(一)晶体二极管及二极管整流电路(终稿)2017-11-26

晶体二极管及二极管整流电路

一、判断题

1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减

弱。

2.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

3.N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。

4.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

5.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。

6.晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。

7.半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。

8.二极管具有单向导电性。

9.二极管是线性器件。

10.二极管和三极管都是非线性器件。

11.二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。

12.二极管两端加上正向电压就一定会导通。

13.二极管的核心是一个PN结，PN结具有单向导电特性。

14.PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。

15.二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极

管的状态为截止。

16.二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。

17.二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。

18.点接触型二极管其PN结的静电容量小，适用于高频电路。

19.整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。

20.整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但工作频率低。

21.点接触型二极管只能使用于大电流和整流。

22.制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二

极管

23.半导体二极管按结构的不同，可分为点接触型和面接触型，各自能承受的正

向电流值有较大区别。

24.晶体二极管击穿后立即烧毁。

25.热击穿和电击穿过程都是不可逆的。

26.所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当

其反向偏置时，结电阻为无穷大，等效成开关断开。

27.二极管的最高反向工作电压是指整流二极管两端的反向电压不能超过规定

的电压所允许的值。如超过这个允许值，整流管就可能击穿。

28.整流二极管在最高反向工作电压下工作时，反向电流越大，说明整流二极管

的单向导电性能越好。

29.使用稳压管时应阳极接高电位，阴极接低电位。

30.发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。

31.稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其V-A特性曲线与普

通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡。

32.稳压二极管稳压时它工作在正向导通状态。

33.稳压二极管在起稳定作用的范围内，其两端的反向电压值，称为稳定电压。

不同型号的稳压二极管，稳定电压是不同的。

34.稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在反向偏置状态，但其两端

电压必须大于它的稳压值Uz，否则处于截止状态。

35.稳压管与其它普能二极管不同，其反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳

压管又恢复正常。

36.稳压二极管如果反向电流超过允许范围，二极管将会发生热击穿，所以，与

其配合的电阻往往起到限流的作用。

37.整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。

38.用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极

管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。

39.同种工作条件，单相半波整流电路和单相全波整流电路，其二极管承受的反

向电压大小一样。

40.同种工作条件，单相半波整流电路和单相桥式整流电路，其二极管承受的反

向电压大小不同。

41.在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择

42.在电容滤波整流电路中，电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。

43.在滤波电路中，只有电容滤波电路和电感滤波电路。

44.电容滤波器，电容越小，则滤波效果越好。

45.电容滤波电路的特点是：纹波成分大大减少，输出的直流电比较平滑，电路

简单。

46.滤波电路一般是由储能元件组成，主要利用储能特性把脉动直流电变为平滑

的直流电。

二、单选题

1.本征半导体是（）。

A.掺杂半导体

B.纯净半导体

C.P型半导体

D.N型半导体

2.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。

A.三价；

B.四价；

C.五价；

D.六价。

3.N型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。

A.三价；

B.四价；

C.五价；

D.六价。

4.P型半导体的多数载流子是（）。

A.电子

B.空穴

C.电荷

D.电流

5.

6.N型半导体的多数载流子是（）。

A.电流

B.自由电子

C.电荷

D.空穴

7.关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。

A.自由电子是多数载流子

B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极

C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体

D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体

8.关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。

A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴

B.P型半导体中只有空穴导电

C.N型半导体中只有自由电子参与导电

D.在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电

9.半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而

（）。

A.降低/降低

B.降低/升高

C.升高/降低

D.升高/升高

10.PN结呈现正向导通的条件是( )。

A.P区电位低于N区电位

B.N区电位低于P区电位

C.P区电位等于N区电位

D.N区接地

11.二极管的反向电流随着温度降低而( )。

A.升高

B.减小

C.不变

D.不确定

12.半导体PN结的主要特性是（）。