场效应管与晶体管的比较
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3. 场效应管及其放大电路
3.3 场效应管的参数和小信号模型
3.3.1 场效应管的主要电参数 3.3.2 场效应管的小信号模型 3.3.3 场效应管与晶体管的比较
模拟电子技术
3. 场效应管及其放大电路 结型（JFET）符号
N沟道
P沟道
d
d
g
g
s
s
模拟电子技术
3. 场效应管及其放大电路
绝缘栅型(MOSFET)符号
g
s
(2) 管子工作在放大区有
iD
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
IDSS [1
uGS ]2 U G S(of f )
不同点：
耗尽型
耗尽型：UGS 可正可负可为零 结型： UGS 0， 只能小于或等于零 0
d
g
s
结型
0
模拟电子技术
谢 谢！
模拟电子技术
耗尽型
N沟道
D
G
S
增强型
D
G
S
P沟道
D G
S D
G S
模拟电子技术
3. 场效应管及其放大电路
3.3.3 场效应管与晶体管的比较
d
c
g
b
（1） 导电机理
T
场效应管是利用一种极性载流子导电的。 s
e
在双极型晶体管中两种极性的载流子（电子和空穴）
同时参与了导电。
（2）结构对称性
场效应管的结构对称，漏极和源极可以互换使用。
增强型： 当
时，
iD K[uGS - UGS(th) ]2 gm 2 KIDQ
0
耗尽型： 当
时，
iD
I DSS
(1
uGS )2 U G S(of f )
2 gm UGS(off)
I DSS IDQ
模拟电子技术
0
3. 场效应管及其放大电路
耗尽型MOSFET和结型JFET比较
d
相同点:
(1) UGS = 0 时，都有沟道
（5）直流输入电阻
场效应管的输入端电流几乎为零，输入电阻非常高。 输入电阻达几兆欧以上。
模拟电子技术
3. 场效应管及其放大电路
双极型晶体管的发射结始终处于正向偏置，有一定的输 入电流，基极与发射极间的输入电阻较小，几十欧到几千欧。
（6）稳定性及噪声 场效应管有较好的温度稳定性、抗辐射性及低噪声特性； 双极型晶体管受温度和辐射的影响较大 （7）场效应管的其它特点 a. 场效应管制造工艺简单，有利于大规模集成。 每个MOS场效应管在硅片上所占的面积只有 双极性晶体管5%。
（除了源极和衬底在制造时已连在一起的MOS管）
在双极型晶体管的射极与集电极不能互换。
模拟电子技术
3. 场效应管及其放大电路
（3）控制方式 场效应管是一种电压控制器件，即通过uGS来控制iD； 双极型晶体管是一种电流控制器件，即通过iB来控制iC
（4）放大能力 场效应管跨导gm较小，放大能力弱； 双极型晶体管电流放大系数 β 大，放大能力强。
模拟电子技术
3. 场效应管及其放大电路
b. MOS管的栅极不得开路
由于MOS管的输入电阻高，由外界感应产生的电荷不易泄露， 而栅极上的绝缘层又很薄，这将在栅极上产生很高的电场强度， 以致引起绝缘层的击穿而损坏管子。
增强型
耗尽型
D
D
G
G
S
S
模拟电子技术
3. 场效应管及其放大电路
增强型与耗尽型管子的区别：
3.3 场效应管的参数和小信号模型
3.3.1 场效应管的主要电参数 3.3.2 场效应管的小信号模型 3.3.3 场效应管与晶体管的比较
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3. 场效应管及其放大电路 结型（JFET）符号
N沟道
P沟道
d
d
g
g
s
s
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3. 场效应管及其放大电路
绝缘栅型(MOSFET)符号
g
s
(2) 管子工作在放大区有
iD
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
IDSS [1
uGS ]2 U G S(of f )
不同点：
耗尽型
耗尽型：UGS 可正可负可为零 结型： UGS 0， 只能小于或等于零 0
d
g
s
结型
0
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谢 谢！
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耗尽型
N沟道
D
G
S
增强型
D
G
S
P沟道
D G
S D
G S
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3. 场效应管及其放大电路
3.3.3 场效应管与晶体管的比较
d
c
g
b
（1） 导电机理
T
场效应管是利用一种极性载流子导电的。 s
e
在双极型晶体管中两种极性的载流子（电子和空穴）
同时参与了导电。
（2）结构对称性
场效应管的结构对称，漏极和源极可以互换使用。
增强型： 当
时，
iD K[uGS - UGS(th) ]2 gm 2 KIDQ
0
耗尽型： 当
时，
iD
I DSS
(1
uGS )2 U G S(of f )
2 gm UGS(off)
I DSS IDQ
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0
3. 场效应管及其放大电路
耗尽型MOSFET和结型JFET比较
d
相同点:
(1) UGS = 0 时，都有沟道
（5）直流输入电阻
场效应管的输入端电流几乎为零，输入电阻非常高。 输入电阻达几兆欧以上。
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3. 场效应管及其放大电路
双极型晶体管的发射结始终处于正向偏置，有一定的输 入电流，基极与发射极间的输入电阻较小，几十欧到几千欧。
（6）稳定性及噪声 场效应管有较好的温度稳定性、抗辐射性及低噪声特性； 双极型晶体管受温度和辐射的影响较大 （7）场效应管的其它特点 a. 场效应管制造工艺简单，有利于大规模集成。 每个MOS场效应管在硅片上所占的面积只有 双极性晶体管5%。
（除了源极和衬底在制造时已连在一起的MOS管）
在双极型晶体管的射极与集电极不能互换。
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3. 场效应管及其放大电路
（3）控制方式 场效应管是一种电压控制器件，即通过uGS来控制iD； 双极型晶体管是一种电流控制器件，即通过iB来控制iC
（4）放大能力 场效应管跨导gm较小，放大能力弱； 双极型晶体管电流放大系数 β 大，放大能力强。
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3. 场效应管及其放大电路
b. MOS管的栅极不得开路
由于MOS管的输入电阻高，由外界感应产生的电荷不易泄露， 而栅极上的绝缘层又很薄，这将在栅极上产生很高的电场强度， 以致引起绝缘层的击穿而损坏管子。
增强型
耗尽型
D
D
G
G
S
S
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3. 场效应管及其放大电路
增强型与耗尽型管子的区别：