模电模拟期中+答案
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
A. Vc1和Vc2不变B. Vc1升高，Vc2下降
C. Vc1和Vc2下降D. Vc1和Vc2以相同的值下降
三、
图示电路中，二极管为理想二极管，请写出UAO两端的电压值。
A
O
四、
1．电路及晶体管特性曲线如图所示。
已知：UCC＝12V，RB＝280KΩ，RC＝3KΩ，UBE＝0.7V
（1）用图解法求静态工作点。
.武夷学院期中考试试卷级专业
一、填空（25%）
1.纯净的半导体单晶体称为__本征半导体__，它有两种载流子，即带_正_电的__空穴_和带_负__电的__自由电子_。由于两者___电量____相等、____极性_____相反，所以半导体呈电中性。
2.根据掺入杂质的性质不同，可以分为__P__型半导体和__N__型半导体。如果掺入杂质是磷元素，将形成__N__型半导体，其中多子是___自由电子___。
7.恒流源电路的重要特性是等效直流电阻__小_，等效交流电阻__很大，因而广泛应用在模拟集成电路中
8.某差动放大器的两个输入信号为＋80mV和－50mV，则它的差模信号为__ 130mV__，共模信号为____15mV___。
二、单选题（20%）
1、N型半导体（c）。
A：带正电B：带负电C：呈中性
2、在常温下，流过二极管的正向电流与其两端的外加电压（b）。
vo=-hfe*ib(Rc+Re)vi=ib*rbe
A=-45 AS=-22.5
（4）Ri=860Ω
（5）Ro=2KΩ
3．电路如图所示，已知三极管的β＝50，rbb'=300Ω，UBE=0.7V。
试求：（1）画出其h参数等效电路（2）计算电压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro
3、（1）h参数等效电路如下：
答案：
三、简答题
图示电路中，二极管为理想二极管，请写出UAO两端的电压值。
D1 A
D2 O
0V
D
U
四、
4、[解]
（1）
V
联立
设
mA（ mA舍去{VGS=3-2*4.5=-6<VP＝－3V}）， V
（V）
（上式满足 ，即放大区条件）
（2） （ms）
（2）IBQ＝ =110μA,
IEQ≈5.6mA
=0.54kΩ
Au＝ ＝0.98，
Ri＝ ＝17.2k
RO＝ ＝162Ω
4．在图所示共源放大器中，JFET的参数为：IDSS＝4.5mA，VP＝－3V，rds可忽略不计。试求：（1）静态工作点VGS、ID和VDS；（2）电压增益AV、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
A：±10mvB：±5mvC：±35mv
6、随着温度的升高，本征半导体中自由电子和空穴的变化情况是（c）。
A：自由电子数增加，空穴数不变B：空穴数增加，自由电子数不变
CΒιβλιοθήκη Baidu自由电子和空穴数都增多
7、用万用表测得电路中三极管各电极对地的直流电压电位分别如（a）、(b)所示，试判断这些三极管分别处于哪种工作状态。（a）。
3.PN结的伏安特性方程式为I＝____I＝ __________。
4.半导体三极管具有放大作用的外部条件是：发射结必须_正偏_、集电结必须____反偏____。
5.半导体三极管的结构特点是发射区__掺杂浓度_高，基区_很薄_且掺杂浓度低，集电结面积大。
6.电压放大器的输出信号波形不仅与静态工作点位置有关，还与_输入信号幅度_和__负载大小_有关。
A. (a)发射结短路，(b)放大B. (a)集电结开路，(b)截止
C. (a)放大，(b)集电极开路D. (a)集截止，(b)饱和
8、场效应管漏极电流由（a）的漂移运动形成。
A：多子B：少子C：两种载流子
9、影响三极管静态工作点稳定的主要原因是（b）。
A：外界干扰B：温度变化C：噪声
10、在图示电路中，三极管T1和T2参数对称，Rc1=Rc2，当环境温度升高时，试问Vc1和Vc2的变化趋势（D）。
（1）静态工作点ICQ和UCEQ
（2）画出h参数等效电路
（3）电压放大倍数A和源电压放大倍数AS
（4）放大器的输入电阻Ri
（5）放大器的输出电阻Ro
2、（1）UB=4V UE=3.4V ICQ=（ubq-0.6）/Re=1.7mA
UCEQ=Vcc-IcQ*(Rc+Re)=5.2V
（2）图略
（3）rbe= =988Ω
（2）uo最大不失真时的输出电压为多少？
1、
（1）IBQ＝40μA ICQ＝2.1mA UCEQ＝5V
（2）uo最大不失真幅度为3.5V关键在动态输出电阻的估计上
2.电路如图所示，已知：UCC＝12V，RS＝1KΩ，RB1＝20KΩ，RB2＝10KΩ，RC＝RE＝RL＝2KΩ，UBE＝0.6V，hfe＝45，rbb’＝300Ω。C1、C2、C3对交流视为短路。求：
A：几乎无关B：近似按指数规律上升C：线性关系
3、P沟道增强型MOS管的开启电压为（b）。
A：大于0B：小于0C：等于0
4、采用图解法分析基本放大器的静态特性时，必须画出晶体管特性曲线和（a），所求两者之交点即为Q点。
A：直流负载线B：交流负载线C：转移特性曲线
5、某差动放大器的输入信号分别为Vs1＝30mv，Vs2＝40mv，其差模输入电压为（a）。
C. Vc1和Vc2下降D. Vc1和Vc2以相同的值下降
三、
图示电路中，二极管为理想二极管，请写出UAO两端的电压值。
A
O
四、
1．电路及晶体管特性曲线如图所示。
已知：UCC＝12V，RB＝280KΩ，RC＝3KΩ，UBE＝0.7V
（1）用图解法求静态工作点。
.武夷学院期中考试试卷级专业
一、填空（25%）
1.纯净的半导体单晶体称为__本征半导体__，它有两种载流子，即带_正_电的__空穴_和带_负__电的__自由电子_。由于两者___电量____相等、____极性_____相反，所以半导体呈电中性。
2.根据掺入杂质的性质不同，可以分为__P__型半导体和__N__型半导体。如果掺入杂质是磷元素，将形成__N__型半导体，其中多子是___自由电子___。
7.恒流源电路的重要特性是等效直流电阻__小_，等效交流电阻__很大，因而广泛应用在模拟集成电路中
8.某差动放大器的两个输入信号为＋80mV和－50mV，则它的差模信号为__ 130mV__，共模信号为____15mV___。
二、单选题（20%）
1、N型半导体（c）。
A：带正电B：带负电C：呈中性
2、在常温下，流过二极管的正向电流与其两端的外加电压（b）。
vo=-hfe*ib(Rc+Re)vi=ib*rbe
A=-45 AS=-22.5
（4）Ri=860Ω
（5）Ro=2KΩ
3．电路如图所示，已知三极管的β＝50，rbb'=300Ω，UBE=0.7V。
试求：（1）画出其h参数等效电路（2）计算电压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro
3、（1）h参数等效电路如下：
答案：
三、简答题
图示电路中，二极管为理想二极管，请写出UAO两端的电压值。
D1 A
D2 O
0V
D
U
四、
4、[解]
（1）
V
联立
设
mA（ mA舍去{VGS=3-2*4.5=-6<VP＝－3V}）， V
（V）
（上式满足 ，即放大区条件）
（2） （ms）
（2）IBQ＝ =110μA,
IEQ≈5.6mA
=0.54kΩ
Au＝ ＝0.98，
Ri＝ ＝17.2k
RO＝ ＝162Ω
4．在图所示共源放大器中，JFET的参数为：IDSS＝4.5mA，VP＝－3V，rds可忽略不计。试求：（1）静态工作点VGS、ID和VDS；（2）电压增益AV、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
A：±10mvB：±5mvC：±35mv
6、随着温度的升高，本征半导体中自由电子和空穴的变化情况是（c）。
A：自由电子数增加，空穴数不变B：空穴数增加，自由电子数不变
CΒιβλιοθήκη Baidu自由电子和空穴数都增多
7、用万用表测得电路中三极管各电极对地的直流电压电位分别如（a）、(b)所示，试判断这些三极管分别处于哪种工作状态。（a）。
3.PN结的伏安特性方程式为I＝____I＝ __________。
4.半导体三极管具有放大作用的外部条件是：发射结必须_正偏_、集电结必须____反偏____。
5.半导体三极管的结构特点是发射区__掺杂浓度_高，基区_很薄_且掺杂浓度低，集电结面积大。
6.电压放大器的输出信号波形不仅与静态工作点位置有关，还与_输入信号幅度_和__负载大小_有关。
A. (a)发射结短路，(b)放大B. (a)集电结开路，(b)截止
C. (a)放大，(b)集电极开路D. (a)集截止，(b)饱和
8、场效应管漏极电流由（a）的漂移运动形成。
A：多子B：少子C：两种载流子
9、影响三极管静态工作点稳定的主要原因是（b）。
A：外界干扰B：温度变化C：噪声
10、在图示电路中，三极管T1和T2参数对称，Rc1=Rc2，当环境温度升高时，试问Vc1和Vc2的变化趋势（D）。
（1）静态工作点ICQ和UCEQ
（2）画出h参数等效电路
（3）电压放大倍数A和源电压放大倍数AS
（4）放大器的输入电阻Ri
（5）放大器的输出电阻Ro
2、（1）UB=4V UE=3.4V ICQ=（ubq-0.6）/Re=1.7mA
UCEQ=Vcc-IcQ*(Rc+Re)=5.2V
（2）图略
（3）rbe= =988Ω
（2）uo最大不失真时的输出电压为多少？
1、
（1）IBQ＝40μA ICQ＝2.1mA UCEQ＝5V
（2）uo最大不失真幅度为3.5V关键在动态输出电阻的估计上
2.电路如图所示，已知：UCC＝12V，RS＝1KΩ，RB1＝20KΩ，RB2＝10KΩ，RC＝RE＝RL＝2KΩ，UBE＝0.6V，hfe＝45，rbb’＝300Ω。C1、C2、C3对交流视为短路。求：
A：几乎无关B：近似按指数规律上升C：线性关系
3、P沟道增强型MOS管的开启电压为（b）。
A：大于0B：小于0C：等于0
4、采用图解法分析基本放大器的静态特性时，必须画出晶体管特性曲线和（a），所求两者之交点即为Q点。
A：直流负载线B：交流负载线C：转移特性曲线
5、某差动放大器的输入信号分别为Vs1＝30mv，Vs2＝40mv，其差模输入电压为（a）。