晶体管工作的条件和晶体管工作状态的判断

晶体管工作的条件和晶体管工作状态的判断

晶体管是模拟电路中基础的器件，对于电子工程师来说，了解晶体管工作的条件和判断晶体管的工作状态都是非常基础的，本文将带大家一起学习或回顾一下。

一、晶体管工作的条件

1、集电极电阻Rc：

在共发射极电压放大器中，为了取出晶体管输出端的被放大信号电压Use（动态信号），需要在集电极串接一只电阻Rc。这样一来，当集电极电流Ic通过时，在Re上产生一电压降IcRc，输出电压由晶体管c-e之间取出，即Usc=Uce=Ec-IcRc，所以Use也和IcRc —样随输入电压Ui的发生而相应地变化。

2、集电极电源Ec（或Vcc）：

Ec保证晶体管的集电结处于反向偏置，使管子工作在放大状态，使弱信号变为强信号。能量的来源是靠Ec的维持，而不是晶体管自身。

3、基极电源Eb：

为了使晶体管产生电流放大作用，除了保证集电结处于反向偏置外，还须使发射结处于正向偏置，Eb的作用就是向发射结提供正向偏置电压，并配合适当的基级电阻Rb，以建立起一定的静态基极电流Ib。当Vbe很小时，Ib=O，只有当Vbe超过某一值时（硅管约0.5V，锗管约0.2V，称为门槛电压），管子开始导通，出现Ib。随后，Ib将随Vbe增大而增大，但是，Vbe和Ib的关系不是线性关系：当Vbe大于0.7V后，Vbe再增加一点点，Ib就会增加很多。晶体管充分导通的Vbe近似等于一常数（硅管约0.5V，锗管约0.5V）。

4、基极偏流电阻Rb：

在电源Eb的大小已经确定的条件下，改变Rb的阻值就可以改变晶体管的静态电流Ib，从而也改变了集电极静态电流Ic和管压降Vce，使放大器建立起合适的直流工作状态。二、晶体管工作状态的判断

晶体三极管工作在放大区时，其发射结（b、e极之间）为正偏，集电结（b、c极之间）为反偏。对于小功率的NPN型硅，呈现为Vbe≈0.7V，Vbc《0V（具体数值视电源电压