[大连理工大学]20春《模拟电子技术》在线作业2-复习资料答案

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北理工20年春季《模拟电子技术》在线作业_3.doc

北理工20年春季《模拟电子技术》在线作业_3.doc

1.温度升高,晶体管的管压降|UBE|()A.升高B.降低C.不变【参考答案】: B2.UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。

A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管【参考答案】: B3.PN结加正向电压时,空间电荷区将( ) 。

A.变窄B.基本不变C.变宽【参考答案】: A4.放大电路产生零点漂移的主要原因是:()A.电压增益太大B.环境温度变化C.采用直接耦合方式D.采用阻容耦合方式【参考答案】: B5.稳压二极管构成的稳压电路,其接法是()。

A.稳压二极管与负载电阻串联B.稳压二极管与负载电阻并联C.限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联【参考答案】: B6.在电压放大电路的高频截止频率点,电压增益比中频区增益下降3dB,这时在相同输入电压条件下,与中频区比较,输出电压下降为()。

A.1B.10C.1.414D.0.707【参考答案】: D7.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏【参考答案】: B8.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大( )A.交流功率B.直流功率C.平均功率【参考答案】: A9.某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5μA和5 mA,输出端接2kΩ电阻负载,测量到正弦电压信号峰—峰值1V,则AI( )。

A.46dBB.40dBC.43dB【参考答案】: B10.温度影响了放大电路中的(),从而使静态工作点不稳定。

A.电阻B.电容C.三极管D.电源【参考答案】: C11.关于集成运算放大器,下列说法正确的是()A.集成运放是一种高电压放大倍数的直接耦合放大器B.集成运放只能放大直流信号C.希望集成运放的输入电阻大,输出电阻小D.集成运放的CMRR大【参考答案】: ACD12.功率放大电路与电流放大电路的区别是()A.前者比后者电流放大倍数大B.前者比后者效率高C.在电源电压相同的情况下,前者比后者的输出功率大【参考答案】: BC13.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用( )滤波电路;为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( )滤波电路。

[大连理工大学]20春《模拟电子技术》在线作业1-复习资料答案

[大连理工大学]20春《模拟电子技术》在线作业1-复习资料答案

科目名称:大工20春《模拟电子技术》在线作业1
学校名称:奥鹏-大连理工大学
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。

A.发射极
B.集电极
C.基极
D.无法确定
提示:本题为必答题,请认真阅读题目后再作答
--本题参考答案:B
2.关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A.基区很薄且掺杂浓度很低
B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D.集电区面积大于发射区面积
提示:本题为必答题,请认真阅读题目后再作答
--本题参考答案:C
3.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。

A.NPN型锗管
B.PNP型锗管
C.PNP型硅管
D.NPN型硅管
提示:本题为必答题,请认真阅读题目后再作答
--本题参考答案:B
4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。

A.共射极
B.共集电极
C.共基极
D.不确定
提示:本题为必答题,请认真阅读题目后再作答
--本题参考答案:B
5.引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。

A.输入电阻太小
B.静态工作点偏低
C.静态工作点偏高
D.输出电阻太小
提示:本题为必答题,请认真阅读题目后再作答。

大连理工大学奥鹏大工20春《模拟电子线路》在线作业2-试题标准答案

大连理工大学奥鹏大工20春《模拟电子线路》在线作业2-试题标准答案
【答案】:A
8.某BJT三极管处于放大状态,测出IB=18μA时,IE=1.2mA,该三极管的电流放大系数β约为()。
【选项】:
A 33
B 66
C 99
D 132
【答案】:B
9.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
【选项】:
A NPN型锗管
B PNP型锗管
C PNP型硅管
T对
F错
【答案】:B
16.由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路都毫无变化可言。
【选项】:
T对
F错
【答案】:B
17.随着温度的上升,BJT的Vbe将增大。
【选项】:
T对
F错
【答案】:B
18.处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
【选项】:
Hale Waihona Puke T对F错【答案】:B
【选项】:
A共射极
B共集电极
C共基极
D不确定
【答案】:B
6.在同时比较三种基本放大电路的特点时,下列描述正确是()。
【选项】:
A共射电路的Ri最大
B共集电路的Av最小
C共基电路的Av最小
D共射电路的Ro最小
【答案】:B
7. PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流。
【选项】:
A大于
B小于
C等于
D无法确定
【选项】:
A饱和失真
B截止失真
C交越失真
D频率失真
【答案】:A
3.以下不是共集电极放大电路的是()。
【选项】:
A射极输出器
B电压跟随器
C电流放大器

2020年最新奥鹏东北大学20春学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线平时作业1-参考答案

2020年最新奥鹏东北大学20春学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线平时作业1-参考答案
东北大学
《模拟电子技术基础Ⅰ》在线平时作业1
参考答案
20春学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线平时作业1
一、单选题
1通用型集成运放适用于放大()。
A高频信号
B低频信号
C任何频率信号
我的得分:4分
我的答案:B
2在脉宽调制式串联型开关稳压电路中,为使输出电压增大,对调整管基极控制信号的要求是
A周期不变,占空比增大
A
直接耦合放大电路中所引入的负反馈
B
只有放大直流信号时才有的负反馈
C在直流通路中的负反馈
我的得分:4分
我的答案:C
14
欲实现Au=-100的放大电路,应选用
A反相比例运算电路
B同相比例运算电路
C积分运算电路
D微分运算电路
我的得分:4分
我的答案:A
15
串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是
A基准电压
A错误
B正确
我的得分:4分
我的答案:A
4
只有直接耦合放大电路才有温漂。
A错误
B正确
我的得分:4分
我的答案:A
5
运放的输入失调电流IIO是两端电流之差。
A错误
B正确
我的得分:4分
我的答案:B
6
互补输出级应采用共集或共漏接法。
A错误
B正确
我的得分:4分
我的答案:B
7
A错误
B正确
我的得分:4分
我的答案:A
B将高频变为低频
C将交、直流混合量中的交流成分滤掉
我的得分:4分
我的答案:C
5
为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用()。
A共射放大电路
B共集放大电路

《模拟电子技术基础》详细习题答案(华成英版,高教版) (2)

《模拟电子技术基础》详细习题答案(华成英版,高教版) (2)

模拟电子技术基础详细习题答案(华成英版,高教版)第一章电子技术基础概述习题1.1a)电子技术的基本要素包括电力、电信号、电路、电器装置和电子元器件。

b)电力系统主要由发电厂、送电网络和用电设备组成。

c)电信号又称为电气信号,是电流、电压或电场随时间变化的物理量。

d)电路是指由导线、电源和电器元件组成的电子系统。

e)电器装置指的是利用电能完成某种功能的设备,如电灯、电视机等。

f)电子元器件是电子电路系统中的重要组成部分,如电阻、电容、晶体管等。

习题1.2a)在模拟电子技术中,主要研究电子设备和电路的工作原理和设计方法。

b)数字电子技术是指通过数字信号进行信息处理的电子技术,主要研究数字信号处理和数字电路设计。

c)电子技术的发展对社会经济的影响非常大,它在通信、计算机、医疗、航天等领域都有广泛的应用。

d)电子技术的基本特点包括可靠性高、适应性强、可自动化和集成度高。

e)电子技术的发展趋势包括小型化、高速化和多功能化。

习题1.3a)模拟电子技术的主要发展阶段包括电晶体管时代、集成电路时代、超大规模集成电路时代和超大规模集成电路时代。

b)电晶体管时代指的是20世纪50年代到60年代的阶段,主要采用电晶体管作为电子元器件。

c)集成电路时代指的是20世纪60年代到70年代的阶段,主要采用集成电路作为电子元器件。

d)超大规模集成电路时代指的是20世纪70年代到90年代的阶段,研制出了集成度更高的大规模集成电路。

e)超大规模集成电路时代指的是20世纪90年代以后的阶段,研制出了集成度更高的超大规模集成电路。

f)当前阶段的主要发展趋势是系统级集成电路和三维集成电路的研究。

习题1.4a)电子技术的主要应用领域包括通信、计算机、工业控制、医疗和航天等。

b)在通信领域,电子技术主要用于电话、无线通信、卫星通信和光纤通信等方面。

c)在计算机领域,电子技术主要用于计算机硬件的设计和制造,以及计算机网络和信息安全等方面。

d)在工业控制领域,电子技术主要用于自动化设备和过程控制系统的设计和实现。

大连理工大学22春“电力系统自动化技术”《模拟电子线路》作业考核题库高频考点版(参考答案)试题号2

大连理工大学22春“电力系统自动化技术”《模拟电子线路》作业考核题库高频考点版(参考答案)试题号2

大连理工大学22春“电力系统自动化技术”《模拟电子线路》作业考核题库高频考点版(参考答案)一.综合考核(共50题)1.已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。

A.发射极B.集电极C.基极D.无法确定参考答案:B2.电流源电路的特点是直流电阻()。

A.大B.小C.恒定D.不定参考答案:B3.关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A.基区很薄且掺杂浓度很低B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D.集电区面积大于发射区面积参考答案:C4.以下不是共集电极放大电路的是()。

A.射极输出器B.电压跟随器C.电流放大器D.电压放大器参考答案:D5.耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。

A.必须正偏B.必须零偏C.必须反偏D.可以正偏、零偏或反偏参考答案:D6.差模输入信号是指()。

A.大小相等,极性相反B.大小相等,极性相同C.大小不等,极性相同D.大小不等,极性相反参考答案:A7.在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是()。

A.共射组态B.共集组态C.共基组态D.无法确定参考答案:C8.差分放大电路的长尾电阻的主要功能是(),而提高共模抑制比。

A.抑制共模信号B.抑制差模信号C.放大共模信号D.既抑制共模信号又抑制差模信号参考答案:A以下哪种说法是对阻容耦合的正确描述?()A.利用电容和电阻作为耦合元件将前后两级放大电路连接起来B.将前级放大电路和后级放大电路直接相连C.低频特性好D.易于集成化参考答案:A10.稳压管的稳压区是其工作在()。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.反向饱和参考答案:C11.二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将()。

A.右移B.左移C.上移D.下移参考答案:D12.用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(指NPN型还是PNP型),以测出()最为方便。

大工2020年春《模拟电子技术》在线作业3学习资料答案

大工2020年春《模拟电子技术》在线作业3学习资料答案

【奥鹏】-大连理工20春《模拟电子技术》在线作业3
提示:请认真阅读本套试卷,核对是否是您需要的题目,本套试卷只做参考学习
使用!!!
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
【题目】当电路中的反馈信号以电流的形式出现在电路输入回路的反馈称为()反馈。

[A.]串联
[B.]并联
[C.]电压
[D.]电流
正确的选择是:B
【题目】电压、电流反馈的判断方法说法错误的是()。

[A.]常用方法是“输出短路法”
[B.]设RL=0(或vo=0),若反馈信号不存在了,则是电压反馈
[C.]设RL=0(或vo=0),若反馈信号仍然存在,则是电流反馈
[D.]电流负反馈能稳定输出电压
正确的选择是:D
【题目】已知正弦波振荡电路的RC串并联选频网络中,R=10kΩ,C=【题目】01μF,则该电路的振荡频率f0=()。

[A.]343Hz
[B.]85【题目】7Hz
[C.]159【题目】5Hz
[D.]261【题目】1Hz
正确的选择是:C
【题目】若反馈信号正比于输出电压,该反馈为()反馈。

[A.]串联
[B.]并联
[C.]电压
[D.]电流
正确的选择是:C
【题目】串联型线性稳压电路中的放大环节放大的对象是()。

[A.]基准电压
[B.]取样电压
[C.]基准电压与取样电压之差
[D.]以上均不对。

大工2020年春季9月网考《模拟电子技术》复习资料答案(部分)

大工2020年春季9月网考《模拟电子技术》复习资料答案(部分)

大工2020年春季9月网考《模拟电子技术》复习资料答案(部分)机密★启用前大连理工大学网络教育学院2020年春《模拟电子技术》期末网考复习题☆注意事项:本复习题满分共:400分。

一、单项选择题1、PN结加正向电压时,空间电荷区将()。

A.变窄B.不变C.变宽D.不确定2、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A.温度B.掺杂工艺的类型C.杂质浓度D.晶体中的缺陷3、在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。

A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷4、N型半导体()。

A.带正电B.带负电C.呈中性D.不确定5、半导体二极管的重要特性之一是()。

A.温度稳定性B.单向导电性C.放大作用D.滤波特性6、当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将()。

A.增大B.减小C.不变D.不确定变化7、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。

A.基本不变B.明显减小C.明显增加D.不确定变化8、二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将()。

A.右移B.左移C.上移D.下移9、关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A.基区很薄且掺杂浓度很低B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D.集电区面积大于发射区面积10、某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管工作在()。

3.2V9V2.5VTA.饱和状态B.截止状态C .放大状态D.击穿状态11、小信号模型分析法不适合用来求解()。

A.静态工作点B.电压增益C.输入电阻D.输出电阻12、利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的()。

A.直流参数C.静态工作点B.交流参数D.交流和直流参数13、某单管放大器的输入信号波形为,而输出信号的波形为,则该放大器出现了()失真。

A.交越B.截止C.饱和D.阻塞性14、三极管共射电路中,若静态工作点设置过低,则当输入信号增大时放大器会首先产生()。

大连理工大学《模拟电子线路》21秋在线作业123辅导答案

大连理工大学《模拟电子线路》21秋在线作业123辅导答案

21秋《模拟电子线路》在线作业1小信号模型分析法不适合用来求解()。

A:静态工作点B:电压增益C:输入电阻D:输出电阻答案:A在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A:温度B:掺杂工艺C:杂质浓度D:晶体缺陷答案:C在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。

A:饱和失真B:截止失真C:交越失真D:线性失真答案:A在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。

A:同相B:反相C:相差90°D:不确定答案:A在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是()。

A:共射组态B:共集组态C:共基组态D:无法确定答案:CBJT处于截止状态的条件是()。

A:发射结正偏,集电结反偏B:发射结正偏,集电结正偏C:发射结反偏,集电结正偏D:发射结反偏,集电结反偏答案:D当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。

A:增大C:不变D:不确定答案:A关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A:基区很薄且掺杂浓度很低B:发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C:基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D:集电区面积大于发射区面积答案:C已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。

A:发射极B:集电极C:基极D:无法确定答案:B三级放大电路中,各级的放大倍数均为10,则电路将输入信号放大了()倍。

A:10B:30C:100D:1000答案:D判断题1A2A3B4B5B6B7B8A9A10A21秋《模拟电子线路》在线作业2共源放大电路的输入输出电压()。

A:同相C:相差90°D:不确定答案:B场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。

A:增强型B:耗尽型C:增强型和耗尽型D:以上均不对答案:C耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。

A:必须正偏B:必须零偏C:必须反偏D:可以正偏、零偏或反偏答案:D结型场效应管利用栅-源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。

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科目名称:大工20春《模拟电子技术》在线作业2
学校名称:奥鹏-大连理工大学
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.结型场效应管利用栅-源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。

A.反偏电压
B.反向电流
C.正偏电压
D.正向电流
提示:本题为必答题,请认真阅读题目后再作答
--本题参考答案:A
2.共模抑制比KCMR越大,表明电路()。

A.放大倍数越稳定
B.交流放大倍数越大
C.抑制零漂的能力越强
D.抑制零漂的能力越差
提示:本题为必答题,请认真阅读题目后再作答
--本题参考答案:C
3.多级直接耦合放大器中,零点漂移最大的一级是()。

A.输入级
B.中间级
C.输出级
D.增益最高的一级
提示:本题为必答题,请认真阅读题目后再作答
--本题参考答案:C
4.甲类功率放大电路(参数确定)的输出功率越大,则功放管的管耗()。

A.不变
B.越大
C.越小
D.不确定
提示:本题为必答题,请认真阅读题目后再作答
--本题参考答案:C
5.乙类互补对称功率放大电路的特点说法错误的是()。

A.效率低
B.效率高
C.管耗小
D.存在交越失真
提示:本题为必答题,请认真阅读题目后再作答
--本题参考答案:A。

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