DDR内存讲解

Memory讲解

Memory的简要说明

各种存储技术的说明

Memory协议简介

线路图绘制

Layout说明

Memory Tuning简介

Memory的简要说明

简要说明一下Memory是什么？Memory充当什么角色。

Memory对于计算机行业而言，就是指主板上所使用的内存，也被称呼为DRAM（动态随机存取内存），内存的作用就是使计算机的CPU(中央处理器)能够更快速读取储存在内存的指令及资料，相对于我们的存储设备硬盘而

相对于我们的存储设备硬盘而

言，它的速度更加快。近几年主要在用的内存有DDR，DDR2，DDR3。

64bit带宽的，内存在样式上主要有两种：DIMM和现在我们使用的内存都是带宽的内存在样式上主要有两种

SO‐DIMM两种。

DIMM：即Dual In‐Line Memory Modules，双列直插式存储模块, 在台式机上

应用比较多，台式机上应用的主要是UDIMM(Un‐buffered DIMM),在DIMM模组上，电路板正反两面的针脚各有其独立电路，这是相对于早期的SIMM （Single In Memory Modules,单边接触内存模块）而言的，在SIMM模‐Line

组上，电路板正反两面的针脚是相连在一起的。

SO‐DIMM：即Small Outline DIMM，主要使用于笔记本电脑，它的尺寸较标模组小很多

准的DIMM模组小很多。

‐

DIMM和SO DIMM图片

各种存储技术的说明

ROM和RAM

SRAM 和DRAM

SDRAM

SDRAM和DDR SDRAM

内存的发展趋势

ROM

ROM: Read Only Memory只读的存储器

对于ROM,我们接触的最多的有如下几个:

PROM: Programmable ROM (可编程的ROM)通常只能写入一次,写入后不能再更改. EPROM: Erasable PROM(可擦除PROM)工作时只能读取信息,但是可以用紫外线擦除EPROM E bl

已有信息,并在专用设备上高压写入信息.

EEPROM: Electronic EPROM(电可擦出PROM),可以通过程序的控制进行读写操作.

Flash ROM: 也被称为Flash Memory，EEPROM的一种,这种技术可以快速完成读,写,擦除三种基本的操作模式,就算在不供电的的环境下,也能保存数据的完整性.

其实U盘采用的就是Flash ROM技术,这种技简单来讲是在MOS的控制闸(Gate极)与通道间多一层成为”浮闸”(floating gate)的物质,这个功能可以让单元格中的电子在断电的情况下被长久保存保存,下次再通过更高的电压还原为正常的1.

从以上的说明可以看出，ROM特性：它能在不供电的情况下长期存储数据。

ROM 图片

RAM

RAM: Random Access Memory 随机存取记忆体

RAM: Random Access Memory 随机存取记忆体，可以随机性的写入与读出它内部存储单元的数据。

RAM是一种半导体存储器，必须在通电的情况下工作，其特性是当电源消失后，存储于RAM内部的数据也随之消失。

RAM又分为SRAM（静态）和DRAM（动态）两种，我们目前使用的内存主要是SDRAM（同步动态RAM）。

）

SRAM和DRAM

y动态随机存储器

DRAM：Dynamic RAM

SRAM：Static RAM 静态随机存储器

：Dynamic RAM ，它利用电容的充放电来达成资料写入和读取的动作，DRAM它利用电容的充放电来达成资料写入和读取的动作

因电容的特性故需要每间隔一段时间作刷新动作来保持资料的完整性，控

制器设计比较复杂，但是DRAM的每个Cell（单元）的单位面积比较小，适

合大量生产，主要应用于电脑的内存，比如FPRAM，EDORAM，SDRAM，

合大量生产主要应用于电脑的内存比如

DDR SDRAM，RAMbus等等。

SRAM：Static RAM ，利用D‐Type Flip Flop（D触发器）来完成资料的写入和

读取的动作，因正反器特性，资料写入不需要做刷性的动作，故控制器设

计比较简单，存取的速度比DRAM快，但是每个Cell的单位面积比DRAM大，

耗电也比DRAM大，适合高要求的应用场合，主要应用在CPU中的Cache Memory（CPU内部的高速缓存）。

Cell Diagram ‐

SRAM 1

最简单就是一个D 触发器示意图

:从右图可以看出

Data

Input

Data Output D Q ,

当有Power 存在的

时候,因为D 触发器

Clock Input 的特性,数据可以

保存,不需要刷新

动作.CK

SRAM Cell Diagram ‐

2

4个晶体管组成一个

SRAM Cell i 211L D Q1Q3Q2

a R GND GND

SRAM Cell Diagram ‐3

g

个体管

6个晶体管

组成一个SRAM Cell

DRAM Cell Diagram

DRAM Cell 的简易图如下

:

行解码线

(Row Address)

从右图可以看出,当

列解码线

有Power 存在的时候,因电容的特性故需要每间隔一段时间C1

作刷新动作来保持资料的完整性.

1

/写放大器