解码芯片丝印识别
芯片丝印对应型号MUN8

芯片丝印1DZAJ 丝印1DZBJ 丝印1DZCJ 丝印1DZDJ 丝印1DZEJ 丝印1DZFJ 丝印1DZGJ 丝印1DZHJ 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1DZIE 丝印1DZJE 丝印1DZKE 丝印1DZLE 丝印1DZME 丝印1DZNE 丝印1DZOE 丝印1DZPE 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1DZIF 丝印1DZJF 丝印1DZKF 丝印1DZLF 丝印1DZMF 丝印1DZNF 丝印1DZOF 丝印1DZPF 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1DZIG 丝印1DZJG 丝印1DZKG 丝印1DZLG 丝印1DZMG 丝印1DZNG 丝印1DZOG 丝印1DZPG 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1DZIH 丝印1DZJH 丝印1DZKH 丝印1DZLH 丝印1DZMH 丝印1DZNH 丝印1DZOH 丝印1DZPH 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1DZAE 丝印1DZBE 丝印1DZCE 丝印1DZDE 丝印1DZEE 丝印1DZFE 丝印1DZGE 丝印1DZHE 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1DZAF 丝印1DZBF 丝印1DZCF 丝印1DZDF 丝印1DZEF 丝印1DZFF 丝印1DZGF 丝印1DZHF 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印对应型号MUN7

芯片丝印1DYIJ 丝印1DYJJ 丝印1DYKJ 丝印1DYLJ 丝印1DYMJ 丝印1DYNJ 丝印1DYOJ 丝印1DYPJ 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1DYIG 丝印1DYJG 丝印1DYKG 丝印1DYLG 丝印1DYMG 丝印1DYNG 丝印1DYOG 丝印1DYPG 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1DYIH 丝印1DYJH 丝印1DYKH 丝印1DYLH 丝印1DYMH 丝印1DYNH 丝印1DYOH 丝印1DYPH 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1DYAK 丝印1DYBK 丝印1DYCK 丝印1DYDK 丝印1DYEK 丝印1DYFK 丝印1DYGK 丝印1DYHK 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1DYAL 丝印1DYBL 丝印1DYCL 丝印1DYDL 丝印1DYEL 丝印1DYFL 丝印1DYGL 丝印1DYHL 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1DYAS 丝印1DYBS 丝印1DYCS 丝印1DYDS 丝印1DYES 丝印1DYFS 丝印1DYGS 丝印1DYHS 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1DYAT 丝印1DYBT 丝印1DYCT 丝印1DYDT 丝印1DYET 丝印1DYFT 丝印1DYGT 丝印1DYHT 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
元器件表面丝印解析

元器件表面丝印解析
元器件表面丝印是指印刷在元器件外壳表面的标识文字、图案
或编号。
它通常由印刷工艺完成,用于对元器件进行识别和区分。
以下是对元器件表面丝印的解析内容:
1. 标识信息:元器件表面丝印通常包含了制造商的商标、型号、日期代码、电气规格等信息。
这些标识信息对于正确使用和维护
元器件非常重要。
2. 制造商标识:在元器件表面丝印中,制造商标识通常以文字
或图形的形式出现。
这些标识可以帮助我们确定元器件的制造商,同时也可以用于判断元器件的质量和可靠性。
3. 型号和规格:元器件的型号和规格信息对于正确使用元器件
至关重要。
通过观察元器件表面丝印上的型号和规格,我们可以
准确地了解元器件的性能参数、电气特性以及适用范围。
在选型
和设计电路时,这些信息是必不可少的。
4. 日期代码:一些元器件表面丝印中还包含了日期代码,用于
表示元器件的生产日期。
通过解析日期代码,我们可以判断元器
件的生命周期和可靠性。
特别是对于需要长期使用或更换元器件
的应用,这一信息对于预防故障非常重要。
需要注意的是,元器件表面丝印的解析并非绝对准确,因为不
同厂商可能采用不同的标识规则和格式。
因此,在使用元器件表
面丝印信息时,最好与元器件的技术规格书相结合,确保准确理
解元器件的属性和特性。
元器件表面丝印是对元器件进行识别和区分的重要标识。
通过
准确解析元器件表面丝印中的标识信息,我们可以更好地了解元
器件的制造商、型号、规格和生产日期,从而确保正确选用和使
用元器件。
芯片丝印对应型号MUN28

芯片丝印1ERAH 丝印1ERBH 丝印1ERCH 丝印1ERDH 丝印1EREH 丝印1ERFH 丝印1ERGH 丝印1ERHH 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1ERAE 丝印1ERBE 丝印1ERCE 丝印1ERDE 丝印1EREE 丝印1ERFE 丝印1ERGE 丝印1ERHE 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1ERAF 丝印1ERBF 丝印1ERCF 丝印1ERDF 丝印1EREF 丝印1ERFF 丝印1ERGF 丝印1ERHF 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1ERIK 丝印1ERJK 丝印1ERKK 丝印1ERLK 丝印1ERMK 丝印1ERNK 丝印1EROK 丝印1ERPK 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1ERIL 丝印1ERJL 丝印1ERKL 丝印1ERLL 丝印1ERML 丝印1ERNL 丝印1EROL 丝印1ERPL 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1ERAQ 丝印1ERBQ 丝印1ERCQ 丝印1ERDQ 丝印1EREQ 丝印1ERFQ 丝印1ERGQ 丝印1ERHQ 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
芯片丝印1ERAR 丝印1ERBR 丝印1ERCR 丝印1ERDR 丝印1ERER 丝印1ERFR 丝印1ERGR 丝印1ERHR 封装SOT23-6 封装SOT23-5封装SOT23-8
trsf16127a 芯片丝印标准

一、概述:在电子产品的设计生产过程中,芯片是一个非常重要的组成部分,而芯片的丝印标准则是保证电子产品质量和良好用户体验的关键之一。
本文将结合实际经验和行业标准,探讨trsfxxxa芯片丝印标准的相关内容,希望能够为相关领域的从业人员提供一些参考。
二、trsfxxxa芯片丝印标准的定义trsfxxxa芯片丝印标准是指对芯片表面的标识进行规范化的要求,以确保在电子产品的使用和维护过程中,用户能够清晰地识别芯片的型号、生产厂商、生产批次等信息,同时也有利于生产和维护工作人员进行追溯和管理。
三、trsfxxxa芯片丝印标准的要求1. 文字清晰:芯片丝印标识的文字应当清晰可辨,不得有模糊、断裂或混淆的情况,以保证用户和工作人员能够准确识别并记录相关信息。
2. 字体规范:丝印标识所使用的字体应当符合行业标准要求,统一规范,不得出现异体字或变形的情况,以保证信息的一致性和可读性。
3. 色彩鲜明:丝印标识的颜色应当鲜明明确,不得出现虚浮、晕染或褪色的情况,以保证在不同背景下的清晰可见性。
4. 尺寸规范:丝印标识的尺寸应当符合技术要求和设计规范,保证在不同大小的芯片表面能够显示清晰完整的标识信息。
四、trsfxxxa芯片丝印标准的应用trsfxxxa芯片丝印标准适用于各类芯片产品的生产和使用过程,包括但不限于集成电路芯片、处理器芯片、存储芯片等,它保证了用户在选择、安装和维护电子产品时能够准确识别芯片型号和信息,有利于相关工作人员进行质量管理和售后服务。
五、trsfxxxa芯片丝印标准的重要性1. 保障质量:规范的丝印标识有利于消除因标识模糊或不清晰而导致的误操作和误判,保障电子产品的质量和稳定性。
2. 提升效率:清晰的丝印标识有利于生产和维护人员快速准确地查找和识别芯片信息,提升工作效率和准确性。
3. 提升用户体验:用户能够清晰识别芯片的型号和信息,有利于产品的选择和使用体验,提升产品的市场竞争力。
六、结语trsfxxxa芯片丝印标准是确保电子产品质量和用户体验的重要因素,它规范了芯片表面标识的要求和应用范围,有利于提升产品质量、生产效率和用户体验。
通过电脑主板上的丝印判断元件类型的方法步骤

要通过主板上的丝印大致判断元件类型,先来认识几个英文单词:电阻Resistor电容:Capacity电感:Inductance二极管:Diode三极管:triode场管:field effect transistorFET主板上元件的标识也有一定的规律可循:1、电阻的标识含字母“R”此外还有热敏电阻用 RT 或 RH 开头去标识。
2、电容的标识含字母“C”3、电感的标识含字母“L”4、二极管的标识含字母“D”(1)上图中 PD25、PD26 是单二极管,利用二极管正向导通特性,用二极体档位(万用表为:FLUKE15B 下文同)在主板上测得导通值为:228,取下元件测得值为:260仔细观察主板上 PD22 的第 1 脚与第 2 脚相连,故其也为单二极管。
在线测得导通值为 125,取下测得 133(2) PD34 为双二极管。
其内部构造可能有以下几种情况:A B C用二极体档在线测量时,用黑红表笔分别接触任意两脚,六次测量中,均有读数。
看来此时在线测量是不准确的。
要么元件损坏,要么万用表上的读数受到了外围电路的影响。
取下 D34,六次测量中,有两次有读数:当红笔接 3 脚,黑笔接 1 脚时,读数为 557;当红笔接 2 脚,黑笔接 3 脚时,读数为 553。
根据二极管的正向导通特性可知,此双二极管属于“首尾相连”型,即为 A 型(3)上图中双二极 PD30、PD40 在线是可以测量出其类型的,分别为 B 型、A 型。
5、主板上的三极管和场效应管的标识含有字母“Q”此部分的反面有一电源管理芯片 MAX1999,它控制着两路 PWM 电路。
结合主板上的锡箔走线可以判定此为一路 PWM 电路的一部分,PQ154、PQ155 分别是上下管,且为单MOS 管。
分别取下 PQ154、PQ155,用黑红表笔交替测量 D、S 极。
当红表笔接 S 极,黑表笔接D 极时,均有读数:上管读数为 510,下管读数为 189。
芯片识别法

区别原装正货和翻新货的主要方法:1、看芯片表面是否有打磨过的痕迹。
凡打磨过的芯片表面会有细纹甚至有以前印字的微痕,有的为掩盖还在芯片表面涂有一层薄涂料,看起来有点发亮,无塑胶的质感。
2、看印字。
现在的芯片绝大多数采用激光打标或用专用芯片印刷机印字,字迹清晰,既不显眼,又不模糊且很难擦除。
翻新的芯片要么字迹边沿受清洗剂腐蚀而有“锯齿”感,要么印字模糊、深浅不一、位置不正、容易擦除或过于显眼。
另外,丝印工艺现在的IC大厂早已淘汰,但很多芯片翻新因成本原因仍用丝印工艺,这也是判断依据之一,丝印的字会略微高于芯片表面,用手摸可以感觉到细微的不平或有发涩的感觉。
不过需留意的是,因近来小型激光打标机的售价大幅降低,翻新IC越来越多的采用激光打标,某些新片也会用此方法改变字标或干脆重打以“提高”芯片的档次,这需要格外留意,且区分方法比较困难,需练就“火眼金睛”。
主要的方法是看整体的协调性,字迹与背景、引脚的新旧程度不符,如字标过新、过清有问题的可能性也较大,但不少小厂特别是国内的某些小IC 公司的芯片却生来如此,这为鉴定增添了不少麻烦,但对主流大厂芯片的判断此法还是很有意义的。
另外,近来用激光打标机修改芯片标记的现象越来越多,特别是在内存及一些高端芯片方面,一旦发现激光印字的位置存在个别字母不齐、笔画粗细不均的,可以认定是Remark的。
3、看引脚。
凡光亮如“新”的镀锡引脚必为翻新货,正货IC的引脚绝大多数应是所谓“银粉脚”,色泽较暗但成色均匀,表面不应有氧化痕迹或“助焊剂”,另外DIP等插件的引脚不应有擦花的痕迹,即使有(再次包装才会有)擦痕也应是整齐、同方向的且金属暴露处光洁无氧化。
4、看器件生产日期和封装厂标号。
正货的标号包括芯片底面的标号应一致且生产时间与器件品相相符,而未Remark的翻新片标号混乱,生产时间不一。
Remark的芯片虽然正面标号等一致,但有时数值不合常理(如标什么“吉利数”)或生产日期与器件品相不符,器件底面的标号若很混乱也说明器件是Remark的。
芯片丝印反查

Manufacturer abbreviations:Agi Agilent (was HP).ON ON Semiconductors (was Motorola). CJe Changjiang Electronics CO., LTD Phi Philips.Dio Diodes Inc.--Fch Fairchild.Roh Rohm.HP Hewlett-Packard (Now Agilent).SGS SGS-Thompson.Inf Infineon (was Siemens).Sie Siemens (now Infineon).ITT ITT Semiconductors.Sil Siliconix (Vishay-Silliconix).MC Mini-Circuits.STM STMicroelectronicsMot Motorola (now ON Semiconductors).Tem Temic Semiconductors.Nat National Semiconductor.Tfk Telefunken (Vishay-Telefunken). Nec NEC.Tok Toko Inc.NJRC New Japan Radio Co.Zet Zetex.制作:Coolbor XieCoolbor工作室E-Mail:coolbor@163.com2003年12月10日Code Device Manufacturer Base Package Leaded Equivalent/Data0 2SC3603 Nec CX SOT173 N pn RF fT 7GHz005 SSTPAD5 Sil J -PAD-5 5pA leakage diodep01 PDTA143ET Phi N SOT23 pnp dtr 4k7+4k7t01 PDTA143ET Phi N SOT23 pnp dtr 4k7+4k701 Gali-1 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 12dB gain 010 SSTPAD10 Sil J - PAD-10 10pA leakage diode 011 SO2369R SGS R SOT23R 2N236902 BST82 Phi M - n-ch mosfet 80V 175mA02 MRF5711L Mot X SOT143 npn RF MRF57102 DTCC114T Roh N - 50V 100mA npn sw + 10k base res 02 Gali-2 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 16dB gain p02 PDTC143ET Phi N SOT23 npn 4k7+4k7 bias rest02 PDTC143ET Phi N SOT23 npn 4k7+4k7 bias res03 Gali-3 MC AZ SOT89 DC-3GHz MMIC amp 22dB gain 03 DTC143TE Roh N EMT3 npn dtr R1 4k7 50V 100mA03 DTC143TUA Roh N SC70 npn dtr R1 4k7 50V 100mA03 DTC143TKA Roh N SC59 npn dtr R1 4k7 50V 100mA04 DTC114TCA Roh N SOT23 npn dtr R1 10k 50V 100mA04 DTC114TE Roh N EMT3 npn dtr R1 10k 50V 100mA04 DTC114TUA Roh N SC70 npn dtr R1 10k 50V 100mA04 DTC114TKA Roh N SC59 npn dtr R1 10k 50V 100mA04 MRF5211L Mot X SOT143 pnp RF MRF52104 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 17.5 dBm -04 PMSS3904 Phi N SOT323 2N3904t04 PMBS3904 Phi N SOT23 2N390405 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 18 dBm o/p 05 DTC124TE Roh N EMT3 npn dtr R1 22k 50V 100mA05 DTC124TUA Roh N SC70 npn dtr R1 22k 50V 100mA05 DTC124TKA Roh N SC59 npn dtr R1 22k 50V 100mA05F TSDF1205R Tfk WQ - fT12GHz npn 4V 5mA06 Gali-6 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 115 dBm o/p 06 DTC144TE Roh N EMT3 npn dtr R1 47k 50V 100mA06 DTC144TUA Roh N SC70 npn dtr R1 47k 50V 100mA06 DTC144TKA Roh N SC59 npn dtr R1 47k 50V 100mA-06 PMSS3906 Phi N SOT323 2N3906t06 PMBS3906 Phi N SOT23 2N3906020 SSTPAD20 Sil J - PAD-20 20pA leakage diode 050 SSTPAD50 Sil J - PAD-50 50pA leakage diode 081 SO2369AR SGS R SOT23R 2N2369A09 DTC115TUA Roh N SC70 npn dtr R2 100k 50V 100mA09 DTC115TKA Roh N SC59 npn dtr R2 100k 50V 100mA0A MUN5111DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 10k+10k0A DTC125TUA Roh N SC70 npn dtr R2 100k 50V 100mA0A DTC125TKA Roh N SC59 npn dtr R2 100k 50V 100mA0B MUN5112DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 22k+22k0C MUN5113DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 47k+47k0D MUN5114DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 10k+47k0E MUN5115DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr R1 10k0F MUN5116DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr R1 4k70G MUN5130DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 1k0+1k00H MUN5131DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 2k2+2k20J MUN5132DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 4k7+4k70K MUN5133DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 4k7+47k0L MUN5134DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 22k+47k0M MUN5135DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 2k2+47kCode Device Manufacturer Base Package Leaded Equivalent/Data12SC3587Nec CX -npn RF fT10GHz1BA277Phi I SOD523VHF Tuner band switch diode1 (red)BB669Sie I SOD32356-2.7 pF varicap10MRF9411L Mot X SOT143npn Rf 8GHz MRF94110A PZM10NB2A Phi A SOT346dual ca 10V 0.3W zener10A ZXRE1004FF Zet G SOT23Micropower (4µA) 1.22V Voltage ref. 3% 10B ZXRE1004EF Zet G SOT23Micropower (4µA) 1.22V Voltage ref. 2% 10C ZXRE1004DF Zet G SOT23Micropower (4µA) 1.22V Voltage ref. 1% 10D ZXRE1004CF Zet G SOT23Micropower (4µA) 1.22V Voltage ref. 0.5% 10F ZXRE4041FF Zet G SOT23Micropower 1.222V Voltage ref. 3%10G ZXRE4041EF Zet G SOT23Micropower 1.222V Voltage ref. 2%10H ZXRE4041DF Zet G SOT23Micropower 1.222V Voltage ref. 1%10J ZXRE4041CF Zet G SOT23Micropower 1.222V Voltage ref. 0,5% 10V PZM10NB Phi C SOT34610V 0.3W zener10Y BZV49-C10Phi O SOT8910V 1W zener11MRF9511L Mot X SOT143npn RF 8GHz MRF95111MUN5311DW1Mot DP SOT363npn/pnp dtr 10k+10k11PDTA114EU Phi N SOT416pnp dtrp11PDTA114TT Phi N SOT23pnp dtrt11PDTA114TT Phi N SOT23pnp dtr11A PZM11NB2A Phi A SOT346dual ca 11V 0.3W zener11A MMBD1501A Nat C SOT23Si diode 200V 100mA11V PZM11NB Phi C SOT34611V 0.3W zener11Y BZV49-C11Phi O SOT8911V 1W zener12MUN5312DW1Mot DP SOT363npn/pnp dtr 22k+22k12DTA123EUA Rho N SC70pnp dtr 2k2+2k2 50V 100ma12DTA123EKA Rho N SC59pnp dtr 2k2+2k2 res 50V 100map12PDTC114TT Phi N SOT23npn dtrt12PDTC114TT Phi N SOT23npn dtr12A MMBD1502A Nat K SOT23Si diode 200V 100mA12A PZM12NB2A Phi A SOT346dual ca 12V 0.3W zener12E ZC2812E Zet D SOT23dual series RF schottky15V 20mA12F ZXRE125FF ZET G SOT23Micropower 1.22V Voltage ref. 3%12G ZXRE125EF ZET G SOT23Micropower 1.22V Voltage ref. 2%12H ZXRE125DF ZET G SOT23Micropower 1.22V Voltage ref. 1%12J ZXRE125CF ZET G SOT23Micropower 1.22V Voltage ref. 0,5%12V PZM12NB Phi C SOT34612V 0.3W zener12Y BZV49-C12Phi O SOT8912V 1W zener13DTA143EUA Rho N SC70pnp dtr 4k7+4k7 50V 100ma13DTA143EKA Rho N SC59pnp dtr 4k7+4k7 50V 100ma13DTA143ECA Rho N SOT23pnp dtr 4k7+4k7 50V 100ma13t BC846BPN Phi N SOT363BC546B13s BAS125Sie C SOT23Schottky sw 24V 100mA13s BAS125W Sie C SOT323Schottky sw 24V 100mA13MA4CS103A M/A C SOT23Schottky RF 20V 100mA13MUN5313DW1Mot DP SOT363npn/pnp dtr 47k+47k13A MMBD1503A Nat D SOT23dual Si diode 200V 100mA13A PZM13NB2A Phi A SOT346dual ca 13V 0.3W zener13E ZC2813E Zet A SOT23dual ca RF schottky15V 20mA13V PZM13NB 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diodes 2L MMBT5401Mot N SOT232N5401 pnp 150V2L FMMT4403Zet N SOT232N4403p2L PMBT5401Phi N SOT232N5401 pnp 150Vt2L PMBT5401Phi N SOT232N5401 pnp 150Vt2L PMST5401Phi N SOT3232N5401 pnp 150V2M BAT754C Phi B SOT23Schottky barrier double diodes 2M FMMT5087Zet N SOT232N50872M MMBT404Mot N SOT23pnp-chopper 24V 150mA2N BAT754S Phi D SOT23Schottky barrier double diodes 2N MMBT404A Mot N SOT23pnp-chopper 35V 150mA2N0ZXT11N20DF Zet N SOT23npn 20V 2.5A low sat switch2P FMMT2222R Zet R SOT23R2N22222P MMBT5086Mot N SOT232N50862Q MMBT5087Mot N SOT232N50872R HSMS-8102HP Z SOT2310-14GHz schottky mixer pair2T SO4403SGS N SOT232N44032T MMBT4403Mot N SOT232N4403p2T PMBT4403Phi N SOT232N4403p2T PXT4403Phi O SOT892N4403t2T PMBT4403Phi N SOT232N4403t2T PMST4403Phi N SOT3232N44032T HT2Zet N SOT23pnp 80V 100mA2U MMBTA63Mot N SOT23MPSA63 darlingtont2U PMBTA63Phi N SOT23MPSA63 darlington2V MMBTA64Mot N SOT23MPSA64 darlingtonp2V PXTA64Phi O SOT89MPSA64 darlingtont2V PMBTA64Phi H SOT23MPSA64 darlington2V4PZM2.4NB 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FMMTA20R Zet R SOT23R MPSA203C BC857Sie DO -pnp separate pair gp AF 3D BC856Phi N SOT23BC556 hfe 75 min3Dp BC856Phi N SOT23BC556 hfe 75 min3Dt BC856Phi N SOT23BC556 hfe 75 min3Dt BC856W Phi N SOT323BC556 hfe 75 min3D-BC856W Phi N SOT323BC556 hfe 75 min3D MMBTH81L Mot N SOT23UHF pnp fT 600MHz3D BC856S Sie DO -pnp separate pair gp AF 3E BC857A Phi N SOT23BC557A3E BC857AT Phi N SOT416BC557A3Ep BC857A Phi N SOT23BC557A3Et BC857A Phi N SOT23BC557A3Et BC857A Phi N SOT323BC557A3E-BC857A Phi N SOT323BC557A3E MMBTH10Mot N SOT23MPSH10 fT 650MHz3E FMMT-A42Zet N SOT23MPSA423EM MMBTH10L Mot N SOT23VHF amp 650MHz fT3ER BC857AR Phi R SOT23R BC557A3EZ FMMTH10Zet N SOT23npn fT 650MHz3F BC857B Phi N SOT23BC557B3F BC857BT Phi N SOT416BC557B3Fp BC857B Phi N SOT23BC557B3Fs BC857B Sie N SOT23BC557B3Ft BC857B Phi N SOT23BC557B3Ft BC857BW Phi N SOT323BC557B3Ft BC857BS Phi N SOT363BC557B3F-BC857BW Phi N SOT323BC557B3FR BC857BR Phi R SOT23R BC557B3G BC857C Phi N SOT23BC557C3Gp BC857C Phi N SOT23BC557C3G BC857C Phi N SOT23BC557C3Gs BC857C Sie N SOT23BC557C3Gt BC857C Phi N SOT23BC557C3Gt BC857CW Phi N SOT323BC557C3G-BC857CW Phi N SOT323BC557C3G MMBTH11NS N SOT23-3G MGSF3454X Mot DK TSOP6n-ch enh tmosfet 1.75A 3GR BC857CR Phi R SOT23R BC557CR3Hp BC857C Phi N SOT23BC5573Ht BC857C Phi N SOT23BC5573Ht BC857CW Phi N SOT323BC5573H MMBTH30NS N SOT23-3H-BC857CW Phi N SOT323BC5573J MMBTH69Mot N SOT23pnp UHF fT 2GHz3J BC858A Phi N SOT23BC558A3Js BC858A Sie N SOT23BC558A3JR BC858AR Phi R SOT23R BC558A3Js BCV62A Sie VQ SOT143pnp current mirror hFe 180。
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圈起部பைடு நூலகம் 为区分不 同IC的识 别码
版本号
注意:只要保证 型号的 注意:只要保证IC型号的 (1)和(2)部分名称相同,也 部分名称相同, 和 部分名称相同 就是被圈起的丝印相同, 就是被圈起的丝印相同, 则为同型号芯片。 则为同型号芯片。
主芯片丝印识别
芯片型号: 芯片型号:ZR□ □ □ □ □ □ □ □ □/ □ □ (1) (2) (3) 说明: 说明: (1)芯片主型号 (2)芯片封装类型 (3)功能标识(有的芯片没有)
注意:只要保证 型号的 型号的(1) 注意:只要保证IC型号的 部分名称相同, 和(3)部分名称相同,也就 部分名称相同 是如图被圈起的丝印相同, 是如图被圈起的丝印相同, 则为同型号芯片。 则为同型号芯片。
解码IC丝印对比识 别方法
】【
DIGITAL
ZR36966 P0CG A0 GS7CGP0748KA
圈起部分为 区分不同IC 的识别码
Vaddis 966
XF
@
ZR36966 P0CG:芯片主型号 A0:掩模型号 GS:芯片厂 7/C:FAB 年份/季度 GP:封装厂 07/48:封装年份/周次 KA:LOT Number XF:功能标识