最新3-13霍尔效应的应用

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霍尔效应的应用及其原理

霍尔效应的应用及其原理

霍尔效应的应用及其原理1. 霍尔效应的原理霍尔效应是指当通过一块横跨于磁场中的导体中的电流时,垂直于电流方向和磁场方向的霍尔电压产生的现象。

霍尔电压的大小与电流、磁场强度以及导体材料的特性有关。

霍尔效应的原理可以通过以下几个方面来解释:•磁场作用:当电流通过导体时,在矢量形式上磁场会施加力在导体上,这个力称为洛伦兹力。

•费米能级:导体中存在自由电子,这些电子在不受外力影响时遵循费米-狄拉克分布,填满电子能级。

•霍尔电场的产生:在磁场的作用下,电子会受到洛伦兹力的作用,沿着导体中的一侧堆积,导致电子在正负两侧积累,形成电势差。

综上所述,霍尔效应的原理可以理解为在磁场的作用下,用来描述导体中电荷在侧向堆积的现象。

2. 霍尔效应的应用由于霍尔效应具有灵敏度高、稳定性好、响应快等特点,因此在很多领域都有广泛的应用。

以下是一些常见的应用场景:2.1. 磁场测量因为霍尔效应对磁场的灵敏度高,所以通常用来测量磁场强度。

利用霍尔效应可以设计出各种磁力计和磁场传感器,常见的应用包括:•汽车仪表板中的指南针;•磁床或机械臂中的位置传感器;•磁条读写头。

2.2. 电流测量由于霍尔效应与电流的大小成正比关系,因此可以用来测量电流。

通常用于电流表和电流传感器等设备中。

2.3. 速度测量霍尔效应可以用于测量旋转物体的速度。

例如,在车辆的轮边部分安装一个磁铁,当车轮旋转时,霍尔效应传感器可以检测到磁场变化,从而测量车轮的速度。

2.4. 位置传感霍尔效应还可以用于测量物体的位置。

例如,在安全门、工业机器人和自动门等设备中,使用霍尔效应传感器来检测物体的位置,以实现自动控制。

2.5. 霍尔效应元件除了上述应用之外,霍尔效应还可以作为构成一些元件的基础,如霍尔传感器、霍尔开关和霍尔电流传感器等。

这些元件在自动控制系统、工业生产、电子设备等领域中得到广泛应用。

3. 总结霍尔效应是一种将电流与磁场联系在一起的现象,通过霍尔效应原理可以在各个领域应用中发挥作用。

霍尔效应原理的工程应用

霍尔效应原理的工程应用

霍尔效应原理的工程应用1. 引言霍尔效应是指在导电材料中施加一个垂直于电流方向的磁场时,导电材料的两侧会产生一种垂直于电流和磁场的电势差。

这种现象被称为霍尔效应,该效应由霍尔效应元件来测量并应用于各种工程应用中。

本文将介绍霍尔效应的原理以及在工程领域中的应用。

2. 霍尔效应原理霍尔效应是在1851年由美国物理学家霍尔发现的。

当一个导电材料(通常为半导体)中通过电流时,垂直于电流方向的磁场会导致该材料产生电势差。

这个电势差被称为霍尔电压,它与电流和磁场的乘积成正比。

霍尔效应的原理可以通过以下几个步骤来解释:1.通过导电材料的一端施加电流,形成电流流动。

2.在导电材料的两侧施加一个垂直于电流方向的磁场。

3.由于洛仑兹力的作用,电子会在导电材料中受到一个向一侧偏转的力。

4.这个电子偏转会导致材料两侧产生电势差,即霍尔电压。

5.霍尔电压的大小与电流和磁场的乘积成正比。

霍尔效应原理的具体数学表达式为:VH = (IB * B * d) / n * e•VH为霍尔电压•IB为电流•B为磁场强度•d为导电材料的厚度•n为载流子密度•e为元电荷常数3. 工程应用由于霍尔效应可以测量电流并与磁场相关联,因此在工程领域中有着广泛的应用。

下面将介绍几种常见的工程应用。

3.1 电流传感器霍尔效应元件可以用作电流传感器,通过测量霍尔电压来确定电流的大小。

电流传感器通常由霍尔效应元件和放大电路组成。

当电流通过霍尔效应元件时,会产生一个与电流成正比的霍尔电压。

通过放大电路可以将微小的霍尔电压放大到可以测量的范围。

电流传感器被广泛用于电力系统,工业自动化和电子设备等领域。

3.2 位置传感器利用霍尔效应元件的霍尔电压与磁场的乘积成正比的特性,可以将霍尔效应元件应用于位置传感器。

通过在移动物体上放置磁场,可以测量霍尔电压来确定物体的位置。

这种位置传感器广泛应用于自动化机械、汽车行业和航空航天等领域。

3.3 速度传感器霍尔效应元件也可以用作速度传感器。

霍尔效应在日常生产生活中的应用

霍尔效应在日常生产生活中的应用

霍尔效应在日常生产生活中的应用
霍尔效应是指在磁场中,电导率为n型或p型半导体中的载流子受到横向磁场的影响,会产生一种电势差,称为霍尔电势。

这种现象被广泛应用于现代电子技术中。

在日常生产生活中,霍尔效应也有着广泛的应用。

以下是一些例子:
1. 磁流量计:磁流量计是一种利用霍尔效应测量磁场强度的装置。

在工业生产中,磁流量计可以用来测量流体或气体中的电导率变化,以控制流量。

2. 电动车控制器:电动车控制器中的霍尔传感器可以检测车轮的转速和方向,从而控制电机的输出电流和电压,使电动车行驶更加平稳和高效。

3. 磁力计:磁力计中使用霍尔传感器来测量磁场的强度和方向,可以用于检测电机的位置、速度和负载情况等。

4. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,霍尔元件可以用来检测车速、转向、制动等信息,帮助实现精确的控制和调节。

5. 手机、平板电脑等电子产品:霍尔传感器可以用于手机、平板电脑等电子产品中,检测设备的方向、倾斜角度和距离等信息,从而实现更加智能化和方便的操作。

总之,霍尔效应在日常生产生活中有着广泛的应用,为各种设备和系统的控制、监测和调节提供了重要的技术支持。

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霍尔效应的原理应用

霍尔效应的原理应用

霍尔效应的原理应用1. 霍尔效应简介霍尔效应是指在垂直于电流方向的磁场中,当通过导体中有电流时,会在导体两侧产生电势差的现象。

这一现象的基础是由美国物理学家愛德蒙·霍尔(Edwin Hall)于1879年首次发现和描述的。

2. 霍尔效应原理霍尔效应是基于磁场对电荷运动轨迹的影响而产生的。

当电荷在垂直于电流方向的磁场中运动时,受到洛伦兹力的作用,导致电荷受力方向发生偏转。

这种偏转会导致产生垂直于电流方向和磁场方向的电势差,即霍尔电压(VH)。

该电势差与电流方向、磁场强度以及材料的特性有关。

3. 霍尔效应的应用领域霍尔效应在许多领域都有广泛的应用。

3.1 传感器领域•磁场传感器:利用霍尔效应可以测量磁场强度,因此可应用于磁场传感器的设计。

磁场传感器可用于测量地磁场、检测运动物体、制作磁罗盘等。

•流速传感器:通过在流体中嵌入霍尔效应芯片,可以测量流体流速。

这种传感器广泛应用于汽车、船舶、工业流体控制等领域。

3.2 磁存储领域•磁存储器件:霍尔效应可用于读取磁存储材料中的信息。

磁盘驱动器和磁卡等设备中的磁头就是通过测量霍尔电压来读取磁场信息。

3.3 汽车电子领域•刹车系统:霍尔效应传感器常用于测量车轮转速,以判断车辆是否需要刹车。

这在车辆的安全性控制中起着重要作用。

•方向盘力矩传感器:霍尔效应可用于测量方向盘力矩,以检测驾驶员对方向盘的施力情况。

3.4 其他领域•电源管理器件:利用霍尔效应芯片可以测量电流,用于电源的电流保护和管理。

•医疗器械:霍尔传感器可应用于医疗设备中,如血氧仪、心脏起搏器等。

4. 霍尔效应的优势和局限性4.1 优势•非接触性:霍尔效应传感器不需要与被测物理量直接接触,因此能够防护传感器的寿命。

•高灵敏度:霍尔效应传感器对磁场变化非常敏感,能够提供精确的测量结果。

•高可靠性:霍尔效应传感器具有稳定性和长寿命的特点,适用于长期使用。

4.2 局限性•温度影响:霍尔效应传感器的输出受温度变化的影响较大,需要进行温度补偿。

霍尔效应的应用和原理

霍尔效应的应用和原理

霍尔效应的应用和原理1. 介绍霍尔效应是指在通过一定的电流流过具有一定形状和大小的金属或半导体的时候,垂直于电流方向的横向电压差。

该效应由美国物理学家爱德华·霍尔于1879年发现并命名。

霍尔效应不仅有重要的理论意义,还具有广泛的应用,包括传感器、电子器件、测量、电力、磁体等领域。

本文将重点介绍霍尔效应的应用和原理。

2. 应用2.1 磁场传感器霍尔效应可以用于制造磁场传感器,这些传感器可以测量磁场的强度和方向。

其中最常见的应用是如下几种:•磁力计:通过测量对象周围的磁场变化来检测物体的位置和运动。

•磁场计:测量磁场的大小和磁极的方向,并将其转化为电信号。

磁场传感器广泛应用于社交媒体、电子游戏、导航系统、安防系统等领域。

2.2 电流测量霍尔效应可以应用于电流测量。

通过将电流传导器件放在电路中,利用霍尔传感器测量横向电压差并根据一定的数学计算关系求得电流大小。

这种方法可以测量直流和交流电流。

电流测量是电力行业、电子设备制造业和电动车制造业中常见的应用。

2.3 速度测量霍尔效应也可以用于速度测量。

在车辆的制动系统中,可以使用霍尔传感器检测车轮的转速,并根据转速计算车辆的速度。

此外,霍尔传感器还可用于工业机械设备以及风力发电机组等领域的速度测量。

3. 原理3.1 霍尔元件霍尔元件通常由铬、铂、铜等金属制成的片状金属电极组成。

在元件的一边施加电流,而在另一边测量横向电压差。

元件两侧的接触电极与电流方向垂直,并且在两个接地电极之间有一定距离。

3.2 磁场作用当将一个垂直于电流方向的磁场加在霍尔元件上时,由于电子的洛仑兹力作用,电子会产生一个横向偏转运动,从而形成横向电压差。

这个横向电压差正比于电流的大小和磁场的强度。

通过测量这个横向电压差,可以间接测量电流或磁场的值。

4. 结论霍尔效应是一种重要的物理现象,它不仅有理论研究的意义,还在很多领域发挥着重要的应用价值。

磁场传感器、电流测量和速度测量是霍尔效应最常见的应用领域。

霍尔效应的应用举例及原理

霍尔效应的应用举例及原理

霍尔效应的应用举例及原理简介霍尔效应是指当电流通过载流子密度较高的材料时,在磁场的作用下,产生的电势差现象。

这种效应被广泛应用于各种电子设备和传感器中。

本文将介绍几个应用霍尔效应的实际例子,并解释其原理。

1. 磁场检测器霍尔效应的一个主要应用就是磁场检测器。

通过测量通过材料的电流和磁场之间的关系,可以实时监测磁场的强度和方向。

这种检测器常用于工业控制系统中,用于测量电机、传感器和磁铁生成的磁场。

•磁场强度测量:通过将霍尔元件置于被测磁场附近,可以根据霍尔电压的变化来推导磁场的强度。

由于霍尔效应对磁场的敏感性很高,因此可以非常准确地测量强磁场和弱磁场。

•磁场方向检测:通过在材料中放置多个霍尔元件,并分别测量它们的输出电压,可以判断磁场的方向。

根据霍尔电压的变化规律,可以获得磁场的方向信息。

2. 位置传感器霍尔效应在位置传感器中发挥着重要作用。

通过结合磁场和霍尔效应,可以实现非接触式的位置测量。

•线性位置传感器:线性霍尔元件被用于测量物体相对于传感器的位置。

通过不同位置上的磁场强度的变化,可以确定物体的具体位置。

这种传感器常用于汽车行程传感器、液位传感器等应用中。

•旋转位置传感器:旋转霍尔传感器可以测量物体的角度。

通过将磁场和霍尔元件组合在旋转部件上,可以实时记录旋转部件的位置。

这种传感器被广泛应用于工业自动化以及汽车行程控制系统中。

3. 电流测量器霍尔效应还可以用作电流测量器。

通过测量通过材料的电流和产生的磁场之间的关系,可以实时测量电流的强度。

•直流电流测量:通过将霍尔元件置于电流载流子流动的路径上,可以根据霍尔电势差的变化来测量电流强度。

可以将霍尔元件配合一个伏安表来实现准确的直流电流测量。

•交流电流测量:对于交流电流的测量,通常需要将霍尔元件与其他电路元件(如滤波电感、电容)组合使用,以消除干扰信号。

通过采集霍尔电势差的变化并根据对应的电路设计进行处理,可以实现交流电流测量。

4. 磁力计霍尔效应也常用于制作磁力计,用于测量磁场的强度。

2023年霍尔效应的应用实验报告

2023年霍尔效应的应用实验报告

一、名称: 霍尔效应旳应用二、目旳:1. 霍尔效应原理及霍尔元件有关参数旳含义和作用2.测绘霍尔元件旳VH—Is, VH—IM曲线, 理解霍尔电势差VH与霍尔元件工作电流Is, 磁场应强度B及励磁电流IM之间旳关系。

三、 3. 学习运用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。

四、 4. 学习用“对称互换测量法”消除负效应产生旳系统误差。

五、器材:1.试验仪:(1)电磁铁。

(2)样品和样品架。

(3)Is和I M 换向开关及V H 、Vó切换开关。

2.测试仪:(1)两组恒流源。

(2)直流数字电压表。

六、 原理:霍尔效应从本质上讲是运动旳带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起旳偏转。

当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中, 这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷旳聚积, 从而形成附加旳横向电场, 即霍尔电场 。

如图15-1所示旳半导体试样, 若在X 方向通以电流 , 在Z 方向加磁场 , 则在Y 方向即试样 A-A/ 电极两侧就开始汇集异号电荷而产生对应旳附加电场。

电场旳指向取决于试样旳导电类型。

对图所示旳N 型试样, 霍尔电场逆Y 方向, (b )旳P 型试样则沿Y 方向。

即有)(P 0)()(N 0)(型型⇒>⇒<Y E Y E H H显然, 霍尔电场 是制止载流子继续向侧面偏移, 当载流子所受旳横向电场力 与洛仑兹力相等,样品两侧电荷旳积累就到达动态平衡, 故=(1)eEBv eH其中为霍尔电场, 是载流子在电流方向上旳平均漂移速度。

设试样旳宽为b, 厚度为d, 载流子浓度为n , 则=(2)IbdnevS由(1)、(2)两式可得: (3)即霍尔电压(A 、A/电极之间旳电压)与乘积成正比与试样厚度成反比。

比例系数称为霍尔系数, 它是反应材料霍尔效应强弱旳重要参数。

只要测出(伏)以及懂得(安)、(高斯)和(厘米)可按下式计算(厘米3/库仑):RH=(4)上式中旳108是由于磁感应强度B用电磁单位(高斯)而其他各量均采用CGS实用单位而引入。

霍尔效应及其在电子学中的应用

霍尔效应及其在电子学中的应用

霍尔效应及其在电子学中的应用引言:霍尔效应是指当电流通过一个导体时,如果该导体置于磁场中,则会产生一种垂直于电流方向和磁场方向的电势差,即霍尔电压。

霍尔效应的发现不仅为物理学研究提供了新的视角,而且在电子学领域中有着广泛的应用。

一、霍尔效应的基本原理:霍尔效应的基本原理可以通过洛兹定律来解释。

洛兹定律是基于洛伦兹力的作用而得出的,该力是指在磁场中有电荷运动时,电荷所受到的力。

当电流通过导体时,导体中的自由电荷受到磁场的作用,导致它们沿着导体宽度方向产生移动,从而形成正负电荷堆积。

这样,在导体两侧就会形成一个电势差,即霍尔电压。

二、霍尔效应的特点:1. 非接触性:霍尔效应的测量是通过测量导体侧面的霍尔电压来实现的,因此不需要直接接触到导体表面,具有非接触性的特点。

2. 与磁场强度成正比:霍尔电势差与磁场强度成正比,在实际应用中可以通过改变磁场强度来调节霍尔电势差的大小。

3. 与电流方向有关:霍尔电势差方向与电流方向、磁场方向及电荷载流子的类型有关。

根据霍尔电势差的正负可以确定电流方向以及电荷载流子的类型。

三、霍尔效应在电子学中的应用:1. 霍尔元件:霍尔元件是利用霍尔效应进行测量和控制的器件。

通过霍尔电势差的变化可以实现对磁场强度的测量,广泛应用于磁场传感器、电流传感器、角度传感器等领域。

在工业自动化、电力系统监测以及交通运输等方面都有广泛的应用。

2. 电流测量:由于霍尔电势差与电流成正比,因此可以利用霍尔元件进行电流的测量。

相比传统的电流测量方式,霍尔电流传感器具有无接触、无损耗、精度高等优点,广泛应用于电力仪表、电动机控制、电力系统保护等领域。

3. 磁场测量:霍尔传感器可以通过测量霍尔电势差来实现对磁场强度的测量。

在磁场监测、导航定位、磁存储等领域,霍尔传感器被广泛应用。

4. 磁场控制:通过控制霍尔效应产生的电势差,可以实现对磁场的控制。

在磁室、磁选择器等领域中,利用霍尔效应的特点可以实现精确的磁场控制。

霍尔的应用及原理

霍尔的应用及原理

霍尔的应用及原理霍尔效应的简介霍尔效应是指当一个电流通过金属导体时,如果在导体上施加一个磁场,将会在导体的侧边产生一个电压差。

这种现象称为霍尔效应,它是利用磁场对电荷运动的影响来产生电压差的一种现象。

霍尔效应的应用非常广泛,主要体现在以下几个方面。

1. 传感器领域霍尔传感器是利用霍尔效应制成的传感器,常用于测量磁场的变化。

它具有快速响应、高精度等特点,广泛应用于电子设备、车辆等领域。

例如,在汽车领域,霍尔传感器被用于测量车轮转速、车速等参数,从而实现自动控制系统对车辆的控制。

•测量磁场的变化•快速响应•高精度2. 电子开关霍尔开关也是一种常常采用霍尔效应的装置,它是一种非接触式的开关,通过检测磁场的变化来控制开关的状态。

与普通机械开关相比,霍尔开关具有更长的使用寿命和更可靠的性能。

在自动化控制系统中,霍尔开关被广泛应用于位置检测、计数器、安全控制等方面。

•非接触式开关•长寿命•可靠性高3. 电流测量由于霍尔效应与电流的大小成正比,因此霍尔传感器可以用来测量电流。

将霍尔传感器与电流表连接在一起,通过测量产生的电压差来间接测量电流的大小。

这种方法在电力系统中得到广泛应用,用于测量电流的大小,从而保护系统的安全运行。

•测量电流•间接测量•保护系统安全4. 位置检测利用霍尔传感器的哈尔开关特性,可以实现对物体位置的非接触式检测。

通过在物体周围放置磁铁,当物体接近或离开磁铁时,磁场的变化会被霍尔传感器检测到,从而实现对物体位置的检测。

这种方法在自动化设备和机械加工等领域非常常见。

•非接触式检测•检测物体位置•广泛应用于自动化设备和机械加工等领域霍尔效应的原理霍尔效应是由美国物理学家霍尔于1879年发现的,它是磁场对载流子运动的影响所导致的。

当载流子在导体中运动时,磁场会对载流子施加一个力,从而使其运动轨迹发生变化。

这个运动轨迹的变化将导致载流子在导体上产生一个电场,进而引起电势差的产生,即霍尔电势差。

根据洛伦兹力的原理,电场力和洛伦兹力相平衡时,霍尔电势差达到平衡。

霍尔效应的应用及其展望

霍尔效应的应用及其展望

霍尔效应的应用及其展望
1 霍尔效应简介
霍尔效应是指在横向磁场作用下,从导电材料中流过电流时,在垂直于磁场和电流方向的方向上产生一种电势差的现象。

这种电势差称为霍尔电压。

同时,产生的这种电势差会随着外界磁场的强弱而改变。

霍尔效应的典型应用是用来检测磁场的
大小和方向。

2 霍尔效应的应用
##2.1 磁传感器
霍尔磁传感器是一种常用的磁敏元件,通过霍尔效应来实现对磁场强度和方向的测量。

其性能各个方面都优于其它磁传感器,常用于汽车、电器、通讯、航空、航天等领域。

##2.2 霍尔元件
在自行车、电动车等领域中,常用霍尔元件来检测车轮转动的速度和方向,来实现自动上下档、变速等控制。

##2.3 磁场测量仪
霍尔效应不仅可以用来制作传感器,也可以通过磁场测量仪来利用。

磁场测量仪
可以实现磁场的非接触式测量和显示。

3 霍尔效应的展望
随着科技的不断进步和人类对各类信息的需求越来越多,将为霍尔效应的应用提供前所未有的机遇。

未来,我们有理由相信在领域、大气、环境监测,以及智能交通、家居、电器等领域中,霍尔效应将得到更加广泛的应用。

霍尔效应在电磁测量中的应用

霍尔效应在电磁测量中的应用

霍尔效应在电磁测量中的应用霍尔效应是指当导体载流体通过一定的磁场时,导体的一侧将出现电势差,这一现象被称为霍尔效应。

在电磁测量中,霍尔效应被广泛应用于测量磁场强度、电流、电位移、电场强度等物理量。

它的应用领域涉及电子技术、传感器技术、电力系统等多个领域。

1. 霍尔效应的基本原理霍尔效应的基本原理可以通过经典物理学和电磁学的知识来解释。

当导体载流体通过磁场时,由于洛伦兹力的作用,载流体的电荷将受到偏转。

这种偏转会导致导体两侧形成电势差,形成霍尔电压。

根据电场的基本原理,霍尔电压大小与磁场强度、载流体的速度和载流体与磁场的夹角等因素有关。

2. 霍尔效应在磁场测量中的应用在磁场测量中,霍尔效应被广泛应用于测量磁场的强度和方向。

通过将霍尔元件置于待测磁场中,可以测量出磁场在元件位置上的强度和方向。

这种方法具有无触点、高精度、快速响应等优点,因此在地磁测量、磁传感器、磁共振成像等领域得到了广泛的应用。

3. 霍尔效应在电流测量中的应用除了测量磁场外,霍尔效应还可以用于测量电流。

在电力系统中,电流的准确测量对系统的安全和稳定运行至关重要。

通过将霍尔元件置于待测电流的导线附近,可以测量出电流对应的霍尔电压,再根据霍尔电压与电流的线性关系,计算出准确的电流数值。

4. 霍尔效应在传感器技术中的应用在传感器技术中,霍尔效应被广泛应用于制造各类传感器,如速度传感器、接近开关、角度传感器等。

这些传感器通过测量霍尔电压,可以实现对速度、位置、角度等物理量的精确测量,为工业自动化、汽车电子、航天航空等领域提供了重要的测量手段。

5. 个人观点和总结霍尔效应作为一种重要的电磁现象,具有广泛的应用价值。

在电磁测量中,它不仅能够实现磁场和电流的精确测量,还能够为传感器技术提供重要支持。

作为一种基础的物理现象,霍尔效应的研究和应用仍在不断深入,相信在未来会有更多的领域受益于它的应用。

6. 文章回顾通过本文的讨论,我们深入探讨了霍尔效应在电磁测量中的应用。

霍尔效应的应用(实验报告)

霍尔效应的应用(实验报告)

霍尔效应的应用(实验报告)引言霍尔效应是物理学中的一种重要效应,它是指在垂直于电流方向和磁场方向的方向上施加一定大小的磁场,结果将会出现电势差。

霍尔系数指的是磁场大小和电势差之间的比率,该系数可以反映金属内部自由电子的密度和带电载流子运动的速率等参数。

霍尔效应广泛应用于各种领域,如磁场传感器、磁场漫游器、磁性存储器等。

在实验室中,人们经常使用霍尔效应来测量电阻率、磁场强度、材料的类型等物理量。

本实验旨在通过实际操作,深入了解霍尔效应的物理原理、测量方法及其应用,并学习相关数据的处理与分析方法。

实验原理当一个电导体被放置于均匀磁场中,电导体内的自由电子受到洛伦兹力的作用而偏转。

因此,从一个边缘到另一个边缘的自由电子轨道长度增加,电场强度也相应地增加,从而导致电势差。

这种现象称为霍尔效应。

如图1所示,当一个电导体被放置在均匀磁场中,自由电子的运动路径受到洛伦兹力的影响,偏向的方向垂直于电流方向和磁场方向。

偏转的自由电子会集中在电导体的一侧,另一侧则缺少自由电子。

因此,在沿电导体宽度方向施加电场E时,电子从一个侧面流向另一侧面,在这个过程中,电势差V将出现在电导体的宽度方向上。

当电流$I$通过电导体时,霍尔电势差$V_H$与电流$I$、磁感应强度$B$和材料的霍尔系数$R_H$之间存在如下关系:$$V_H=R_HB\frac{IB}{d}$$其中,$d$为电导体的厚度。

霍尔系数$R_H$可以通过测量电势差$V_H$、电流$I$和磁感应强度$B$来计算。

在实验中,通常使用双臂电桥测量$V_H$,从而计算出$R_H$。

实验器材1. 磁场传感器2. 电流源3. 电压表5. 双臂电桥6. 示波器实验流程1. 将电导体固定在磁场传感器上,并将电流通入电导体中。

2. 通过稳流电源调节电流值,并通过电压表测量电流值。

3. 在磁场传感器上调节磁感应强度,使其达到一定的值。

4. 连接双臂电桥,调整电桥的平衡,记录下电桥平衡时的两臂电压。

霍尔效应的五个应用

霍尔效应的五个应用

霍尔效应的五个应⽤应⽤1、测量载流⼦浓度根据霍尔电压产⽣的公式,以及在外加磁场中测量的霍尔电压可以判断传导载流⼦的极性与浓度,这种⽅式被⼴泛的利⽤于半导体中掺杂载体的性质与浓度的测量上。

霍尔电场强度EH的⼤⼩与流经样品的电流密度Jx和磁感应强度Bz的乘积成正⽐下⾯以p型半导体样品为例,半导体样品的长、宽、厚分别为L、a、b,半导体载流⼦(空⽳)的浓度为p,它们在电场Ex作⽤下,以平均漂移速度vx沿x ⽅向运动,形成电流Ix。

在垂直于电场Ex⽅向上加⼀磁场Bz,则运动着的载流⼦要受到洛仑兹⼒的作⽤载流⼦向-y⽅向偏转,这样在样品的左侧⾯就积累了空⽳,从⽽产⽣了⼀个指向+y⽅向的电场-霍尔电场Ey。

当该电场对空⽳的作⽤⼒qEy与洛仑兹⼒相平衡时,空⽳在y⽅向上所受的合⼒为零,达到稳态。

稳态时电流仍沿x⽅向不变,但合成电场E =Ex+Ey不再沿x⽅向,E与x轴的夹⾓称“霍尔⾓”。

若Ey是均匀的,则在样品左、右两侧⾯间的电位差由理论算得,在弱磁场条件下,对球形等能⾯的⾮简并半导体,对于⾼载流⼦浓度的简并半导体以及强磁场条件,A=1;对于晶格和电离杂质混合散射情况,上⾯讨论的是只有电⼦或只有空⽳导电的情况。

对于电⼦、空⽳混合导电的情况,在计算RH时应同时考虑两种载流⼦在磁场下偏转的效果。

对于球形等能⾯的半导体材料,可以证明。

从霍尔系数的表达式可以看出:由RH的符号(也即UH 的符号)可以判断载流⼦的类型,正为p型,负为n型,则霍尔电场⽅向为y轴⽅向。

当霍尔电场⽅向的指向与y 正向相同时,则RH为正。

);RH的⼤⼩可确定载流⼦的浓度2、霍尔效应还能够测量磁场在⼯业、国防和科学研究中,例如在粒⼦回旋器、受控热核反应、同位素分离、地球资源探测、地震预报和磁性材料研究等⽅⾯,经常要对磁场进⾏测量,测量磁场的⽅法主要有核磁共振法、霍尔效应法和感应法等。

霍尔效应是磁电效应的⼀种,当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流⽅向的两个端⾯之间会出现电势差,这个电势差就被叫做霍尔电势差. 导体中的载流⼦在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹⼒的作⽤⽽使轨迹发⽣偏移,并在材料两侧产⽣电荷积累,形成垂直于电流⽅向的电场,最终使载流⼦受到的洛仑兹⼒与电场斥⼒相平衡,从⽽在两侧建⽴起⼀个稳定的电势差即霍尔电压.正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之⽐就是霍尔系数.平⾏电场和电流强度之⽐就是电阻率.因此,对于⼀个已知霍尔系数的导体,通过⼀个已知⽅向、⼤⼩的电流,同时测出该导体两侧的霍尔电势差的⽅向与⼤⼩,就可以得出该导体所处磁场的⽅向和⼤⼩.3、磁流体发电从20世纪50年代末开始进⾏研究的磁流体发电技术,可能是今后取代⽕⼒发电的⼀个⽅向。

例说霍尔效应的五类应用

例说霍尔效应的五类应用

例说霍尔效应的五类应用
霍尔效应是指在电磁场中某些磁性材料的磁化方向与电磁场强度成正比的现象。

它可以用来进行传感和控制。

常见的霍尔效应应用有五类:
1.位置和速度传感器:霍尔效应电机可以用来检测物体的
位置和速度,常用于汽车、机器人和航空航天等领域。

2.电机和马达:霍尔效应电机可以用来驱动各种机械设备
,如汽车、手机、电视和电脑等。

3.控制器:霍尔效应传感器可以用来控制各种机械设备的
运动,如航空航天、机器人和自动控制系统。

4.医疗和生物传感器:霍尔效应传感器可以用来监测人体
的生理信息,如心率、血压和血糖等。

5.磁性分离和磁性纯化:霍尔效应可以用来分离和纯化各
种磁性材料,如铁、钴和铬
1.磁性分离和磁性纯化:霍尔效应可以用来分离和纯化各
种磁性材料,如铁、钴和铬。

2.数据存储:霍尔效应也可以用来存储数据,例如磁盘驱
动器和磁带库。

3.动力学研究:霍尔效应也可以用来进行动力学研究,例
如磁流体力学和磁阻流体力学。

4.电磁兼容性(EMC):霍尔效应也可以用来进行电磁兼
容性测试,例如防护电磁干扰。

这些应用说明了霍尔效应在工业和科学领域的重要性,它的应用范围非常广泛,可以用来检测、传感、驱动、控制、存储和研究等。

霍尔效应的原理应用

霍尔效应的原理应用

霍尔效应的原理应用霍尔效应是指在电流通过导体时,在垂直于电流和磁场方向的轴上,会产生一种称为霍尔电压的电势差现象,这种现象是由霍尔效应器件中的霍尔电阻引起的。

霍尔电阻是一种特殊的半导体材料,其通常是在p型材料中加入一个n型材料形成的p-n结。

在霍尔电阻中,通过材料的电流产生了一个垂直于电流方向和磁场方向的电势差,这个电势差被称为霍尔电压。

霍尔效应在实际应用中有很多重要的用途。

以下是几个主要的应用:1.电流测量:由于霍尔电压与通过导体的电流成正比,可以利用霍尔效应来测量电流。

通过将一个霍尔电阻与电流源相连,当电流通过霍尔电阻时,可以测量到霍尔电压,并通过霍尔电压来计算电流的大小。

2.速度测量:霍尔效应也可以用来测量物体的速度。

当一个导体通过磁场移动时,霍尔电压的大小与导体的速度成正比。

因此,可以将一个霍尔电阻安装在移动物体上,通过测量霍尔电压来计算物体的速度。

3.位置传感器:霍尔效应还可以用来制造位置传感器。

在一个固定的磁场中,当一个导体通过磁场移动时,霍尔电压的大小与导体的位置成正比。

因此,可以使用霍尔电阻来测量导体的位置。

4.磁场测量:霍尔效应也可以用来测量磁场的强度和方向。

当一个霍尔电阻放置在磁场中时,磁场的强度和方向会影响到霍尔电压的大小和极性。

通过测量霍尔电压,可以计算出磁场的强度和方向。

5.开关应用:由于霍尔效应对磁场非常敏感,因此可以将霍尔电阻作为磁敏感开关来使用。

当磁场的强度达到一定的阈值时,霍尔电压会发生变化,可以利用这个特性来触发开关。

综上所述,霍尔效应在电流测量、速度测量、位置传感器、磁场测量和开关应用中都有重要的用途。

这些应用广泛应用于电子设备、汽车工业、仪器仪表和自动化控制系统等领域,为我们的生活和工作提供了便利和精确度。

简述霍尔效应原理的应用

简述霍尔效应原理的应用

简述霍尔效应原理的应用1. 什么是霍尔效应?霍尔效应是指在电流通过的导体中,如果该导体处在磁场中,就会在导体两侧产生一种垂直于电流方向和磁场方向的电势差,这种现象被称为霍尔效应。

2. 霍尔效应的原理霍尔效应是基于洛伦兹力定律,描述磁场对带电粒子的作用力,从而产生电势差。

当导体上通过电流时,电荷载流子会受到垂直于电流方向和磁场方向的洛伦兹力作用,导致电荷在导体两侧积累,最终形成一个电势差。

3. 霍尔效应的应用霍尔效应的应用非常广泛,特别是在测量和控制领域。

以下是一些常见的霍尔效应的应用:3.1 磁场测量霍尔效应可以用来测量磁场强度或方向。

通过将霍尔传感器放置在待测磁场中,根据产生的霍尔电压来确定磁场的性质。

这在磁力计、磁场传感器和磁场导航设备中都有广泛的应用。

3.2 电流测量霍尔效应也可以用来测量电流的强度。

通过将霍尔传感器放置在电流通过的导线附近,根据产生的霍尔电压来测量电流大小。

这在电流表和电流传感器中得到了广泛的应用。

3.3 位置检测霍尔效应可以用来检测物体的位置。

通过将霍尔传感器放置在移动物体附近,当物体接近或离开该传感器时,产生的霍尔电压会发生变化,从而可以判断物体的位置。

这在机械和自动化控制系统中常被使用。

3.4 车辆速度检测霍尔效应可以用于检测车辆的速度。

通过将霍尔传感器安装在车辆轮胎附近,当车轮旋转时,传感器会检测到霍尔电压的变化,并由此来计算车辆的速度。

这在车辆行驶控制和自动驾驶系统中得到了广泛应用。

3.5 电动机控制霍尔效应也可以用于电动机的控制。

通过将霍尔传感器安装在电动机中,可以监测旋转速度和位置,从而实现精确的电动机控制。

这在电动车、机器人和工业自动化中都有广泛应用。

结论霍尔效应是一种重要的物理现象,其应用广泛且多样化。

从磁场测量到电流测量,再到位置检测和车辆速度检测,以及电动机控制等领域,都能看到霍尔效应的身影。

随着科技的不断进步和应用的创新,我们相信霍尔效应的应用还会不断拓展和深化。

霍尔效应的应用

霍尔效应的应用

霍尔效应的应用
霍尔效应是二十世纪一位丹麦物理学家贝多芬·霍尔发现的一项现象,由此而
引发的效应即称为霍尔效应。

在磁性材料中,霍尔效应具有属于它本身的电信号,通过它可以测量磁场,这对磁感应具有重要意义。

霍尔效应的主要原理是基于量子物理,即在复杂的原子结构中,当磁场的向量
发生变化时,电子的轨道也会发生变化,从而产生电信号。

由霍尔效应引起的电信号,可以通过传感器检测,从而测量的磁场的大小、方向以及强度。

霍尔效应的应用非常广泛。

它可以用来测量磁场强度,可以计算电磁辐射强度,还可以用来探测矿物质等。

另外,它还用于制造各种电子元件,如磁阻传感器、磁存储器以及像固态硬盘这样的电磁存储器件。

另外,在工业中还可以用霍尔效应来测量液体流量。

总之,霍尔效应不仅在磁性材料中具有重要意义,还在各个领域中得到了广泛
的应用,这无疑加强了人们对该效应的重视,也使它的应用得以最大化。

霍尔效应及其应用

霍尔效应及其应用

霍尔效应及其应用一、引言霍尔效应是指当电流通过一块导体时,在垂直于电流方向的磁场中,会产生一种电势差,这种现象被称为霍尔效应。

霍尔效应是由美国物理学家爱德华·霍尔于1879年发现的,他观察到在垂直于电流方向的磁场中,导体两侧产生的电势差与电流、磁场的关系。

霍尔效应不仅在物理学领域有重要应用,而且在电子技术中也有广泛的应用。

二、霍尔效应的原理当电流通过一块导体时,导体上的自由电子将受到洛伦兹力的作用,使得电子在导体内部堆积,导致导体两侧产生电荷分布不均。

这种电荷分布不均会产生一种电势差,即霍尔电势差。

根据霍尔效应的原理,霍尔电势差与电流、磁场的关系可以表示为VH = RHBIL,其中VH为霍尔电势差,RH为霍尔系数,B为磁感应强度,I为电流,L为导体宽度。

三、霍尔效应的应用1. 磁场测量:由于霍尔电势差与磁感应强度成正比,因此可以利用霍尔效应来测量磁场的强度。

通过将霍尔传感器置于待测磁场中,测量霍尔电势差的大小,就可以间接得到磁场的信息。

这种方法在磁力计、磁强计等仪器中得到广泛应用。

2. 电流测量:利用霍尔效应可以测量电流的大小。

通过将电流通过一块装有霍尔传感器的导体上,测量霍尔电势差的大小,就可以间接得到电流的信息。

这种方法在电子设备中的电流检测、电流计等方面有着重要的应用。

3. 速度测量:利用霍尔效应可以测量物体的速度。

在一些需要测量转速或线速度的场合,可以将霍尔传感器安装在旋转或移动的物体上,当物体运动时,霍尔电势差的大小会随着速度的变化而改变。

通过测量霍尔电势差的变化,就可以得到物体的速度信息。

4. 接近开关:由于霍尔效应对磁场的敏感性,因此可以利用霍尔传感器制作接近开关。

当有物体靠近霍尔传感器时,物体的磁场会影响到传感器的霍尔电势差,从而触发开关的状态改变。

这种接近开关在自动控制、安防系统等方面有着广泛的应用。

5. 电力测量:利用霍尔效应可以测量电力的大小。

通过将电流和电压信号分别经过霍尔传感器进行测量,然后计算二者的乘积,就可以得到电力的信息。

霍尔效应的应用和原理有哪些

霍尔效应的应用和原理有哪些

霍尔效应的应用和原理有哪些1. 引言本文将会介绍霍尔效应的原理和应用。

霍尔效应是指当电流通过具有磁场的半导体材料时,垂直于电流方向产生的电势差。

这种效应已经在多个领域得到了广泛的应用。

2. 霍尔效应的原理霍尔效应的原理基于洛伦兹力和半导体材料的特性。

当电流通过半导体材料时,电子受到洛伦兹力的作用,导致电子在材料内产生偏转运动。

在半导体材料的一侧,电子的偏转速度受到局部磁场的影响而改变,导致电子在该侧聚集。

这种因磁场产生的电荷积累导致在材料两侧产生了电位差,成为霍尔电压。

3. 霍尔效应的应用霍尔效应在很多领域都有着广泛的应用,以下是一些常见的应用:3.1 传感器由于霍尔效应能够精确地测量磁场的变化,因此被广泛应用于传感器领域。

霍尔传感器可以用来检测物体的位置、速度和方向等信息。

在汽车领域中,霍尔传感器用于测量转速、角度和位置,在工业自动化中,霍尔传感器用于检测零件的位置和运动。

3.2 开关和触发器霍尔效应也可以应用在开关和触发器中。

通过将霍尔传感器放置在磁场中,当磁场的强度超过一定阈值时,输出电位差,用于触发器的操作。

这种应用在磁力感应开关、电子锁和接近传感器中得到了广泛应用。

3.3 磁场测量另一个广泛应用霍尔效应的领域是磁场测量。

通过将霍尔传感器放置在感兴趣的磁场附近,可以测量磁场的强度和方向。

这种应用在地理学中,用于测量地球磁场的变化,在物理实验中,用于测量磁体的磁场。

3.4 霍尔电流传感器霍尔效应还可以用于测量电流的变化。

通过将霍尔传感器包裹在传输电流的导线周围,可以测量电流的大小和方向。

这种应用在电力系统中,用于监测电力设备的运行状态和功率消耗。

3.5 电子计量由于霍尔效应与电流和磁场的关系密切,它也被广泛应用于电子计量中。

例如,霍尔效应可以用来测量电流、电压和功率等电子基本参数。

这种应用在电力仪表和电子设备中得到了广泛应用。

4. 总结霍尔效应是一种重要的电子现象,基于半导体材料和洛伦兹力的相互作用,用于测量磁场和电流的变化。

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3-13霍尔效应的应用
物理实验报告
年级专业: 姓名: 学号: 组别:
一、实验名称:霍尔效应的应用
二、实验目的:1.了解霍尔效应原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。

2.学习用对称测量法消除副效应的影响,测量试样的S
H I V -和M H I V -曲线。

3.确定试样的导电类型、载流子浓度及迁移率。

三、实验器材:TH-H 型霍尔效应实验组合仪(由实验仪和测试仪两大部分组成
四、实验原理:霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转。


于带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场。

对于图中(a )所示的N 型半导体试样,若在X 方向通以电流,在Z 方向加磁场,试样中载流子(电子)将受洛伦兹力g F =B v e 则在Y 方向即试样A 、A ’电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场――霍尔电场。

电场的指向取决于试样的导电类型。

对N 型试样,霍尔电场逆Y 方向;P 型试样则沿Y 方向。

其一般关系可表示为
⎩⎨⎧><型

P Y E N Y E Z B X I H H S ,0)(,0)()(),(
显然,该霍尔电场阻止载流子继续向侧面漂移。

当载流子所受的横向电场力H eE 与洛伦兹力
B v e 相等时,样品两侧电荷的累积就达到平衡,此时有B v e eE H =(1) 其中H eE 为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。

设试样的宽度为b ,厚度为d ,载流子浓度为n ,则
bd v ne I S =(2)
由(1)、(2)得d
B I R d B
I ne b E V S H S H H ===1 (4)
产生霍尔效应的同时,因伴随着多种副效应,以致实验测得的A 、A ’两极之间的电压并不等于真实的H V 值,而是包含着各种副效应引起的附加电压,因此必须设法消除。

根据副效应产生的机理可知,采用电流和磁场换向的所谓对称测量法,基本上能够把副效应的影响从测量的结果中消除。

具体做法是S I 和B 大小不变,并在设定电流和磁场的正、反方向后,依次测量由下列四组不同方向的S I 和B 组合的两点之间的电压1V ,2V ,3V ,4V 即
4
321,,,,,,,,V B I V B I V B I V B I S S S S +----+++
然后求上述四组数据1V ,2V ,3V ,4V 的代数平均值,可得
4
4
321V V V V V H -+-=
(5)
通过对称测量法求得的H V ,虽然还存在个别无法消除的副效应,但其引入的误差甚小,可以忽略不计。

由(4)式可知霍尔电压H V (A 、A ’两极之间的电压)与B I S 乘积成正比,与试样厚度d 成反比。

比例系数ne
R H 1
=
称为霍尔系数,它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数,只要测出)(V V H 及知道)(A I S 、)(T B 和d(m),可按下式计算霍尔系数
B
I d
V R S H H =
(6) (1)根据H R 的符号(或霍尔电压的正、负)判断样品的导电类型。

判断方法是按图所示的S I 和B 方向。

若测得0'<=AA H V V ,(即A 点的电位低于A ’点的电位)则H R 为负,样品属于N 型,反之为P 型。

(2)求载流子浓度。

由e
R n H ||1=
可求出载流子浓度。

应该指出,这个关系式是假定所有载流子
都具有相同的漂移速度得到的,如果考虑载流子的速率统计分布,需引入修正因子8/3π。

(3)结合电导率的测量,求载流子的迁移率μ。

电导率σ可以通过上图所示的A 、C 电极进行测量。

设A 、C 间的距离为L=3.0mm ,样品的横截面积为S=bd ,流经样品的电流为S I ,在零磁场下,若测得A 、C 间的电位差为σV ,可由下式求得σ,
S
V L
I S σσ=
电导率σ与载流子浓度n 以及迁移率μ之间有如下关系:
μσne =
即σμ||H R =,通过实验测出σ值即可得到μ。

根据上述可知,要得到大的霍尔电压,关键是选择霍尔系数大(即迁移率μ高、电阻率ρ也较高)的材料。

因为μρ=||H R ,就金属导体而言,μ和ρ均很低,而不良导体ρ高,但μ极小,因而上述两种材料的霍尔系数都很小,不能用来制造霍尔器件。

半导体材料μ高,ρ适中,是制造霍尔器件的较理想的材料。

由于电子的迁移率比空穴的迁移率大,所以霍尔器件都采用N 型材料。

又由于霍尔电压的大小与材料的厚度成反比,因此,薄膜型的霍尔器件的输出电压较片状的要高得多。

就霍尔器件而言,其厚度是一定的,所以实用上才用
ned
K H 1
=
来表示器件的灵敏度,H K 称为霍尔灵敏度。

五、实验步骤:
(1)按上图连接测试仪和实验仪之间相应的Is、VH和IM各组连线,Is及IM 换向开关投向上方,表明Is及IM均为正值(即Is沿X方向,B沿Z方向),反之为负值。

VH、Vσ切换开关投向上方测VH,投向下方测Vσ。

接线时严禁将测试仪的励磁电源“IM输出”误接到实验仪的“Is输入”或“VH、Vσ输出”处,否则一旦通电,霍尔元件即遭损坏!
(2)对测试仪进行调零。

将测试仪的“Is调节”和“ IM调节”旋钮均置零位,待开机数分钟后若VH 显示不为零,可通过面板左下方小孔的“调零”电位器实现调零,即“0.00”。

转动霍尔元件探杆支架的旋钮X、Y,慢慢将霍尔元件移到螺线管的中心位置。

(3)测绘VH-Is曲线。

将实验仪的“VH、Vσ”切换开关投向VH侧,测试仪的“功能切换”置VH。

保持IM值不变(取IM=0.6A),测绘VH-Is曲线。

(4)测绘VH-IM曲线。

实验仪及测试仪各开关位置同上。

保持Is值不变,(取Is=
3.00mA),测绘VH-Is曲线。

(5)测量Vσ值。

将“VH、Vσ”切换开关投向Vσ侧,测试仪的“功能切换”置Vσ。

在零磁场下,取Is=2.00mA,测量Vσ。

注意:Is取值不要过大,以免Vσ太大,毫伏表超量程(此时首位数码显示为1,后三位数码熄灭)。

(6)确定样品的导电类型。

将实验仪三组双刀开关均投向上方,即Is沿X方向,B沿Z方向,毫伏表测量电压为VAA´。

取Is=2.00mA,IM=0.6A,测量VH大小及极性,判断样品导电类型。

(7)求样品RH、n、σ和 µ值。

六、数据采集:
测绘V H-Is曲线数据表
Is /mA V1/mV V2/mV V3/mV V4/mV +Is ﹑+B +Is﹑-B -Is﹑-B -Is、+B
1.00 1.50
(mV)
4
V
V
V
V
V4
3
2
1
H
-
+
-
=
测绘V H -I M 曲线数据表
实验仪的有关参数如下:
半导体样品几何尺寸:厚度d=0.5mm ,宽度b=4.0mm ,A 、C 电极间距L=3.0mm 。

电磁铁励磁常数X=3.98KGS/A ,M M I T I X B 398.0)(1.0=•=
根据实验数据用最小二乘法绘制S H I V -曲线和M H I V -曲线 表达式为:H s V I 339.0-=,A I M 6.0=,
1
331017.61--⋅⨯-==
C m B
I d
V R S H H 。

I s /m A
VH/mV
I M /A
表达式为H M V I 000068.0-=,mA I S 00.3=。

1
331016.62--⋅⨯-==
C m B I d
V R S H H
计算得: 霍尔系数
1
3310165.62
2
1--⋅⨯-=+=
C m R R R H H H
0<H R 故该样品的导电类型为
N 型
载流子浓度 3
201045.9||1-⨯==
m e
R n H ,
考虑载流子速率统计分布,引入修正因子8

后3211011.1-⨯=m n
经测量,当Is=2.00mA ,M I =0A 时,σV =134.0mV ,样品横截面积S=bd,
载流子的电导率 1
13
33
339.22105.0100.4134.0100.31000.2------Ω=⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯==m S V L I S σσ
又μσne =,即
载流子迁移率 1
123138.039.2210165.6||---=⨯⨯==s V m R H σμ
七、操作后思考题。

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