电子元器件和工艺第一章
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比电容大 体积小、质量轻 有自愈特性
电子元器件和工艺第一章
5. 型号 由四个部分组成：
第一部分：主称 C(表电容) 第二部分：材料 Ｔ(表低频瓷) 第三部分：分类：
数字 主要表外形 字母 主要表功能 第四部分：序号 例如：CCGI：高频高功率瓷介电容器 CJ3-400V-0.01-II：密封金属化纸介电容器 400V额定电压，0.01μF电容量，允许误差为II级
§1.1 电容器(第一节、第三节节选)
一．何谓电容器：由介质隔开的两块金属极 板构成的电子元件，广泛用于储能和传递 信息。
二．主要参数
１. 标称容量和允许误差
容量：容量大表示电容器储存电荷的能 力大
电子元器件和工艺第一章
误差：实际容量与标称容量之差除以标称容 量 精度分为八个等级：
常用: Ｉ级(±5%) II级 (±10%) III级(±20%)
电子元器件和工艺第一章
教学计划(二)
一．教学内容(实验教学部分) 1．独石电容器的结构与性能(3学时) 2．厚膜电路用电子浆料成份对电阻率 的影响(综合实验)(3学时,选做) 3．磁敏传感器的结构与性能(3学时)
电子元器件和工艺第一章
§1. 分立电子元件与表面组装元件
主要包括电容器、电阻器和电感器
电子元器件和工艺第一章
五．部分产品一览 1.电力电容器:SCH系列 大电流、高频谐振电容器
可用于频率高达100Khz，有效电压700Vac，可 采用风冷。 高有效电流处理能力，长寿命。
电子元器件和工艺第一章
2. 黑金刚（NCC）全系列铝电解电容
电子元器件和工艺第一章
3.固体钽电解电容器
电子元器件和工艺第一章
电子元器件和工艺第一章
４.电解电容器 Ａ.结构：金 属 极 板n ip Nhomakorabea电解
质
负极
氧化膜
电子元器件和工艺第一章
B.分类： 按电解质形式：固体和非固体； 按介质材料性质或类别：钽电解和铝电解 按阳极电极形式：光箔电极、腐蚀箔电极等 按极性性质：有极性和无极性 按性能和用途：普通极和长寿命极 C.主要特点：
电子元器件和工艺第一章
３.有机介质电容器
Ａ.分类： 以天然纤维材料为介质(纸介电容器)； 以人工合成的高分子化合物为介质(聚丙烯膜介质)； 以复合材料为介质；
B.优点： 电容量范围大，绝缘电阻(时间常数)大，工作电压高(范围 宽)，温度系数互为偿，损耗角正切值小，适合自动化生 产．
C.缺点： 热稳定性不如无机介质电容器 化学稳定性差 具有不同程度的吸湿性和透温性
(±10%)
电子元器件和工艺第一章
四．发展趋势
１．小型化、微型化、片式化
２．高性能化
3． 组合化、集成化
例如：
独石电容器
将介质与电极烧结连成一体
双电层电容器
利用电极与电解质接触后,在其表面形成稳定而符 号相反的双层电荷,称之为双电层,特点:容量提高 3-4个数量级,具有电压记忆特性,比率体积特别小, 但单元额定电压低.
电子元器件 与工艺
电子元器件和工艺第一章
教学计划(一)
一．教学内容(理论教学部分) 1．分立电子元件与表面组装元件(6学时)
电容，电阻，电感 2．薄厚膜混合集成电路(HIC)(10学时)
微电子技术, IC与HIC, 薄膜元器件, 设计 3．压电、热释电和铁电器件(8学时) 4．表面组装技术与表面组装器件 (10学时)
误差：实际容量与标称容量之差除以标称容量 不同系列具有不同的标称值，这些标称值乘以 0.1,1,10,100,1000等可得到相应的阻值。应用时应按标称 值系列选取。
电子元器件和工艺第一章
２. 额定功率 在正常大气压及额定温度条件下，电阻器 长时间工作不损坏或不显著改变其性能时 所允许消耗的最大功率。 一般：0.125W, 0.25W, 0.5W 少数大电流场合：1W, 2W, 5W
3. 额定电压 4. 噪声
电子元器件和工艺第一章
５. 其他参数 频率特性 温度系数 稳定性 可靠性 ……
电子元器件和工艺第一章
三．电容器的主要种类与型号 １. 主要种类
无机介质电容器 有机介质电容器 电解电容器 双电层电容器
电子元器件和工艺第一章
8.3 电容器介电材料的分类及结构特性 一.分类
电子元器件和工艺第一章
1.分类：
电子元器件和工艺第一章
2.无机介质电容器 [1] 瓷介电容器 A. 特点: 介电常数高,介质损耗角正切小，
电容温度系数范围宽，可靠性高，寿 命长． Ｂ.按介质特性分类：
I 类高频瓷介电容器(CC型) II类低频铁电瓷介电容器(CT型) III类半导体瓷介电容器(CS型边界层)
电子元器件和工艺第一章
4.云母电容器
电子元器件和工艺第一章
§1.2 电阻器(第一节的第一至三小节)
一．何谓电阻器：具有吸收电能作用的电子元件，可使电路 中各元件按需要分配电能,稳定和调节电路中的电流和电 压。
二．主要参数 １. 标称阻值和允许误差
标称阻值：常用标称阻值系列有E6(III级,±20%)，Ｅ12(II 级, ±10%)和E24(I级,±5%)等系列
Ｃ.按使用性能特点分类： I类低压小功率高频瓷介电容器； II类低压低频瓷介电容器； III类半导体瓷介电容器； I类高压高功率瓷介电容器； 中高压瓷介电容器(包括I和II类)； 交流瓷介电容器(容量电压特性好的II类瓷作介质)； 片式瓷介电容器
[2] 云母电容器 综合性能极佳，也分为高功率和低功率两类
电子元器件和工艺第一章
４. 电容器的损耗 介质部分的损耗：电导损耗(漏电流引起) 极化损耗(极性介质) 电离损耗(气体电离引起) 金属部分的损耗：引出线(片)的损耗 接触电阻损耗 极板的损耗
衡量指标： 交流电压与通过的电流之间的相位差不是
π/2 ，而是稍小于π/2，其偏角θ为损耗角,通常以 tan θ表损耗大小
电解电容器： 可能达±20%，甚至高达＋100%~－30%
电子元器件和工艺第一章
２. 额定电压 规定温度范围内，电容器长期可靠地工作所
允许的最高直流电压，若工作在交流电路中，则 交流电压的峰值不能超过额定电压。 ３. 绝缘电阻
指电容器两极之间的电阻(108~1010Ω) 用绝缘电阻与电容量之积(时间常数)衡量电容 器绝缘性能的优劣 电解电容器：绝缘电阻较小，用漏电流来衡量 其绝缘性能
电子元器件和工艺第一章
5. 型号 由四个部分组成：
第一部分：主称 C(表电容) 第二部分：材料 Ｔ(表低频瓷) 第三部分：分类：
数字 主要表外形 字母 主要表功能 第四部分：序号 例如：CCGI：高频高功率瓷介电容器 CJ3-400V-0.01-II：密封金属化纸介电容器 400V额定电压，0.01μF电容量，允许误差为II级
§1.1 电容器(第一节、第三节节选)
一．何谓电容器：由介质隔开的两块金属极 板构成的电子元件，广泛用于储能和传递 信息。
二．主要参数
１. 标称容量和允许误差
容量：容量大表示电容器储存电荷的能 力大
电子元器件和工艺第一章
误差：实际容量与标称容量之差除以标称容 量 精度分为八个等级：
常用: Ｉ级(±5%) II级 (±10%) III级(±20%)
电子元器件和工艺第一章
教学计划(二)
一．教学内容(实验教学部分) 1．独石电容器的结构与性能(3学时) 2．厚膜电路用电子浆料成份对电阻率 的影响(综合实验)(3学时,选做) 3．磁敏传感器的结构与性能(3学时)
电子元器件和工艺第一章
§1. 分立电子元件与表面组装元件
主要包括电容器、电阻器和电感器
电子元器件和工艺第一章
五．部分产品一览 1.电力电容器:SCH系列 大电流、高频谐振电容器
可用于频率高达100Khz，有效电压700Vac，可 采用风冷。 高有效电流处理能力，长寿命。
电子元器件和工艺第一章
2. 黑金刚（NCC）全系列铝电解电容
电子元器件和工艺第一章
3.固体钽电解电容器
电子元器件和工艺第一章
电子元器件和工艺第一章
４.电解电容器 Ａ.结构：金 属 极 板n ip Nhomakorabea电解
质
负极
氧化膜
电子元器件和工艺第一章
B.分类： 按电解质形式：固体和非固体； 按介质材料性质或类别：钽电解和铝电解 按阳极电极形式：光箔电极、腐蚀箔电极等 按极性性质：有极性和无极性 按性能和用途：普通极和长寿命极 C.主要特点：
电子元器件和工艺第一章
３.有机介质电容器
Ａ.分类： 以天然纤维材料为介质(纸介电容器)； 以人工合成的高分子化合物为介质(聚丙烯膜介质)； 以复合材料为介质；
B.优点： 电容量范围大，绝缘电阻(时间常数)大，工作电压高(范围 宽)，温度系数互为偿，损耗角正切值小，适合自动化生 产．
C.缺点： 热稳定性不如无机介质电容器 化学稳定性差 具有不同程度的吸湿性和透温性
(±10%)
电子元器件和工艺第一章
四．发展趋势
１．小型化、微型化、片式化
２．高性能化
3． 组合化、集成化
例如：
独石电容器
将介质与电极烧结连成一体
双电层电容器
利用电极与电解质接触后,在其表面形成稳定而符 号相反的双层电荷,称之为双电层,特点:容量提高 3-4个数量级,具有电压记忆特性,比率体积特别小, 但单元额定电压低.
电子元器件 与工艺
电子元器件和工艺第一章
教学计划(一)
一．教学内容(理论教学部分) 1．分立电子元件与表面组装元件(6学时)
电容，电阻，电感 2．薄厚膜混合集成电路(HIC)(10学时)
微电子技术, IC与HIC, 薄膜元器件, 设计 3．压电、热释电和铁电器件(8学时) 4．表面组装技术与表面组装器件 (10学时)
误差：实际容量与标称容量之差除以标称容量 不同系列具有不同的标称值，这些标称值乘以 0.1,1,10,100,1000等可得到相应的阻值。应用时应按标称 值系列选取。
电子元器件和工艺第一章
２. 额定功率 在正常大气压及额定温度条件下，电阻器 长时间工作不损坏或不显著改变其性能时 所允许消耗的最大功率。 一般：0.125W, 0.25W, 0.5W 少数大电流场合：1W, 2W, 5W
3. 额定电压 4. 噪声
电子元器件和工艺第一章
５. 其他参数 频率特性 温度系数 稳定性 可靠性 ……
电子元器件和工艺第一章
三．电容器的主要种类与型号 １. 主要种类
无机介质电容器 有机介质电容器 电解电容器 双电层电容器
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8.3 电容器介电材料的分类及结构特性 一.分类
电子元器件和工艺第一章
1.分类：
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2.无机介质电容器 [1] 瓷介电容器 A. 特点: 介电常数高,介质损耗角正切小，
电容温度系数范围宽，可靠性高，寿 命长． Ｂ.按介质特性分类：
I 类高频瓷介电容器(CC型) II类低频铁电瓷介电容器(CT型) III类半导体瓷介电容器(CS型边界层)
电子元器件和工艺第一章
4.云母电容器
电子元器件和工艺第一章
§1.2 电阻器(第一节的第一至三小节)
一．何谓电阻器：具有吸收电能作用的电子元件，可使电路 中各元件按需要分配电能,稳定和调节电路中的电流和电 压。
二．主要参数 １. 标称阻值和允许误差
标称阻值：常用标称阻值系列有E6(III级,±20%)，Ｅ12(II 级, ±10%)和E24(I级,±5%)等系列
Ｃ.按使用性能特点分类： I类低压小功率高频瓷介电容器； II类低压低频瓷介电容器； III类半导体瓷介电容器； I类高压高功率瓷介电容器； 中高压瓷介电容器(包括I和II类)； 交流瓷介电容器(容量电压特性好的II类瓷作介质)； 片式瓷介电容器
[2] 云母电容器 综合性能极佳，也分为高功率和低功率两类
电子元器件和工艺第一章
４. 电容器的损耗 介质部分的损耗：电导损耗(漏电流引起) 极化损耗(极性介质) 电离损耗(气体电离引起) 金属部分的损耗：引出线(片)的损耗 接触电阻损耗 极板的损耗
衡量指标： 交流电压与通过的电流之间的相位差不是
π/2 ，而是稍小于π/2，其偏角θ为损耗角,通常以 tan θ表损耗大小
电解电容器： 可能达±20%，甚至高达＋100%~－30%
电子元器件和工艺第一章
２. 额定电压 规定温度范围内，电容器长期可靠地工作所
允许的最高直流电压，若工作在交流电路中，则 交流电压的峰值不能超过额定电压。 ３. 绝缘电阻
指电容器两极之间的电阻(108~1010Ω) 用绝缘电阻与电容量之积(时间常数)衡量电容 器绝缘性能的优劣 电解电容器：绝缘电阻较小，用漏电流来衡量 其绝缘性能