电子技术基础试1

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电子技术基础试卷及答案

《电子技术基础》第一章半导体二极管试卷一、单项选择题1.测量二极管(小功率)的管脚极性时,万用表的电阻档应选( )。

(2 分)A.R×1B.R×10C.R×100或R×1kD.R×10k2.测量二极管反向电阻时,若用两手将两管脚捏紧,其电阻值会( )。

(2 分)A.变大B.先变大后变小C.变小D.不变3.二极管正反向电阻相差( )。

(2 分)A.越小越好B.越大越好C.无差别最好D.无要求4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管,其中( )说明管子是好的。

(2 分)A.正、反向电阻都为零B.正、反向电阻都为无穷大C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧5.变容二极管工作时,应加( )。

(2 分)A.反向电压B.正向电压C.正向电压或反向电压6.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )。

(2 分)A.基本正常B.击穿C.烧坏D.电流为零7.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V,判断二极管应是( )。

(2 分)A.正偏B.反偏C.零偏8.2AP9表示( )。

(2 分)A.N型材料整流管B.N型材料稳压管C.N型材料普通管D.N型材料开关管9.变容二极管常用在( )电路中。

(2 分)A.高频B.低频C.直流10.用于整流的二极管型号是( )。

(2 分)A.2AP9B.2CW14CC.2CZ52BD.2CK84A二、判断题11.( )发光二极管可以接收可见光线。

(2 分)12.( ) 二极管加反向电压时一定截止。

(2 分)13.( )当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。

(2 分)14.( )PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。

(2 分)15.( )有两个电极的元件都叫二极管。

电子技术基础试题(一)

电子技术基础试题(一)一、选择题：（每小题3分，共30分）1、D 触发器在D=1时，输入一个CP 脉冲，其逻辑功能是（）。

A ．置1 B ．清0 C ．保持 D ．翻转2、如图电路中，设二极管为硅管，正向压降为 0.7V ，则Y= （）。

A ．0.7V B ．3.7V C ．10VD ．1.5V3、以下表述正确的是（）。

A ．组合逻辑电路和时序逻辑电路都具有记忆能力。

B ．组合逻辑电路和时序逻辑电路都没有记忆能力。

C ．组合逻辑电路有记忆能力，而时序逻辑电路没有记忆能力。

D ．组合逻辑电路没有记忆能力，而时序逻辑电路有记忆能力。

4、逻辑函数式Y=A+A ，化简后的结果是（）。

A ．2AB ．AC ． 1D ．A 25、逻辑函数式Y=EF+E +F 的逻辑值为（）。

A ．EFB ．EF C ． 0 D ． 16、基本 RS 触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态（）。

A ．恢复原状态 B ．保持现状态 C ．出现新状态 D.都有可能7、用万用表欧姆档测小功率晶体三极管好坏时，应选择的档位（）。

A ． Rx100或Rx1K B. Rx10K C. Rx1 D.都可以8、当晶体三极管发射结反偏，集电极反偏时，晶体三极管的工作状态是（）。

A ．放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 D.无法判定 9、三极管的基极电流I B 、集电极电流I C 和射极电流I E 的关系是A ． I E = IB + IC B. I E = I B – I C C. I E = I C – I B D.I C = I B + I E 10、基本放大器的电压放大倍数Av=ViV O ，当输入电压为10mV 时，测得输出电压为500mV ，则电压放大倍数是（）。

A ． 10 B. 50 C. 500 D.100 二．填空题：（每题3分，共30分）1．半导体二极管的最主要特性是__________________________ 。

电子技术基础题库(I_II类题)[1]

第一章半导体二极管I 类题一、简答题1．杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。

2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。

PN 结最基本的特性是单向导电性。

3．什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。

二、计算题1．在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3．在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。

II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。

2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。

3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。

电子技术基础试题库(1~6章)

电子技术基础第一学期试题库（1~6章）一、填空题：（每空1分）1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为，和三类。

答：导体、半导体、绝缘体。

2、半导体具有特性，特性和特性。

答：热敏、光敏、掺杂。

3、PN结具有特性，即加正向电压时，加反向电压时。

答：单向导电、导通、截止。

4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。

答：0.7V、0.3V。

（中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。

答：最大整流电流、最高反向工作电压。

5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性。

答：小于、较好。

6、发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。

答：电、光、光、电。

7、三极管有三个电极，即极、极和极。

答：集电极、基极、发射极。

8、半导体三极管有型和型。

答：NPN、PNP。

（中）9、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极管具有作用。

答：电流放大。

10、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管的死区电压约v。

晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为v，锗管约为v。

答：0 .5、0.2、0.7、0.3。

11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是。

答：I C=βI B。

（中）25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管的。

答：增加、小。

12、三极管的极限参数分别是，，和。

答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。

（中）13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。

答：放大、开关。

14、放大电路按三极管连接方式可分为，和。

答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。

15、放大电路设置静态工作点的目的是。

答：使放大器能不失真地放大交流信号。

16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指，和。

电子技术基础l练习习题答案 (1)

第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

（对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。

电子技术基础模拟试题一(75分)

电子技术基础模拟试题A一、填空题（每空2分）1．二极管主要由一个构成，因此具有的特性。

2．整流滤波电路可以输出较平滑的直流电压，但当和变化时，会引起输出直流电压的波动。

3．三极管具有作用，即的微小变化控制了的较大变化。

4．直流通路用于分析放大器的。

5．放大器必须设置，才能避免产生非线性失真。

6．电路中引入负反馈可以稳定输出电压。

7．引入负反馈后，放大器的放大倍数、稳定性。

8．自激振荡器电路主要由和两部分组成。

9．自激振荡器电路的条件是：和。

10．直流放大器在输入信号为零时，其输出端电压出现忽大忽小、忽快忽慢、无规则变化的现象叫做。

11．工作于线性区的理想运放具有以下特点：两输入端的电位、输入电流。

12．串联型稳压电源由以下、四个环节组成。

13．电压放大器和功率放大器分别工作于信号状态。

14．平滑的、连续变化的电压或电流叫，离散的、断续变化的电压或电流叫。

15．与非门的逻辑功能为、。

16．半加指两个一位二进制数求和，只计算，不管。

17．JK触发器中，J = 、K= 时，实现计数功能。

18．寄存器具有存储数码和信息的功能，分为和。

19．是存储信息的基本单元。

20．D/A 转换用于把信号转换为信号。

二、选择题（每题2分）1．二极管加上0.3V的正向电压时，其状态为( )。

A．导通B．饱和C．截止2．变压器次级交流电压为20V，单项桥式整流时，负载上的平均电压为( )。

A．9V B．18V C．20V3．测得NPN型三极管的三个电极的电压分别是6V、1.6V、1V，它处于（）状态。

A．放大B．饱和C．截止4．在放大电路中，通常用于调整静态工作点的元件是（）。

A．电源B．基极偏置电阻C．集电极负载电阻5．差动放大器中发射极电阻Re的作用是（）A．交流负反馈减小失真B．对共模信号负反馈C．对差模信号负反馈6．无信号时甲乙功率放大器中两个三极管的工作状态为（）A．都截止B．都导通C．都轻微导通7．OTL功率放大器中，静态时耦合电容上的电压为（），其中电源电压为G C 。

电子技术基础》考试试卷(附参考答案)

《电子技术基础》考试试卷（附参考答案）一.填空（40分，每题5分）1.负反馈对放大电路性能的影响主要体现在（1）（2）（3）（4），闭环Auf= 。

2.通常使用来判断正负反馈，共射极放大电路反馈信号从基极注入为反馈，从发射极注入为反馈，当输出端短路后，反馈元件上有电压是反馈，若无电压是反馈。

3.负反馈在放大电路中的应用其主要类型有（1），，（2），，（3），（4）。

射极输出器是属于反馈。

4. OCL,OTL是功率放大电路，消除交越失真的方法是，它们电路上的共同特点是，不同点有，实用电路常工作在状态。

5. 集成运放主要功能是，运算电路有（1）（2）（3）（4）；基本转换电路是（1）（2）。

6.功率放大电路的主要任务是，主要要求有（1）（2）（3）（4）。

7.直流稳压电源的功能是，晶体管串联型稳压电路是由，，和四部分电路组成。

8.放大电路设置偏置的目的是，引入负反馈目的是。

功率放大电路的工作状态分为，，。

二.判断（8分，在括号里打“√”或打“X”）1.放大器负反馈深度越大，放大倍数下降越多。

（）2.由集成稳压电路组成的稳压电源其输出电压是不可调节的。

（）3.负反馈能修正信号源的失真。

（）4.直流负反馈的作用可以稳定静态工作点。

（）5.零点漂移是放大器输出不能为零。

（）6.抑制零点漂移最有效的是采用差动放大为输入级。

（）7.放大器引入负反馈可以提高电压放大倍数稳定工作状态。

（）8.集成运放的基本运算是加法和减法运算。

（）三.识读电路（24分，写出电路名称，信号传输方式和所采用的偏置）1. 2.3. 4.5. 6.四.简答（18分）1．指出电路运算功能，并写出运算公式。

（1）.（2）(3). (4).2.简述万用表检测电阻的使用方法。

五.计算（10分）1. 求如图所示放大电路的静态工作点和输入，输出电阻，电压放大倍数。

2.如图所示电路已知Rf=120k,U。

=1.5v,Ui=0.5v。

求R1的大小。

参考答案一，1，提高放大电路工作稳定性（降低了电压放大倍数）减小失真展宽通频带改善输入，输出电阻Au/(1+FAu)。

电子技术基础1复习题

电子技术基础1复习题一、电压放大1、放大电路如图所示，已知三极管β=50，U BEQ=0.7V，r bb’=200Ω。

电路中各参数标示图中。

（1）试估算电路的静态工作点I CQ、U CEQ；（3）求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R O；（4）若信号源内阻R S=600Ω，求源电压放大倍数A us。

（5）若去掉旁路电容，则A u、R i和R O如何变化？2、放大电路如图所示，已知三极管β=50，U BEQ=0.7V，r bb’=200Ω。

电路中各参数标示图中。

（1）估算静态工作点I CQ、U CEQ；（2）估算电压放大倍数A u；（3）求输入电阻和输出电阻；（4）若C E断开，电压放大倍数将有何变化？CC o二、功放1、OTL功率放大器如图所示，试回答：（1）静态时，A点的电位应是多少？（2）若两管子的饱和压降均为2V，计算最大不失真输出功率P omax和效率η；（3）分析VD1、VD2的作用。

2、OCL功率放大器如图所示，试回答：（1）静态时，A点电位是多少？（2）若两管子的饱和压降均为3V，计算最大不失真输出功率P omax和效率η；（3）说明图中VD1、VD2的作用。

ccu Su ou o－+o三、运算电路1、运算电路如下图所示，（1）A1组成何种运算电路，有何特点？（2）当u i=1V，计算输出电压u o1值和u o值。

2、运算电路如下图所示，（1）A1、A2分别组成何种运算电路？（2）当u i1=0.1V，u i2=2V，试计算输出电压u o1值和u o 值。

四、深度负反馈的近似计算1、负反馈放大电路如下图所示，试：（1）判断反馈类型，说明该负反馈稳定输出电压还是稳定输出电流？分析其反馈类型对电路输入电阻、输出电阻的影响；（2）估算在深度负反馈条件下，闭环电压放大倍数A uf。

（3）指出运放的反相输入端是否为虚地端。

2、1、（14分）负反馈放大电路如下图所示，试：（1）判断反馈类型，说明该负反馈稳定输出电压还是稳定输出电流？分析此反馈类型对电路输入电阻、输出电阻的影响；（2）估算在深度负反馈条件下，闭环电压放大倍数A uf。

《电子技术基础(一)》期终考试试题 (A卷)及答案

《电子技术基础（一）》期终考试试题（A 卷）适用专业：题号一二三四五六总分积分人分数一、名词解释：（每小题2分，共10分）1、半导体三极管2、射极输出器3、电压传输特性4、整流电路5、稳压管二、填空题（每空档0.5分，共20分）1、二极管的类型按材料分有和两类。

2、2CW 是材料的二极管。

3、三极管有、和放大三种工作状态。

4、半导体是一种导电能力介于与之间的物质。

5、在放大电路中，静态工作点过高易出现，静态工作点过低易出现。

6、三极管实现电流放大的外部条件是：，。

7、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻要些，以减轻信号源的负担，输出电阻要些，以提高带负载的能力。

8、功放电路中，为了不失真地输出最大功率，功放管常采用放大，功放电路是电路。

9、放大电路级与级之间的连接方式有：、和直接耦合。

10、电压负反馈是稳定，反馈信号与成正比。

11、解决零点漂移最有效的办法是采用。

12、非线性比较器有和两种。

13、减法运算电路利用可以进行减法运算。

14、和运放工作在电压传输特性的非线性区，即。

15、差分放大电路中的差模输入信号表示加在两个输入端的信号电压、。

16、OTL电路中的输出电容代替OCL电路中的。

17、深度电压负反馈运放工作在电压传输特性的。

18、单相桥式整流电路中，若变压器二次侧电压U2=100V，则负载两端电压为V；若接入滤波电容，则负载两端电压为V。

19、常用的滤波电路有、和π形滤波。

20、桥式整流二极管中，若某个二极管虚焊，则输出只有。

21、常用的小功率直流稳压电源由电源变压器、、和稳压电路四部分组成。

22、W78M05输出电压为，输出电流为。

三、判断题（正确的打“√”,错误的打“×”）（每题1分，共12分）1、三极管的发射结正偏时，它必处于放大状态。

（）2、如果输入信号本身已是一个失真的正弦波，引入负反馈后不能改善失真波形。

中国大学mooc《电子技术实验基础(一：电路分析)(电子科技大学) 》满分章节测试答案

title电子技术实验基础（一：电路分析)（电子科技大学）中国大学mooc答案100分最新版content实验1-1 常用电子测量仪器的使用——数字示波器的使用数字示波器的使用单元测试题1、如图所示示波器的面板旋钮中，标出哪个按键是垂直通道的菜单按键A:AB:BC:CD:D答案: A2、如图所示示波器的面板旋钮中，标出哪个旋钮是水平通道的位移旋钮A:AB:BC:CD:D答案: C3、若被测试的信号是交直流叠加信号，示波器的垂直耦合方式应该选择哪一挡A:AC耦合B:DC耦合C:接低耦合D:AC、DC均可答案: DC耦合4、如图所示示波器的探头，测试信号时，探头应该与测试端应如何连接A:探勾接信号端钮，黑色鳄鱼夹接地B: 探勾接地，黑色鳄鱼夹接信号端钮C: 可以任意连接D:以上均不正确答案: 探勾接信号端钮，黑色鳄鱼夹接地5、如下图所示第四个菜单栏中，如果测量时发现该菜单栏显示不是电压1X，而是电压10X，应该调节哪个按键或旋钮使其为电压1XA:旁边的按键切换选择B:VARIABLE旋钮C:AUTOSETD:关机重启答案: VARIABLE旋钮6、下图是所示是示波器探头的手柄阻抗拨动开关细节图，若手柄放在1X端，垂直菜单栏中第四栏应怎么调节？若手柄放在10X端，又该怎样调节？A:电压1X、电压10XB:电压10X、电压1XC:电压1X、电压1XD:任意选择不影响结果答案: 电压1X、电压10X7、如图所示示波器的显示屏上，哪个标示的是通道1的零基线位置A:AB:BC:CD:D答案: C实验1-2 常用电子测量仪器的使用——函数发生器和晶体管毫伏表的使用函数发生器和晶体管毫伏表单元测验1、信号源输出周期信号时频率显示如图所示，当前输出信号的频率是多少？A:1HzB:10HzC:1KHzD:10KHz答案: 1KHz2、信号源给后级网络提供正弦信号，如果信号源幅度显示窗口显示如图所示，表明现在后级网络得到的信号电压大小是？A:不确定B:电压峰值是111mVC:电压峰峰值是111mVD:电压有效值是答案: 不确定3、下列说法正确的是？A: 数字万用表可以测量函数发生器输出信号中的直流分量B: 函数发生器只用“输出幅度调节”旋钮进行幅度调节C:函数发生器可用“直流偏移”旋钮输出直流电压信号D:函数发生器输出信号电压的最大值和最小值之间相差60dB答案: 数字万用表可以测量函数发生器输出信号中的直流分量4、列说法正确的是？A:毫伏表是用来测量包括直流电压在内的电压值的仪表B:使用毫伏表测量正弦信号的有效值时需要考虑正弦信号的频率C:毫伏表和万用表作为交流电压表都可以测量正弦信号的有效值，在没有毫伏表时，可以临时用万用表替代D:三角波信号和方波信号不能送入毫伏表测量答案: 使用毫伏表测量正弦信号的有效值时需要考虑正弦信号的频率5、某个正弦交流信号的有效值是0.8V，毫伏表应选择哪一档进行测量？A:10VB:3VC:1VD:300mV答案: 1V实验2 正弦稳态时RLC元件电压电流相位关系的测试正弦稳态时RLC元件电压电流相位关系的测试1、采用课程实验方案测量电感元件的电压电流相位关系时，为了获得近似90°的电压、电流波形相位差，信号源的频率应：A:适当增大信号源的频率；B:适当减小信号源的频率；C:调节信号源的频率不会影响相位差的测试；D:以上措施都不会改善测量结果答案: 适当增大信号源的频率；2、采用课程实验方案测量电容元件的电压电流相位关系时，示波器测量波形如图所示，下面哪种说法正确：A:CH1通道为取样电阻的电压信号， CH2通道为信号源信号；B:CH1通道为信号源信号， CH2通道为取样电阻的电压信号；C:CH2通道为电容元件的电压信号， CH1通道为取样电阻的电压信号；D:无法判断答案: CH1通道为信号源信号， CH2通道为取样电阻的电压信号；3、测量示波器相位差时显示的两路波形如图所示，为了能正确测量，应适当调节面板中哪个旋钮:A:A;B:B;C:C;D:D答案: A;4、测量示波器相位差时显示的两路波形如图所示，为了减小读数误差，需要适当应适当调节面板中哪个旋钮 :A:A;B:B;C:C;D:D答案: D5、采用课程实验方案正确测量元件的电压电流相位关系时，示波器测量波形如图所示，由此可以判断当前测试的是哪种元件:A:电感；B:电容；C:电阻；D:无法判断答案: 电阻；实验3 一阶RC电路频率特性研究一阶RC电路频率特性研究1、关于一阶RC低通滤波器的截止频率fc，如下描述中哪一项是正确的？A:电阻保持不变，减小电容值， fc降低B:电阻保持不变，增大电容值， fc降低C:截止频率处的输出电压是最大输出电压的50%D:低通滤波器的带宽是fc ~∞答案: 电阻保持不变，增大电容值， fc降低2、根据一阶RC低通滤波器的相频特性公式，随着频率从低到高，相位差的正确变化规律是：A:从0°~ -90°B:从0°~90°C:从-45°~+45°D:从0°~-180°答案: 从0°~ -90°3、测试低通滤波器的幅频特性曲线时，此处假设截止频率是大于500Hz的，如下哪种说法不正确：A: 测试过程中保持电路的输入信号幅度一致B:在大于20Hz的较低频率处找到最大输出电压后，再以此为参照开始测试C: 以输入电压为参照，调节频率至输出电压下降3dB就是截止频率D:在各个频率点测试时，应当保证测试输出电压的毫伏表的指针偏转超过刻度线的⅓答案: 以输入电压为参照，调节频率至输出电压下降3dB就是截止频率。

电子技术基础试题及答案

电子技术基础试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑“与”门的输出为“1”的条件是：A. 所有输入都为“1”B. 至少有一个输入为“0”C. 至少有一个输入为“1”D. 所有输入都为“0”答案：A2. 下列哪个元件不是半导体器件？A. 二极管B. 三极管C. 电容D. 场效应管答案：C3. 在模拟电路中，放大器的增益通常指的是：A. 输入电压与输出电压之比B. 输入电流与输出电流之比C. 输入功率与输出功率之比D. 输出电压与输入电流之比答案：A4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 随机噪声答案：D5. 在数字电路中，逻辑“或”门的输出为“0”的条件是：A. 所有输入都为“1”B. 所有输入都为“0”C. 至少有一个输入为“1”D. 至少有一个输入为“0”答案：B6. 以下哪种材料通常用于制作二极管的PN结？A. 硅B. 铜C. 铁D. 铝答案：A7. 一个理想的运算放大器具有以下哪个特性？A. 有限的输入阻抗B. 有限的输出阻抗C. 无限的输入阻抗D. 无限的输出阻抗答案：C8. 在数字电路中，D触发器的输出状态取决于：A. 当前时钟脉冲B. 上一个时钟脉冲C. 初始状态D. 外部输入答案：B9. 以下哪种波形的频率是固定的？A. 正弦波B. 随机噪声C. 锯齿波D. 方波答案：A10. 在模拟电路中，滤波器的作用是：A. 放大信号B. 抑制噪声C. 产生振荡D. 转换信号答案：B二、多项选择题（每题3分，共15分，每题至少有两个正确选项）1. 下列哪些元件可以用于整流电路？A. 二极管B. 三极管C. 电容D. 电感答案：A D2. 在数字电路中，下列哪些逻辑门可以实现逻辑“与”功能？A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：A3. 以下哪些因素会影响二极管的正向导通电压？A. 材料B. 温度C. 电流D. 反向电压答案：A B C4. 在模拟电路中，以下哪些元件可以用于信号放大？A. 运算放大器B. 电阻C. 电容D. 二极管答案：A D5. 以下哪些波形属于非周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 随机噪声答案：D三、填空题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑“非”门的输出是输入的________。

电子技术基础与技能训练试题

电子技术基础(模拟篇)第一章半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。

A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。

A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（）A. U I e SB. T U U I e SC. )1e (S －T U U ID. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（）。

A B C D5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。

A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。

A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。

A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（）构成。

A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（）。

A B C D11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不同量程时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。

A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12.在25ºC时，某二极管的死区电压U th≈，反向饱和电流I S≈，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（）。

电子技术基础考试必备(十套试题,有答案)

电子技术基础试题（八）一．填空题：(每题3分，共30分）1、PN结具有__________性能。

2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______.3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________小的特点，起阻抗变换作用.4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时，负载获得的功率最大，这种现象称为______________。

5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。

6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：______类功放，______类功放和_______类功放电路.7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量__________，以减少__________失真。

8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、和___________四个部分组成。

9．逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。

10．主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。

二．选择题（每题3分,共30分)1．晶体管二极管的正极的电位是－10V,负极电位是－5V,则该晶体二极管处于：（ ).A。

零偏 B.反偏 C。

正偏2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管：（)。

A.集电极电流减小B.集电极与发射极电压V CE上升 C。

集电极电流增大3．某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数:（）。

A.3A V B。

A3V C.A V3/3 D。

A V4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。

A.保证电路满足振幅平衡条件B。

提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大C。

使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡5．甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:（）.A。

电子技术基础考试试题

电子技术基础考试试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 以下哪个不是基本的电子元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 变压器2. 欧姆定律的公式是：A. V = I * RB. V = I / RC. I = V / RD. I = R / V3. 一个电路的总电阻为100Ω，当并联一个50Ω的电阻时，总电阻将：A. 大于100ΩB. 小于100ΩC. 等于100ΩD. 无法确定4. 以下哪个是半导体材料？A. 铜B. 银C. 硅D. 铁5. 一个电路的电流为2A，电压为10V，根据功率公式，该电路的功率是：A. 20WB. 5WC. 10WD. 40W6. 以下哪个不是数字逻辑门？A. ANDB. ORC. NOTD. XOR7. 一个正弦波的频率为50Hz，其周期是：A. 0.02秒B. 0.2秒C. 20秒D. 200秒8. 以下哪个是模拟信号？A. 数字电视信号B. 无线电广播信号C. 计算机数据信号D. 所有选项都是9. 一个电路的功率因数为0.8，其有效功率是视在功率的：A. 80%B. 100%C. 120%D. 200%10. 以下哪个是集成电路的分类？A. 模拟集成电路B. 数字集成电路C. 混合信号集成电路D. 所有选项都是二、填空题（每空2分，共20分）11. 电阻的单位是________。

12. 电流的国际单位是________。

13. 电压源的符号是________。

14. 一个电路的功率因数定义为________与________的比值。

15. 半导体材料的导电性介于________和________之间。

16. 逻辑门的输出状态只有两种，即高电平或________。

17. 一个周期性信号在一个周期内的平均值为________。

18. 模拟信号与数字信号的主要区别在于模拟信号是________变化的，而数字信号是离散的。

19. 集成电路按功能可分为________和________。

电子技术基础试题库(1-6章)

电子技术基础第一学期试题库（1~6章）一、填空题：（每空1分）1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为，和三类。

答：导体、半导体、绝缘体。

2、半导体具有特性，特性和特性。

答：热敏、光敏、掺杂。

3、PN结具有特性，即加正向电压时，加反向电压时。

答：单向导电、导通、截止。

4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。

答：0.7V、0.3V。

（中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。

答：最大整流电流、最高反向工作电压。

5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性。

答：小于、较好。

6、发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。

答：电、光、光、电。

7、三极管有三个电极，即极、极和极。

答：集电极、基极、发射极。

8、半导体三极管有型和型。

答：NPN、PNP。

（中）9、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极管具有作用。

答：电流放大。

10、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管的死区电压约v。

晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为v，锗管约为v。

答：0 .5、0.2、0.7、0.3。

11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是。

答：I C=βI B。

（中）25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管的。

答：增加、小。

12、三极管的极限参数分别是，，和。

答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。

（中）13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。

答：放大、开关。

14、放大电路按三极管连接方式可分为，和。

答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。

15、放大电路设置静态工作点的目的是。

答：使放大器能不失真地放大交流信号。

16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指，和。

7月全国自考电子技术基础(一)试题及答案解析

全国2018年7月电子技术基础(一)试题课程代码：02234一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。

每小题2分，共30分)1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示，当输入电压Ui=9V时，输出电压Uo为多少？( )。

A.3VB.6VC.9VD.15V2.三极管的主要参数Iceo的定义是( )。

A.集电极—发射极反向饱和电流B.集电极—基极反向饱和电流C.集电极最大允许电流D.集电极—发射极正向导通电流3.场效应管的转移特性如下图，则该管为( )。

A.Ｎ沟道耗尽型FETB.Ｎ沟道增强型FETC.Ｐ沟道耗尽型FETD.Ｐ沟道增强型FET4.普通硅二极管的死区电压为( )。

A.0.1VB.0.2VC.0.5VD.1.0V5.某三极管型号是３ＤＧ６，则根据该型号可知，该三极管是( )。

A.硅NPN型管B.硅PNP型管C.锗NPN型管D.锗PNP型管6.某三极管接在电路上，它的三个管脚的电位分别为U1=6V，U2=5.4V，U3=12V，则对应该管的管脚排列依次是( )。

A.E、B、CB.B、E、CC.B、C、ED.C、B、E17.共集电极放大电路的特点是( )。

A.输入电阻很小，输出电阻很大B.输入电阻很大，输出电阻很小C.电压放大倍数很高D.可用作振荡器8.测得某交流放大电路的输出端开路电压的有效值Uo=4V,当接上负载电阻RL=6kΩ时，输出电压下降为Uo=3V，则交流放大器的输出电阻ro是( )。

A.6kΩB.4kΩC.2kΩD.1kΩ9.下图所示电路是( )。

A.加法运算电路B.减法运算电路C.积分运算电路D.微分运算电路10.下图的放大器输出Ｕo为( )。

A.Uo=-UiRf/RiB.Uo=UiRf/RiC.Uo=(1+Rf/Ri)UiD.Uo=- (1+Rf/Ri)Ui11.以下哪个选项不是导致直接耦合放大器的零点漂移的主要原因?( )A.三极管ICBO随温度变化B.三极管UBE随温度变化C.三极管ICM随温度变化D.三极管β随温度变化12.单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V，则整流二极管承受的最大反压为( )。

电子技术基础l练习习题答案 (1)

第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

（对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。

电子技术基础与技能试题及参考答案(一)

电子技术基础与技能试题及参考答案（一）一、填空题（每空1分，共30分）1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。

2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。

3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。

4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。

5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。

6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。

7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。

8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。

9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2(1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10(1110)2×(101)2=( _____ )210．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。

11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。

二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。

全打“√”或全打“×”不给分。

每小题1分，共10分）1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。

（）2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。

（）3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。

（）4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。

（）5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。

电子技术基础试1

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电子技术基础试题(一)

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电子技术基础》考试试卷(附参考答案)

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《电子技术基础(一)》期终考试试题 (A卷)及答案

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电子技术基础与技能 试题及参考答案(一)

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