IBIS模型学习笔记

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IBIS学习心得及使用

IBIS 学习心得及使用
IBIS(Input/Output Buffer InformaTIon SpecificaTIon)模型是基于V/I 曲线
的对I/O Buffer 快速准确建模的方法，其目的是提供一种集成电路制造商与仿真软件供应商以及设计工程师之间相互交换电子元件仿真数据的标准方法。

IBIS 是一种行为模型，它不是从要仿真的元件的结构出发定义的，而是从元件的行为出发定义的。

IBIS 本身是一种标准的文本格式，它记录驱动器和接收器的不同参数，如驱动源输出阻抗、上升/下降时间以及输入负载等参数，但它不说明这些记录参数是如何使用的。

IBIS 模型分为驱动器模型和接收器模型，如下图示：
Pull up/pull down：标准输出缓冲器的上拉和下拉晶体管，用直流I/V 数据
表来描述它们的行为。

Power clamp/gnd clamp：静电放电和钳位二极管，用直流I/V 数据表来描述
它们的行为。

Ramp：表示输出从一个逻辑状态转换到另一个逻辑状态，用dV/dt 来描
述。

C_comp：硅晶圆电容，它是不包括封装参数的总输出电容。

R_pkg/L_pkg/C_pkg：封装带来的寄生电阻、电感和电容。

无论是驱动器模型还是接收器模型都是由两部分组成的：缓冲器结构模型（[model] secTIon）和封装因子（[component]&[pin] secTIon）。

IBIS 文件结构
IBIS 文件包括了从行为上模拟一个器件的输入、输出和I/O 缓冲器所需要。

走进IBIS模型

AN-715应用笔记One Technology Way • P.O. Box 9106 • Norwood, MA 02062-9106 • Tel: 781/329-4700 • Fax: 781/326-8703 • 走近IBIS 模型：什么是IBIS 模型？它们是如何生成的？作者：Mercedes Casamayor简介在进行系统设计时节省时间和降低成本是很关键的。

在原型制作之前，系统设计人员可以用模型来进行设计仿真。

在高速系统设计中正是如此，进行信号完整性仿真来分析不同条件下传输线中的电路行为，在设计初期就能预防并检测出典型的问题，例如过冲、欠冲、阻抗不匹配等。

然而，可用的数字IC 模型非常少。

当半导体厂商被索要SPICE 模型时，他们并不愿意提供，因为这些模型会包含有专有工艺和电路信息。

这个问题已经通过采用IBIS 模型来 (输入/输出缓冲器信息规范)解决，IBIS 也被称为ANSI/EIA-656，这是一个建模的新标准，在系统设计人员中越来越流行。

什么是IBIS ？IBIS 是一个行为模型，通过V/I 和V/T 数据描述器件数字输入和输出的电气特性，不会透露任何专有信息。

IBIS 模型与系统设计人员对传统模型的理解不同，例如其它模型中的原理图符号或多项式表达式。

IBIS 模型包括由输出和输入引脚中的电流和电压值以及输出引脚在上升或下降的转换条件下电压与时间的关系形成的表格数据。

这些汇总的数据代表了器件的行为。

IBIS 模型用于系统板上的信号完整性分析。

这些模型使系统设计人员能够仿真并预见到连接不同器件的传输线路中基本的信号完整性问题。

潜在的问题可以通过仿真进行分析，潜在的问题包括由传输线上阻抗不匹配导致的到达接收器的波形反射到驱动器的能量；串扰；接地和电源反弹；过冲；欠冲；以及传输线路端接分析等等。

Rev. 0 | Page 1 of 8IBIS 是一种精确的模型，因为它考虑了I/O 结构的非线性，ESD 结构和封装寄生效应。

IBIS模型解说

IBIS模型解说IBIS模型解说1.IBIS模型的一些基本概念IBIS这个词是Input/Output buffer information specification 的缩写。

在业界经常会把spice 模型描述为transistor model，是因为spice描述了电路内部的细节问题。

而把IBIS模型描述为behavioral model，是因为IBIS 只是描述了电路的外在表现，它像个黑匣子一样，根据输入得到输出结果，而不需要了解电路的内部细节。

IBIS模型的仿真精度依赖于模型的准确度以及考虑的worse case。

2.IBIS模型的构成从上图可以看出，IBIS模型包括如下的一些信息（部分model有一些信息会省略掉）：VI 曲线: Pullup，Pulldown，POWER clamp，GND clampVT曲线: Rise waveform, Fall waveform还有一些其它比较重要的信息比如Die capacitance（C_comp）以及package parameter（RLC）。

3.IBIS的应用场合任何电路都可以用下面的模型来描述：Driver ---interconnect---ReceiverIBIS模型描述的是Driver/Receiver的行为特性，而不是它们的电路特性，因此模型内部的逻辑延时是没有考虑的（这正是区分Tco的原因），通过使用IBIS模型，可以得出interconnect对于电路的影响。

由于IBIS支持的buffer type很多，每个类型都会有对应的格式以及需要包含的信息，常用有output, input以及IO 模型。

4.IBIS模型的VI/VT曲线Pull down曲线由来（此曲线需要考虑与clamp 曲线重复的部分）：Ground clamp 曲线由来：Pull up 曲线由来（此曲线需要考虑与clamp 曲线重复的部分）：Power clamp 曲线由来：注意：IBIS里面定义电流流入方向为正；在此图中pull up 以及power clamp 曲线都没经过转化。

ibis模型仿真培训教材

IBIS模型培训要点：模型的概论模型的分类模型的基本理论模型的检查连接器和过孔的模型一．模型的概论仿真的第一步离不开IBIS模型的收集，下面是关于模型的一些基本知识：模型产生的流程：模型的转换工具：上图中的IBIS to DML的转换的工具已经整合到Cadence的仿真工具中，DML 是指DEVICE MODEL Language模型的精度：模型是否能够准确反映器件BUFFER的工作状态，直接关系到仿真的准确性，因此模型内部的检查是必须的：下面是一个模型的BUFFER的图与实际测量的结果对比：（二）模型的分类：模型的分类方式有两种：以文本格式的分类和以器件类型的分类以文本格式的分类：SPICE（典型的晶体管模型）同类的模型有PSPICE HSPICE IBIS （行为极的模型）器件类型分类的模型：DEVICE MODELIO BUFFER（Drive receive）Discrete deviceBoardmodelINTERCONNECT MODELTransmission lineConnectorCablePackageViaIBIS模型的定义：IBIS模型的作用：SPICE模型与SPICE模型的比较：三．IBIS的基本理论IBIS 模型的几种等效电路：IBIS模型版本的区别IBIS 1.1版本的时候，仅仅只是CMOS的电平无边沿控制，对于高速芯片的由电平的上升沿及下降沿控制的电路，显然不适用。

IBIS模型2.0版本最主要增加包括ECL的多总线支持，终端和漏极开路模型，差分I/O及复杂包装参数定义。

模型3。

2版本主要增加的是FBGA的PIN模型选择，及多级驱动和动态箝位(所以特别注意的是当你拿到厂家给你的模型，首先要检查模型的版本信息，当然观察模型的曲线，版本越高级，曲线的精度越高，但是可能有些芯片的IBIS 模型版本没有升级到那麽高，但是也要看是否可用，比如我这次有一个器件的模型中Buffer的类型是差分I/O，但是供应商给的版本是V2.0，模型中没有定义差分的关键字，由于差分模型是在V2.1以上版本才有，所以就必须和厂家联系重新给你更新版本的IBIS模型。

IBIS 模型介绍及如何产生IBIS 模型

IBIS 模型介绍及如何产生IBIS 模型何为IBIS？IBIS 是一种可以利用V/I 和V/T 数据（不包含任何版权信息）描述一个器件的数字输入和输出端口电气特征的行为级模型。

IBIS 模型不同于传统系统设计师使用的原理图符号的常规理想化模型。

一个IBIS 模型是由输入和输出引脚上的电流和电压值，也可以是输出引脚上电平上升或下降转换过程中相关电压和时间组成的列表数据。

该表数据反映了器件行为。

IBIS 模型通常被用于系统板的SI 分析。

潜在的问题可以通过仿真分析得出由于传输线的阻抗失调而引发的能量反射大小；串扰、地或电源反弹、过冲及线端分析等。

IBIS 是一种精确的模型，因此可以用在非线性的I/O 特征、ESD 特征和封装寄生效应的描述。

在一些方面已经超越了传统模型的性能，如SPICE。

例如，在分析速度上要至少比SPICE模型仿真快25 倍，同时IBIS 还不像SPICE 模型那样存在版权问题。

IBIS 的发展历史：IBIS 最先由Intel 公司在1990 年提出。

在1993 年发布了IBIS 1.0 版本并且设立了IBIS 开放性论坛。

IBIS 开放性论坛由EDA 厂商、计算机制造商、半导体厂商、高校和终端用户组成，负责更新、修改和校对标准和组织研讨。

并在1995年与EIA（电子工业联盟）建立合作关系。

最新的IBIS 版本为4.0，在2002 年7月发布，但是目前仍然还不是ANSI/EIA 标准。

最早的IBIS 版本可以描述CMOS电路和TTL I/O 缓冲器，其后每个版本均添加新的功能，并且实现完全向下兼容。

如何创建一个IBIS 模型？通常可以利用采集仿真数据和仪器测量获取建立IBIS 模型所需的数据，另外，也可以将SPICE 模型直接翻译成IBIS 模型（可以从IBIS 官方网站/eig/ibis/ibis.htm 免费获得）。

模型可以从三个不同角度条件下创建：典型、最小化和最大化。

- 典型：在常温、常压和常规处理参数条件下；- 最小化：在高温、最低电压和小参数条件下；- 最大化：在低温、最高电压和大参数条件下；刨析IBIS 模型中的数据：在IBIS 规范中支持包括三态、开漏（open drain）、开集（open collector）、I/O 和ECL 等形式的多种类型输入输出端口。

IBIS 理解说明

IBIS 理解說明--謹以此文獻給初學SI 的艱苦歲月IBIS 模型在做類似板級SI 仿真得到廣泛應用。

在做仿真的初級階段，經常對於ibis 模型的描述有些疑問，只知道把模型拿來轉換為軟體所支援的格式或者直接使用，而對於IBIS 模型裏面的資料描述什麼都不算很明白，因此下面的一些描述是整理出來的一點對於ibis 的基本理解。

在此引用很多presention來描述ibis 內容（有的照抄過來，阿彌陀佛，不要說抄襲，只不過習慣信手拈來說明一些問題），僅此向如muranyi 等ibis 先驅者致敬。

本文難免有些錯誤或者考慮不周，隨時歡迎進行討論並對其進行修改！IBIS 模型的一些基本概念IBIS 這個詞是Input/Output buffer information specification 的縮寫。

本文是基於IBIS ver3.2 所撰寫出來（/IBIS/可下載到各種版本spec）,ver4.2增加很多新特性，由於在目前設計中沒用到不予以討論。

在業界經常會把spice 模型描述為transistor model 是因為它描述很多電路細節問題。

而把ibis 模型描述為behavioral model 是因為它並不象spice 模型那樣描述電路的構成，IBIS 模型描述的只不過是電路的一種外在表現，象個黑匣子一樣，輸入什麼然後就得到輸出結果，而不需要瞭解裏面驅動或者接收的電路構成。

因此有所謂的garbage in, garbage out，ibis 模型的仿真精度依賴於模型的準確度以及考慮的worse case，因此無論你的模型如何精確而考慮的worse case 不周全或者你考慮的worse case 如何周全而模型不精確，都是得不到較好的仿真精度。

IBIS 模型的構成經典示意圖如下：從上圖可以看出，基本的IBIS模型包括如下的一些資訊（對於不同類型的model有一些資訊會省略掉）VI 曲線: Pullup & Pulldown &POWER clamp& GND clampVT曲線: Rise waveform, Fall waveform還有一些其他比較重要的資訊比如Die capacitance: C_comp（最近好像那個muranyi對這個很感興趣，一直發佈presentation討論怎麼把這個做的更精確）以及RLC package parameter。

IBIS基础1

IBIS基础(1) --- IBIS和SPICE的区别IBIS(I/O buffer information specification)模型可用于系统级印刷电路板的仿真。

主要是将器件外部和I/O缓冲接口特性模型化。

IBIS模型包含I/O缓冲器到印刷电路板间的行为特性。

不过，不包含芯片内部的节点的电路特性。

而另一方面，SPICE模型则可模拟芯片内部的所有晶体管，SPICE晶体管级模拟将分析全部输出缓冲器的信号路径。

但是，PCB 板上寄生电感、阻抗、容抗的各种要素未进行考虑。

如果有IBIS模型，就能进行系统级的高速仿真。

在IBIS模型中，可以描述IC 芯片与外部之间的行为特性。

如果是高速信号，IC封装和PCB板等的寄生参数对信号特征有很大的影响。

因此，所有的IBIS模型都定义了引脚和封装中的寄生的电感、电阻和电容。

如图1：为什么工程师喜欢使用IBIS呢？理由是快速。

用IBIS模型仿真速度要比使用晶体管级的SPICE模型仿真快10倍。

因此，如果使用IBIS模型仿真就可以节约系统设计者的分析时间。

另外，IC 厂商可以提供IBIS模型给用户进行高速仿真，而且不透露属于知识所有权的IC电路网表信息，这就是其优点。

关于准确性现行的IBIS 3.2/4.0模型能正确的反映CMOS缓冲器的阻抗特性和转换时间。

但不适合电源完整性的仿真，以后会逐步的改进完善。

另外，模型的准确性和这个模型的来源有关。

如果你通过测试芯片产生IBIS模型，该模型就无法描述最大和最小值时的输出特性。

当IC设计人员在收集硅芯片基准数据后仔细研究其晶体管模型时，他们会发现 SPICE生成的模型是更为精确。

如果同时用IBIS模型和SPICE模型进行仿真，就可以看到结果波形有差异。

以波形初始延迟为例。

这里所说的初始延迟是指仿真波形开始转换的时间减去波形开始的时间，既模拟输出曲线上的 t0。

在相同输入信号和负荷的情况下，两种结果不一样现象经常发生。

完整word版,IBIS模型详解中文版

§1绪论 (1)1.1 IBIS模型的介绍 (1)1.2 IBIS的创建 (3)§2旧IS模型的创建 (3)2.1准备工作 (3)2.1.1基本的概念 (3)2.1.2数据列表的信息 (4)2.2数据的提取 (4)2.2.1 利用Spice 模型 (4)2.2.2确定I/V数据 (4)2.2.3边缘速率或者是V/T波形的数据的测量 (7)2.2.4试验测量获取I/V和转换信息的数据 (7)2.3数据的写入 (8)2.3.1旧S文件的头I信息 (8)2.3.2器件和管脚的信息 (8)2.3.3 关键词Model的使用 (9)§3 用旧IS 模型数据验证模型 (10)3.1常见的错误 (10)3.2旧IS模型的数据验证 (12)3.2.1 Pullup> Pulldown 特性 (12)3.2.2 上升和下降的速度(Ramp rate) (12)3.2.3上下拉特性和Ramp rate的关系 (12)3.3用旧IS模型数据验证模型参数的实例 (12)§1绪论1.1 IBIS模型的介绍IBIS （Input/Output Buffer Informational Specifation）是用来描述IC 器件的输入、输出和I/OBuffer 行为特性的文件，并且用来模拟Buffer和板上电路系统的相互作用。

在IBIS模型里核心的内容就是Buffer的模型，因为这些Buffer产生一些模拟的波形，从而仿真器利用这些波形，仿真传输线的影响和一些高速现象（如串扰，EMI 等。

）。

具体而言IBIS描述了一个Buffer的输入和输出阻抗（通过I/V曲线的形式）、上升和下降时间以及对于不同情况下的上拉和下拉，那么工程人员可以利用这个模型对PCB板上的电路系统进行SI、串扰、EMC以及时序的分析。

IBIS模型中包含的是一些可读的ASCII格式的列表数据。

IBIS有特定的语法和书写格式。

IBIS模型笔记

1、ZYNQ的IBIS转换，需要使用vivado的I/O Planning Project来做处理，步骤如下
选择“updated generic IBIS models file”时需要注意，[Component]的名称需要与Vivado软件内部的设置保持一致，所以存在两个问题：（1）新建工程时需要建立与要生成IBIS模型的器件型号一致，否则转换时会出错；（2）Vivado内部对每种器件型号有一个缩写，需要将generic IBIS模型内的component名称与之保持一致，ZYNQ7000对应的名称为“zynq”
2、转化成的模型存在一定的问题，无法直接使用，因为信号管脚基本都没有分配model，如下图，需要手动分配模型，同时设定diff pin
设定模型是需要注意，想要设置的模型参数是否已经包含在IBS文件中，如模型“SSTL15_S_PSDDR”，其参数已经包含在ibs文件中，如下，所以可以直接调用，如需要调用的模型不在文件中，需要手动将模型参数加到文件中
Ibis模型中，对于管脚的输入输出属性是通过分配的模型来判断的，模型有POWER、GND、I/O、Input、Output等，当一个管脚的输入和输出需要使用不同的模型时，如DDR_DQ，则采用[model selector]的方式，在管脚的model name处为[model selector]的名称，具体选择哪种模型，在使用时具体选择
差分对的添加按照以下格式，第一列为差分信号正，第二列为差分信号负，第三列为差分电平。

CADENCE学习笔记6

CADENCE学习笔记11后仿真布线完成后的仿真。

1在元件厂家网站所搜IBIS模型文件2打开Model Integrity,选择File-Open打开IBIS文件,经常出现如下非单调的错误，一般忽略。

Pulldown Minimum data is non-monotonic3在physical view，单击最顶部的元件-右键，选择IBIS to DML，实现IBIS到DML的转化，将.dml文件拷贝到PCB工程目录下4打开PCB SI，打开PCB文件，Analyze-PDN Analysis，一次执行以下四项：1）Identify DC Nets：给电源网络赋予电压值。

设置好之后点击Apply，再点击OK2）Cross section，设置板层结构3）DML manage Library：管理dml模型库，其中devices.dml和interconn.iml是默认的。

将新的模型库放在工程目录下，默认能够识别到。

4）model assignment仅设置用到的元件即可，用不到的不用指定模型。

Create model适用于阻容类，find model为元件指定dml模型，auto setup自动为元件添加系统默认的模型；单击REFDESPINS：不仅可以为元件指定模型，还可以对元件的每个引脚指定模型。

使用find model为元件或引脚指定dml模型5在约束管理器中选中一个net-右键-sigxplorer1）Analyze-preferences，设置switching frequency，Measurement Cycle指的是仿真几个信号周期；Switching Frequency指的是仿真方波的周期；Duty Cycle指的是占空比；Offset指的是偏移时间。

2）在sigxplorer窗口，可以看到NET的网络拓扑，其中的TL是微带线，阻值是特征阻抗，T1是T型连接点，该拓扑可以修改，单击走线可以删除走线，从元件引脚可以直接拖拉添加走线，可以添加元件等。

IBIS模型学习笔记

在V ersion 3.2版本中，不包含Vinh_ac等定义，在仿真中会提示不支持这些语句。

现在使用的是V4.1.2. [File Name]IBIS模型的名字，例如:ic.ibs3. [File Rev]文件版本，例如：[File Rev] 1.04. [Date]编写时间：[Date] 1/22/20135. [Source]，[Disclaimer]，[Copyright]，[Component]来源，免责声明，版权，组成的一些说明[Source] Sigrity SpeedPKG Suite XtractIM 4.0.4.09231[Disclaimer] The model given below represents a 73-pin package.[Copyright][Component] ddr_ctrl6. [Package]包含在封装厂提取的IBIS文件中。

[Package]| variable typ min maxR_pkg 0.76859 0.48527 0.95543L_pkg 3.608e-9 2.259e-9 4.39e-9C_pkg 1.088e-12 9.004e-13 1.741e-127. [Pin]定义各个Pin的RLC，模型类型。

利用IBIS模型完善信号完整性计算和PCB设计

利用IBIS模型完善信号完整性计算和PCB设计利用IBIS模型完善信号完整性计算和PCB设计本文是关于在印刷电路板（PCB）开发阶段使用数字输入/输出缓冲信息规范（IBIS）模拟模型的文章。

本文将介绍如何使用一个IBIS 模型来提取一些重要的变量，用于信号完整性计算和确定 PCB 设计解决方案。

请注意，该提取值是 IBIS 模型不可或缺的组成部分。

图1 错配端接阻抗 PCB 装置。

信号完整性问题当观察传输线两端的数字信号时，设计人员会吃惊于将信号驱动至某条 PCB 线迹时出现的结果。

通过相对较长的距离，相比瞬时变化信号，电信号更像行波。

描述电路板上电波行为的较好模拟是池中波（wave in a pool）。

纹波穿过池顺利传播，因为体积相同的两组水具有相同的“阻抗”。

然而，池壁的阻抗差异明显，并以相反方向反射波。

注入PCB 线迹的电信号也出现相同的现象，其在阻抗错配时以类似方式反射。

图 1 显示了错配端接阻抗的一个 PCB 装置。

微控制器即TI MSP430 向 TI ADS8326 ADC 发送一个时钟信号，其将转换数据发送回 MSP430。

图 2 显示了该装置中阻抗错配所形成的反射。

这些反射在传输线迹上引起信号完整性问题。

让一端或者两端的 PCB 线迹电阻抗相匹配可极大地减少反射。

图2：图1中错配端接阻抗促发反射。

要解决系统电阻抗匹配问题，设计人员需要理解集成电路（IC）的阻抗特性，以及起到传输线迹作用的PCB 线迹的阻抗特性。

知道这些特性，让设计人员能够将各连接单元建模为分布式传输线迹。

传输线迹为各种电路服务，从单端和差分端器件到开漏输出器件。

本文主要介绍单端传输线迹，其驱动器有一个推拉输出电路设计。

图3 显示了用于设计该举例传输线迹的各组成部分。

图3 实例单端传输线电路。

另外，还需要如下 IC 引脚规范：发送器输出电阻 Z T （Ω）发送器上升时间t Rise和下降时间t Fall （秒）接收机输入电阻Z R （Ω）接收机引脚电容值C R_Pin （F）这些规范一般没有在 IC 制造厂商的产品说明书中。

IBIS模型简介

IBIS 是一种简单直观的文件格式，很适合用于类似于 Spice（但不是 Spice，因为 IBIS 文件格式不能直接被 Spice 工具读取）的电路仿真工具。它提供驱动器和接收器的行为描述，但不泄漏电路内部构造的知识产权细节。换句话说，销售商可以用 IBIS 模型来说明它们最新的门级设计工作，而不会给其竞争对手透露过多的产品信息。并且，因为 IBIS 是一个简单的模型，当做简单的带负载仿真时，比相应的全 Spice 三极管级模型仿真要节省 10～15 倍的计算量。
IBIS 模型简介
IBIS（Input/Output Buffer Information Specification）模型是一种基于 V/I 曲线的对 I/O BUFFER 快速准确建模的方法，是反映芯片驱动和接收电气特性的一种国际标准，它提供一种标准的文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应的计算与仿真。
IBI驱动器和接收器的不同参数，但并不说明这些被记录的参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型的仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际的仿真，需要先完成以下四件工作：
(1)获取有关芯片驱动器和接收器的原始信息源； (2)获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式的方法； (3)提供用于仿真的可被计算机识别的布局布线信息； (4)提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算的软件工具。
IBIS 模型的分析精度主要取决于 I/V 和 V/T 表的数据点数和数据的精确度。由于基于 IBIS 模型的 PCB 板级仿真采用查表计算，因而计算量较小，通常只有相应的 SPICE 模型的 1/10 到 1/100。
采用 SPICE，产品推向市场的时间取决于获得模型，得到仿真结果的时间；在 IBIS 中，主要是从 SPICE 仿真界果中建立模型。换句话说， IBIS 模型能够很容易的验证产品测试结果（并且，如果有必要产生新的模型）。如果同样进行测量和模型验证的话，IBIS 模型能够同 SPICE 具有同样的精度。IBIS 模型提供的信息需要 I/O 传输特性、而不是内部电路的信息。 IBIS 是为了满足信号完整性（SI）仿真的需要，其结果是 IBIS 模型具有信号完整性（signal integrity）分析所需要的信息，如在不同的负载下信号上升/下降时间。由于提取的水平如此之高，所以模型不能够很容易的调整大小，但是对于信号完整性（SI）的应用不成问题。

IBIS模型介绍

电子知识IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。

IBIS本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。

欲使用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。

IBIS模型优点可以概括为：在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。

可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。

IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。

IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。

IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。

非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题，而在IBIS仿真中消除了这个问题。

实际上，所有EDA供应商现在都支持IBIS模型，并且它们都很简便易用。

大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。

可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。

IBIS模型相关参数-个人整理

IBIS模型参数——个人整理输入的模型结构可以细化用图2表示。

图2：输入的模型电路图其中：C_pkg, R_pkg, L_pkg 为封装参数C_comp 为硅片上脚的压焊盘电容Power_Clamp 为低端ESD结构的V/I 曲线GND_Clamp 为低端ESD结构的V/I 曲线输出的模型结构可以细化用图3表示。

图3：输出的模型电路图其中：Pullup, Pulldown 为高电平和低电平状态的V/I曲线。

Ramp 为上升沿和下降沿的摆率（dv/dt）。

指的是输出电压从20%--80%的电压输出幅度所用的时间。

为了更加准确地描述上升沿和下降沿的过程，有上升沿和下降沿的V/T 曲线。

IBIS模型中包含了一些基本的参数，同时也给用户选择参数的机会。

C_pkg , R_pkg , L_pkg : 封装的RLC参数C_pin , R_pin , L_pin : 引脚的RLC参数C_comp ：硅片上引脚的压焊盘电容——硅芯片电容[PullUp]：输出高电平状态的V/I曲线。

示例见图5。

——上拉曲线[PullDown]：输出低电平状态的V/I曲线。

示例见图6。

——下拉曲线[Power_Clamp]：高端ESD的V/I曲线。

示例见图7。

——电源箝位曲线[GND_Clamp]：低端ESD的V/I曲线。

示例见图8。

——GND箝位曲线[Rising Waveform]：输出上升沿的V/T曲线。

示例见图9。

[Falling Waveform]：输出下降沿的V/T曲线。

示例见图10。

dV/dT_r, dV/dT_f：输出上升沿和下降沿的摆率。

即：从20%~80%，或从80%~20% 电压输出幅度所需的时间。

在测定V/I曲线时，电压的扫描范围，见表1：表1：电压的扫描范围[PullUp]，[Power_Clamp] 曲线中，电压是以VCC作为电压参考点。

所以在IBIS模型中相应的电压值要作以下调整：V table = VCC- V measured。

【转载】IBM模型学习总结

【转载】IBM模型学习总结1. 讲什么与不讲什么这篇⽂章主要讲述IBM 5个模型中的Model 1和2。

由于Model 3、4和5，还不是很熟悉，所以暂时就不详细讲了。

以后我会在理解它们后，补充这篇学习总结。

2. IBM模型概述IBM模型是份经典的研究⼯作，这5个模型既是当初基于词的统计机器翻译模型的基础，也是现在统计机器翻译中主流技术中的重要⼀步。

作为⼀个⽣成模型，IBM模型有着⾃⾝"严密"的模型演绎。

总的来说，Model 1和2是在⼀个展开公式下的建模，⽽Model 3、4和5则是在另⼀个展开公式下的建模。

当然，从模型的复杂程度上讲，这5个模型之间的关系是1<2<3<4<5，从模型的计算顺序来讲，是1->2 -> 3 -> 4 -> 5。

以法语(f)和英语(e)为例，如何对法语翻译为英语这项活动建模？从噪声信道模型的⾓度来讲(其实这最早是Weaver的独特见解)，即从贝叶斯主义的⾓度来讲，我们可以有如下⼀个基本公式：P r (E|F)=P r (E)*P r (F|E) / P r (F) (1)说明：公式(1)中E和F分别表⽰英⽂端和法语端的句⼦。

那么问题求解就变为(2)到这⾥，⼤家都会，但是IBM的那⼏位研究员很厉害，他们体会到了更多的信息：1) Pr(E)和Pr(F|E)均有很好的物理解释。

Pr(E)，通俗来讲，是表⽰句⼦是合法的英语句⼦的可能性，学术点讲，叫做语⾔模型；Pr(F|E)，通俗来讲，是表⽰该翻译出的英⽂句⼦表达的意思与原来法语句⼦所表达的意思有多⼤的相似，或者说表达出多少法语句⼦中的意思，学术点讲，叫做翻译模型。

公式(2)就这样形式化地描述了整个翻译过程中的3个问题——语⾔模型、翻译模型以及解搜索。

2) 更重要地，他们还看到了翻译模型中的⼀个隐藏变量——句⼦间的词语对齐信息。

如果词语对齐⽤符号A表⽰（原论⽂中⽤印刷体a表⽰），则有：(3)这样，他们开始考虑如何对Pr(F,A|E)建模。

三极管的ibis模型

三极管的ibis模型三极管是一种常见的电子器件，也被称为双极型晶体管。

它是一种半导体装置，由三个控制电极组成：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。

三极管的工作原理基于控制电流的方式，其中基极电流（IB）是三极管工作的重要参数之一。

为了更好地理解三极管的工作原理和性能，我们可以使用IBIS （Input/Output Buffer Information Specification）模型进行仿真和分析。

IBIS模型是一种用于描述数字和模拟集成电路输入/输出（I/O）行为的标准格式。

在三极管的IBIS模型中，主要包含以下几个方面的信息。

IBIS模型给出了三极管的电气特性参数。

这些参数包括：极间电容（Cbe、Cbc）、极间电阻（Rbe、Rbc）、极间电感等。

通过这些参数，可以准确地描述三极管在不同工作条件下的电气特性。

IBIS模型还给出了三极管的输入/输出电流特性。

其中包括了基极电流与发射极电流的关系、集电极电流与发射极电流的关系等。

这些特性曲线能够帮助我们分析三极管在不同输入电流条件下的工作状态和输出特性。

IBIS模型还包含了三极管的传输特性信息。

这些信息描述了三极管在不同频率下的传输特性，如S参数（散射参数）和H参数（混合参数）。

通过这些参数，可以评估三极管的放大能力、频率响应等性能指标。

三极管的IBIS模型可以应用于电路设计和仿真中。

通过引入IBIS 模型，我们可以更准确地预测和评估三极管在不同电路中的性能。

例如，在放大电路中，我们可以使用IBIS模型来评估三极管的放大倍数和频率响应。

在数字电路中，IBIS模型可以帮助我们评估三极管的开关速度和功耗等参数。

除了电路设计和仿真，三极管的IBIS模型还可以用于信号完整性分析。

在高速信号传输中，信号完整性是一个非常重要的问题。

通过引入三极管的IBIS模型，我们可以模拟和分析信号在信号链路中的传输过程，了解信号的传输失真情况，从而优化系统设计。

ibis模型的基本知识[中国pcb论坛网]

[原创]IBIS模型的基本知识[中国PCB论坛网]IBIS模型的基本知识--------------------------By Yinko----------------------IBIS模型的由来随着数字系统性能的不断提升，信号输出的转换速度也越来越快，在信号完整性分析中，不能简单的认为这些高速转换的信号是纯粹的数字信号，还必须考虑到它们的模拟行为。

为了在PCB进行生产前进行精确的信号完整性仿真并解决设计中存在的问题，要求建立能描述器件I/O特性的模型。

这样，Intel最初提出了IBIS的概念，IBIS就是I/O Buffer Information Specification的缩写。

为了制定统一的IBIS格式，EDA公司、IC供应商和最终用户成立了一个IBIS格式制定委员会，IBIS公开论坛也随之诞生。

在1993年，格式制定委员会推出了IBIS的第一个标准Version 1.0，以后不断对其进行修订，现在的版本是1999年公布的Version 3.2，这一标准已经得到了EIA的认可，被定义为ANSI/EIA-656-A标准。

每一个新的版本都会加入一些新的内容，但这些新内容都只是一个IBIS模型文件中的可选项目而不是必须项目，这就保证了IBIS模型的向后兼容性能。

现在，已经有几十个EDA公司成为IBIS公开论坛的成员，支持IBIS的EDA公司提供不同器件的IBIS模型以及软件仿真工具。

有越来越多的半导体厂商开始提供自己产品的IBIS 模型。

IBIS与SPICE的比较SPICE作为一种通用的电路模拟语言，最早由加州大学伯克利分校发明。

SPICE模型是对电路中实际的物理结构进行描述。

由于其精确性和多功能性，已经成为电子电路模拟的标准语言。

SPICE模型目前有两个主要的版本：HSPICE和PSPICE，HSPICE主要应用于集成电路设计，而PSPICE主要应用于PCB板和系统级的设计。

采用SPICE模型在PCB板级进行SI分析时，需要集成电路设计者和制造商提供能详细准确的描述集成电路I/O 单元子电路的SPICE模型和半导体特性的制造参数。

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在Version 3.2版本中，不包含Vinh_ac等定义，在仿真中会提示不支持这些语句。

[Package]| variable typ min maxR_pkg 0.76859 0.48527 0.95543L_pkg 3.608e-9 2.259e-9 4.39e-9C_pkg 1.088e-12 9.004e-13 1.741e-127. [Pin]定义各个Pin的RLC，模型类型。

例如DDR部分pin，[Pin]定义pin脚名称，Signal_name定义pin脚对应的网络名称，model_name定义pin脚所对应的模型。

[Pin] Signal_name model_name R_pin L_pin C_pinC8 A0 DDRIO 0.68982 3.37e-9 1.059e-12E13 A1 DDRIO 0.74574 3.549e-9 1.095e-12B13 A2 DDRIO 0.69867 3.392e-9 9.785e-13C13 A3 DDRIO 0.61485 3.102e-9 9.88e-13B9 A4 DDRIO 0.66266 3.285e-9 1.001e-12C10 A5 DDRIO 0.53032 2.407e-9 1.06e-12A9 A6 DDRIO 0.7457 3.571e-9 1.044e-12B10 A7 DDRIO 0.63557 3.174e-9 1.002e-12E12 A8 DDRIO 0.63692 3.085e-9 1.17e-12A10 A9 DDRIO 0.77584 3.802e-9 9.004e-13C17 A10 DDRIO 0.66777 2.996e-9 1.303e-12A13 A11 DDRIO 0.78207 3.963e-9 9.209e-13A12 A12 DDRIO 0.78921 3.9e-9 9.229e-13B12 A13 DDRIO 0.69073 3.368e-9 9.85e-13C12 A14 DDRIO 0.60718 3.087e-9 1.019e-12E10 BA0 DDRIO 0.55236 2.909e-9 1.077e-12 E8 BA1 DDRIO 0.64258 3.147e-9 1.063e-12 C14 BA2 DDRIO 0.63466 3.2e-9 9.911e-13 C9 CASN DDRIO 0.48527 2.259e-9 1.156e-12 A11 CK CLKOUT 0.69922 3.459e-9 9.665e-13 C5 CKE DDRIO 0.55668 2.702e-9 1.288e-12 B11 CKN CLKOUT 0.682 3.346e-9 9.7e-13 C6 CSN0 DDRIO 0.73844 3.326e-9 1.176e-12 E9 CSN1 DDRIO 0.54302 2.347e-9 1.741e-12 E1 DM0 DM 0.84542 4.208e-9 9.827e-13A3 DM1 DM 0.87932 3.846e-9 1.104e-12B14 DM2 DM 0.73991 3.295e-9 1.008e-12B19 DM3 DM 0.853 4.088e-9 1.09e-12E2 DQ0 DQ 0.82747 3.784e-9 1.153e-12D1 DQ1 DQ 0.89128 4.228e-9 1.058e-12D2 DQ2 DQ 0.89248 3.944e-9 1.242e-12C1 DQ3 DQ 0.8881 4.18e-9 1.046e-12B2 DQ4 DQ 0.8928 3.953e-9 1.23e-12A1 DQ5 DQ 0.95543 4.22e-9 1.266e-12A2 DQ6 DQ 0.91317 3.998e-9 1.222e-12B3 DQ7 DQ 0.91574 3.846e-9 1.317e-12B4 DQ8 DQ 0.77137 3.525e-9 1.129e-12A4 DQ9 DQ 0.82731 3.763e-9 1.125e-12B5 DQ10 DQ 0.78685 3.595e-9 1.095e-12A5 DQ11 DQ 0.85586 4.047e-9 9.938e-13B7 DQ12 DQ 0.73381 3.415e-9 1.013e-12A7 DQ13 DQ 0.7638 3.535e-9 1.038e-12B8 DQ14 DQ 0.76254 3.425e-9 1.075e-12A8 DQ15 DQ 0.82193 3.678e-9 9.283e-13A14 DQ16 DQ 0.81303 3.904e-9 9.362e-13A15 DQ17 DQ 0.7223 3.454e-9 9.949e-13B15 DQ18 DQ 0.74037 3.487e-9 1.05e-12A16 DQ19 DQ 0.81487 3.899e-9 9.464e-13B17 DQ20 DQ 0.76587 3.579e-9 1.077e-12A18 DQ21 DQ 0.80267 3.988e-9 9.76e-13B18 DQ22 DQ 0.81344 3.938e-9 1.05e-12A19 DQ23 DQ 0.8549 4.295e-9 1.007e-12A20 DQ24 DQ 0.88968 4.265e-9 1.065e-12A21 DQ25 DQ 0.93443 4.259e-9 1.182e-12B20 DQ26 DQ 0.87356 3.95e-9 1.191e-12B21 DQ27 DQ 0.93784 4.335e-9 1.095e-12D20 DQ28 DQ 0.87183 3.878e-9 1.208e-12D21 DQ29 DQ 0.85734 4.041e-9 1.018e-12E20 DQ30 DQ 0.8406 3.745e-9 1.252e-12E21 DQ31 DQ 0.80301 3.724e-9 1.109e-12B1 DQS0 DQS 0.94514 4.39e-9 1.097e-12A6 DQS1 DQS 0.82907 3.936e-9 9.705e-13A17 DQS2 DQS 0.84444 4.02e-9 9.857e-13C21 DQS3 DQS 0.8819 4.171e-9 1.041e-12C2 DQSN0 DQS 0.81474 3.713e-9 1.144e-12 B6 DQSN1 DQS 0.75495 3.495e-9 1.048e-12 B16 DQSN2 DQS 0.73785 3.492e-9 1.066e-12 C20 DQSN3 DQS 0.82541 3.759e-9 1.135e-12 C18 ODT DDRIO 0.67749 3e-9 1.239e-12 E15 RASN DDRIO 0.66222 3.292e-9 1.082e-12 C16 RSTN DDRIO 0.76735 3.563e-9 1.152e-12 E14 WEN DDRIO 0.59208 3.085e-9 1.05e-12 C4 ZQ DDRIO 0.81395 3.381e-9 1.268e-12 F8 VDDMEM POWERH8 VDDMEM POWERJ8 VDDMEM POWERF10 VDDMEM POWERH10 VDDMEM POWERJ10 VDDMEM POWERF14 VDDMEM POWERH13 VDDMEM POWERJ13 VDDMEM POWERH14 VDDMEM POWERE7 VSSMEM GNDF9 VSSMEM GNDH9 VSSMEM GNDJ9 VSSMEM GNDJ11 VSSMEM GNDJ12 VSSMEM GNDH12 VSSMEM GNDF12 VSSMEM GNDJ14 VSSMEM GNDG16 VSSMEM GNDF7 DDR3_VREF POWERF13 DDR3_VREF POWERF15 DDR3_VREF POWER8. [Diff Pin]定义差分pin[Diff_pin] inv_pin vdiff tdelay_typ tdelay_min tdelay_max|B1 C2 0.250V 0ns NA NAA6 B6 0.250V 0ns NA NA A17 B16 0.250V 0ns NA NA C21 C20 0.250V 0ns NA NA A11 B11 0.250V 0ns NA NA9. [Model Selector]定义各个model的类型例如：[Model Selector] DQ|DQ_msd_drv3_3440 34 Ohm Data I/O with no ODTDQ_msd_drv3_3460 34 Ohm Data I/O with no ODTDQ_msd_drv3_4040 40 Ohm Data I/O with no ODT|[Model Selector] DQS|DQS_msd_drv3_3440 34 Ohm Data Strobe I/O with no ODTDQS_msd_drv3_3460 34 Ohm Data Strobe I/O with no ODTDQS_msd_drv3_4040 40 Ohm Data Strobe I/O with no ODT|[Model Selector] DM|DM_msd_drv3_3440 34 Ohm DM I/O with no ODT|DM_msd_drv3_3460 34 Ohm DM I/O with no ODTDM_msd_drv3_4040 40 Ohm DM I/O with no ODT|[Model Selector] CLKOUT|CLK_msd_drv3_3440 34 Ohm CLK I/O with no ODTCLK_msd_drv3_3460 34 Ohm CLK I/O with no ODTCLK_msd_drv3_4040 40 Ohm CLK I/O with no ODTCLK_msd_rcv3_odt40 Receiving, ODT=40-Ohms|[Model Selector] DDRIO|IO_msd_drv3_3440 Driving, Z0=34-Ohms, Rload=40-OhmsIO_msd_drv3_3460 Driving, Z0=34-Ohms, Rload=60-OhmsIO_msd_drv3_4040 Driving, Z0=40-Ohms, Rload=40-OhmsIO_msd_drv3_4060 Driving, Z0=40-Ohms, Rload=60-Ohms10. [Model]定义每个model，例如：[Model] DQ_msd_drv3_3440Model_type I/O1）定义I/O type需要定义的参数：Vinl = 0.5750VVinh = 0.9250VVmeas = 0.7500VCref = 0.0FRref = 60.0000Vref = 0.7500V|variable typ min maxC_comp 2.0000pF 1.8000pF 2.2000pF|[Receiver Thresholds][Temperature Range][Voltage Range][Pullup Reference][Pulldown Reference][POWER Clamp Reference][GND Clamp Reference][Pulldown][Pullup][GND Clamp][POWER Clamp][Ramp][Rising Waveform][Falling Waveform]IBIS模型的基本组成元素IBIS规范要求的I/V曲线的范围是Vcc到(2*Vcc)，制定这一电压范围的原因是，由全反射所引起的过冲理论上的最大值是两倍的信号摆幅。