常用三极管(场效应管)二极管参数表
常用二极管三极管参数大全
常用二极管三极管参数大全一、常用二极管参数1.直流正向电压降（Vf）：指二极管正向导通时的电压降，也称为前向压降，一般常用的正向电压降为0.6V或0.7V。
2. 最大正向电流（Ifmax）：表示二极管正向工作时的最大电流，超过该电流可能会损坏二极管。
3. 最大反向电压（Vrmax）：指二极管反向工作时最大允许的电压，超过该电压可能会导致二极管击穿。
4. 最大反向电流（Irmax）：表示二极管反向工作时的最大允许电流，超过该电流可能会损坏二极管。
5. 最大耗散功率（Pdmax）：表示二极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致二极管过热损坏。
6.负温度系数（TK）：指二极管在正向工作时，正向电流随温度升高而减小的程度，一般单位为%/℃。
7. 正向电导（Gon）：指二极管正向工作时的导通电导，一般单位为S（西门子）或mA/V。
8.反向电容（Cj）：指二极管反向偏置条件下的电容，一般单位为pF（皮法）。
9. 反向延迟时间（trr）：指二极管正向导通结束到反向电流消失的时间。
10.导通角（θF）：指二极管在正向导通状态下的导电角，即Ⅲ象限导通角。
二、常用三极管参数1. 最大漏极源极电压（Vceo）：表示三极管漏极与源极之间的最大电压，超过该电压可能会导致击穿。
2. 最大集电极电流（Icmax）：表示三极管集电极最大允许的电流，超过该电流可能会损坏三极管。
3. 最大发射极电流（Iemax）：表示三极管发射极最大允许的电流，超过该电流可能会损坏三极管。
4. 最大功率（Pmax）：表示三极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致三极管过热损坏。
5. 最大反向电压（Vrmax）：指三极管反向工作时最大允许的电压，超过该电压可能会导致击穿。
6. 最大反向电流（Irmax）：表示三极管反向工作时的最大允许电流，超过该电流可能会损坏三极管。
7. 输入电容（Cin）：指三极管输入端的电容，一般单位为pF（皮法）。
8. 输出电容（Cout）：指三极管输出端的电容，一般单位为pF（皮法）。
常用场效应管(25N120等)参数及代换
常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3PFQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460AFQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3PFQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3PFQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3PFQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3PFQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3PFQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3PFQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3PFFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3PISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动ICRHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管） 1200V/8A/75W/TO220RHRP15120 （快恢复二极管） 1200V/15A/TO220RHRP30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10ARHRG30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSFET） 200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D （IGBT） 1500V/40A/TO264快速IGBTFGL60N100BNTD （IGBT） 1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT） 1200V/35A/298W/100ns/TO247HGTG11N120CND （IGBT） 1200V/43A/298W/TO247HGTG18N120BND （IGBT） 1200V/54A/390W/90ns/TO247FQP5N50C （MOSFET） 500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35W FQPF5N50C （MOSFET） 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35W FQP9N50C （MOSFET） 500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75W FQPF9N50C （MOSFET） 500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75W FQP13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET） 500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35WFQA16N50 （MOSFET） 500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 （MOSFET） 500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 （MOSFET） 600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B （MOSFET） 400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B （MOSFET） 400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B （MOSFET） 500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220 IRF840B （MOSFET） 500V/8A/0.85Ω/134W/TO220 IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W FQPF5N60C （MOSFET） 600V/5A/TO220FFQPF8N60C （MOSFET） 600V/8A/TO220FFQPF10N60C （MOSFET） 600V/10A/TO220FQPF12N60 （MOSFET） 600V/12A/51W/0.65Ω/TO220F FCP11N60 （MOSFET） 650V/11A/125W0.32Ω/TO220 RHRD660S （快恢复二极管） 600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/75W/TO-220 RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管） 60V/0.12A/SOT-23HUF76629D3S （MOSFET） 100V/20A/110W/TO-252 HUF75639S3S （MOSFET） 100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO252 ISL9V3040S3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO263 ISL9V5036S3S （IGBT） 360V/46A/250W/TO262FQP33N10L （MOSFET） 100V/33A/52MΩ127W/TO220。
常用高清行管和大功率三极管主要参数表
常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降，产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善，则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善，所以这种情况不多见，表现出来的现象是行一开机就停。
4. 电源电压升高
2SC935 3DD102D、2SD320 电源调整管
2SC8937 D2027、2SD818 行输出管
2SC1034 2SD818、2SD299 行输出管
2SC1162 FA433A、2SC2068 场输出枕形校正
2SC1172 D2027、2SD820 行输出管
2SC1209 3DG12A、2SD734 电源误差放大管
*C3842 120 1500 6 行管
*C3883 50 1500 5 行管
C3885 50 1400 7 行管
C3886 50 1400 8 行管
C3887 80 1400 7 行管
C3888 80 1400 80 行管
C3889 80 1400 80 行管
*C3891 50 1400 6 行管
D1887 70 1500 10 行管
*D2125 50 1500 5 行管
*D870 50 1500 5 行管
功率Pcm/W 反压BVCBO 电流ICM/A （*带阻尼）
进口与国产显示器常用三极管代换表
型号 可代用型号
2SA562 CG673B、2SB689 预视放
2SA670 2SA1069、2SB513 电源调整管
2SB556K CD77-1A、3CF5B 电源调整
2SB621 3CG23B、2SB1035 电源推动管
常用二极管三极管场效应管参数资料
IC=2A
5A
表 9 3DG 高频小功率硅管及其他同类型硅管（NPN 型）
部标新型
旧型号
PCM
号
/W
极限参数
直流参数 交流参数
ICM BUCBO BUCEO ICBO ICEO hFE /mA /V /V /μA /μA /β
fT /MHZ
3DG6A 3DG100M
20 15
25～2 ≥150
70
3DG6A 3DG100A
≤1 -6~4 550 1
50
10
53 2
250
2CW 2CW1
5.5~6.5 38
≤0.5 -3~5 500 1
30
10
54 3
2CW 2CW1 6.2~7.5 33
55 4
≤6 400 1
15
10
2CW 2CW1 7~8.8 29
56 5
≤7 400 1
15
5
2CW 2CW1 8.5~9.5 26
400
2CZ54G 2CP
500
2CZ54H 2CP1E
600
2CZ54K 2CP1G
800
测试条件 25℃ 25℃
12 25℃ 0.01s
5℃
2CP10 2CZ82A
2CP11 2CZ82B
2CP12 2CZ82C
2CP14 2CZ82D
2CP16 2CZ82E
2CP18 2CZ82F
2CP19 2CZ82G
工作电流= 10 mA
表 4 发光二极管
型号发光Biblioteka 颜色发光最大工作 正向压降 一般工作
发光亮度 发光功率
波长/
电流/mA /V 电流/mA
元件封装形式对照表
三极管（晶体管）
三极管封装类型 图片 封装名称 封装说明
贴片三极管
SOT**
**代表不同型状的 封装
引脚式封装
TO**
**代表不同型状的 封装
6
场效应管（MOSFET）
MOSFET类型 英文缩写 封装名称 SOT23 FSOT23 封装说明 标准尺寸
晶闸管
晶闸管类型 英文缩写 封装名称 封装说明 标准尺寸
直插电阻
贴片电容
R.
AXIAL-0.3
电容
电容类型 SMD 电解电容 英文缩写 封装名称 封装说明 标准尺寸
二极管
二极管封装类型 图片 封装名称 DO-35 DO-41 封装说明
玻封二极管
有引脚
玻封二极管
LL34 LL41 SOD123 SOD323 SOD523
无引脚
贴片二极管
双二极管
TO220
集成IC
集成IC类型 图片 封装名称 封装说明 1.引脚数量增加 2.成品率提升 3.可靠性高
球栅阵列封装
BGA
四侧无引脚扁平封装
QFN
1.引脚焊盘设计 2.阻焊层设计 3.中间焊盘设计
集成IC
集成IC类型 图片 封装名称 封装说明 1.穿孔安装 2.易布线 3.操作方便 引脚中心距为 1.27mm,引脚数8-44只. 引脚数100以上, 适用于高频 双排直插封装 DIP
小外型封装 塑料方型扁平式//扁 平式组件式封装
SOP/Hale Waihona Puke OL/DFPQFP/PFP
插针网格陈列式封装
PGA
配合PGA 插座使用
电子元件常用封装对照表
目录
• • • • • • • 1.电阻 2.电容 3.二极管 4.三极管（晶体管） 5.场效应管（MOSFET） 6.晶闸管 7.集成IC
常用晶体管参数大全查询
常用晶体管参数大全查询晶体管是一种最常见的电子器件，用于控制电流和放大信号。
它有许多参数需要掌握，这些参数对于选购和设计电路非常重要。
以下是一些常用晶体管参数的详细说明。
1.三极管类型（NPN/PNP）：晶体管有两种常见的类型分别为NPN和PNP。
NPN晶体管中，发射极和基极之间的电子流是由发射极到集电极的，而PNP晶体管中是由集电极到发射极的。
2.最大击穿电压（BVCEO/BVCBO）：指晶体管的最大集电极-发射极或集电极-发射极间可以承受的电压。
超过这个电压时，晶体管可能会发生击穿而损坏。
3.最大连续电流（IC）：指晶体管可以承受的最大电流。
超过这个电流值，晶体管可能会被加热过热而损坏。
4.最大功耗（PD）：指晶体管可以承受的最大功率，计算方法为PD=VCE×IC。
超过这个功率值，晶体管可能会被过热而损坏。
5.DC增益（hFE）：也称放大倍数，它表示晶体管的放大能力。
hFE的值越高，晶体管放大能力越强。
6.基极电流（IB）：晶体管的输入电流。
通过改变基极电流，可以控制晶体管的输出电流。
7. 饱和电压（VCEsat）：晶体管处于饱和状态时，发射极-集电极间的电压。
饱和电压越低，晶体管的开关速度越快。
8. 输入电容（Cib/Cie）：晶体管输入端的电容。
输入电容越小，晶体管对输入信号的响应越快。
9. 输出电容（Cob/Coe）：晶体管输出端的电容。
输出电容越小，晶体管的输出速度越快。
10.射极电阻（Re）：晶体管的射极电阻。
射极电阻越小，晶体管的集电极电流更容易流过。
11. 震荡频率（ft）：晶体管的最高工作频率。
这是指晶体管可以正常工作的最高频率。
12.噪声系数（NF）：噪声系数是指晶体管引入电路的噪声水平。
噪声系数越小，晶体管的噪声性能越好。
以上是一些常用的晶体管参数的详细说明，了解这些参数可以帮助我们在选购和设计电路时作出正确的决策。
常见大中功率管三极管参数
常见大中功率管三极管参数大中功率管（也叫功放管）是一种用于放大和驱动信号的电子器件，主要用于音频功放、RF射频放大器、电力调节、发光二极管驱动、扫描和切换等应用中。
下面将介绍一些常见的大中功率管的参数。
1. 最大漏极电压（Vds max）：是指管子能够承受的最大工作电压。
它通常以VDC（直流电压）或Vp（脉冲电压）来表示。
功率管的Vds max值通常在几十至几百伏之间。
2. 最大漏-源电流（Id max）：是指管子能够承受的最大电流。
它通常以ADC（直流电流）或Ap（脉冲电流）来表示。
功率管的Id max值通常在几十至几百安培之间。
3. 最大功率耗散（Pd max）：是指管子能够承受的最大功率。
它通常以瓦特（W）为单位。
功率管的Pd max值通常在几十至几百瓦特之间。
4. 饱和电压（Vsat）：是指管子在饱和状态下的漏-源电压。
它通常以伏特为单位。
功率管的Vsat值通常在几十至几百伏之间。
5. 饱和电流（Isat）：是指管子在饱和状态下的漏-源电流。
它通常以安培为单位。
功率管的Isat值通常在几十至几百安培之间。
6. 输出电阻（Ron）：是指管子在线性工作区域内的漏-源等效电阻。
它决定了管子的放大倍数以及输出能力。
功率管的Ron值通常在几至几十欧姆之间。
7. 峰值放大因子（hfe max）：是指管子在特定工作条件下的电流放大倍数。
它决定了管子的放大能力。
功率管的hfe max值通常在几十至几百之间。
8. 开启时间（ton）和关闭时间（toff）：是指管子从截止状态到饱和状态（ton）以及从饱和状态到截止状态（toff）所需要的时间。
它们通常以纳秒（ns）为单位。
这两个参数影响了功率管的工作频率和开关速度。
以上是一些常见的大中功率管的参数。
不同的型号和应用会有一些差异，但这些参数大多是影响功率管性能和工作条件的重要指标。
在选取和使用功率管时，需要根据具体的应用要求来选择合适的功率管，并严格控制工作条件，以确保功率管的可靠性和稳定性。
y2三级管参数
y2三级管参数全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：y2三极管，也被称为二极管，是一种常用的半导体元件，常用于放大、开关等电路中。
y2三极管的参数对于电路设计和性能起着至关重要的作用，了解这些参数对于工程师和技术人员来说非常重要。
本文将介绍y2三极管的几个重要参数及其含义。
1. 饱和电压（VCEsat）：饱和电压是指在三极管处于饱和状态时，集电极与发射极之间的电压。
在饱和状态下，三极管的开关速度较快，可以快速响应信号。
饱和电压越小，三极管在饱和状态下的性能就越好。
2. 最大集电极电压（VCEO）：最大集电极电压是指三极管能够承受的最大集电极与发射极之间的电压。
超过这个电压值，三极管可能会烧坏。
因此在电路设计时需要考虑集电极电压的问题，以确保不会损坏三极管。
4. 直流增益（hFE）：直流增益是指三极管放大直流信号时的放大倍数。
直流增益越大，三极管的放大效果就越好。
工程师通常会根据需要选择合适的直流增益值来设计电路。
5. 频率特性：三极管的频率特性指的是在不同频率下的工作性能。
三极管的频率特性决定了它适用于哪种频率的信号放大。
在设计高频率电路时，需要选择具有良好频率特性的三极管。
y2三极管的参数对于电路设计和性能至关重要。
工程师和技术人员在选择三极管时需要考虑这些参数的具体数值，以确保电路性能稳定可靠。
希望本文对读者有所帮助，谢谢阅读。
第二篇示例：y2三极管，又称为场效应三极管（FET），是一种重要的半导体器件，在电子电路中起着关键的作用。
它的参数包括很多方面，下面我们就来详细了解一下y2三极管的参数。
y2三极管的主要参数之一是导通电阻。
导通电阻是指在y2三极管导通状态下的电阻大小，一般用单位欧姆来表示。
导通电阻大小直接影响y2三极管的导通能力，导通电阻越小，y2三极管导通能力越强。
通过控制y2三极管的导通电阻，可以实现对电路中电流的调节。
导通电阻也受到温度的影响，温度越高，导通电阻越大，导通能力也会受到影响。
二极管参数
名称:常用半导体二极管的主要参数常用半导体二极管的主要参数表13部分半导体二极管的参数类型普通检波二极管&Pound;16 &Sup3;2.5 &Pound;1 &Sup3;40 20 &Pound;250 &Pound;1 F H (MHz)150&Sup3;5 &Sup3;150 100&Pound;25 &Sup3;10 &Pound;1 &Pound;10 &Pound;250 &Pound;1 F H (MHz)40&Pound;15 &Sup3;10 &Pound;100锗开关二极管&Sup3;150 &Pound;1 30 10 &Pound;3 &Pound;20040 20&Sup3;200 &Pound;0.9 60 40 &Pound;2 &Pound;150&Sup3;10 &Pound;1 70 50 &Pound;2 &Pound;150&Sup3;250 &Pound;0.7 60 4070 50硅开关二极管&Sup3;10 &Pound;0.8 A&Sup3;30 B&Sup3;45 C&Sup3;60 D&Sup3;75 E&Sup3;90 A&Sup3;20 B&Sup3;30 C&Sup3;40 D&Sup3;50 E&Sup3;60 &Pound;1.5 &Pound;3&Sup3;20 &Pound;4&Sup3;30 &Pound;1 &Pound;5&Sup3;50 &Pound;1&Sup3;100&Sup3;150&Sup3;200类型整流二极管 2 0.1 &Pound;1 25 L 6006 0.3 &Pound;1 50 L 100010 0.5 &Pound;1 50 L 100020 1 &Pound;1 50 L 100065 3 &Pound;0.8 25 L 100030 1 1.1 50 L 1000 550 1.5 1.4 50 L 1000 10200 3 1.2 50 L 1000 103.常用整流桥的主要参数表14几种单相桥式整流器的参数整流电流/A反向工作电压/V最高工作结温/ O CQL1 1 0.05 &Pound;1.2 &Pound;10 130QL2 2 0.1QL4 6 0.3QL5 10 0.5QL6 20 1QL7 40 2 &Pound;15QL8 60 3 4.常用稳压二极管的主要参数表15部分稳压二极管的主要参数工作电流为稳定电流稳定电压下环境温度<50 O C稳定电流下稳定电流下环境温度＜10 O C稳定电压/V稳定电流/MA最大稳定电流/MA反向漏电流动态电阻/W电压温度系数/10 -4 / O C最大耗散功率/W2CW51 2.5~3.5 10 71 &Pound;5 &Pound;60 &Sup3;-9 0.252CW52 3.2~4.5 55 &Pound;2 &Pound;70 &Sup3;-82CW53 4~5.8 41 &Pound;1 &Pound;50 -6~42CW54 5.5~6.5 38 &Pound;0.5 &Pound;30 -3~52CW56 7~8.8 27 &Pound;15 &Pound;72CW57 8.5~9.8 26 &Pound;20 &Pound;82CW59 10~11.8 5 20 &Pound;30 &Pound;92CW60 11.5~12.5 19 &Pound;40 &Pound;92CW103 4~5.8 50 165 &Pound;1 &Pound;20 -6~4 12CW110 11.5~12.5 20 76 &Pound;0.5 &Pound;20 &Pound;92CW113 16~19 10 52 &Pound;0.5 &Pound;40 &Pound;112CW1A 5 30 240 &Pound;20 12CW6C 15 30 70 &Pound;8 12CW7C 6.0~6.5 10 30 &Pound;10 0.05 0.2 5.常用半导体三极管的主要参数表16 3AX51(3AX31)型半导体三极管的参数原型号3AX31测试条件新型号3AX51A 3AX51B 3AX51C 3AX51D极限参数P CM (MW) 100 100 100 100 T A＝25 O CI CM (MA) 100 100 100 100T JM ( O C) 75 75 75 75BV CBO (V) &Sup3;30 &Sup3;30 &Sup3;30 &Sup3;30 I C＝1mABV CEO (V) &Sup3;12 &Sup3;12 &Sup3;18 &Sup3;24 I C＝1mA直流参数I CBO (MA) &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 V CB＝-10VI CEO (MA) &Pound;500 &Pound;500 &Pound;300 &Pound;300 V CE＝-6VI EBO (MA) &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 V EB＝-6VH FE 40~150 40~150 30~100 25~70 V CE＝-1V I C＝50mA交流参数 F A (KHz) &Sup3;500 &Sup3;500 &Sup3;500 &Sup3;500 V CB＝-6V I E＝1mAN F (DB)－&Pound;8－－V CB＝-2V I E＝0.5mA F＝1kHzH Ie (KW) 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 V CB＝-6V I E＝1mA F＝1kHzH Re (&Acute;10) &Pound;2.2 &Pound;2.2 &Pound;2.2 &Pound;2.2H Oe (Ms) &Pound;80 &Pound;80 &Pound;80 &P ound;80H Fe－－－－H FE色标分档管脚表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数型号3AX81A 3AX81B测试条件极限参数P CM (MW) 200 200I CM (MA) 200 200T JM ( O C) 75 75BV CBO (V) -20 -30 I C＝4mABV CEO (V) -10 -15 I C＝4mABV EBO (V) -7 -10 I E＝4mA直流参数I CBO (MA) &Pound;30 &Pound;15 V CB＝-6VI CEO (MA) &Pound;1000 &Pound;700 V CE＝-6VI EBO (MA) &Pound;30 &Pound;15 V EB＝-6VV BES (V) &Pound;0.6 &Pound;0.6 V CE＝-1V I C＝175mAV CES (V) &Pound;0.65 &Pound;0.65 V CE＝V BE V CB＝0 I C＝200mAH FE 40~270 40~270 V CE＝-1V I C＝175mA交流参数 F B (KHz) &Sup3;6 &Sup3;8 V CB＝-6V I E＝10mAH FE色标分档管脚表18 3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数型号3BX31M 3BX31A 3BX31B 3BX31C测试条件极限参数P CM (MW) 125 125 125 125 T A =25 O CI CM (MA) 125 125 125 125T JM ( O C) 75 75 75 75BV CBO (V) -15 -20 -30 -40 I C＝1mABV CEO (V) -6 -12 -18 -24 I C＝2mABV EBO (V) -6 -10 -10 -10 I E＝1mA直流参数I CBO (MA) &Pound;25 &Pound;20 &Pound;12 &Pound;6 V CB＝6VI CEO (MA) &Pound;1000 &Pound;800 &Pound;600 &Pound;400 V CE＝6VI EBO (MA) &Pound;25 &Pound;20 &Pound;12 &Pound;6 V EB＝6VV BES (V) &Pound;0.6 &Pound;0.6 &Pound;0.6 &Pound;0.6 V CE＝6V I C＝100mA V CES (V) &Pound;0.65 &Pound;0.65 &Pound;0.65 &Pound;0.65 V CE＝V BE V CB＝0 I C＝125mAH FE 80~400 40~180 40~180 40~180 V CE＝1V I C＝100mA交流参数 F B (KHz)－－&Sup3;8 F A &Sup3;465 V CB＝-6V I E＝10mAH FE色标分档管脚表19 3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG6测试条件新型号3DG100A 3DG100B 3DG100C 3DG100D极限参数CM (MW)CM (MA)CBO (V) C＝100&Micro;ACEO (V) C＝100&Micro;AEBO (V) E＝100mA直流参数CBO (MA) CB＝10VCEO (MA) CE＝10VEBO (MA) EB＝1.5VBES (V) C＝10mA I B＝1mACES (V) C＝10mA I B＝1mAFE CE＝10V I C＝3mA交流参数T (MHz) CB＝10V I E＝3mA F＝100MHz R L＝5WP (DB) CB＝-6V I E＝3mA F＝100MHzOb (PF) CB＝10V I E＝0H FE色标分档管脚表20 3DG130(3DG12)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG12测试条件新型号3DG130A 3DG130B 3DG130C 3DG130D极限参数P CM (MW) 700 700 700 700I CM (MA) 300 300 300 300BV CBO (V) &Sup3; 40 &Sup3; 60 &Sup3; 40 &Sup3; 60 I C＝100&Micro;ABV CEO (V) &Sup3; 30 &Sup3; 45 &Sup3; 30 &Sup3; 45 I C＝100&Micro;ABV EBO (V) &Sup3; 4 &Sup3; 4 &Sup3; 4 &Sup3; 4 I E＝100mA直流参数I CBO (MA) &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 V CB＝10VI CEO (MA) &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 V CE＝10VI EBO (MA) &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 V EB＝1.5VV BES (V) &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 I C＝100mA I B＝10mAV CES (V) &Pound; 0.6 &Pound; 0.6 &Po und; 0.6 &Pound; 0.6 I C＝100mA I B＝10mAH FE &Sup3;30 &Sup3; 30 &Sup3; 30 &Sup3; 30 V CE＝10V I C＝50mA交流参数 F T (MHz) &Sup3; 150 &Sup3; 150 &Sup3; 300 &Sup3; 300 V CB＝10V I E ＝50mA F＝100MHz R L＝5WK P (DB) &Sup3; 6 &Sup3; 6 &Sup3; 6 &Sup3; 6 V CB＝–10V I E＝50mA F＝100MHz C Ob (PF) &Pound; 10 &Pound; 10 &Pound; 10 &Pound; 10 V CB＝10V I E＝0H FE色标分档管脚表21 9011~9018塑封硅三极管的参数型号(3DG) 9011 (3CX) 9012 (3DX) 9013 (3DG) 9014 (3CG) 9015 (3DG) 9016 (3DG) 9018极限参数P CM (MW) 200 300 300 300 300 200 200I CM (MA) 20 300 300 100 100 25 20BV CBO (V) 20 20 20 25 25 25 30BV CEO (V) 18 18 18 20 20 20 20BV EBO (V) 5 5 5 4 4 4 4直流参数I CBO (MA) 0.01 0.5 0,5 0.05 0.05 0.05 0.05I CEO (MA) 0.1 1 1 0.5 0.5 0.5 0.5I EBO (MA) 0.01 0.5 0,5 0.05 0.05 0.05 0.05V CES (V) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.35V BES (V) 1 1 1 1 1 1H FE 30 30 30 30 30 30 30交流参数 F T (MHz) 100 80 80 500 600C Ob (PF) 3.5 2.5 4 1.6 4K P (DB) 10H FE色标分档管脚表22常用场效应三极管主要参数参数名称N沟道结型MOS型N沟道耗尽型3DJ2 3DJ4 3DJ6 3DJ7 3D01 3D02 3D04D~H D~H D~H D~H D~H D~H D~H饱和漏源电流I DSS (MA) 0.3~10 0.3~10 0.3~10 0.35~1.8 0.35~10 0.35~25 0.35~10.5夹断电压V GS (V) <Ï1~9Ï <Ï1~9Ï <Ï1~9Ï <Ï1~9Ï &Pound;Ï1~9Ï &Pound;Ï1~9Ï&Pound;Ï1~9Ï正向跨导G M (MV) >2000 >2000 >1000 >3000 &Sup3;1000 &Sup3;4000 &Sup3;2000最大漏源电压BV DS (V) >20 >20 >20 >20 >20 >12~20 >20最大耗散功率P DNI (MW) 100 100 100 100 100 25~100 100栅源绝缘电阻R GS (W) &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8~10 9 &Sup3;100管脚。
常用二极管三极管参数
常用二极管三极管参数1. 正向电压降（Forward Voltage Drop）：即二极管在正向导通时的电压降。
不同类型和材料的二极管正向电压降不同，一般为0.1V到1V之间。
2. 反向电压（Reverse Voltage）：即二极管在反向施加电压时可以承受的最大电压，超过该电压则会发生击穿。
3. 正向电流（Forward Current）：即二极管在正向导通时通过的电流。
不同类型和材料的二极管正向电流不同，一般为几十mA到几百mA。
4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current）：即二极管在反向施加电压时的漏电流。
一般来说，漏电流越小，二极管的质量越好。
5. 反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage）：即二极管在反向施加电压时发生击穿的最小电压。
不同类型的二极管反向击穿电压不同。
常用三极管参数：1. 最大正向电流增益（Max Forward Current Gain）：即三极管在正向工作状态下电流放大的倍数。
这个数值越大，三极管的放大效果越好。
2. 最大反向漏电流（Max Reverse Leakage Current）：即三极管在反向工作状态下的漏电流。
这个数值越小，三极管的质量越好。
3. 最大集电结（Collector Junction）饱和电压（VCEsat）：即三极管在饱和状态下集电极和发射极之间的电压降。
通常情况下，饱和电压应尽可能低，以确保三极管能够有效地导通。
4. 最大集电极电流（Max Collector Current）：即三极管所能承受的最大集电电流。
超过这个数值将导致三极管的击穿和损坏。
5. 最大功耗（Max Power Dissipation）：即三极管所能承受的最大功率。
超过这个数值将导致三极管过热并可能损坏。
以上介绍了二极管和三极管的常见参数，这些参数的理解和掌握对于选择合适的二极管和三极管，以及正确设计和应用电路非常重要。
三极管参数大全
三极管知识简介概述半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。
它最主要的功能是电流放大和开关作用。
三极管顾名思义具有三个电极。
二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。
其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。
由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。
三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观，有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。
实际上箭头所指的方向是电流的方向。
电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP)，低噪声管9014(NPN)，高频小功率管9018(NPN)等。
它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。
在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等，它们的型号也都印在金属的外壳上。
我国生产的晶体管有一套命名规则，电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。
符号的第一部分“3”表示三极管。
符号的第二部分表示器件的材料和结构：A——PNP型锗材料；B——NPN型锗材料；C——PNP型硅材料；D——NPN型硅材料。
符号的第三部分表示功能：U——光电管；K——开关管；X——低频小功率管；G——高频小功率管；D——低频大功率管；A——高频大功率管。
另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。
三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。
三极管有一个重要参数就是电流放大系数 b。
当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流b 倍的电流，即集电极电流。
常用二极管
≥30
≥300
3DG130D
≥60
≥45
≤0.5
≤1
≥30
≥300
测试条件
Ic=
100μA
Ic=
100μA
UCB=10V
UCE=10V
UCE=10V
Ic=50mA
UCE=10V
IE=3mA
fT=100MHZ
表103AG高频小功率锗管及其他同类型锗管
参数
型号
PCM/mW
ICM/mA
U（BR）CEO/V
1
60
3
2CW130
2CW22
3~4.5
600
3000
≤0.5
≤-8
≤250
3
≤20
100
2CW131
2CW22A
4.5~5.8
500
-6~4
≤300
3
≤15
100
2CW132
2CW22B
5.5~6.5
460
-3~5
≤250
3
≤12
100
2CW133
2CW22C
6.2~7.5
400
≤6
≤200
3
≤6
≤15
2DW7C
6.0~6.5
≤5
测试条件
工作电流=10 mA
反向电压=1V
工作电流=10 mA
表4发光二极管
型号
发光
颜色
最大工作电流/mA
正向压降/V
一般工作电流/mA
发光波长/A
发光亮度
/光通量
发光功率/ mW
HG5200砷化镓二极管
红外
3（A）
三 极 管 参 数
C N型，硅材料 V 微波管
W 稳压管 A 高频大功率管
B P型，锗材料
C 参量管
饱和电压（或饱和压降）
-- 晶体管有三种工作状态：截止状态、放大状态和饱和导通状态。当发射结与集电结都处于反向偏置时，晶体管处于截止状态；当发射结处于正向偏置而集电结处于反向偏置时，晶体管处于放大状态；当发射结和集电结均处于正向偏置时，集电极与发射极之间的电阻及压降都很小，晶体管处于饱和导通状态。晶体管在饱和导通状态时，各电极（端子）之间的电压降被称为饱和电压。其值越小电压利用率越高，功率损耗越小。
Pc* 在管壳温度 Tc=25°C 条件下，集电极耗散功率的最大值，即把附加无限大散热板作为前提时的最大
值（单位 W或mW）。
VCEX：发射极接地，基极与发射极之间施加规定的反向偏压时，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压。
VCES：发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压。
hoe-- 输出导纳。共发射极电路中，交流输入开路（即交流输入电流在零状态时）条件下、交流输出电流的有效值对交流输出电压有效值的比值。
Yre-- 发射极接地，小信号输入短路时的逆传输导纳（在规定的VCE、Ic和IE 及?的条件下测定的）。
Yfe-- 发射极接地，小信号输出短路时的顺传输导纳（在规定的VCE、Ic和IE及?的条件下测定的）。
电气特性参数
反向饱和漏电流ICBO
--基极接地，发射极对地开路，在规定的VCBO反向电压条件下，集电极与基极之间的反向饱和漏电流，被简称为反向饱和电流，也被称为反向饱和截止电流。对于小信号锗管而言，其值为数 μA；对于锗功放管而言，其值为数mA；小信号硅管，其值为数n源自；功率放大用硅管，其值为数μA。
常用电阻 二极管 三极管参数资料
常用电阻、二极管、三极管参数资料1．固定电阻器的主要参数固定电阻器的主要参数是标称阻值、允许误差和额定功率。
（1）标称阻值和允许误差电阻器上标志的阻值叫标称值，而实际值与标称值的偏差，除以标称值所得的百分数叫电阻的误差，它反映了电阻器的精度。
不同的精度有一个相应的误差，表1列出了常用电阻器的允许误差等级（精度等级）。
表1 常用电阻器允许误差的等级目前固定电阻器大都为I级或II级普通电阻，而且III级很少，能满足一般应用的要求，02、01、005级的精密电阻器，一般用于测量仪器，仪表及特殊设备电路中。
国家有关部门规定了阻值系列作产品的标准，表2是普通电阻器系列表。
表中的标称值可以乘以10n，例如，4．7这个标称值，就有0．47Ω、4．7Ω、47Ω、470Ω、4．7KΩ……。
选择阻值时必须在相应等级的系列表中进行。
表2 电阻器系列及允许误差（2）电阻器的额定功率电阻器长时间工作允许所加的最大功率叫额定功率。
电阻器的额定功率，通常有1/8、1／4、1／2、1、2、3、5、10瓦等。
表示电阻器额定功率的通用符号见图1。
大于1W的则用阿拉伯数字表示。
2．固定电阻器的主要参数的标志方法（1）电阻器的额定功率、阻值及允许误差一般都标在电阻器上。
额定功率较大的电阻器，一般都将额定功率直接印在电阻器上。
额定功率较小的电阻器，可以从它的几何尺寸和表面面积上看出，一般0.125 w、0.25w电阻器的直径约2．5毫米，长约7-8毫米；0．5W电阻器的直径约4．5毫米，长约10-12毫米。
（2）电阻值及允许误差有三种表示法，即直标法、文字符号法和色标法。
直标法是阻值和允许误差直接标明，如2KΩ±5％；文字符号法是阻值用数字与符号组合在一起表示，组合规律如下：文字符号Ω、K、M前面的数字表示整数阻值，文字符号Ω、K、M后面的数字表示小数点后面的小数阻值。
允许误差用符号、J＝±5％、K＝±10％、M＝±20％。
常用(贴片)三极管
C1044 6 NPN 视放 45V 0.3A 2.2GHZ
C1216 6 NPN 高速开关 40V 0.2A T,20nS
A4t 不是三极管，是个共阴极的双二极管。型号：BAV70 70V 0.2A，可以用2个1N4148代替。
t1A是 PMMT3904 SOT23 PMST3904 SOT323
=================================
全系列三极管应用参数
名 称 封装 极性 功 能 耐 压 电 流 功 率 频 率 配对管
=========================================
t2a 通用PNP型硅三极管 可以代用的太多了 几乎所有小功率PNP管都可以
TIA---通用npn型可以用C945、c1815、2N3904代替
====================================
UN2111 V1
UN2112 V2
UN2113 V3
UN2211 V4
UN2212 V5
UN2213 V6
2SC3356 R23
2SC3838 AD
2N7002 702
----------------------------
贴片三极管y1除了8050可代换还有其它代换的三极管吗？
9012 21 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013
2N6678 12 NPN 音频功放开关 650V 15A 175W 15MHZ
9012 贴片 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013
3DA87A 6 NPN 视频放大 100V 0.1A 1W
常见三极管参数
常见的小功率管有：2SC9011～2SC9018这一系列8个；2SA1015和2SC1815配对管；2N5551 和2N5401 配对管；2SC8550和2SC8050配对管；2SA9014和2SC9015配对管；2SC945，2SA92，2SA94。
中功率13001～13007，TIP41和TIP42；一般情况下三极管标示型号只标为C9014，或S9014等！2SC9011～9018系列：9011/9016/9017/9018为高频管，其他为低频管，用于常见电路；2SC945(可用于高频)，2SC92，2SA94：C92/94电话中较常见；2SC8050，2SC8550：小功率放大电路中配对管，小电子产品、高频电路和电话中常见；2SC1815，2SA1015：小功率放大电路中配对管；2N5551，2N5401：高耐压管，用于放大电路前级，电话电路等；MJE13001～13007系列，节能灯中常见。
下列元件不是三极管：TL431，7879L05(79L05)等，MCR100-6，BT169等等！TL431是精密稳压源；78(79)L05(06/07/08/09/12/15/24)为三端稳压电路，稳定电压为后两位数，78系列为正压，79系列为负压；MCR100-6，BT169等是可控硅，即晶闸管。
BC557B还有。
2N3904,2N3906ksk ksk BC817 BC8078550和80502sc3356,2sc90182N2222 2N29078050，8850，9012，9013，9015，9018，2907，222a 1623/1123 9014/9013 2n2222 8050B772,D882中功率管中的便宜货.TIP122,127达林顿功率管中的便宜货.怎么不见 2N5551和2N5401呢最早的当然就是3DG6了，然后是3AX31B,还用它做过推挽放大器，升压电源，然后是3DA87C,高频中功率管。
常用半导体的主要参数
常用半导体二极管的主要参数
表13部分半导体二极管的参数
3.常用整流桥的主要参数
4.常用稳压二极管的主要参数
5.常用半导体三极管的主要参数
(1) 3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管
（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管
表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数
（3）3BX31型NPN型锗低频小功率三极管
(1)3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管
表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
(5) 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管
表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
(2)9011~9018塑封硅三极管
表21 9011~9018塑封硅三极管的参数
6．常用场效应管主要参数
表22常用场效应三极管主要参数。
常用场效应管
常用场效应晶体管篇Statesman 发表于 2007-8-22 13:46:00场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。
而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
见下图。
二、场效应三极管的型号命名方法现行有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。
第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。
例如,3DJ6D 是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。
三极管的参数
查看文章三极管常用参数2009-11-08 22:41三极管参数VCEO,基极开路,集电极－发射极反向击穿电压。
VCBO,发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。
VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。
VDSO, 漏源击穿电压。
ICM,集电极最大允许电流。
IDSM,最大漏源电流。
PCM,集电极最大耗散功率。
PDM,漏极最大耗散功率。
IC,集电极电流。
ID,漏极电流。
hFE,共发射极静态放大倍数。
gm,低频跨导,场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。
fT,特征频率。
td,延迟时间。
tf,下降时间。
一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。