供数据为止的这一段时间。对于普通用户来说，没必要太过在意CL 值，只需要了解在同等工作频率下，CL 值低的内存更具有速度优势。 小知识： 什么是内存超频？内存超频就是让内存外频运行在比它被设定的更高的速度下。一般情况下，CPU外频与内存外频是一致的，所以在提升CPU外频进行超频时，也必须相应提升内存外频，使之与CPU同频工作。内存超频技术目前在很多DDR4内存中应用，比如金士顿内存的PnP和XMP就是目前使用较多的内存自动超频技术。 CL值的含义 内存CL值通常采用4个数字表示，中间用“-”隔开，以“5-4-4-12”为例，第一个数代表CAS(Column Address Strobe)延迟时间，也就是内存存取数据所需的延迟时间，即通常说的CL值；第二个数代表RAS(Row Address Strobe)-to-CAS延迟，表示内存行地址传输到列地址的延迟时间；第三个数表示RAS Prechiarge延迟（内存行地址脉冲预充电时间）；最后一个数则是Act-to-Prechiarge延迟（内存行地址选择延迟）。其中最重要的指标是第一个参数CAS，它代表内存接收到一条指令后要等待多少个时间周期才能执行任务。 1
如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格 消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。 一、DDR SDRAM： 现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。 我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。 究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。 HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
内存参数
内存 内存的主流品牌 目前市场上的主流品牌有金士顿（Kingston）、金邦（GEIL）、宇瞻（Apacer）、微刚（ADATA）、刚胜（Kingmax）、现代（Nynex）、三星（Samsung）、海盗船（Corsair）、芝奇（G.skill）、OCE、金泰克等。这些内存采用的工艺略有不同，性能上也多少有些差异。 内存的分类 现在市场上内存可以分为两种。 ①SDRAM： SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC150等规格，目前的SDRAM都是以168Pin DIMM的内存模块出现。 ②DDR SDRAM： DDR是指Double Data Rate，它的传输速率是SDRAM的两倍，DDR标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。DDR插槽与SDRAM插槽两侧的线数不同，DDR应用184pins（针脚）。因此，DDR内存和SDRAM的内存不能换插。 DDR I的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；DDR333，工作频率从为166MHz；DDR400，工作频率为200MHz。 现在DDRII正在逐渐占领主流市场，其频率在533MHz以上。从长远来说，DDRII最终会取代DDR 1，但就目前来说，DDRII的优势还不是特别明显，虽然在频率上有很大提高，但是在时间延迟上却长于DDR400，所以目前的DDR400和DDRII（533）性能差不多，除非选择高端的DDR II（800）。 预计DDRIII将在不久的将来正是面世，工作电压将下降，并且将会使用更
新的信号技术，实现更高的宽带，初始频率预计将达到800MHz，甚至更高。 内存的主要性能参数 ①容量 每个时期的内存条的容量都多种规格、例如，早期的30线内存条有256KB、1MB、4MB等容量，后来72线的EDD内存有4MB、8MB、16MB等容量，目前流行的168线SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、128MB、256MB、512MB、1GB等。 数据带宽 数据带宽指内存的数据传输速度，是衡量内存性能的重要指标。PCI00 SDRAM在额定频率（100MHz）下工作时，其峰值数据传输速度可以达到800MB/s。而PCI33SDRAM其峰值数据传输速度可达1.06GB/s，比PCI00内存提高了200MB/s。对于DDR DRAM,由于在同一个时钟周期的上升和下降沿都能传输数据，所以工作在133MHz时，实际传输速度可达2.1GB/s。 ②时钟周期 时钟周期代表了SDRAM所能运行的最大频率。显然，这个数字越小，说明SDRAM芯片所能运行的频率越高。对于一普通的PC 100 SDRAM来说，它芯片上的标识“-10”代表了它运行的时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外频下正常工作。为什么说SDRAM 的时钟周期代表可它能运行的最大频率呢？SDRAM时钟周期的单位是ns（纳秒），而其最大工作频率则为MHz（兆赫兹），这两者有何关联呢？两者的关系其实很简单，遵循了“频率=1/周期”的原理。由于ns时10-9秒，而MHz是106Hz，因为以ns为单位的周期数值与以MHz为单位的频率数值的乘积应为1 000。所以说时钟周期为10ns的SDRAM可以在100MHz的外频下工作。根据同样的道理，我们可以算出各个时钟周期下的
关于三星原厂内存条与山寨内存条的真伪鉴别
关于三星原厂内存条与山寨内存条的真伪鉴别: 1：原厂三星内存条电路板看着泛黄偏暗，布线整洁合理，而寨条的颜色绿油油的并且反光，最简单的方法就是将你机器自带的原厂三星内存和你买的内存条一一比对是不是一样的，如果一样至少电路板绝对是真的，另外三星同代(DDR3)内存条的电路板布线都是一模一样的，绝对不会有原厂内存条走线电气孔不同的情况，因为三星电路板都是指定厂商的，并且一个模具出来的所以绝对是一样的，唯一颜色可能不同，或者偏浅或偏深，但是绝对不会是绿油油的颜色，金手指金黄偏暗,电路板边上有金黄色烫金三星logo和与标签对应M378B5173EB0-CK0金黄色烫金编号(注意与标签不是完全一样的)，另外在电路板的背面可以看到电路板的四位数字生产周期,另外在颗粒下方会有激光蚀刻的五位数字+字母组合的编号，台式机DDR3 1600MHz在左边金手指上方有两个相同的大写字母，笔记本内存条的位置参考机器自带原装内存条确定位置。 2：原厂三星内存条的电气孔对着光可以透光，而山寨条的电气孔是奸商自己印刷上去的，根本起不了提升电气性能的作用，更不能抗干扰和减少信号传输过程中的信号衰减。 3：原厂颗粒丝印字迹在强光下呈现荧光状清晰或者有些颗粒可能进行哑光处理，但是绝对清晰可辨，而山寨条所使用的颗粒基本都是白片或者假的颗粒，并且都是奸商自己用使用机器进行印刷的，所以用手多磨擦几次会把丝印磨擦掉，而原厂颗粒是不是掉色的。 4：原厂三星内存条的标签如果是台式机是M378/M379开头的一串代码，笔记本是M471开头的一串代码，我曾经在X猫商城买的一个台式机内存条竟然贴的是笔记本M471开头的标签，毫无疑问绝对是假的。
内存规格参数
内存规格参数 内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存
第二代DDR内存 DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
教你认识计算机硬件及相关参数的识别(2--内存篇)(精)
二、内存（RAM） 1、什么是内存呢？在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并用其存储数据的部件，存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路，内存只用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的程序和数据就会丢失。既然内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，那么它是怎么工作的呢？我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。从一有计算机开始，就有内存。内存发展到今天也经历了很多次的技术改进，从最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM、RDRAM、DDRAM、DDRII RAM等，内存的速度一直在提高且容量也在不断的增加。 2、如何理解内存、硬盘、CPU之间的关系呢？我们可以这样去理解----CPU把硬盘当中的数据读取到内存当中来执行，并把执行完的结果写到硬盘当中去。如果执行期间发生断电的情况那么由于CPU来不及把结果写回到硬盘之上，数据就丢失了。也就是说并不是CPU速度越快，计算机的运行速度就越快，计算机的运行速度也和内存容量的大小及内存的速度有关。 3、如何识别内存型号内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看： samsung内存例：samsungk4h280838b-tcb0 第1位——芯片功能k，代表是
教你看懂内存编码
教你看懂内存编码！ 内存大小识别方法(详) 内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考： 主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下： 现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］ 三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB 摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD 或TC 日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPD IBM：BM NPNX：NN 一.日本产系列： 主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi ［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。 1.HITACHI［日立］。1 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频， HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式： HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。 第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。 第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。 TT为TSOII封装。 最后XX代表速度： 75：7.5ns［133MHz］ 80：8ns［125MHz］ A60：10ns［PC-100 CL2或3］ B60：10ns［PC-100 CL3］ 例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。 2.NEC。 NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式： μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
samsung内存识别法
芯片上的代码就是型号 内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看： samsung内存 例：samsungk4h280838b-tcb0 第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表dram。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量； 56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10 为10ns(66mhz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。
怎样看懂内存条芯片的参数
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1〃HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2〃内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3〃处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4〃芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5〃内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6〃内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7〃接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8〃内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9〃能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10〃封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11〃封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP （UTC）） 12〃封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13〃速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14〃工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度）） 由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实
内存条识别
DDR1,DDR2,DDR3内存条（DDR是Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器的英文缩写）就是俗称的一二三代内存条。这三种内存条工艺不同，接口不同，性能不同，互不兼容。要区分它们，也不难。 1.仔细看看内存条上的标签，首先，这是一条金士顿牌子的内存条，频率为400MHZ,容量只有512M，也就是0.5G。频率才是关键。一代内存条的频率有333MHZ和400MHZ，所以标签上的“400”就足以证明它是一代内存条。容量不是关键，一代内存条有1G容量的，三代内存条也有1G容量的。
二代和三代很相似，接口长短也差不多，看标签识别！ 2.一看到"800"字样，我就可以认定这是一条二代内存条。二代内存条有533,667,800三种频率。它们都属于二代内存条，外观，接口 都是一样的，相互兼容，可以共用。只不过高频率的内存条要迁就低
频率的内存条。假如一台电脑上同时插有800MHZ和533MHZ的两条内存条，那电脑就只能工作在533MHZ频率下，性能上会有点折损。 3.三代内存条的频率一般有1066，1333,1600,2133,用得比较多的是1333，1600。我并不太清楚为什么会是这两种频率的内存条比较流行，我并没有去过问。反正让我见到1333,1600字样，我就知道是三代内存条了。
笔记本的大小，做成短的。主要辨别方法也是看标签。
笔记本的内存条相信是比较容易区分一二三代的。只需看“PC”这个字样就OK了。“PC”代表一代，“PC2”代表二代，“PC3”代表三代。为什么ddr400后面的频率是200MHZ呢，因为DDR是双倍速率的，实际速率还是400MHZ. PC2100是DDR266内存（133MHZ） PC2700是DDR333内存（166MHZ） PC3200是DDR400内存（200MHZ） PC2 4200（有时候可能是PC4300）是DDR2 533内存（266MHZ） PC2 5300是DDR2 667内存（333MHZ）
如何从内存颗粒辨别内存真假
如何从内存颗粒辨别内存真假 说到内存条懂得DIY的用户都不陌生，相信你也可以随口说出几个内存品牌，甚至对它们的型号、频率等参数倒背如流。与CPU、显卡、主板这些DIY大件相比，一般用户在内存上的花费都不会很多。虽然内存条的价格每天都在变化，但是5——10元的幅度对用户并没有大影响，卖场上零售商家每条内存的纯利润也就在10多元。 但这个看似平静的市场其实还有很多你不知道东西，各种乱七八糟的分级、定价、期货、现货，早把资本市场的残酷表现的淋漓尽致。对用户来讲在挑选内存时，品牌和售后是永远排在最前面的参考条件，但对于关系到内存质量的核心部件，内存颗粒了解的人却并不多 实际上，内存芯片比闪存芯片更加混乱，今天笔者就像大家介绍一些，市场上主流内存颗粒种类和他们的差别。 原厂颗粒与白片的区别 总的来看，内存颗粒分为原厂(major brand或者简称major,打印
芯片原厂商标)/白片(大多数只打最下面一行小序号，少数不打字)/次品(downgraded，一般不会打字)。其中所谓“白片”又可以细分为ett、utt以及其他更差的等级。在正规市场上交易的一般就是major、ett、utt这几种。 那么major、ett、utt究竟是什么样的概念呢？大家都知道，内存芯片是晶圆经过切割封装后的产物。内存芯片厂商一般把这个任务放在封测厂做，在封装后立即进行测试。封测厂可能是厂商自己的，也可能是外包的。在一整个晶圆进行切割封装之前，要先进行基本的电性测试，看看晶圆的质量是否较差，或者晶圆的某些区域有潜在缺陷。 那些较差的晶圆，或者晶圆上较差的区域，在切割封装后就会成为utt/ett颗粒。但由于后续测试费用其实很贵，不做或者少做后续测试可以省很多钱，成本就低了，另外还有个好处就是其中可能有“神颗粒”就是所谓“超频极品”，这样所谓“价廉物美”可以吸引内存条厂商来买。 晶圆 utt名字是untested就是未经测试，但实际上最基本的物理测试还
内存编号识别解读
内存编号识别解读 Samsung 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、