模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第七章

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模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案解析

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WORD 文档下载可编辑模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D=0.7V 。

试画出i u 与ou 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

模拟电子技术基础课后习题答案童诗白

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模拟电子技术基础课后习题答案童诗白模拟电子技术基础课后习题答案童诗白第一章半导体基础知识一、(1)√(2)×(4)×(5)√二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈1.3VUO2=0UO3≈-1.3VUO4≈2VUO5≈2.3V四、UO1=6VUO2=5VUO6≈-2V五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

VBB−UBE=26μARbIC=β IB=2.6mAUCE=VCC−ICRC=2VUO=UCE=2V。

2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以VCC−UCES=2.86mA=28.6μAβRb=BB≈45.4kΩ七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。

1.1(1)AC(2)A(3)C(4)A1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

1.3ui和uo的波形如图所示。

1.4ui和uo的波形如图所示。

1.5uo的波形如图所示。

1.6ID=(V-UD)/R=2.6mA,rD≈UT/ID=10Ω,Id=Ui/rD≈1mA。

1.7(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。

1.8IZM=PZM/UZ=25mA,R=UZ/IDZ=0.24~1.2kΩ。

1.9(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。

故⋅UI≈3.33V当UI=15V时,由于上述同样的原因,UO=5V。

当UI=35V时,UO=UZ=5V。

(2)IDZ=(UI−UZ)R=29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。

模拟电子技术基础第四版课后答案童诗白

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确�用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素�可将其改型为P型半导体。

(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子�所以它带负电。

(×)(3)P N结在无光照、无外加电压时�结电流为零。

(√)(4)处于放大状态的晶体管�集电极电流是多子漂移运动形成的。

(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压�才能保证R大的特点。

(√)其G S(6)若耗尽型N沟道M O S管的G S U大于零�则其输入电阻会明显变小。

(×)二、选择正确答案填入空内。

(l)P N结加正向电压时�空间电荷区将A。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时�发射结电压和集电结电压应为B。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)U G S=0V时�能够工作在恒流区的场效应管有A、C。

A.结型管B.增强型M O S管C.耗尽型M O S管三、写出图T l.3所示各电路的输出电压值�设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解�U O1=1.3V,U O2=0V,U O3=-1.3V,U O4=2V,U O5=1.3V,U O6=-2V。

模拟电子技术基础(童诗白第四版)答案

模拟电子技术基础(童诗白第四版)答案

模拟电子技术基础第 1 章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小1.2电路如图P1.2 所示,已知u i =10sin ωt (V),试画出u i 与u o 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。

1.3电路如图P1.3 所示,已知u i = 5sin ωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。

试画出u i 与u o 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV,电容C 对交流信号可视为短路;u i 为正弦波,有效值为10mV。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流I D = (V -U D ) / R = 2.6mA其动态电阻:r D ≈ U T / I D = 10Ω图 P1.4故动态电流的有效值: I d = U i / r D ≈ 1mA1.5 现有两只稳压管,稳压值分别是 6V 和 8V ,正向导通电压为 0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得 4 种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

模电第四版习题解答

模电第四版习题解答

模电第四版习题解答 YUKI was compiled on the morning of December 16, 2020模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。

( √)GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案【精华版】

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模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。

模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白精编版

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

(完整版)模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第七章

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第7章信号的运算和处理自测题一、现有电路:A.反相比例运算电路B.同相比例运算电路C.积分运算电路D.微分运算电路E.加法运算电路F.乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。

(1)欲将正弦波电压移相+90o,应选用( C )。

(2)欲将正弦波电压转换成二倍频电压,应选用( F )。

(3)欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用( E )。

(4)欲实现A u=−100 的放大电路,应选用( A )。

(5)欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( C )。

(6)欲将方波电压转换成尖顶波波电压,应选用( D )。

二、填空:(1)为了避免50H z电网电压的干扰进入放大器,应选用( 带阻)滤波电路。

(2)已知输入信号的频率为10kH z~12kH z,为了防止干扰信号的混入,应选用( 带通)滤波电路(3)为了获得输入电压中的低频信号,应选用( 低通)滤波电路。

(4)为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( 有源)滤波电路。

三、已知图T7.3所示各电路中的集成运放均为理想运放,模拟乘法器的乘积系数k大于零。

试分别求解各电路的运算关系。

(a)(b)图T7.3解:图(a)所示电路为求和运算电路,图(b)所示电路为开方运算电路。

它们的运算表达式分别为:(a) 12413121234()(1)//f I I O f I R u u R u R u R R R R R R =-+++⋅⋅+ 11O O u u dt RC =-⎰(b) '23322144O I O O R R R u u u ku R R R =-⋅=-⋅=-⋅ 2413O I R R u u kR R =⋅习题本章习题中的集成运放均为理想运放。

7.1填空:(1) ( 同相比例 )运算电路可实现A u >1 的放大器。

(2) ( 反相比例 )运算电路可实现A u <0 的放大器。

(3) ( 微分 )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。

模拟电路童诗白第四版习题配套答案

模拟电路童诗白第四版习题配套答案

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS点。

( √)U大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案

模拟电子技术根底第1章 常用半导体器件选择适宜答案填入空内。

(l)在本征半导体中参加( A )元素可形成N 型半导体,参加( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 电路如图P1.2 所示,10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8VV 。

试问: (1)假设将它们串联相接,那么可得到几种稳压值?各为多少? (2)假设将它们并联相接,那么又可得到几种稳压值?各为多少?解:V ;14VVV 。

V ;6V 。

1.6 图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6ZU V =,最小稳定电流min 5Z I mA =,最大稳定电流max 25Z I mA =。

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案解析

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(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D=0.7V 。

试画出i u 与ou 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案

模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。

《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社

《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社

1第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。

uu ouu o图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。

(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。

(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。

(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。

画出o u 波形如图所示。

2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为 5.5V和8.5V,正向压降都是0.5V 。

如果要得到0.5V ,3V,6V ,9V和14V几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。

解:各电路图如图所示。

(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V 。

uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?3图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。

1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。

1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。

模电-童诗白课后题全解

模电-童诗白课后题全解
当UI=15V时,由于上述同样的原因,UO=5V。
当UI=35V时,UO=UZ=5V。
(2) 29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
(1)S闭合。
(2)
波形如图所示。
60℃时ICBO≈32μA。
选用β=100、ICBO=10μA的管子,其温度稳定性好。
晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如表
(a) (b) (c) (d)
(e) (f) (g)

解:(a)不能。(b)不能。
(c)构成NPN 型管,上端为集电极,中端为基极,下端为发射极。
(d)不能。(e)不能。
(f)构成PNP 型管,上端为发射极,中端为基极,下端为集电极。
解:由于 ,所以 。
空载时,输入信号增大到一定幅值,电路首先出现饱和失真。故
时,当输入信号增大到一定幅值,电路首先出现截止失真。故
电路如图所示,晶体管β=100, =100Ω。
(1)求电路的Q点、 、 和 ;
(2)若改用β=200的晶体管,则Q点如何变化?
(3)若电容Ce开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?
ID=(V-UD)/R=,rD≈UT/ID=10Ω,Id=Ui/rD≈1mA。
(1)两只稳压管串联时可得、、和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得和6V等两种稳压值。
IZM=PZM/UZ=25mA,R=UZ/IDZ=~Ω。
(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故
RL=∞时; 图
RL=3kΩ时;
输出电阻:
电路如图所示,晶体管的β=60 , 。
(1)求解Q点、 、 和

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后标准答案第七章

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后标准答案第七章

第7章信号的运算和处理自测题一、现有电路:A.反相比例运算电路B.同相比例运算电路C.积分运算电路D.微分运算电路E.加法运算电路F.乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。

(1)欲将正弦波电压移相+90o,应选用( C )。

(2)欲将正弦波电压转换成二倍频电压,应选用( F )。

(3)欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用( E )。

(4)欲实现A u=−100 的放大电路,应选用( A )。

(5)欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( C )。

(6)欲将方波电压转换成尖顶波波电压,应选用( D )。

二、填空:(1)为了避免50H z电网电压的干扰进入放大器,应选用( 带阻)滤波电路。

(2)已知输入信号的频率为10kH z~12kH z,为了防止干扰信号的混入,应选用( 带通)滤波电路(3)为了获得输入电压中的低频信号,应选用( 低通)滤波电路。

(4)为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( 有源)滤波电路。

三、已知图T7.3所示各电路中的集成运放均为理想运放,模拟乘法器的乘积系数k大于零。

试分别求解各电路的运算关系。

(a)(b)图T7.3解:图(a)所示电路为求和运算电路,图(b)所示电路为开方运算电路。

它们的运算表达式分别为:(a) 12413121234()(1)//f I I O f I R u u R u R u R R R R R R =-+++⋅⋅+ 11O O u u dt RC =-⎰(b) '23322144O I O O R R R u u u ku R R R =-⋅=-⋅=-⋅ 2413O I R R u u kR R =⋅习题本章习题中的集成运放均为理想运放。

7.1填空:(1) ( 同相比例 )运算电路可实现A u >1 的放大器。

(2) ( 反相比例 )运算电路可实现A u <0 的放大器。

(3) ( 微分 )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案【精华版】

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模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案【精华版】本页仅作为文档封面,使用时可以删除This document is for reference only-rar21year.March模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B.四价 C.三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

.91 C(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 电路如图 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图 解图解:i u 与o u 的波形如解图所示。

电路如图所示,已知t u iωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图 解图电路如图所示, 二极管导通电压U D =,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少解:二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值各为多少 (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值各为多少解:(1)串联相接可得4种:;14V ;;。

(2)并联相接可得2种:;6V 。

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模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。

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第7章信号的运算和处理自测题一、现有电路:A.反相比例运算电路B.同相比例运算电路C.积分运算电路D.微分运算电路E.加法运算电路F.乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。

(1)欲将正弦波电压移相+90o,应选用( C )。

(2)欲将正弦波电压转换成二倍频电压,应选用( F )。

(3)欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用( E )。

(4)欲实现A u=−100 的放大电路,应选用( A )。

(5)欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( C )。

(6)欲将方波电压转换成尖顶波波电压,应选用( D )。

二、填空:(1)为了避免50H z电网电压的干扰进入放大器,应选用( 带阻)滤波电路。

(2)已知输入信号的频率为10kH z~12kH z,为了防止干扰信号的混入,应选用( 带通)滤波电路(3)为了获得输入电压中的低频信号,应选用( 低通)滤波电路。

(4)为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( 有源)滤波电路。

三、已知图T7.3所示各电路中的集成运放均为理想运放,模拟乘法器的乘积系数k 大于零。

试分别求解各电路的运算关系。

(a)(b)图T7.3解:图(a)所示电路为求和运算电路,图(b)所示电路为开方运算电路。

它们的运算表达式分别为:(a) 12413121234()(1)//f I I O f I R u u R u R u R R R R R R =-+++⋅⋅+ 11O O u u dt RC =-⎰(b) '23322144O I O O R R R u u u ku R R R =-⋅=-⋅=-⋅O u =习题本章习题中的集成运放均为理想运放。

7.1填空:(1) ( 同相比例 )运算电路可实现A u >1 的放大器。

(2) ( 反相比例 )运算电路可实现A u <0 的放大器。

(3) ( 微分 )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。

(4)( 同相求和 )运算电路可实现函数123Y aX bX cX =++,a 、b 和c 均大于零。

(5) ( 反相求和 )运算电路可实现函数123Y aX bX cX =++,a 、b 和c 均小于零。

(6)( 乘方 )运算电路可实现函数2Y aX =。

7.2电路如图P7.2所示,集成运放输出电压的最大幅值为±14V ,填表。

(a) (b)图P7.2u I /V 0.1 0.5 1.0 1.5 u O1/V u O2/V解: 1(/)10O f I I u R R u u =-=-; 2(1/)11O f I I u R R u u =+=。

当集成运放工作到非线性区时,输出电压不是+14V , 就是-14V 。

u I /V 0.1 0.5 1.0 1.5 u O1/V -1 -5 -10 -14 u O2/V1.15.511147.3 设计一个比例运算电路,要求输入电阻20i R k =Ω,比例系数为-100。

解:可采用反相比例运算电路,电路形式如图P7.2(a)所示。

20R k =Ω; 2f R M =Ω。

7.4电路如图P7.4所示,试求其输入电阻和比例系数。

解:由图可知150i R R k ==Ω,121221,2I MR R M I Iu u i i R R Ru u u R -==∴=-=-Q 即而 243M OM M u u u u R R R --=+ 解得:52104O M Iu u u ==-图P7.47.5电路如图P7.4所示,集成运放输出电压的最大幅值为±14V ,I u 为2V 的直流信号。

分别求出下列各种情况下的输出电压:(1)R 2短路; (2) R 3短路; (3) R 4短路; (4) R 4断路。

解:(1) R 2短路时,210M I R u u R =-=,R 4相当于开路(R 4上无电流流过)。

∴3124O I I R u u u V R =-=-=-; (2) R 3短路时,O M u u =,R 4对反馈网络无影响。

∴2124O I I R u u u V R =-=-=-; (3) R 4短路时,电路无反馈。

∴14O u V =-; (4) R 4断路时,23148O I I R R u u u V R +=-=-=-。

7.6试求图P7.6所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。

(a) (b)(c) (d) 图P7.6解:在图示各电路中,集成运放的同相输入端和反相输入端所接总电阻均相等。

各电路的运算关系式分析如下:(a)123123123225f f f O I I I I I I R R R u u u u u u u R R R =-⋅-⋅+⋅=--+(b)1231231231010f f f O I I I I I I R R R u u u u u u u R R R =-⋅+⋅+⋅=-++(c) 21211()8()f O I I I I R u u u u u R =-=-(d) 123412341234202040ff f f O I I I I I I I I R R R R u u u u u u u u u R R R R =-⋅-⋅+⋅+⋅=--++7.7在图P7.6所示各电路中,集成运放的共模信号分别为多少?写出表达式。

解:因为集成运放同相输入端和反相输入端之间净输入电压为零,所以它们的电位就是集成运放的共模输入电压。

图示各电路中集成运放的共模信号分别为:(a) 3IC I u u = (b)32232323231011111IC I I I I R R u u u u u R R R R =+=+++(c) 22189fIC I I f R u u u R R ==+(d) 34343434344014141IC I I I I R R u u u u u R R R R =+=+++7.8图P7.8所示为恒流源电路, 已知稳压管工作在稳压状态, 试求负载电阻中的电流。

解:220.6P ZL u U I mA R R ===。

图P7.87.9电路如图P7.9所示。

(1)写出O u 与1I u 、2I u 的运算关系式;(2)当R W 的滑动端在最上端时,若mV u I 101=,mV u I 202=,则O u =? (3)若O u 的最大幅值为±14V ,输入电压最大值mV u I 10max 1=,mV u I 20max 2=,为了保证集成运放工作在线性区,R 2的最大值为多少?图P7.9解:(1) A 2同相输入端电位222121()10()f P N I I I I R u u u u u u R==-=-输出电压2222111(1)10(1)()O P I IR Ru u u uR R=+⋅=+-或21110()WO I IRu u uR=-(2) 将mVuI101=,mVuI202=代入上式,得100Ou mV=。

(3) 根据题目所给参数,21()I Iu u-的最大值为20mV 。

若R1为最小值,则为保证集成运放工作在线性区,21()I Iu u-=20mV时集成运放的输出电压应为+14V,写成表达式为211min1min1010()102014WO I IRu u uR R=⋅⋅-=⋅⋅=故1min143R≈Ω2max1min(100.143)9.86WR R R k k=-=-Ω≈Ω7.10分别求解图P7.10所示各电路的运算关系。

(a) (b)(c) 图P7.10解:图(a)所示为反相求和运算电路;图(b)所示的A 1组成同相比例运算电路,A 2组成加减运算电路;图(c)所示的A 1、A 2、A 3均组成为电压跟随器电路,A 4组成反相求和运算电路。

(a)设R 3、R 4、R 5的节点为M ,则 12312()I I M u u u R R R =-+ 43512125I I MR R R u u u i i i R R R =-=+- 43412434512()()I I O M R R R u u u u i R R R R R R =-=-+++ (b)先求解1O u ,再求解O u 。

3111(1)O I R u u R =+555355121221444144(1)(1)(1)(1)()O O I I I I I R R R R R Ru u u u u u u R R R R R R =-++=-+++=+- (c)A 1、A 2、A 3的输出电压分别为u I1、u I2、u I3,由于在A 4组成的反相求和运算电路中反相输入端和同相输入端外接电阻阻值相等,所以41231231()10()O I I I I I I R u u u u u u u R =++=++7.11在图P7.11(a)所示电路中,已知输入电压u I 的波形如图(b)所示,当t =0时u C =0。

试画出输出电压u O 的波形。

(a) (b)图P7.11解:输出电压的表达式为2111()t O I O t u u dt u t RC =-+⎰ 当u I 为常量时:2112112115711()()()()100()()1010O I O I O I O u u t t u t u t t u t u t t u t RC -=--+=--+=--+⨯ 若t =0时u O =0;则当t =5mS 时,31005510 2.5O u V V -=-⨯⨯⨯=-。

当t =15mS 时,3[100(5)1010( 2.5)] 2.5O u V V -=-⨯-⨯⨯+-=。

因此输出波形如解图P7.11所示。

解图P7.117.12已知图P7.12所示电路输入电压u I 的波形如图P7.11 (b)所示,且当t =0时u C =0。

试画出输出电压u O 的波形。

图P7.12 解图P7.12解:图中可见,N P I u u u ==,()C I O Idu d u u u C C R dt dt-∴-== 即:O I Idu du u dt dt RC=+;∴输出电压与输入电压的运算关系为: 1()(0)O I I C u t u u t u RC=++或:100(0)O I I C u u t u u =++(t )设当t =0时,u C =0。

分段画出波形如解图P7.12所示。

7.13试分别求解图P7.13所示各电路的运算关系。

(a)(b)(c) (d) 图P7.13解:利用节点电流法,可解出各电路的运算关系分别为:( a ) 2111100O I I I I R u u u dt u u dt R R C=--=--⎰⎰ ( b ) 设两电容的充电电流为:111C I du dui C C dt dt=⋅=⋅(方向向右),则 311221()102I IO I I du C du u iR idt RC u u C dt C dt-=-+=--=--⎰ ( c )反相端:1O N C P P u u u u u dt RC =+=+⎰ 同相端:111I P P C I P u u u u dt u dt u dt C R RC RC-===-⎰⎰⎰ 代入上式,得3110O II u u dt u dt RC ==⋅⎰⎰ ( d ) 1212121()100(0.5)I I O I I u u u dt u u dt C R R =-+=-+⎰⎰7.14在图P7.14所示电路中,已知'12100f R R R R R k =====Ω,1C F μ=。

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