plc-Flash在线编程实验报告

苏州大学实验报告

院、系年级专业姓名学号

课程名称成绩

指导教师同组实验者实验日期

实验名称：Flash在线编程实验

一．实验目的

通过该实验，进一步熟悉MT-IDE嵌入式开发系统环境、汇编和C语言以及调试方式；进一步学习串口的相关内容；掌握Flash存储器在线编程的基本概念；熟悉GP32芯片Flash存储器在线编程擦除和写入的步骤；理解课本中的程序代码。

二．实验内容

通过PC机的串口发送数据到MCU方，然后将接受到的数据写入到flash中以0x8000地址开始的一页中。最后将写入的数据读出发送到PC端校验。

三．实验过程

（一）基本过程

（1）页擦除操作

下面过程可以擦除GP32的Flash存储器的一页(128字节):

①$2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位):进行页面擦除；

②读Flash块保护寄存器FLBPR；

③向被擦除的Flash页内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向待擦除页首地址写入0；

④延时tnvs(>10μs)；

⑤$A→FLCR(1→HVEN位)；

⑥延时terase(>1ms)；

⑦$8→FLCR(0→ERASE位)；

⑧延时tnvh(>5μs)；

⑨$0→FLCR(0→HVEN位)；

⑩延时trcv(>1μs)，完成一页的擦除操作。

（2）整体擦除操作

下面过程擦除GP32的整个Flash区域，以便把新的程序装入Flash存储器，这是应用系统研制过程中开发工具对GP32编程的准备工作。

①6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位):进行整体擦除；

②Flash块保护寄存器FLBPR；

③向被擦除的Flash任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向首地址写入0；

④延时tnvs(>10μs)；

⑤$E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)；

⑥延时tMerase(>4ms)；

⑦$C→FLCR(0→ERASE位)；

⑧延时tnvhl(>100μs)；

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