硅工艺第二章s 氧化-作业
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第二章
主
氧
化
维
讲：毛
来自百度文库
mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院
第一次作业
(请做在一页纸上，下次上课时交)
1. 证明硅热氧化时，生成厚度为zox的二氧化硅 膜，约需消耗0.45zox厚的硅层（二氧化硅的 密度为2.24g/cm3；硅的密度为2.33g/cm3）。
2. 某npn硅晶体管在1200℃下进行基区氧化， 氧化过程为：15min干氧加45min湿氧 （TH2O=95 ℃）再加15min干氧，试求所生成 的氧化层厚度。
第一次作业
(请做在一页纸上，下次上课时交)
3.现有若干硅片，分别用干氧、湿氧（TH2O= 95℃）和水汽进行氧化，氧化温度为1200 ℃ 。如果它们所要求的氧化层厚度是50nm， 试求它们各自需要的氧化时间（精确到分）。
4.某一硅片上面已覆盖有0.2μm厚的二氧化 硅，现需要在1200 ℃下用干氧再生长0.1μm 厚的氧化层，问干氧氧化的时间需要多少？