§2.3 双极性晶体三极管综合习题1 -2018-6-10
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与参考答案-2018-6-10
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与答案考核内容1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。
2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
双极性晶体三极管综合习题1一、填空题1、晶体三极管（Transistor）是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。
在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉冲和数字电路中，它起开关作用，逻辑门电路中的三极管则工作在截止状态和饱和状态。
2、晶体三极管是一个三端器件，根据其构造的不同，大体上可分双极型晶体管BJT（Bipolar Junction Transistor）和场效应管FET（Field Effect Transistor）。
3、双极晶体管（BJT）是一种电流控制器件，“双极”的含义是指其工作时电子和空穴这两种载流子都同时参与导电。
双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管。
4、场效应管（FET）是电压控制型元件，利用场效应原理工作的晶体管，具有输入阻抗高，热稳定性好，抗辐射能力较强，集成度较高特点。
5、场效应晶体管又包含两种主要类型：结型场效应管（Junction FET，缩写为JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET，缩写为MOS-FET）。
其中，MOS管还分为增强型和耗尽型两种。
与BJT不同的是，FET只由一种载流子（多数载流子）参与导电，因此场效应管也称为单极型晶体管。
*6、场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
7、双极晶体管（BJT）是由两个相距很近的PN结，通过一定的工艺制作成的一种半导体器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。
8、晶体三极管两个PN结两个PN结，一个PN结为发射结，另一个PN结为集电结。
将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN结称为集电结。
(完整版)三极管练习题
1 1三极管练习题一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结 偏；集电结 偏。
2．三极管按结构分为_ 和 两种类型，均具有两个PN 结，即______和______。
3.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U 1=6.5V ,U 2=7.2V ,U 3=15V ，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
4．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
5.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
6．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
二、选择题：1.有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A 、 放大B 、截止C 、饱和D 、损坏2、三级管工作在截止区，要求（ ）A 、发射结正偏，集电结正偏B 、发射结正偏，集电结反偏C 、发射结反偏，集电结正偏D 、发射结反偏，集电结反偏3. NPN 型三极管三个极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ）A ．饱和区B ．截止区C ．放大区D ．击穿区4.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）A V C =0.3V ，V E =0V ， VB =0.7V B VC =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7VC V C =6V ， V E =0V ， V B =-3VD V C =2V ， VE =2V ， V B =2.7V5.如果三极管工作在饱和区，两个PN 结状态（ ）A ．均为正偏B ．均为反偏C ．发射结正偏，集电结反偏D ．发射结反偏，集电结正偏6. 有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
双极性晶体三极管(精)
5、晶体三极管的特性曲线
晶体管的特性曲线是用来表示各极电压和电流之间相互 关系，反映的是晶体管的性能。 因为晶体管有一对输入端和一对输出端，因此，要完整地 描述晶体管的伏安特性，就必须用两组表示不同端电压、电流 之间关系的特性曲线来表示。以共发射极为例来具体分析。 输入特性曲线： 输入特性曲线是指当集—射极之间的电压UCE为某一常数时， 输入回路中的基极电流IB与加在基—射极间的电压UBE之间的关系 曲线。 IB(A) 工作压降： 硅管 80 UBE0.6~0.7V,锗管 死区电压， UCE1V UBE0.2~0.3V。 60 硅管0.5V， 40 锗管0.2V。 20 UBE(V) 0.4 0.8
注意：这个放大作用是指一个小电流控制一个大 电流的作用。而不是能量的放大。能量是不能放 大的。
从这个意义上看：三极管是个电流放大元件
PNP管的分析同NPN管相同。使用时注意各极 极性和电流方向：
iC + UEB
C
iC
-
C
B
iB
UEC
iB B
UBE
-
+
+ iE
E
UCE
+
+
-
+
E
iE
PNP三极管
NPN三极管
N P N IE
发射结正 偏，发射 区电子不 断向基区 扩散，形 成发射极 电流IE。
Ec
E
IC=ICE+ICBOICE
集电结反偏， 有少子形成的 反向电流ICBO。 B
C
ICBO
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
RB EB
ICE N P IBE N IE
E
从基区扩 散来的电 子作为集 电结的少 子，漂移 Ec 进入集电 结而被收 集，形成 ICE。
电子线路单元复习测试题《晶体三极管》
（）
5.三极管相当于两个反接的二极管，所以任何一极断开后还可以作为二极管使
用。（ ）
6 晶体三极管具有两个 PN 结，二极管具有一个 PN 结，因此可以把两个二极管
反向连接起来当作一只三极管使用
（）
7.放大状态，饱和状态，截止状态称为晶体三极管的三种工作状态。 （ ）
8. NPN 型三极管是由硅材料制成的。
姓名：
考号：
班级：
电子线路单元复习测试题
————《晶体三极管》
一 是非题：（每题 2 分，共 40 分）
1.晶体三极管的集电极和发射极不可互换使用。
（）
2.晶体三极管工作在放大状态的条件是：集电结反偏，发射结正偏。（ ）
3.三极管按半导体材料分为 NPN 型和 PNP 型。
（）
4.晶体三极管工作在放大状态时，如同开关闭合。
Ｃ. VE >VB> V C Ｄ. VE >VC>VB
9.某放大器中三极管三个极的电位分别是 2V，1.3V，5V，可判断该管为（ ）。
A.PNP 型锗管 B. NPN 型锗管 Ｃ.NPN 型硅管 Ｄ. PNP 型硅管
10.用指针万用表红表笔接三极管一脚，用黑表笔分别接另两脚，测得的电阻
均较小，则说明该晶体管是（ ）。
A.截止区
B.放大区
C.饱和区
Ｄ.击穿区
16.三极管管是通过改变（ ）来控制集电极电流的
A.基极电流 B.发射极电流 C.源极电流 Ｄ基极电压
17.下面不是场效应管的管脚的是（ ）
A.，漏极（D） B.栅极（G） C. 源极（S） Ｄ. 基极（B）
18.三极管输出特性曲线可分为三个区，为（ ）。
A. 击穿区 截止区 饱和区
§2.3 双极性晶体三极管习题5 -2018-6-6
1§2.3 双极性晶体三极管习题5考核内容1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。
2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
*2.3.4晶体三极管的主要参数*1、三极管的主要参数（了解）下面以共射极接法为例，介绍三极管的几种常用参数。
共射极电流放系数 (1) 共射极直流放大系数β(有时写作H FE ) (2) 共射极交流放大系数 β (有时写作h fe )同一个三极管，当I CEO 较小时，ββ≈。
选用管子时，β 值应恰当，β 值太大的管子工作稳定性差。
*2、极间反向饱和电流极间反向饱和电流，是三极管中少数载流子形成的电流，它的大小表明了三极管质量的优劣，直接影响它的工作稳定性。
(1) 集电极—基极反向饱和电流I CBO(2) 集电极—发射极反向饱和电流I CEO (又称穿透电流)I CEO 和I CBO 存在下述关系： I CEO = (1 + β)I CBOI CBO 与I CEO 都随温度的升高而增大。
在选用管子时，应选反向饱和电流小的管子。
*3．极限参数三极管的极限参数是指三极管在正常工作时所允许的最大电流、最大电压和功率的极限数值。
(1) 集电极最大允许电流I CM当I C 过大时，电流放大系数 β 将下降。
在技术上规定，使 β 下降到正常值的2/3时的集电极电流称集电极最大允许电流。
(2) 反向击穿电压V (BR)CEO ——当基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压，一般是几十伏。
V (BR)CBO ——当发射极开路时，集电极与基极之间所能承受的最高反电压V (BR)CBO 通常比V CEO 大些。
V (BR)EBO ——当集电极开路时，发射极与基极之间所能承受的最高反向电压，一般在5 V 左右。
(3) 集电极最大允许功率损耗P CM技术上规定，在三极管因温度升高而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率称集电极最大允许功率损耗。
双极性晶体三极管教学课件
目录
CONTENTS
• 双极性晶体三极管概述 • 双极性晶体三极管特性 • 双极性晶体三极管的应用 • 双极性晶体三极管的选择与使用 • 双极性晶体三极管的制作与调试
01
双极性晶体三极管 概述
定义与工作原理
定义
双极性晶体三极管是一种电子器 件，由半导体材料制成，具有三 个电极（基极、集电极和发ຫໍສະໝຸດ 极 ）。常见问题与解决方法
问题1
三极管发热严重。
解决方法
检查电路是否正常，降低三极管的工作电流， 或更换更高额定功率的三极管。
问题2
三极管无法正常放大信号。
解决方法
调整基极电阻，使基极电流达到合适值，或检查输 入信号是否正常。
三极管噪声过大。
问题3
解决方法
优化电路设计，减少干扰源，或选择低噪声三极管。
05
双极性晶体三极管的温度特性对其稳定性有着重要影响。随着温度的升高，三极管的放大倍数会减小 ，这是因为温度升高会使载流子运动速度加快，导致电流放大倍数下降。此外，温度变化还会影响三 极管的其他性能参数，如截止频率和噪声系数等。
03
双极性晶体三极管 的应用
放大电路中的应用
信号放大
双极性晶体三极管可以作为信号放大元件，通过外部电路的 调节，实现对输入信号的放大，广泛应用于音频、视频等信 号处理领域。
工作原理
双极性晶体三极管通过控制基极 电流来控制集电极和发射极之间 的电流，从而实现信号放大和开 关作用。
结构与类型
结构
双极性晶体三极管由两个PN结（基 区与集电区之间、基区与发射区之间 ）构成，具有三个电极。
类型
根据结构特点和应用领域，双极性晶 体三极管可分为NPN型和PNP型两类 。
《计算机电路基础》双极性晶体三极管习题
精品文档13级《计算机电路基础》习题二-2§2.3.3 双极性晶体三极管复习填空题1、三极管连接方式三极管有三个电极，在构成放大器时只能提供三个端子，因此必然要有一个电极作为输入和输出的公共端。
据此，根据公共端的不同选择，三极管在构成放大器时，就有三种组态（连接方式）：电路基极为输入端，集电极为输出端。
发射极作为公共端 电路发射极为输入端，集电极为输出端，基极为公共端。
电路基极为输入端，发射极为输出端。
集电极为公共端，如图所示。
连接 连接 连接 2、三极管的特性曲线 三极管的特性曲线用来描述三极管的极间电压与相关电流之间的关系，主要有 曲线两种。
2.1.1 共发射极连接输入特性曲线 输入特性是指在V CE 一定的条件下，加在三极管 之间的电压V BE 与它产生的 电流I B 之间的关系，输入特性曲线入下图所示。
.2.12输入特性曲线特点： 当U CE =0时，输入特性曲线与 的正向伏安特性相似，这是因为V BE 加在基极与发射极之间的PN 结(发射结)上，该PN 结相当于一只二极管，只有当V BE 大于开启电压时，三极管才出现基极电流。
这个开启电压的大小与三极管的材料有关。
硅管约 V ，锗管约 V . 从三极管的输入特性曲线可以看出，当三极管处于放大状态时，加在发射结上的正偏电压V BE 只有零点几伏，其中硅管约 V.，锗管在 V 左右，这是检查三极管是否正常工作的重要依据。
随着U CE 的增大输入特性曲线右移，但当U CE 超过一定数值（U CE >1）后，曲线不再明显右移而基本重合。
2.2．共发射极连接输出特性曲线输出特性是指在I B 一定的条件下， 的电压V CE 与 电流I C 之间的关系，三极管的输出特性曲线是一组曲线族，如图所示，在图中，每条曲线都可分为线性上升、弯曲、平坦三个部分，从该图中还可以看出，输出特性曲线族可分为三个区。
(1) 截止区① IB =0，三极管截止，I B =0曲线以下的区域称为 。
第3章三极管习题
2019/10/3
3.3.4(a)
图题3.3.4电路中，分别画出其直流通路和交流通路，试说明哪些能实现正常 放大？哪些不能？为什么？（图中电容的容抗可忽略不计）。
能放大， 直流通路满足发射结正偏、集电结反 偏； 交流通路信号能顺畅的输入输出。
2019/10/3
3.3.4(b)
图题3.3.4电路中，分别画出其直流中电容的容抗可忽略不计）。
不能放大， 直流通路满足发射结正偏、集电结反偏； 但交流通路中，三极管的基极被电容Cb短接到交流地，导致信号不能顺 畅的输入。
2019/10/3
3.3.4(c)
图题3.3.4电路中，分别画出其直流通路和交流通路，试说明哪些能实现正常 放大？哪些不能？为什么？（图中电容的容抗可忽略不计）。
不能放大， 直流通路满足发射结正偏、集电结反偏； 交流通路中，从直流稳压电源的阳极输出，导致信号的交 流成分不能顺畅的输出。
⑶ 当接入负载电阻RL=4kΩ时，再求最大不失真输出电压振幅Vom=？
接入负载电阻后，交流负载线仍然过Q点，斜率变为－1/(Rc//RL)。即： ICQ y-ICQ 1
x-VCEQ VCEQ Rc//RL
交流负载线与横、纵轴的交点坐标为（16V，0mA）（0V，8mA），如图所示，
最大不失真输出电压振幅取较小的一个，为5V。
VCC Rc
IB
VC
CVBE30μA Rb
V C C 1 V 2 R c ,2 k ， R b 4k 00
2019/10/3
3.4.1（c）
一个如图题3.4.1（a）所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如图题3.4.1 （b）的输出特性，静态工作点Q和直流负载线已在图上标出。
第2章 双极型晶体管及其基本放大电路 参考答案
均很小。（1）若要求放大电路的最大不失真输出电压幅度尽可能大，则上偏置电阻 Rb1
应为多大？设晶体管的 ICEO 和UCES 皆为零，UBE = 0.7V 。（2）在上述条件下，求
Aɺu = ?
解：（1）Q 点在交流负载线的中点时输出幅度最大，由此可得
，解得 ， 。 UICCQERQL′≈=VUCCCEQ− ICQ (Rc +Re )
2.7 分压式稳定工作点共射放大电路如图 （ ） 2.6.4 a
所示，习题 2.7 图为晶体管输出特性及交直流负载线，
且负载电阻 RL = 6kΩ 。（1）确定 Rc 、Re 和VCC 的数值；
（ ）若 ， ，试确定 、 。 2 IRb2 = 370µA UBE = 0.7V
Rb1 Rb2
习题 2.7 图
解：UB
≈
Rb2 Rb1 + Rb2
VCC
=
12 30 +12
×12
≈
3.43V
I EQ
= UB − UBEQ Re1 + Re2
=
3.43 − 0.7 200 +1300
= 1.82mA
rbe
=
rbb′
+
(1 +
β)
26(mV) IEQ (mA)
=
80
+
61× 26 1.82
≈
0.95kΩ
Aɺ u
管 （ 其 极 限 参 数 ， ， ICM = 30mA
U(BR)CEO = 9V
）， ，取 。 ， PCM =100mW β = 20 UBE = −0.3V Rb = 24kΩ
Rc = 0.5kΩ ，−VCC = −12V 。试分析：（1）电路中的晶体
晶体三极管和场效应管
晶体三极管和场效应管一、选择题(每题分，计分)1.一只三极管内部包含有( ) 个PN结。
A. 1B. 2C. 3D. 无数2.晶体管的放大作用主要体现在 ······································································ ( )A. 正向放大B. 反向放大C. 电流放大D. 电压放大3.半导体三极管是一种 ·················································································· ( )A. 电压控制电压的器件B. 电压控制电流的器件C. 电流控制电流的器件D. 电流控制电压的器件4.根据三极管结构的不同有NPN和PNP两种，而根据材料的不同分为( ) 两种A. 硅和磷B. 锗和硼C. 硅和锗D. 硅和硼5.工作在放大状态的三极管，当基极电流I B由60μA降低到40μA时，集电极电流I C由2.3mA 降低到1.5mA，则此三极管的动态电流放大系数β为 ·········································· ( )A. 37.5B. 38.3C. 40D. 57.56.三极管的集电结反偏，发射结正偏时，三极管处于 ··········································· ( )A. 饱和状态B. 截止状态C. 放大状态D. 开关状态7.硅材料低频大功率三极管的型号为 ································································ ( )A. 3ADB. 3BDC. 3AXD. 3DD8.低频大功率三极管的型号为( ) 系列。
2 双极型晶体三极管 小结(含习题)-PPT课件
BJT交流小信号模型中的电流源是受 控源，其方向不能随意假定。
PNP型、NPN型三极管比较
截止区 放大区 饱和区
NPN
发射结反偏 或未达到Von Vb<Ve或Vbe<Von 发射结正偏 集电结反偏
Vc>Vb>Ve 发射结正偏 集电结正偏 Vb>Ve，Vb>Vc
（2）根据基极B与发射极E的电位差，判断三极管的材料。
0.7VSi VB VE 0.3VGe
（3）根据各极电位，判断三极管的类型
VCVBVENPNVCVBVEPNP
三极管的简化直流模型
IB
IC
B
C
B
C
B
C
0.7 V
O.2 V
0.7 V
βI B
E (a)
截止模型
E (b)
饱和模型
交流参数 交流电流放大系数α和 频率参数fβ和fT
极限参数 集电极最大允许电流ICmax 集电极最大允许功耗PCmax 反向击穿电压
一般作近似处理：
=
=
判断三极管的电极、材料和管型的方法
（1）根据管脚电位，判别管脚的极性。
①三个电极的电位从低到高依次排序； ②中间电位对应的管脚是基极B； ③与中间电位相差约一个导通电压VBE(ON)的管脚是发射极E。
)
VT IE
2）低频跨导： g
m
IC VT
基调效应参数
高频参数
双极型晶体三极管 重点与难点
重点
1．三极管的工作原理 2．三极管的输入和输出特性曲线
BJT工作状态分析 BJT的直流简化模型
3．三极管的小信号模型
第三章双极结型晶体管习题）
第三章双极结型晶体管习题）第三章双极结型晶体管(习题)第三章3–1．画出PNP晶体管在平衡时以及在正向有源工作模式下的能带图。
画出晶体管的示意图并表示出所有的电流成分，写出各级电流表达式。
画出发射区、基区、集电区少子分布示意图。
3–2．考虑一个NPN硅晶体管，具有这样一些参数：xB?2?m，在均匀掺杂基区Na?5?1016cm?3,?n?1?s,A?。
若集电结被反向偏置，InE?1mA，计算2在发射结基区一边的过量电子密度、发射结电压以及基区输运因子。
3–3．在3–2的晶体管中，假设发射极的掺杂浓度为1018cm?3，xE?2?m，?pE?10ns，发射结空间电荷区中，?0??s。
计算在InE?1mA时的发射效率和hFE。
3–4．一NPN晶体管具有以下规格：发射区面积=1平方密耳，基区面积=10平方密耳，发射区宽度= 2?m，基区宽度= 1?m，发射区薄层电阻为2?/200?/，基区薄层电阻为，集电极电阻率=?.cm，发射区空穴寿命=1ns，基区电子寿命=100ns，假设发射极的复合电流为常数并等于1?A。
还假设为突变结和均匀掺杂。
计算用半对数坐标画出曲线。
IE?10?A、100?A、1mA、10mA、100mA以及1A时的hFE。
中间电流范围的控制因素是什么？3-5．根据式或式，证明对于任意的2xBLn值公式和变成a11??qAni[DnNaLn2(cothxBLnxBLn)?DPENdExE] a12?a21?qADnniNaLn2cscha22??qAni[证明，若xBDnNaLn(cothxBLn)?DPCNdCLPC]Ln 3–6．证明在有源区晶体管发射极电流–电压特性可用下式表示IE?IE01??F?ReVE/VT+qAniWE2?0eVE/VT其中IE0为集电极开路时发射结反向饱和电流。
提示：首先EM方程导出IF0?IE01??F?R。
3–7．忽略空间电荷区的复合电流，证明晶体管共发射极输出特性的精确表达式为 -VCE?VTln注意：首先求出用电流表示结电压的显示解。
第二章 半导体三极管练习
型管； 。
5. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 状态。
6. 场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。 7. 某三极管的极限参数、、。当工作 电压时，工作电流IC不得超过 mA；当工作电压时， IC不 得超过_____ mA；当工作电流时， UCE不得超过 V 。 8. 三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。 9. 对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用 法或 法。 10. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集 电极 电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的β约为 ；约为 。 11. _______通路常用以确定静态工作点； 通路提供了信号传输的途 径。 12. 场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。 13. 用于构成放大电路时，双极型三极管工作于 区；场效应管 工作于 区 。 14. 当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管；漏源间不存在导 电沟道的称为 型场效应管。 15. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2 U3=-6.2V，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极，为 型管。 16. 三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的 控制能力。 17. 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。 四、计算分析题 1. 三极管电路如图所示，已知三极管的， UBE（on）=0.7V，rbe=1000Ω， 输入信号,电容C对交流的容抗近似为零。试：（1）计算电路的静态工 作点参数IBQ、ICQ、UCEQ；（2）画出电路的微变等效电路，求ri和
11.放大电路存在着哪些类非线性失真现象？
12.多级放大电路有哪些耦合方式？各有什么特点？
13.用估算法求下图所示电路的静态工作点，电路中 =9V，RC=3k，RB=300 k，=50。
三极管复习题及答案
三极管复习题及答案1. 三极管的基本结构包括哪三个部分？答：三极管的基本结构包括发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
2. 描述NPN型三极管和PNP型三极管的工作原理。
答：NPN型三极管在基极施加正向电压时，发射极的电子被吸引到基极，进而到达集电极形成电流。
PNP型三极管则相反，基极施加负向电压时，集电极的空穴被吸引到基极，进而到达发射极形成电流。
3. 三极管的放大作用是如何实现的？答：三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大。
基极电流的微小变化可以导致集电极电流的较大变化，从而实现信号的放大。
4. 什么是三极管的截止状态？答：三极管的截止状态是指基极没有电流流过，导致集电极和发射极之间没有电流流过的状态。
5. 三极管的饱和状态是什么？答：三极管的饱和状态是指基极电流足够大，使得集电极和发射极之间的电压接近于零，集电极电流达到最大值的状态。
6. 三极管的放大区是如何定义的？答：三极管的放大区是指基极电流在一定范围内变化，集电极电流随之成比例变化的区域，此时三极管能够实现信号的放大。
7. 三极管的主要参数有哪些？答：三极管的主要参数包括最大集电极电流（Ic_max）、最大耗散功率（P_max）、集电极-发射极击穿电压（BVceo）等。
8. 如何判断三极管的极性？答：可以通过使用万用表的二极管测试功能，测量三极管的基极与发射极、集电极之间的正向导通电压来判断三极管的极性。
对于NPN型三极管，基极与发射极之间的正向导通电压较低，而PNP型三极管则相反。
9. 三极管的开关作用是如何实现的？答：三极管的开关作用是通过控制基极电流来实现的。
当基极电流足够大时，三极管导通，集电极和发射极之间电流流通；当基极电流为零时，三极管截止，集电极和发射极之间电流被切断。
10. 三极管在电路中的主要应用有哪些？答：三极管在电路中的主要应用包括放大器、开关、振荡器、调制器等。
双极型晶体三极管(BJT)作业答案
1如果在电路中测得放大偏置的BJT的三个电极的电位为下面四组数据：（1） 7.1V, 2.16V, 1.4V （2） 6.1V, 5.8V, 1V（3） 8.87V, 8.15V, 2V （4） –9.6V, –9.27V, 0V试判断各电位对应的电极以及三极管的类型（NPN管或PNP管）和材料（Si管或Ge管）。
[解]将三电压按从高到低排列，列出如下表：2 如果将BJT的集电极与发射极对调使用，在放大偏置时，I C≈I E的关系是否仍然成立？为什么？[解] 不成立。
集电区较基区不是高掺杂，中有较大的成分是基区多子向集电区注入形成。
这部分电流不能转化为，会比明显减小。
3图示电路可以用来测量晶体管的直流参数。
改变电阻R B的值，由两支电流表测得两组I B和I C的数值如下表所示。
I B6μA18μAI C0.4mA 1.12mA（1）由数据表计算﹑I CBO﹑I CEO和（2 ）图中晶体管是S i管还是G e管？[解]（1）由图P2-3联立求得，AA（2）是Ge管。
为A量级，硅管不可有如此大的集电结反向饱和电流。
4* 图为BJT共射放大原理电路。
输入电压，v i的幅度可使发射结上的信号电压满足小信号条件。
试推导BJT 集电极平均功耗的表达式。
将与静态（v i=0）时的集电极功耗比较是增大还是减小？电源的平均功耗是增大还是减小？[解] 由（2-20）式在小信号条件下故集电极瞬时管耗集电极平均管耗为图P2-10将和表式代入上式，可得注意到，静态时，即有信号时管耗会减小。
电源功耗。
故有信号输入时，电源功耗不变。
以上分析提示了甲类放大器的一些特点：（1）电源功耗与信号无关。
（2）当输入信号后，部分电源功率转化为信号功率，使管耗反而减小。
§2.3 双极性晶体三极管习题3 -2018-5-18
§2.3 双极性晶体三极管习题3考核内容1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。
2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
2.3.3 双极性晶体三极管的特性曲线1、三极管的特性曲线三极管的特性曲线用来描述三极管的极间电压与相关电流之间的关系，主要有输入特性曲线和输出特性曲线两种。
2.1 共发射极连接输入特性曲线输入特性是指在V CE 一定的条件下，加在三极管基极与发射极之间的电压V BE 与它产生的基极电流I B 之间的关系，输入特性曲线入下图所示。
输出特性曲线.2. 2输入特性曲线特点：开启电压的大小与三极管的材料有关。
硅管约0.5 V ，锗管约0.2 V.从三极管的输入特性曲线可以看出，当三极管处于放大状态时，加在发射结上的正偏电压V BE 只有零点几伏，其中硅管约0.7 V ，锗管在0.3 V 左右，这是检查三极管是否正常工作的重要依据。
2. 3共发射极连接输出特性曲线 输出特性是指在I B 一定的条件下，集电极与发射极的电压V CE 与集电极电流I C 之间的关系，三极管的输出特性曲线是一组曲线族，如图所示，在图中，每条曲线都可分为线性上升、弯曲、平坦三个部分，从该图中还可以看出，输出特性曲线族可分为三个区。
(1) 截止区① IB =0，三极管截止，I B =0曲线以下的区域称为截止区，无放大作用。
等效模型：相当于开关断开。
② 截止区偏置电压的特点：三极管发射结与集电结处于零偏置或反向偏置。
③ IB =0，IC ≠0，即为I CEO 。
I B = 0时，还有很小的集电极电流I CEO ，这是因为在一定温度下，发射区的少数载流子能量较大，可穿越基区到达集电区而形成电流，通常把它叫作穿透电流。
(2) 放大区①为输出特性曲线之间间距接近相等，且互相平行的区域。
②放大区三极管的偏置电压的特点：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
③电流受控，即Δi C =βΔi B ，即在这区间，I C 与I B 成正比增长，即I B 有一个微小的变化，I C 将按比例发生较大的变化，体现了三极管的电流放大作用。
三极管测试题
半导体三极管测试题一、 填空题1.三极管从结构上看可以分成＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿两种类型。
2.晶体三极管工作时有＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿两种载流子参与导电，因此三极管又称为＿＿＿＿＿＿晶体管。
3.设晶体管的压降不变，基极电流为20μA 时，集电极电流等于2mA ，则 =____。
若基极电流增大至25μA，集电极电流相应地增大至2.6mA ，则 =____。
4.三极管的电流放大作用是指三极管的＿＿＿＿＿电流约是＿＿＿＿＿电流的倍，即利用＿＿＿＿＿电流，就可实现对＿＿＿＿＿电流的控制。
5.某三极管的发射极电流等于1mA ，基极电流等于20μA，穿透电流Iceo=0则其集电极电流等于____ ，电流放大系数β等于____。
6.当三极管工作在＿＿＿＿区时，关系式I C ≈βI B 才成立，发射极＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。
7.当三极管工作在＿＿＿＿区时，I C ≈0；发射极＿＿＿ ＿偏置，集电极＿＿＿偏置。
8.当三极管工作在＿＿＿＿区时， U CE ≈0。
发射极＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。
9.当NPN 硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，＿＿＿＿极和＿＿＿＿极电位差等于＿＿＿＿。
ββCE U10.当PNP 锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，U BE 等于＿＿＿＿。
11.晶体三极管放大电路中 三个电极的电位分别为 试判断三极管的类型是 ＿＿＿＿，材料是＿＿＿＿。
12.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为 三个电极分别1为＿＿＿＿＿＿，2为＿＿＿＿＿＿，3为＿＿＿＿＿＿。
13.温度升高时，三极管的电流放大倍数β将＿＿＿＿；穿透电流I CEO 将＿＿＿＿；发射极电压U BE 将＿＿＿＿。
14.温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将____移，输出特性曲线将____移，而且输出特性曲线之间隔将变____。
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§2.3 双极性晶体三极管综合习题1考核内容1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。
2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
双极性晶体三极管自测题4一、填空题1、晶体三极管（Transistor）是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。
在模拟电子电路中，它起作用；在脉冲和数字电路中，它起作用，逻辑门电路中的三极管则工作在状态和饱和状态。
2、晶体三极管是一个三端器件，根据其构造的不同，大体上可分双极型BJT（Bipolar Junction Transistor）和场效应管FET（Field Effect Transistor）。
3、双极晶体管（BJT）是一种控制器件，“双极”的含义是指其工作时电子和空穴这两种载流子都同时参与导电。
双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管。
4、场效应管（FET）是控制型元件，利用场效应原理工作的晶体管，具有输入阻抗高，热稳定性好，抗辐射能力较强，集成度较高特点。
5、场效应晶体管又包含两种主要类型：结型场效应管（Junction FET，缩写为JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET，缩写为MOS-FET）。
其中，MOS管还分为增强型和耗尽型两种。
与BJT不同的是，FET只由一种载流子（多数载流子）参与导电，因此场效应管也称为单极型晶体管。
*6、场效应晶体管的三个极，分别是（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
7、双极晶体管（BJT）是由两个相距很近的结，通过一定的工艺制作成的一种半导体器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。
8、晶体三极管两个PN结两个PN结，一个PN结为发射结，另一个PN结为集电结。
将发射极与基极之间的PN 结称为；集电极与基极之间的PN结称为。
9、晶体三极管两个PN结将整个半导体基片分成三个区域：发射区、基区和集电区，其中基区较薄。
由这三个区各引出一个电极，分别称为、（Emitter）、(Base) 和集电极（Collector），分别用字母E、B、C表示。
10、晶体三极管按导电类型的不同，三极管可分为型和NPN型两大类。
有箭头的电极是发射极，箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向，箭头方向向外是NPN型，箭头方向向内是型，两种符号的区别在于发射极的箭头方向不同，实际上发射极箭头方向就是发射极正向电流的真实方向。
11、晶体三极管BJT种类很多，按照频率分，有管，低频晶体管，按照功率分，有、中、大功率晶体管，按照半导体材料分，有硅管和锗晶体管等。
12、使三极管起放大作用的外部条件是：发射结加偏置电压，集电结加偏置电压。
13、三极管的电流分配规律公式I E = ，即发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。
无论是NPN型管还是PNP型管，均符合这一规律。
14、三极管的电流放大作用实质：由于电流的变化，使集电极电流I C发生更大的变化。
也就是说，基极电流I B的微小变化控制了集电极电流I C较大的变化，是“以小控大”的作用。
15、三极管I E电流与I B电流关系：I E = I B16、基极电流和集电极电流之比基本为常量，该常量称为共发射极直流放大系数β，定义为：=β17、基极电流有微小的变化量Δi B，集电极电流就会产生较大的变化量Δi C，且电流变化量之比也基本为常量，该常量称为共发射交流放大系数β，定义为：=β18、已知工作在放大区的某三极管，如果当I B从12 uA 增大到22 uA 时，I C从l mA变为2mA，那么它的β约=β19、NPN三极管中，电流I B、I C流入三极管，电流流出三极管；20、PNP三极管中，电流流入三极管，电流I B、I C流出三极管。
21、共发射极电路基极为输入端，集电极为输出端。
作为公共端22、共基极电路发射极为输入端，集电极为输出端，为公共端。
23、电路基极为输入端，发射极为输出端。
集电极为公共端24、根据三极管放大电路输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为共发射极，，共集电极三种电路。
25、在三极管放大电路中，应保证发射结正向偏置，而反向偏置。
26、晶体三极管有三个区：发射区、基区、；两个PN结：发射结(BE结)、集电结(BC结)；三个电极：发射极e(E)、基极b(B)和集电极c(C)。
27、三极管的电流放大作用，指的是用较小的___ ____的变化，从而得到较大的集电极电流的变化。
28、三极管的特性曲线主要有曲线和输出特性曲线两种。
29、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，I B与之间的关系。
30、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的。
31、三极管工作于饱和区时，其外部条件是发射结，集电缜。
32、三极管工作于放大区时，其外部条件是发射结，集电结。
33、三极管处于截止区时，其外部条件发射结，集电结。
34、特征频率fT是指β值下降到1的信号频率。
35、当I C过大时，电流放大系数β将下降。
在技术上规定，使β下降到正常值的2/3时的集电极电流称。
12二、选择题（ ）1、三极管具有放大( )作用。
A ． 电压B ．电流C ．功率D ．电位（ ）2、三极管工作于放大区时，其外部条件是( )A ．发射结正偏，集电缜正偏B ．发射结正偏，集电结反偏 B ． 发射结反偏，集电结反偏 D ．发射结反偏，集电结正偏（ ）3、三极管工作于放大区时，集电极电流I C 受( )控制，与V BE 几乎无关．A ．RB B ．V CEC ．R CD ．I B（ ）4、三极管的电流分配规律是( )。
A ． IB = I E + IC B ．I E = I B + I C C ． I C = I B + I ED ．IE =I B - I C（ ）5、NPN 型三极管和PNP 型三极管的区别是_____。
A ． 由两种不同材料硅和锗制成B ． 掺入的杂质元素不同C ． P 区和N 区的位置不同（ ）6 、PNP 型三极管实现放大作用时，三极电位之间的关系是____。
A ．V E >VB >VC B ．Vc<V B <V C C ．V B >V C >V ED ．V B <V C <V E（ ）7、某NPN 型三极管V B = 4.7 V ，V C = 4.3 V ，V E = 4 V ，此三极管处于( )状态？A ．饱和B ．放大C ．截止（ ）8、某NPN 型三极管V B = 2.7 V ，V C = 10 V ，V E =2.0 V ，此三极管处于( )状态？A ．饱和B ．放大C ．截止（ ）9、某NPN 型三极管V B =1.3 V ，V C = 5 V ，V E = 1.6 V ，此三极管处于( )状态？A ．饱和B ．放大C ．截止 （ ）10、如果三极管工作在截止区，两个PN 结状态 。
A ．均为正偏B ．均为反偏C ．发射结正偏，集电结反偏D ．发射结反偏，集电结正偏（ ）11 、NNP 型三极管实现放大作用时，三极电位之间的关系是____。
A ．V E >VB >VC B ．V E <V B <V C C ．V B >V C >V ED ．V B <V C <V E（ ）12、某晶体管的发射极电流等于1mA ，基极电流等于20μA ，则它的集电极电流等于( )A 、0.98 mAB 、1.02 mAC 、0.8 mAD 、1.2 mA（ ）13、对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为U B =2.7V ，U E =2V ，U C =9V ，则该管工作在 。
A 、放大区B 、饱和区C 、截止区D 、无法确定（ ）14、某单管共射放大电路在处于放大状态时，电位分别是U B =8.3V ，U E =9V ，U C =2V ，则此三极管一定是 。
A 、PNP 硅管B 、NPN 硅管C 、PNP 锗管D 、NPN 锗管（ ）15、测得三极管I B1=30μA 时，I C 1= 2.4mA ；I B2=40μA 时，I C 2= 3 mA ，则该管的交流电流放大系数为 。
A 、80B 、60C 、75D 、100（ ）16、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的 。
A 、i CB 、u CEC 、i BD 、i E（ ）17、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V ，V2=6V ，V3=2.7V ，则 。
A 、1为e 2为b 3为cB 、1为e 3为b 2为cC 、2为e 1为b 3为cD 、3为e 1为b 2为c（ ）18、三极管工作于饱和区时，其外部条件是( )答案：AA 发射结正偏，集电缜正偏B ．发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏D ．发射结反偏，集电结正偏（ ）19、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( ) 。
A.83B.91C.100 D ．120（ ）20、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏 （ ）21、某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A 、B 、C 对地的电位分别是=2.3V ，=3V ，=0V ，则此三极管一定是（A ）A.PNP 硅管B.NPN 硅管C.PNP 锗管D.NPN 锗管（ ）22、某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A 、B 、C 对地的电位分别是=2.3V ，=2V ，=12V ，则此三极管一定是（D ）A.PNP 硅管B.NPN 硅管C.PNP 锗管D.NPN 锗管三、综合题1、下图所示为三极管的输出特性，求：该三极管在U CE =6V ，I B =20µA 附近的β和β值。
U CE /V2、【教材P42-4】图2.28给出了小功率NPN 型硅高频三极管3DG4的输出特性曲线。
试求Q1点和Q2点处的共射极直流电流放大系数1Q β和2Q β，'并求Q1、Q2点附近的共射极交流电流放大系数β。
33．判别三极管的工作状态（1）V E = -1.0 V ， V B = - 1.3 V ，V C = -6V ； （2）V E = 1.5V ，V B = 1.2 V ，V C =1.3V ； （3）V E =-1.2 V , V B =-1.0 V ，V C =-6V ；4．判别三极管的工作状态（1）V B = -6.3 V ，V C =-1 V ，V E =-7.0 V ； （2）V B = -5.3 V ，V C =-5.7V ， V E = -6V ； （3）V B =-9 V ，V C = -6V ，V E =-7 V ；5、工作放大状态三极管两个电极的电流如图。