半桥驱动集成电路 I R2304
irs2304半桥驱动电路原理
irs2304半桥驱动电路原理IRS2304半桥驱动电路原理1. 概述•什么是IRS2304半桥驱动电路？•该电路的作用和应用领域。
2. IRS2304半桥驱动电路基本原理•半桥驱动电路的基本原理。
•IRS2304芯片的特点和功能。
3. IRS2304半桥驱动电路工作原理解析输入端信号解析•IRS2304芯片的输入端信号特点和工作原理。
•半桥驱动电路输入端信号对驱动效果的影响。
输出端信号解析•IRS2304芯片的输出端信号特点和工作原理。
•半桥驱动电路输出端信号对驱动效果的影响。
4. IRS2304半桥驱动电路实际应用案例电机驱动应用•使用IRS2304半桥驱动电路的电机驱动应用案例。
•如何根据实际需求选择合适的IRS2304半桥驱动电路版本。
其他应用领域•IRS2304半桥驱动电路在其他领域的应用案例。
•可能遇到的问题和解决方案。
5. 总结•对IRS2304半桥驱动电路的基本原理和应用进行总结。
•对未来发展和优化进行展望。
注：以上内容仅为示例，具体内容和细节可以根据实际需求进行调整和补充。
1. 概述IRS2304半桥驱动电路是一种常用的电路设计，用于驱动半桥拓扑结构的功率器件，如IGBT或MOSFET等。
该电路通过精确控制输入端信号，实现对半桥电路的高效驱动，广泛应用于电机驱动、电源开关和逆变器等领域。
2. IRS2304半桥驱动电路基本原理半桥驱动电路是一种经典的功率驱动电路结构，由两个互补的开关管组成。
IRS2304芯片集成了驱动电路所需的控制和保护功能，可直接驱动半桥拓扑结构。
3. IRS2304半桥驱动电路工作原理解析输入端信号解析IRS2304芯片的输入端接收来自控制器的信号，包括电源电压和控制信号。
电源电压控制芯片的工作，而控制信号则决定输出端的状态。
输出端信号解析IRS2304芯片的输出端接收来自输入端的信号，并经过电路处理得到对应的驱动信号。
输出信号经过栅极驱动电路，控制IGBT或MOSFET的导通和关断。
爱信IR2302 IR2302S IR2302PBF半桥驱动器说明书
Features•Fully operational to +600VTolerant to negative transient voltage dV/dt immune•Gate drive supply range from 5 to 20V •••Cross-conduction prevention logic•••Logic and power ground +/- 5V offset.•Internal 540ns dead-time•Lower di/dt gate driver for better noise immunity••IR2302(S ) & (PbF)Data Sheet No. PD60207 Rev.A 1Descriptionchannels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction.The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to600 volts.IR2302(S ) & (PbF)Recommended Operating ConditionsThe input/output logic timing diagram is shown in figure 1. For proper operation the device should be used within the recommended conditions. The V S offset rating is tested with all supplies biased at 15V differential.Note 1: Logic operational for V S of -5 to +600V. Logic state held for V S of -5V to -V BS . (Please refer to the Design Tip DT97-3 for more details).Absolute Maximum RatingsAbsolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage param-eters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions.IR2302(S ) & (PbF) 3Dynamic Electrical CharacteristicsStatic Electrical CharacteristicsIR2302(S ) & (PbF)Functional Block DiagramsIR2302(S ) & (PbF) 5Lead Assignments8 Lead PDIP8 Lead SOIC(Also available LEAD-FREE (PbF)12348765V CC IN SD COMV B HO V S LO12348765V CC IN SD COMV B HO V S LOIR2302IR2302SLead DefinitionsSymbol DescriptionIN Logic input for high and low side gate driver outputs (HO and LO), in phase with HOSD Logic input for shutdown V B High side floating supply HO High side gate drive output V S High side floating supply return V CC Low side and logic fixed supply LO Low side gate drive output COMLow side returnIR2302(S ) & (PbF)Figure 4. Deadtime Waveform DefinitionsDT LO-HOMDT=- DT HO-LOFigure 3. Shutdown Waveform Definitions Figure 1. Input/Output Timing DiagramSDINHO LOFigure 2. Switching Time Waveform DefinitionsIR2302(S ) & (PbF) 7Figure 5. Delay Matching Waveform DefinitionsIR2302(S ) & (PbF)IR2302(S ) & (PbF) 9IR2302(S ) & (PbF)10IR2302(S ) & (PbF) 11e (sIR2302(S ) & (PbF)IR2302(S ) & (PbF) 13IR2302(S ) & (PbF)(AIR2302(S ) & (PbF) 15(A(AIR2302(S ) & (PbF)t (At (AIR2302(S ) & (PbF)17IR2302(S ) & (PbF)18IR2302(S ) & (PbF) 19IR2302(S ) & (PbF)Case OutlinesIR2302(S ) & (PbF)Basic Part (Non-Lead Free)8-Lead PDIP IR2302 order IR23028-Lead SOIC IR2302S order IR2302SLeadfree Part8-Lead PDIP R2302 not available8-Lead SOIC IR2302S order IR2302SPbFORDER INFORMATIONLEADFREE PART MARKING INFORMATIONPer SCOP 200-002Thisproduct has been designed and qualified for the Industrial market.Qualification Standards can be found on IR’s Web Site Data and specifications subject to change without notice.IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245 Tel: (310) 252-71058/16/2004。
ir2104 半桥驱动器
Data Sheet No. PD60046-STypical ConnectionProduct SummaryHALF-BRIDGE DRIVERFeatures•Fully operational to +600VdV/dt immune••Undervoltage lockout•••Internally set deadtime••••Also available LEAD-FREEDescriptionoperates from 10 to 600 volts. 1IR2104(S ) & (PbF)2IR2104(S) & (PbF)Absolute Maximum RatingsAbsolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage parameters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions.Note 1: Logic operational for V S of -5 to +600V. L ogic state held for V S of -5V to -V BS . (Please refer to the Design Tip DT97-3 for more details).Recommended Operating ConditionsThe Input/Output logic timing diagram is shown in Figure 1. For proper operation the device should be used within the recommended conditions. The V S offset rating is tested with all supplies biased at 15V differential.3IR2104(S) & (PbF)Dynamic Electrical CharacteristicsV BIAS (V CC , V BS ) = 15V, C L = 1000 pF and T A = 25°C unless otherwise specified.4IR2104(S) & (PbF)Lead DefinitionsSymbol DescriptionINLogic input for high and low side gate driver outputs (HO and LO), in phase with HO Logic input for shutdown VB High side floating supply HO High side gate drive output V S High side floating supply return V CC Low side and logic fixed supply LO Low side gate drive output COMLow side returnSDLead Assignments8 Lead PDIP 8 Lead SOICIR2104IR2104S12348765V CC IN SD COMV B HO V S LO12348765V CC IN SD COMV B HO V S LO5IR2104(S) & (PbF)Figure 4. Deadtime Waveform DefinitionsFigure 3. Shutdown Waveform DefinitionsFigure 1. Input/Output Timing DiagramSDINHO LOFigure 2. Switching Time Waveform DefinitionsIR2104(S) & (PbF)67IR2104(S) & (PbF)8IR2104(S) & (PbF)9IR2104(S) & (PbF)10IR2104(S) & (PbF)11IR2104(S) & (PbF)IR2104(S) & (PbF)13IR2104(S) & (PbF)14IR2104(S) & (PbF)Per SCOP 200-002Basic Part (Non-Lead Free)8-Lead PDIP IR2104 order IR21048-Lead SOIC IR2104S order IR2104S Leadfree Part8-Lead PDIP IR2104 order IR2104PbF 8-Lead SOIC IR2104S order IR2104SPbFIR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245 Tel: (310) 252-7105This product has been qualified per industrial levelData and specifications subject to change without notice. 4/2/2004。
600W半桥型开关稳压电源设计
600W半桥型开关稳压电源设计600W半桥型开关稳压电源设计摘要本次设计主要是设计一个600W半桥型开关稳压电源，从而为负载供电。
电源是各种电子设备不可或缺的组成部分，其性能优劣直接关系到电子设备的技术指标及能否安全可靠地工作。
由于开关电源本身消耗的能量低，电源效率比普通线性稳压电源提高一倍，被广泛用于电子计算机、通讯、家电等各个行业。
它的效率可达85％以上，稳压范围宽，除此之外，还具有稳压精度高、不使用电源变压器等特点，是一种较理想的稳压电源。
本文介绍了一种采用半桥电路的开关电源，其输入电压为单相170 ~ 260V，输出电压为直流12V恒定，最大电流50A。
从主电路的原理与主电路图的设计、控制电路器件的选取、保护电路方案的确定以及计算机仿真图形的绘制与波形分析等方面的研究。
关键词：半桥变换器；功率MOS管；脉宽调制；稳压电源；第1章绪论1.1 电力电子技术概况电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。
通常所说的模拟电子技术和数字电子技术属于信息电子技术。
电力电子技术是应用于电力领域的电子技术，它是利用电力电子器件对电能进行变换和控制的新兴学科。
目前所用的电力电子器件采用半导体制成，故称电力半导体器件。
信息电子技术主要用于信息处理，而电力电子技术则主要用于电力变换。
电力电子技术的发展是以电力电子器件为核心，伴随变换技术和控制技术的发展而发展的。
电力电子技术可以理解为功率强大，可供诸如电力系统那样大电流、高电压场合应用的电子技术，它与传统的电子技术相比，其特殊之处不仅仅因为它能够通过大电流和承受高电压，而且要考虑在大功率情况下，器件发热、运行效率的问题。
为了解决发热和效率问题，对于大功率的电子电路，器件的运行都采用开关方式。
这种开关运行方式就是电力电子器件运行的特点。
电力电子学这一名词是20世纪60年代出现的，“电力电子学”和“电力电子技术”在内容上并没有很大的不同，只是分别从学术和工程技术这2个不同角度来称呼。
电力电子技术课程设计-240w半桥型开关稳压电源设计讲解
辽宁工业大学电力电子技术课程设计（论文）题目：240W半桥型开关稳压电源设计院（系）：电气工程学院专业班级：电气102学号：*********学生姓名：***指导教师：（签字）起止时间：2012-12-31至2012-1-11课程设计（论文）任务及评语院（系）：电气工程学院 教研室： 电气教研室 注：成绩：平时20% 论文质量60% 答辩20% 以百分制计算 学 号100303044 学生姓名 邹伟龙 专业班级 电气102 课程设计（论文）题目240W 半桥型开关稳压电源设计 课程设计（论文）任务 课题完成的设计任务及功能、要求、技术参数实现功能为实验室电子设备提供24V 稳压范围宽、大功率直流电源，以取代低效率的线性稳压电源。
设计任务1、方案的经济技术论证。
2、整流电路设计。
3、逆变电路设计。
4、通过计算选择器件的具体型号。
5、驱动电路设计或选择。
6、绘制相关电路图。
要求1、 1、文字在4000字左右。
2、 2、文中的理论分析与计算要正确。
3、 3、文中的图表工整、规范。
4、元器件的选择符合要求。
技术参数1、输入电压单相170 ~ 260V 。
2、输入交流电频率45~65HZ 。
3、输出直流电压24V 恒定。
4、输出直流电流10A 。
5最大功率：250W 。
6、稳压精度：＜直流输出电压整定值的1％。
进度计划 第1天：集中学习；第2天：收集资料；第3天：方案论证；第4天：输入整流滤波电路设计；第5天：逆变电路设计；第6天：确定高频变压器变比及容量；第7天：输出整流滤波电路设计；第8天：控制电路设计；第9天：总结并撰写说明书；第10天：答辩指导教师评语及成绩平时： 论文质量： 答辩： 指导教师签字：总成绩： 年 月 日摘要开关电源在效率、体积和重量等方面都远远优于线性电源，因此已经基本取代了线性电源，成为电子热备供电的主要形式, 受到人们的青睐.随着开关电源在计算机、通信、航空航天、仪器仪表及家用电器等方面的广泛应用，人们对其需求量日益增长。
数明HVIC栅极驱动器SLM2304S应用手册说明书
数明HVIC栅极驱动器应用手册----以下内容以SLM2304S为例讲述简介上海数明HVIC栅极驱动器SLM2304S用于驱动最高600V的N沟道MOSFET或IGBT，兼容IR2304(S)系列，广泛应用于BLDC，大功率DC-DC电源，家电，步进驱动器，逆变器等领域。
本文旨在介绍栅极驱动器的基本功能，外围电路设计，参数选型，以及layout注意事项，方便工程师设计应用。
UVLOSLM2304S集成了高低边欠压保护功能(UVLO)，特别是高边欠压保护功能可以有效防止上电启动过程中高边误输出，避免出现上电时炸机现象。
当VCC/VBS电压下降至VCCUV-/VBSUV 阈值以下时关闭输出，VCC/VBS电压上升至VCCUV+/VBSUV+阈值以上时才打开输出。
0.7V 迟滞电压以防止VCC/VBS电压抖动而误触发欠压保护。
互锁功能SLM2304S有两路输入，HIN和LIN，分别控制高边输出HO以及低边输出LO。
HIN和HO同相位，LIN和LO同相位。
为防止输入控制出错，例如输入同为高，输出也同为高，从而导致MOS/IGBT共 的情况，SLM2304S采用了互锁设计，即当两路输入均为高时，输出均为低，确保输出端的安全。
当然，如果客户的应用就是需要输出HO和LO同为高的情况，我们推荐去掉了互锁功能的SLM2106B来满足这类特殊的应用。
典型应用线路VS脚⽣产负压的原因和对策l VS脚生产负压的原因自举式电源是一种应用广泛，给高边栅极驱动电路供电的方法，用来驱动高边N沟 的MOS 或者IGBT。
自举式电源技术具有结构简单，成本低的优点，但也存在缺点，其一是占空比无法做到100%，受到自举电容刷新电荷所需时间，VBS欠压保护阈值的限制，其二是会导致开关器件的源极看到负压，可能导致HVIC的输出错误。
自举式驱动电路最大的难点在于：当开关器件关断时，其源极的负电压会使负载电流突然流过续流二极管，如图1所示。
该负电压会给栅极驱动电路的输出端造成麻烦，因为它直接影响驱动电路或PWM 控制集成电路的源极VS 引脚，可能会明显地将某些内部电压下拉到地以下，如图2所示。
半桥栅极驱动芯片
半桥栅极驱动芯片半桥栅极驱动芯片（Half-Bridge Gate Driver Chip）半桥栅极驱动芯片是一种用于驱动半桥功率器件（例如电力MOSFET、IGBT 等）的关键组件。
它主要负责控制功率器件的开关，以实现对电力系统的有效控制和保护。
半桥栅极驱动芯片的基本原理是通过输出控制信号来控制半桥功率器件的开关状态。
它通常具有两个栅极驱动输出引脚，分别对应 N 沟道和 P 沟道功率器件。
通过精确控制输入信号的脉冲宽度和频率，可以实现功率器件的开关和切换。
半桥栅极驱动芯片的主要功能包括以下几个方面：1. 开关控制：根据输入信号的脉冲宽度和频率，控制功率器件的开关状态。
这样可以实现对电力系统的有效控制，如变换电压、调整电流等。
2. 防过流保护：通过监测电流的大小，当电流超过设定值时，自动切断功率器件的开关以保护电路和设备的安全运行。
3. 短路保护：在系统短路发生时，自动切断功率器件的开关，以防止进一步损坏电路和设备。
4. 温度保护：监测功率器件的温度，当温度过高时，自动切断开关以防止功率器件过热，从而保护电路和设备的安全运行。
5. 看门狗功能：监测系统的工作状态，当系统处于异常状态时，自动切断开关以保护电路和设备。
半桥栅极驱动芯片的优势主要体现在以下几个方面：1. 高效性能：半桥栅极驱动芯片采用先进的驱动技术和高性能材料，具有较低的功耗和高的效率，可以更好地满足功率器件的控制需求。
2. 可靠性：半桥栅极驱动芯片具有良好的抗干扰能力和稳定的工作性能，能够在恶劣的工作环境下长时间稳定运行。
3. 安全性：半桥栅极驱动芯片具有多种保护功能，可以有效地防止电路和设备的损坏，提高系统的可靠性和安全性。
4. 节省空间：半桥栅极驱动芯片体积小巧，集成度高，可以有效地节省系统的空间，提高系统的紧凑性。
总之，半桥栅极驱动芯片是控制和保护半桥功率器件的重要组成部分。
它具有高效性能、可靠性、安全性和节省空间的优势，广泛应用于工业控制、电力系统等领域。
桥接开关集成半桥（IHB）高压电机驱动器智能集成电路说明书
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Device ID
programming
Low-side current
limit level setting
7
Custom sensor
(for example vibration)
1-Phase BLDC is More Cost Effective Than 3-Phase BLDC
Ultra-soft, fast recovery diode
Low QRR increases efficiency
Reverse Recovery Softness Factor (RRSF) > 1 for reduced EMI
=
/
/
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(Gate Drive)
5 V (MCU)
(MCU)
Self-Supply
Smaller
size!
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12
BridgeSwitch Monitors and Protects the Entire System
High-side and low-side lossless cycle-by-cycle current limit
1-Phase BLDC
3-Phase BLDC
Speed Control
Yes
Yes
Motor Size
Smaller
Smallest
Efficiency
High
High
Noise
Low
Lowest
电子镇流器控制器／半桥驱动器IR2520D
电子镇流器控制器／半桥驱动器ＩＲ2520ＤIR2520D是美国国际整流器(IR)公司最近研制的荧光灯电子镇流器控制器和半桥驱动器单片IC。
该新型器件的主要特点是含有自适应零电压开关(ZVS)和波峰因数(即峰值电流与平均电流之比值)过电流保护。
IR2520D的核心是一个0～5V的压控振荡器(VCO)，其最低频率(即灯正常燃点时的输出频率)可由外部电阻来编程。
IR2520D的半桥驱动器输出专门用作驱动MOSFET或IGBT。
IR2520D 仅需要用很少量的元件，即可组成高性能和高可靠的荧光灯电子镇流器。
1.内部结构与引脚功能IR2520D采用8引脚PDIP和SOIC封装，在芯片上集成了电压控制振荡器、600V半桥驱动器、外部低端MOSFET电流感测(即VS感测)电路、自适应ZVS 逻辑和故障逻辑电路及自举二极管等，其内部结构及引脚排列如图1所示。
引脚功能如表1所示。
2.主要特点及工作条件IR2520D的主要特点如下：(1)将自适应镇流器控制器和600V半桥驱动器集成在同一芯片上，自适应ZVS使功率开关MOSFET有最低的功率损耗；(2)在Vcc脚内置15.6V的齐纳二极管，将IC电源电压箝位在15.6V的电平上；(3)VCO的最低频率(即荧光灯正常点燃时的工作频率)可通过FMIN脚外部电阻编程设定；(4)内置电流感测和波峰因数过电流保护及自举二极管，从而使外部元件减少到最小化；(5)微功率启动(启动电流仅约150μA)。
IR2520D的推荐工作条件如表2所列。
3.应用电路IR2520D的典型应用电路如图2所示。
图中，D1~D4为桥式整流器，C1和L1为LC滤波电路，IR2520D及功率MOSFET(Q1、Q2)等组成半桥式变换器，L2和C6组成LC串联谐振网络(在灯启动之后，L2起限流作用)。
(1)运行模式IR2520D及其应用电路的工作原理可通过运行模式来说明。
欠压锁定(UVLO)模式在电子镇流器接通AC线路之后，通过IC脚Vcc 上电阻R1的电流对电容C2充电。
UBA2213驱动CFL的半桥功率集成电路系列产品数据手册说明书
UBA2213驱动CFL的半桥功率集成电路系列版本.2—2011年11月21日产品数据手册1．概述UBA2213系列是一种高压单片集成电路，采用半桥结构，用于驱动的紧凑型荧光灯（CFL）。
该系列产品提供了简单的一体化照明控制方案，适用于各种电源电压和一系列功率范围的灯管。
2．特点和优点2.1系统集成·集成半桥功率晶体管UBA2213A：220V，13.5Ω，最大点火电流0.9AUBA2213B：220V，9Ω，最大点火电流1.35AUBA2213C：220V，6.6Ω，最大点火电流1.85A·集成自举二极管·集成高压电源2.2常规t）·电流型预热控制模式，可调节的预热时间（ph·非点火应用时控制辉光时间最小化电极点火的损害·RMS电流控制2.3快速平滑亮灯·采用外部时间控制模式来升压·在升压状态是，采用时间控制温度模式·从升压状态到引燃状态，平滑过渡2.4灯管寿命·预热时间可调的电流型预热控制·最小辉光时间支持冷起动·灯的功率不受电源电压变化影响·点火期间灯的电感饱和保护驱动CFL的半桥功率集成电路2.5安全性·过热保护·电容模式保护·电流饱和保护·超功率控制·灯管寿命终止时，系统自动关闭2.6应用简单·工作频率可调，易于和各种灯管匹配·该系列中每个器件包含相同的控制器功能，以保证适用于各种功率范围的CFL。
3．应用·应用于室内和室外23W以下的紧凑型荧光灯4．订购信息表1：订购信息驱动CFL的半桥功率集成电路5．方框图UBA2213XT (SO14封装) 管脚号在括号表明n.p表示在UBA2213XP（DIP8封装）中未集成。
图1：方框图在S014封装中，集成了DVDT电源所需的两个二极管，接在DVDT和PGND之间。
IR2104芯片驱动电路实现智能车差速控制方案
IR2104芯片驱动电路实现智能车差速控制方案由于本人主要是搞软件的，所以硬件方面不是很了解，但是为了更好地相互学习，仅此整理出一份总结出来，有什么错误的地方还请大家积极的指出!供大家一起参考研究！我们做的智能小车，要想出色的完成一场比赛，需要出色的控制策略!就整个智能车这个系统而言，我们的被控对象无外乎舵机和电机两个!通过对舵机的控制能够让我们的小车实时的纠正小车在赛道上的位置，完成转向!当然那些和我一样做平衡组的同学不必考虑舵机的问题!而电机是小车完成比赛的动力保障，同时平衡组的同学也需要通过对两路电机的差速控制，来控制小车的方向!所以选一个好的电机驱动电路非常必要!常用的电机驱动有两种方式：一、采用集成电机驱动芯片;二、采用MOSFET和专用栅极驱动芯片自己搭。
集成主要是飞思卡尔自己生产的33886芯片，还有就是L298芯片，其中298是个很好的芯片，其内部可以看成两个H桥，可以同时驱动两路电机，而且它也是我们驱动步进电机的一个良选!由于他们的驱动电流较小(33886最大5A持续工作，298最大2A持续工作)，对于我们智能车来说不足以满足，但是电子设计大赛的时候可能会用到!所以想要详细了解他们的同学可以去查找他们的数据手册!在此只是提供他们的电路图，不作详细介绍!33886运用电路图下面着重介绍我们智能车可能使用的驱动电路。
普遍使用的是英飞凌公司的半桥驱动芯片BTS7960搭成全桥驱动。
其驱动电流约43A，而其升级产品BTS7970驱动电流能够达到70几安培!而且也有其可替代产品BTN7970，它的驱动电流最大也能达七十几安!其内部结构基本相同如下：每片芯片的内部有两个MOS管，当IN输入高电平时上边的MOS管导通，常称为高边MOS管，当IN输入低电平时，下边的MOS管导通，常称为低边MOS管;当INH为高电。
IR2108半桥驱动
Typical ConnectionData Sheet No. PD60161-R 1CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts.IR2108(4) (S) & (PbF)Absolute Maximum RatingsAbsolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage param-eters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured S S BS DT97-3 for more details).IR2108(4)(S) & (PbF)V BIAS (V CC, V BS) = 15V, V SS = COM, DT= V SS and T A = 25°C unless otherwise specified. The V IL, V IH and I IN parameters are referenced to V SS/COM and are applicable to the respective input leads: HIN and LIN. The V O, I O and Ronparameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO and LO.3IR2108(4) (S) & (PbF)Functional Block Diagram5IR2108(4) (S) & (PbF)14 Lead PDIP 14 Lead SOICIR21084IR21084SLead Assignments8 Lead PDIP 8 Lead SOIC12348765V CC HIN LIN COMV B HO V S LO12348765V CC HIN LIN COMV B HO V S LO1234567141312111098V CC HIN LIN DT VSS COM LOV B HO V S1234567141312111098V CC HIN LIN DT VSS COM LOV B HO V SLead DefinitionsSymbol DescriptionHINLogic input for high side gate driver output (HO), in phase (referenced to COM for IR2108 and VSS for IR21084)Logic input for low side gate driver output (LO), out of phase (referenced to COM for IR2108and VSS for IR21084)DT Programmable dead-time lead, referenced to VSS. (IR21084 only)VSS Logic Ground (21084 only)V B High side floating supply HO High side gate driver output V S High side floating supply return V CC Low side and logic fixed supply LO Low side gate driver output COMLow side returnLINIR2108IR2108SIR2108(4) (S) & (PbF)LINHOLOHINFigure 3. Deadtime Waveform DefinitionsDT LO-HOMDT=- DTHO-LOLINLOIR2108(4)(S) & (PbF)7IR2108(4) (S) & (PbF) 9IR2108(4) (S) & (PbF)m e (sIR2108(4) (S) & (PbF) 11IR2108(4) (S) & (PbF)n t (AIR2108(4) (S) & (PbF)n t (A n t (A 300n t (A 13IR2108(4) (S) & (PbF)n t (A n t (A n t (AIR2108(4) (S) & (PbF)n t (A 15IR2108(4) (S) & (PbF)n t (A n t (AIR2108(4) (S) & (PbF)n t (AIR2108(4)(S) & (PbF)17IR2108(4) (S) & (PbF)IR2108(4)(S) & (PbF)19IR2108(4) (S) & (PbF)Case outlinesIR2108(4)(S) & (PbF)ORDER INFORMATIONBasic Part (Non-Lead Free)Lead-Free Part8-Lead PDIP IR2108order IR21088-Lead PDIP IR2108order IR2108PbF8-Lead SOIC IR2108S order IR2108S8-Lead SOIC IR2108S order IR2108SPbF 14-Lead PDIP IR21084order IR2108414-Lead PDIP IR21084order IR21084PbF 14-Lead SOICIR21084S order IR21084S14-Lead SOIC IR21084S order IR21084SPbF Array This product has been designed and qualified for the Industrial market.Qualification Standards can be found on IR’s Website.Data and specifications subject to change without notice. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105TAC Fax: (310) 252-7903Visit us at for sales contact information.09/08/0423。
英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片 选型指南2019说明书
英飞凌EiceDRIVER™门极驱动芯片2尊敬的客户及合作伙伴：您好！电力电子应用需要用到功率器件开关，而功率器件开关需要最合适的门极驱动解决方案。
电池驱动的应用、小型和大型家电、计算和电信服务器、电动车充电桩、太阳能和机器人等应用都电路设计有特殊的需求。
合适的门极驱动配置对于所有功率器件——无论是分立式还是功率模块——都至关重要。
运用最新技术的分立式器件——包括CoolMOS™和OptiMOS™ MOSFET、TRENCHSTOP™IGBT、CoolGaN™氮化镓HEMT、CoolSiC™碳化硅MOSFET——以及开放框架模块(如Easy、Econo功率模块)，都需要细调门极驱动电路才能充分发挥出它们的能力。
针对CoolGaN™和CoolSiC™等新式宽带隙功率器件，我们最常被问及的问题之一是“你们是如何驱动它们的呢？”英飞凌门极驱动提供从0.1 A到10 A的一系列典型的输出电流选项，适用于任何功率器件型号。
快速短路保护、可编程的死区时间、直通短路保护及有源关断等全面的门极驱动保护功能，使得这些驱动适用于包括CoolGaN™和CoolSiC™在内的所有功率器件。
英飞凌门极驱动还具备集成自举二极管、使能、故障报告、输入过滤器、OPAMP和DESAT保护等更先进的功能。
有源米勒箝位，和独立的拉/灌电流输出引脚功能，还有助于提高设计的灵活性。
英飞凌EiceDRIVER™系列门极驱动让客户更容易驱动所有功率器件和功率模块。
针对电气隔离需求，英飞凌既提供基础型隔离产品，也提供增强型隔离产品。
我们始终坚守承诺，让英飞凌成为品质的代名词。
英飞凌拥有现代化的前瞻性质量管理体系，可通过将客户需求转化为实实在在的行动来支持公司的卓越运营。
我们致力于在成本、质量和上市时间上做到一流。
英飞凌的质量方针相当于一个安全屏障，能够避免以牺牲品质为代价来提高生产率。
英飞凌是功率半导体解决方案全球领先的供应商之一，可让您的生活更轻松、更安全、更环保。
半桥型开关稳压电源
600W半桥型开关稳压电源设计摘要本次设计主要是设计一个600W半桥型开关稳压电源，从而为负载供电。
电源是各种电子设备不可或缺的组成部分，其性能优劣直接关系到电子设备的技术指标及能否安全可靠地工作。
由于开关电源本身消耗的能量低，电源效率比普通线性稳压电源提高一倍，被广泛用于电子计算机、通讯、家电等各个行业。
它的效率可达85％以上，稳压范围宽，除此之外，还具有稳压精度高、不使用电源变压器等特点，是一种较理想的稳压电源。
本文介绍了一种采用半桥电路的开关电源，其输入电压为单相170 ~ 260V，输出电压为直流12V恒定，最大电流50A。
从主电路的原理与主电路图的设计、控制电路器件的选取、保护电路方案的确定以及计算机仿真图形的绘制与波形分析等方面的研究。
关键词：半桥变换器；功率MOS管；脉宽调制；稳压电源；第1章绪论1.1 电力电子技术概况电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。
通常所说的模拟电子技术和数字电子技术属于信息电子技术。
电力电子技术是应用于电力领域的电子技术，它是利用电力电子器件对电能进行变换和控制的新兴学科。
目前所用的电力电子器件采用半导体制成，故称电力半导体器件。
信息电子技术主要用于信息处理，而电力电子技术则主要用于电力变换。
电力电子技术的发展是以电力电子器件为核心，伴随变换技术和控制技术的发展而发展的。
电力电子技术可以理解为功率强大，可供诸如电力系统那样大电流、高电压场合应用的电子技术，它与传统的电子技术相比，其特殊之处不仅仅因为它能够通过大电流和承受高电压，而且要考虑在大功率情况下，器件发热、运行效率的问题。
为了解决发热和效率问题，对于大功率的电子电路，器件的运行都采用开关方式。
这种开关运行方式就是电力电子器件运行的特点。
电力电子学这一名词是20世纪60年代出现的，“电力电子学”和“电力电子技术”在内容上并没有很大的不同，只是分别从学术和工程技术这2个不同角度来称呼。
电力电子学可以用图1的倒三角形来描述，可以认为电力电子学由电力学、电子学和控制理论这3个学科交叉而形成的。
使用隔离式半桥驱动器的H电桥驱动电路(CN0196)
使用隔离式半桥驱动器的H电桥驱动电路(CN0196)电路功能与优势本电路是一个由高功率开关MOSFET组成的H电桥，MOSFET受低压逻辑信号控制，。
该电路为逻辑信号和高功率电桥提供了一个方便的接口。
H电桥的高端和低端均使用低成本N沟道功率MOSFET。
该电路还在控制侧与电源侧之间提供电流隔离。
本电路可以用于电机控制、带嵌入式控制接口的电源转换、照明、音频放大器和不间断电源(UPS)等应用中。
现代微处理器和微控制器一般为低功耗型，采用低电源电压工作。
2.5 V CMOS逻辑输出的源电流和吸电流在μA到mA范围。
为了驱动一个12 V切换、4 A峰值电流的H 电桥，必须精心选择接口和电平转换器件，特别是要求低抖动时。
ADG787是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。
采用5 V直流电源时，有效的高电平输入逻辑电压可以低至2 V。
因此，ADG787能够提供驱动半桥驱动器ADuM7234所需的2.5 V 控制信号到5 V逻辑电平的转换。
ADuM7234是一款隔离式半桥栅极驱动器，采用ADI 公司iCoupler®技术，提供独立且隔离的高端和低端输出，因而可以专门在H电桥中使用N沟道MOSFET。
使用N沟道MOSFET有多种好处：N沟道MOSFET的导通电阻通常仅为P沟道MOSFET的1/3，最大电流更高；切换速度更快，功耗得以降低；上升时间与下降时间是对称的。
ADuM7234的4 A峰值驱动电流确保功率MOSFET可以高速接通和断开，使得H 电桥级的功耗最小。
本电路中，H电桥的最大驱动电流可以高达85 A，它受最大容许的MOSFET 电流限制。
ADuC7061 是一款低功耗、基于ARM7的精密模拟微控制器，集成脉宽调制(PWM)控制器，其输出经过适当的电平转换和调理后，可以用来驱动H电桥。
使用隔离式半桥驱动器的H电桥驱动电路 (CN0196)图1. 使用ADuM7234隔离式半桥驱动器的H电桥（原理示意图：未显示去耦和所有连接）电路描述 2.5 V PWM控制信号电平转换为5 V EVAL-ADuC7061MKZ提供2.5 V逻辑电平PWM信号，但ADuM7234在5 V电源下的最小逻辑高电平输入阈值为3.5 V。
IR2304半桥驱动集成电路的功能原理及应用
IR2304半桥驱动集成电路的功能原理及应用来源：国外电子元器件作者：陈忠仁佘艳孙云莲摘要：IR2304是美国IR公司生产的新一代半桥驱动集成芯片，该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路，可直接驱动两个中功率半导体器件如MOSFET或IGBT，动态响应快，驱动能力强，工作频率高，且具有多种保护功能。
文中介绍了IR2304的功能特点、工作原理和典型应用电路。
关键词：半桥驱动集成电路；IR2304；三相桥式逆变器１ＩＲ２３０４的功能特点ＩＲ２３０４是国际整流器公司（ＩＲ）新推出的多功能６００Ｖ高端及低端驱动集成电路，这种适于功率ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ驱动的自举式集成电路在照明镇流器、电源及电机等功率驱动领域中将获得广泛的应用。
ＩＲ２３０４的性能特点如下：（１）芯片体积小（ＤＩＰ８），集成度高（可同时驱动同一桥臂的上、下两只开关器件）；（２）动态响应快。
典型通断延迟时间２２０／２２０ｎｓ、内部死区时间１００ｎｓ、匹配延迟时间５０ｎｓ；３）驱动能力强，可驱动６００Ｖ主电路系统。
具有６０ｍＡ／１３０ｍＡ输出驱动能力，栅极驱动输入电压宽达１０～２０Ｖ；（４）工作频率高。
可支持１００ｋＨｚ或以下的高频开关，可与ＩＲＦ８３０或ＩＲＦＢＣ３０等较小巧的ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ配合使用；（５）输入输出同相设计。
提供高端和低端独立控制驱动输出，可通过两个兼容３．３Ｖ、５Ｖ和１５Ｖ输入逻辑的独立ＣＭＯＳ或ＬＳＴＴＬ输入来控制，为设计带来了很大的灵活性；６）低功耗设计，坚固耐用且防噪效能高。
ＩＲ２３０４采用高压集成电路技术，整合设计既降低成本和简化电路，又降低设计风险和节省电路板的空间。
相比于其它分立式、脉冲变压器及光耦解决方案，ＩＲ２３０４更能节省组件数量和空间，并提高可靠性；（７）具有电源欠压保护和关断逻辑。
ＩＲ２３０４有两个非倒相输入及交叉传导保护功能，整合了专为驱动电机的半桥ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ电路而设的保护功能。
IR全新坚固耐用的1200V控制集成电路简化业界电机驱动设计,缩短设计流程
IR全新坚固耐用的1200V控制集成电路简化业界电机驱动设
计,缩短设计流程
佚名
【期刊名称】《电子与电脑》
【年(卷),期】2004(000)008
【摘要】国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出用于工业电机驱
动控制的额定1200V IR2214和IR22141高压集成电路。
IR的额定1200V高压
集成电路能在高压工业系统中作为单件解决方案，用于保护电路和高侧／低侧开关。
【总页数】1页(P31)
【正文语种】中文
【中图分类】TN492
【相关文献】
1.IR全新坚固耐用的1200V控制IC [J],
2.IR推出1200V和600V高速栅极驱动集成电路系列 [J],
3.IR全新坚固耐用的1200V控制集成电路 [J],
4.IR推出三相逆变器驱动器集成电路简化电机驱动器设计 [J], 袁冰
5.IR推出三相逆变器驱动器集成电路简化电机驱动器设计 [J],
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