摩尔定律在14nm节点上迎来大挑战

摩尔定律在14nm节点上迎来大挑战

2012年度国际电子元件大会（IEDM）于美国时间12月10日在旧金山登场，与会专家表示，半导体制程迈向14奈米节点时，可能无法达到通常每跨一个世代、晶片性能可提升30%的水准，甚至只有一半；但仍会增加大量成本，主要是因为新制程节点缺乏所需的有效微影技术。

欧洲研究机构IMEC 执行长Luc van den Hove在IEDM发表专题演说后对EETImes美国版编辑表示，晶片制造商目前已经进入28奈米制程节点，距离14奈米节点虽还有两个世代，但现在必须决定微影技术选项；不过具潜力的超紫外光（EUV）微影工具，可能要到2014年才能做有限度的商业用途。

van den Hove在专题演说中指出，14奈米制程若采用现有的193奈米浸润式微影设备，所需成本将比28奈米制程多90%以上；EUV技术则能将成本增加幅度减至60%左右。成本增加主要是因为若在14奈米节点采用现有微影系统，最多得要三次曝光；但采用EUV技术，只需要一次曝光。