磁控溅射镀膜机使用说明
磁控溅射镀膜机的使用流程
磁控溅射镀膜机的使用流程1. 准备工作在操作磁控溅射镀膜机之前,需要进行一些准备工作,确保操作环境的安全和设备的正常运行。
•确认设备的电源线是否连接正常,并检查设备是否接地稳定。
•检查溅射镀膜机的压力表、温度计、流量计等仪表是否正常工作。
•检查溅射镀膜机的气源、电源等供应是否稳定。
2. 打开溅射镀膜机首先,需要打开磁控溅射镀膜机。
1.将溅射镀膜机的总电源开关置于开启状态。
2.检查控制面板是否正常亮起。
3.按下溅射镀膜机操作面板上的电子锁开关,解锁镀膜机的控制功能。
3. 调试设备参数在使用溅射镀膜机之前,需要根据工艺要求对设备参数进行调试。
1.调整辅助气体流量:根据工艺要求,通过操作面板上的流量调节阀,调整辅助气体的流量。
2.调整溅射镀膜机室内的真空度:根据工艺要求,使用溅射镀膜机上的真空度调节阀,调整室内的真空度。
3.设置溅射材料和靶材的参数:根据工艺要求,使用面板上的参数调节器,设置溅射材料和靶材的参数,如功率、速度等。
4. 加载靶材和标的物在进行溅射镀膜之前,需要先加载靶材和标的物。
1.打开磁控溅射镀膜机的前装门,将待镀膜的标的物放置在标的物台上。
2.打开磁控溅射镀膜机的靶材舱门,将靶材装入靶材托盘中,然后将靶材托盘放入靶材舱。
3.使用磁控溅射镀膜机的操作面板,将坐标定位到标的物的位置上。
5. 开始溅射镀膜一切准备就绪后,可以开始进行溅射镀膜操作了。
1.检查一遍设备的参数和操作流程是否设定正确。
2.按下溅射镀膜机操作面板上的“启动”按钮,启动溅射镀膜过程。
3.监控溅射镀膜过程中的参数变化,并根据需要进行相应的调整。
4.在镀膜时间达到要求后,按下操作面板上的“停止”按钮,停止溅射镀膜过程。
6. 完成操作完成溅射镀膜后,需要进行一些收尾工作。
1.关闭磁控溅射镀膜机的电源开关。
2.清理溅射镀膜机内的靶材残留物和镀膜沉积物。
3.维护设备,保持设备的清洁和正常运行。
4.将操作面板上的电子锁开关设置为锁定状态,以防止设备误操作。
磁控溅射仪操作规范
JSD450-Ⅲ型磁控溅射镀膜机
操作步骤及规范
开机
1、打开冷水机。
设定温度:冬天10-15℃,夏天5℃
2、打开放气阀破真空,然后关闭放气阀(之后整个工作过程务必保证放气
阀均是关闭状态。
本机阀门均是逆时针打开,顺时针关闭)
3、打开总控电源
4、打开真空计(电阻单元真空范围10Pa,电离单元0.1-10-6Pa)
5、打开灯,检查镀膜腔是否关紧(观察腔四周是否有光线)
6、打开机械泵电磁阀,此时务必保证放气阀已经关闭!!!
7、打开预抽阀
8、当压强达到10Pa以下打开分子泵→运行→关闭预抽阀→完全打开插板阀工作
1、当腔内压强真空度达到要求后,打开气罐(指针调至刻度1-2之间),关
小插板阀,仪器的工作气压为1-10Pa。
2、关闭电离单元按下“自动”→电离→打开进气阀→流量计(mL/min)
3、在保持输入气体比例基本不变的条件下调节进气量或者调节插板阀使气
压处于1-10Pa,最好是5Pa,流量计开关一般在“阀控”。
4、打开射频开关“ON”观察有无起灰,若无起灰再调节功率或进气量
关机
气体流量计归零→关闭状态→关闭进气阀→关闭控气阀→关闭插板阀→关闭气瓶→射频/直流功率归零→“OFF”→温度电源归零关闭→流量计关闭→分子泵停止待转速归零→关闭开关→关闭电磁阀→关闭机械泵→放气阀打开→放完气以后关闭。
世昂磁控溅射仪操作指南 修改[dxy]
拎紧。 d. 查看水冷机的水位及其与各部分,包括分子泵、靶位的接口是否牢固,
检查有无漏水现象。 e. 查看Ar气、N2气气瓶是否处于关闭状态,查看气体余量。
3 注意事项: a.开机前检查各供水系统,各开关、阀的位置。 b.所有操作要详细阅读相关说明书。 c.实验过程中应时刻留意分子泵的运行状况。分子泵停转后,应立即关闭冷
1. 在进入实验室之后,为保证实验人员的安全,实验步骤的规范,以及出于对 仪器的保护,穿好实验服,戴口罩,手套,准备开始实验。
2.进行实验之前,检查实验仪器是否处于正常状态,包括: a. 查看大型设备使用登记表,以及实验记录本,查看上次实验过程中是否
有异常,上次实验日期及溅射材料。并做好使用登记。 b. 检查设备各线路、气路是否完好,供电、供水是否正常,各开关、阀门
3
注意:1.整个实验过程要求戴手套。吹的过程中,气枪与玻璃表面成一定角度(大 约 30 度)并戴口罩;
2.在配置浓硫酸和双氧水溶液时,注意安全,穿实验服,规范操作并且带 橡胶手套;
3.基片清洗完毕后尽量尽快使用,且不能翻转、震动样品盒避免损伤基片。
第二部分:磁控溅射操作流程 2.1 开机抽真空步骤:
1.检查插板阀(溅射室与样品室之间)、闸板阀(分子泵上面)、样品室和溅射 室充气阀是否关闭,还应检查各部件的链接情况,如冷却水,电路、气路 等。检 查完毕,各阀门没有异常之后可以开始抽真空。
2.打开“总电源”,为控制面板供电,打开“总供电”,为设备供电。接通电源 之后,检查各指示灯是否正常,如果发生异常,寻找原因,保证实验正常进行。
2.清洗。将样平台(腔内部分)拆下来,和基片夹、挡板等放入被稀释的盐酸溶
磁控镀膜操作规程
磁控镀膜操作规程磁控镀膜是一种利用磁控溅射技术对材料进行薄膜涂覆的方法。
磁控镀膜具有膜层致密、附着力强、膜层均匀、沉积速率快等优点,广泛应用于光学薄膜、电子器件、半导体材料等领域。
下面是磁控镀膜操作规程,供参考。
一、设备操作前的准备工作:1. 检查设备的供电电源、压缩空气、冷水循环等系统是否正常运行。
2. 检查镀膜材料及其靶材是否准备齐全,确保没有污染和损坏。
3. 检查真空泵的油位是否足够,真空泵是否正常运转。
4. 检查电极、靶材和工件的接触端是否干净,如有污染需用无尘纱布擦拭。
二、设备操作步骤:1. 打开设备电源,保持设备通电正常。
检查密封装置是否正常,如有漏气现象需要及时修复。
2. 打开水冷却系统,确保冷却水流量正常。
检查冷水机的工作状态,如温度是否稳定,流量是否充足。
3. 打开真空泵的开关,启动泵机,观察真空度是否逐渐上升。
如真空度没有上升或上升缓慢,需检查真空系统是否有漏气情况。
4. 打开底部旋转架的开关,控制旋转速度。
根据工艺要求,调整合适的旋转速度。
5. 打开磁控镀膜的开关,调节磁控功率。
根据镀膜工艺要求,调节合适的磁控功率,确保膜层的均匀性和致密性。
6. 打开闸门,将待镀膜的工件放置在旋转架上。
确保工件与电极、靶材的接触良好,避免电弧和放电现象。
7. 控制镀膜时间,根据工艺要求设定合适的镀膜时间。
8. 镀膜完成后,关闭磁控镀膜的开关,停止供电。
关闭底部旋转架的开关,停止旋转。
9. 关闭闸门,取下已镀膜的工件。
检查工件的膜层质量,如有问题需要及时进行维修或重新镀膜。
10. 关闭真空泵的开关,停止运转。
检查真空泵的油位是否足够,如不足应及时补充。
11. 关闭水冷却系统的开关,停止冷却水流动。
三、设备操作后的收尾工作:1. 清理设备内部的残留杂质和污染物,保持设备的清洁。
2. 停止供电和冷却系统,关闭设备的电源和水冷机。
3. 对设备进行定期保养和维护,清洁真空泵、更换滤网和密封圈等易损件。
JCP-200使用说明书
JCP-200磁控溅射/蒸发镀膜机使用说明书北京泰科诺科技有限公司2008年6月目录1.设备简介2.设备技术参数及功能3.设备环境要求4.设备安装5.设备操作及注意事项6.设备保养及维护附图1.JCP-ZZ-200B多功能磁控溅射镀膜机外形图2.磁控靶结构示意图3.基片台结构示意图4.真空系统示意图5.电器控制原理图一.设备简介JCP-200磁控溅射镀膜机以磁控溅射技术为主体(兼容蒸发镀膜技术)该设备由真空系统、镀膜室、磁控溅射靶、基片台(架)、真空系统、工作气体供给、电气控制等部分组成,主要应用于沉积金属膜、介质膜及半导体膜。
1.1.真空系统该设备采用110L/S分子泵、2L/S机械泵、前级阀真空系统。
为了尽量减小“出气”量、降低真空压强,整个系统(包括所有法兰及管道)全部采用不锈钢材料。
真空测量采用数字式复合真空计,测量范围从大气至10-5Pa,具有自身保护测量规管的功能。
真空联锁保护采用断水保护磁控靶的措施。
1.2.镀膜室镀膜室采用不锈钢柱状两层结构:上层安装旋转基片台,可手动打开,下层安装磁控溅射靶、进气装置,便于更换基片、靶材及日常维护;磁控靶装在下,基片台在上。
该方式的优点在于:防止颗粒物对膜表面的侵害。
在镀膜室的前面、侧面配有玻璃观察窗,观察其镀膜过程的状况,一旦出现非正常情况可采取应对措施。
1.3.磁控溅射靶磁控溅射靶(简称磁控靶)是该设备的核心部件,它的性能决定了沉积薄膜的质量。
按形状及用途不同可分为:圆形平面靶、矩形靶、柱状靶及S枪形靶。
该设备采用圆形平面靶,靶材尺寸为Ф50×δ4mm(2”),表面磁感应强度约为Br=400Gs。
靶电源采用A2K双极性脉冲电源,可沉积金属膜、半导体膜及反应膜。
磁控靶工作原理可简述为:自由电子在阴极靶材表面正交电磁场的作用下,电子获得约400eV以上的能量并做曲线运动,运动过程中与工作气体原子(如Ar、O2、N2 、CH4……)相互碰撞形成正离子,正离子与处在负电位的阴极靶材相互作用溅射出靶材的中性粒子,这些中性粒子沉积于基片表面(阳极)形成薄膜。
溅射镀膜操作过程
溅射镀膜操作过程镀膜操作过程磁控溅射开启1开总电源,开冷却水2开总控制柜电源开关,开机械泵开关,开V6阀初抽真空(初抽3分钟后可打开复合真空计测真空)3当真空度<10Pa时,可打开电磁阀DF4当真空度<5Pa时即关V6阀,开分子泵(先开电源,等到显示屏显示不断跳跃的450时按下Start)5打开闸板阀G开始抽真空,(30分钟后)当真空度<10-2Pa时可以打开程控真空计测真空6大约抽30分钟看一下真空计读数,真空达到10-4时就可以开始烘烤(切记:烘烤时不能开程控真空计)7烘烤30分钟后关闭烘烤按钮,继续抽真空到所需真空度气体通入1关闭程控真空计,检查气路正常,然后打开(流量计面板上气路控制)电源开关2打开所用气路的截止阀,抽出气路中的残余气体3关闸板阀G(实际上不完全关闭,调到很小)4打开气瓶(先逆时针开主旋钮),再顺时针轻开压力表的次级压力旋钮(气压表气压0.1MPa)5打开所用气路的计量计(对Ar气,对应MFC4)开关,拨至阀控,用调节旋钮调节气路流量大小(如20sscm)6调节闸板阀G使之到所需的工作气压(如一般3Pa)(气压基本稳定时可结合流量计微调,波动范围0.05Pa)溅射1开射频控制柜总电源2开射频电源预热5分钟3开始反溅射(起清洗真空室的作用)。
操作时(拨到反溅档),先把溅射电压调至50V。
量程按钮调到最大(2000,保护仪表不超过量程),调节功率到设定功率,反射读数调到最低。
按量程到200按钮,调节功率(电压)起辉反溅10分钟,关闭溅射电源4调节闸板阀到所需工作气压(如0.3Pa),开射频电源,电压调至50V,重复步骤3调节到所需功率,起辉预溅5~10分钟(转动挡板挡住样品)清洗靶材。
5移开挡板,打开偏压(设定好)开始溅射(注意把握好时间,到时间旋转挡板)溅射关闭1关射频功率源(旋钮至最低,OFF)2关偏压电源3关基片旋转控制电源(注意顺序)4关射频总控制电源5把旋钮打到反溅关闭气体1先将调节旋钮旋到最低,当流量显示<1.0时再把流量计开关档打到关闭2关闭气路的截止阀(对Ar气是V5)3打开闸板阀,关闭气瓶(先逆时针关次分压)真空系统关闭1关闭闸板阀G2继续抽真空到10-4数量级,关闭分子泵。
真空磁控溅射镀膜设备用户手册资料
真空磁控溅射镀膜控制系统用户手册2008-07-09V1.1目录1.系统简述 (4)1.1真空系统 (4)1.2 传送系统 (4)1.3 加热系统 (4)1.4 溅射电源 (4)1.5 冷却水 (4)1.6 工艺气路 (5)2.系统供电 (5)2.1 柜体通电前检查 (5)2.2 现场设备通电前检查 (5)2.3 电源送电顺序 (5)2.3.1 PLC控制柜 (5)2.3.2 电加热柜 (6)2.3.3 泵组柜 (6)3.PLC运行程序 (6)3.1 环境模式 (7)3.2 工作模式 (7)3.3 安全连锁 (9)3.4 系统报警 (9)4.上位机软件操作 (11)4.1 上位机画面 (11)4.1.1 介绍 (12)4.1.1.1 图例 (12)4.1.2总貌 (13)4.1.3 真空 (14)4.1.4 传动 (16)4.1.5加热 (19)4.1.6 参数设定 (21)4.1.7 溅射电源 (23)4.1.8 控制模式 (25)4.1.9 分子泵使能操作 (27)4.1.10 历史报警 (28)4.1.11 框架信息 (29)4.1.12运行注意事项 (30)4.1.12.1 开机注意事项 (30)4.1.12.1 停机注意事项 (31)5. 工程维护 (31)5.1 传输设置 (31)5.1.1 传输工程文件 (32)5.2 WINGP运行 (33)6.变量地址表 (33)1.系统简述TFT系统需要实现玻璃在真空环境下自动化的连续镀膜,生产线布置为“回”字型矩形结构,生产线划分为4个区,位于生产线左右侧的上片区和下片区,位于上下片平台间的工艺区和回传区,其中呈”->”方向移动的区域为工艺区,呈”<-“方向移动的区域为回送区。
TFT控制系统实现对生产过程中的真空、加热、传动、电源、冷却水、工业气体在镀膜过程中的连续控制。
1.1真空系统真空系统设备集中于真空室区域,由抽气设备(机械泵、罗茨泵、分子泵)检测设备(PG 表,CG表)、安全阀(分子泵前蝶阀、机械泵罗茨泵间自吸阀、管道阀和破空阀);通过机械泵->罗茨泵->分子泵接力抽气,将腔室内压力由大气变为真空,并在生产过程中保持适合生产的真空环境;1.2 传送系统传送系统共24台操作电机,上下片平台各4台,工艺区11台,回传区5台传动电机,除上下片平台各有2台电机可实现双向传动外,其余电机均为单向传动;其中除M3 –M9 可以通过端子通断和模拟量信号协同控制电机转速外,其余电机的传动速度由端子通断直接控制;1.3 加热系统加热系统共66台,在连续生产过程中,逐段加热工艺区腔室内的温度,以确保在玻璃在镀膜过程中的环境温度,加热系统进行PID运算,通过固态继电器的电压脉冲控制加热器的加热频率;1.4 溅射电源在工艺区有4个溅射室,室内配置MF中频溅射电源和DC直流溅射电源,通过电源产生的高电压电离气体分子;1.5 冷却水机械泵、分子泵、溅射电源冷却管路安装有压力检测设备,通过水流开关检测冷却水压力是否符合设备冷却的要求;1.6 工艺气路气路由供气管道,流量计和切断阀组成;2.系统供电2.1 柜体通电前检查柜间连接线校核;所有断路器,熔断器处于断开状态;检查泵组柜,电加热柜一次主排、母排绝缘和是否短路;检查泵组柜,PLC柜,电加热柜,电源柜是否短路;2.2 现场设备通电前检查电缆接线的校核;接线的电源电压等级是否与设备匹配;机械泵,罗茨泵,传动电机通电前进行三相对地绝缘(电阻>0.5M欧)测试; 其它现场设备是否有短路现象,例如分子泵,阀门等;控制回路的功能测试;2.3 电源送电顺序2.3.1 PLC控制柜传动控制柜PLC模块电源供电(220V)QF51->SB54(面板)->QF81;PLC控制柜及PLC模块触摸屏供电(220V)QF51->SB54(面板)->QF82;检修插座供电(220V)QF51->SB54(面板)->QF86;传动控制柜I/O模块供电(24V)QF51->SB54->QF71->QF74;PLC控制柜I/O模块供电(24V)QF51->SB54->QF71->QF71.1;流量计供电(±15V)QF51->SB54->QF61;温度控制器供电(24V)QF51->SB54->QF64->QF64.1;中频/直流控制电源(24V)QF51->SB54->QF64->QF66;阀门,机械泵气镇,油镇供电(24V)QF51->SB54->QF84->QF84.1;光电开关及真空计电源(24V)QF51->SB54->QF84->QF85;传动电机供电(380V)QF51(泵组控制柜)-->QF165(泵组控制柜)-->(QF52-QF311)2.3.2 电加热柜电加热供电(220V)QF51(泵组控制柜)->QF166(泵组控制柜)->(QF54~QF185)2.3.3 泵组柜机械泵供电(380V)QF51->QF111(进片室)QF51->QF114(工艺区)QF51->QF116(出口室)罗茨泵供电(380V)QF51->QF112(进片室)QF51->QF115(工艺区)QF51->QF118(出口室)分子泵供电(380V)QF51->(QF111-QF162)中频溅射电源供电(380V)QF411->(QF412-QF416)直流溅射电源供电(380V)QF411->(QF421-QF432)3.PLC运行程序PLC程序采用三菱GX Works2 1.31H开发。
多工位磁控溅射镀膜机安全操作及保养规程
多工位磁控溅射镀膜机安全操作及保养规程1. 引言多工位磁控溅射镀膜机是一种用于在物体表面形成薄膜的设备。
本文档旨在说明多工位磁控溅射镀膜机的安全操作规程和保养规程,以确保操作人员的安全,并延长设备的使用寿命。
2. 安全操作规程2.1 检查设备 - 在操作前,必须仔细检查多工位磁控溅射镀膜机的各个部件是否完好无损。
- 确保设备的电源和其他电气设备都处于正常工作状态。
2.2 穿戴个人防护装备 - 在操作多工位磁控溅射镀膜机时,所有操作人员必须穿戴个人防护装备,包括护目镜、手套和防护服等。
-进入操作区域前,务必将头发束起,以免被机械部件卷入。
2.3 操作步骤 - 在启动多工位磁控溅射镀膜机前,仔细阅读并理解设备的操作手册。
- 按照正确的步骤操作设备,切勿随意更改设置。
- 在使用过程中,确保保持设备清洁,并及时清理溅射物。
- 在清洁或维护设备前,务必切断电源或将设备置于安全状态。
2.4 紧急情况处理 - 在发生紧急情况时,立即切断电源并通知相关责任人。
- 遇到火灾时,使用灭火器进行扑灭,并尽快撤离人员。
3. 设备保养规程3.1 日常清洁 - 每日使用后,对多工位磁控溅射镀膜机进行清洁,包括清理外表面和吸尘器。
- 清洁过程中,切勿将水或其他液体直接喷洒到设备上,以免损坏电路。
3.2 维护保养 - 定期对多工位磁控溅射镀膜机进行维护保养,包括检查设备内部电路、电源连接线和冷却系统。
- 如果发现任何异常情况,应及时联系专业维修人员进行维护。
3.3 零部件更换 - 根据设备说明书中的保养计划,定期更换多工位磁控溅射镀膜机的零部件,以确保设备的正常运行。
- 零部件更换时,务必使用原厂配件,并按照说明书中的步骤进行操作。
4. 安全培训和监督•在操作多工位磁控溅射镀膜机前,需要进行相关的安全培训,并获取相关的操作资格证书。
•操作人员需要定期接受安全知识的培训和更新,以确保对操作规程的熟悉程度。
•设备的操作和保养应有专人监督,以避免操作失误和忽视保养工作。
磁控溅射仪操作手册
磁控溅射仪操作手册一.设备开机:1.确认室内工作环境适合磁控溅射仪工作。
2.开电源。
在总闸打开的情况下,打开控制磁控溅射仪用电的设备开关②;开磁控溅射仪的电源开关。
3.等显示屏上能看见炉腔真空度开冷却循环水。
4.将空气阀开关调至半开状态,开氩气瓶,氧气瓶和氮气瓶至0.1MPa。
5.开分子泵。
显示屏进入正常模式之后,调制AUTO档点“AUTO PUMP”自动开启机械泵和分子泵。
然后仪器自动抽取分子泵待。
前级阀(Backing Valve)和高阀(Hi-Va)依次变绿开始抽取主真空室真空。
二.放样Ⅰ.进样1)在Arm@Home是绿色的情况下,点击“LL AUTO VENT”,送样室开始放气。
2)放完气之后,开送样室的大门,将放有待镀膜的样品的工件盘放入送样线的机械手上,关上送样室的大门,合上大门的开关。
3)点击“LL AUTO PUMP”(根据需要可能需要两次),开始给送样室抽取真空。
待LL AUTO PUMP由绿变红时,抽取真空完毕。
Ⅱ.送样1)点击“LL ISOLATION VALVE”,将进样室和主真空室的阀门打开即可开始送样。
2)传送样品时,将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“UP”档,逆时针转动转盘,当带有工件盘的机械手到达主真空室的对应位置。
3)将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“DOWN”档,即将工件盘送入主真空室对应工的件台上。
4)顺时针转动转盘,直至机械手移至送样室对应的部位,这时能听到进样室和主真空室的阀门关闭的响动信号,此时机械手已经归位。
三.样品清洗(AUTO模式)1.选择自动模式,依次点击“Navigate”,“AUTO CONFIGURATION”进入自动挡的电源选择界面。
2.在自动挡的电源选择界面选取偏压溅射,设置偏压溅射的参数,可以参考如下图。
设置好偏压功率,溅射时间,工件盘旋转速率,本地真空,气体流量。
3.点击“Overview”进入主界面,观察腔室的真空度,如果真空度未达到5×10-6Torr需要灌液氮辅助抽真空。
磁控溅射镀膜机使用说明
磁控溅射镀膜机使用说明
磁控溅射镀膜机使用说明
1、检查水箱液面高于冷却管,三相电指示灯,出气管放到窗外。
(推荐用纯净水)
2、放样品
a、打开放气阀,打开侧门,关闭放气阀。
(或看真空计示数)
b、升顶盖
c、放靶材,放样品,用万用表检查靶材与外壳是否短路
d、降顶画,关侧门
3、抽真空
a、手按住侧门,开机械泵,开电磁阀,开预抽阀
b、清洗Ar气管,将Ar气减压阀关闭(逆时针),将Ar气开关打向(D08-1F)清洗,示数降为零(0.1-0.2)打到关闭,打开Ar 气瓶上减压阀0.2Mpa
c、当气压计小于5pa,开分子泵(先合上电源,再按运行,运行一段时间后自动停止),关预抽阀,开抽板阀
d、烘烤(约半小时),关烘烤(未做)
e、等待真空至要求值。
4、溅射
关小抽板阀,打开Ar气开关至阀控,流量设置为要求值(文献),调节抽板阀令腔内气压至工作气压(文献Ar气压)20pa
打开偏压电源(直流),打开基底挡板,清洗基底(清洗完关基底挡板)。
恒电流:
打开射频电源,调节功率至要求值,打开靶材挡板,开始溅射。
射频电源要令Pr尽可能至零(调节LOAD,TUNE调占空比)。
打开基底挡板,开始溅射。
5、停机
溅射完,关射频电源off,流量调至0,关Ar气至关闭,打开抽板
阀,抽真空1小时。
关抽板阀,关分子泵(先按STOP,一直到示数为0,再关闭电源),关电磁阀,关机械泵。
6、关气瓶(主)
注意:
1、不允许真空状态下,打开顶盖升降。
2、不允许分子泵,运行时,打开充气阀。
3、Ar气减压阀,一定逆时针关闭后才能清洗Ar气管。
磁控溅射操作步骤新
磁控溅射操作步骤(有下划线为着重注意)一、抽真空1.循环水开,总电源开2.检查所有阀门必须关闭3.总电源开4.开(2个)“镀膜室机械泵”,“样品室机械泵”5.打开(2个)35角阀,开到最大(35角阀是机械泵的开口)6.看真空显示表,开“热偶”,DL-70 镀膜室DL -90样品室7.当热偶真空计显示数(当压强﹤10pa时,关闭2个35角阀)(当压强长时间不减小时,可能是封闭不严)8.打开(2个)“镀膜室前级阀”,“样品室前级阀”9.分子泵显示,启动分子泵(2个),按绿色“运行”10.打开镀膜室和样品室闸板阀(2个)开到底(逆时针转)等到分子泵频率到稳定状态(镀膜室400Hz,样品室450HZ)11.打开真空显示窗中的“电离”(2个)两室工作时压强都要达到5.0×10-4pa,真空度最高可达:镀膜室6.0×10-6pa。
二、镀膜1.通气体前,关闭真空显示计“电离”开关2.打开射频匹配器开关,进行预热3.打开16进气阀,开一圈,看显示计示数变化,要求气体流入时,气压平衡增大,不能大于100pa4.打开蓝色Ar气的截止阀,开一圈5.打开流量控制电源“开关”,打开Ar流量的“阀控”,旋转调节旋钮,顺时针旋转,至示数20(30)6.打开Ar气瓶开关阀,控制输出气压0.1~0.2Pa之间7.调节镀膜室的真空度,关(镀膜室)闸板阀(顺时针转是关),转到最后时微调,看显示器热偶的数字达到要求(0.5~5Pa)(注意:气压显示会出现延迟,并且溅射开始时气压可能还会变化,故溅射时应注意气压的大小要与设定的数据一致)8.射频匹配器打开一段时间后,预热好则Ua的红灯亮9.再打开Ua的绿灯开关,调节“Ua粗调”至20,观察SWR仪表,调C2、C1旋钮,使REFLECTED指针到“0”,则可发生辉光放电。
先调C2使指针至最小值,再调C1使指针至最小值,如此反复至指针为“0”10.预溅射10分钟左右,打开样品台控制电源,按“启动”,样品台开始旋转。
磁控溅射设备说明书教材
磁控溅射沉积系统用户手册声明:感谢您购买中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司(以下简称沈阳科仪公司)的设备,请您在使用该设备之前认真阅读本说明书,当您拿到该说明书时,请认真阅读以下声明。
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您的义务请您在使用过程中,将发生故障的操作步骤填写在用户反馈问题清单中,我们将参考此表内容尽我们最大的能力在最短的时间内完成维修。
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小型磁控溅射仪安全操作及保养规程
小型磁控溅射仪安全操作及保养规程前言小型磁控溅射仪是一种常见的薄膜沉积设备,广泛应用于材料科学、纳米技术、光电、先进制造等领域。
小型磁控溅射仪虽然具有高效率、高精度、高质量等优点,但仪器操作和保养要求非常高,因此,为了保证设备正常运行和实验人员安全,必须遵守以下规程。
设备操作规程一、前置操作1.实验人员必须接受相关安全操作和保养培训,并经过考核通过后才能操作设备。
2.初次启动设备前,需将空气或氮气通入室内3-5小时,确保环境干燥无水。
3.操作前,要确保仪器安装稳固,各电路接线无误,附属仪器完好,工作空间清洁干燥。
二、开机操作1.按照设备说明书上相关步骤操作,启动设备。
2.首先进入手动状态,依照设备说明书规定的要求,先进入清洗等小功率运行过程。
3.启动旋转磁场,使目标材料均匀分布于附着目标靶面的高速溅射面。
4.启动真空系统,将气压降至设备要求的工作压力范围内。
三、使用过程中操作规程1.仪器内部压力不得超过设备工作要求。
2.在操作过程中,禁止随意拆动、碰触或更改任何设备的部位。
3.禁止在操作过程中使用发热器、火种、吸烟等带火源的操作。
4.禁止在设备内部操作时喧哗、奔跑、打闹等行为。
5.若发现任何设备异常,应立即停止操作,及时通知相关工作人员查明原因并修理处理。
6.完成使用后,按照设备说明书规定安全关机,关闭气源和电源等相关系统。
四、日常保养1.每日、每次操作前,检查设备各部分是否干燥干净,确保设备内部无任何残留物、杂质、水分等。
2.定期对真空泵进行保养和检修,保证泵常处于最佳工作状态保证真空度。
3.定期检查设备中存在明显电线老化或质量上问题并及时处理,保证电路运行正常。
4.每年对设备进行大规模检修,检查并更换磁控控制器、转子、真空计、减震装置、气阀等易损耗附件。
总结小型磁控溅射仪是一台高科技设备,其操作和保养要求非常高,安全操作和保养不仅可以延长设备的使用寿命,提高工作效率,而且能保障实验人员的安全。
磁控溅射镀膜机使用说明
磁控溅射镀膜机使用说明磁控溅射镀膜机是一种广泛应用于材料科学、电子制造领域的设备,通过磁控溅射技术,可以在各种基底材料上沉积一层或多层金属、非金属或半导体薄膜。
该设备主要由真空室、磁控溅射源、进样室、控制系统等部分组成。
(1)确认电源连接正常,检查真空泵、冷却循环水等设备是否正常工作。
(2)打开真空室门,将基底材料放置在样品台上。
(3)关闭真空室门,启动真空系统,将室内抽至高真空状态。
(4)打开磁控溅射源,进行预溅射清洗靶材。
(5)调整工艺参数,如溅射功率、时间、气压等,开始进行溅射镀膜。
(6)镀膜过程中,监控各种参数,如气压、电流、功率等,确保设备正常运行。
定期检查和维护设备部件,如真空泵、冷却循环水系统等。
避免在镀膜过程中触摸设备内部部件,以免造成人身伤害。
如遇设备故障或异常情况,请立即停机检查,并专业人员进行维修。
保持设备清洁和整洁,定期进行清洁和维护。
磁控溅射镀膜技术的研究始于20世纪70年代,最初是为了满足空间电子器件对抗辐射损伤的需求。
随着科技的发展,磁控溅射镀膜技术的应用领域越来越广泛,然而也存在一些问题,如薄膜应力大、耐磨性差等,需要进一步研究和改进。
磁控溅射镀膜技术的基本原理是利用磁场控制下的电场放电,使靶材表面上的原子或分子被激发后沉积到基材表面,形成一层薄膜。
具体工艺过程包括:真空泵抽气、加热靶材、加磁场、加电场、溅射沉积等步骤。
该技术的特点在于沉积速度快、薄膜质量高、适用范围广等。
磁控溅射镀膜技术在光电领域的应用主要是在太阳能电池上制备减反射膜和抗反射膜。
在光学领域,磁控溅射镀膜技术可以用来制备各种光学薄膜,如增透膜、反射膜、滤光片等。
在电子领域,磁控溅射镀膜技术可以用来制备各种电子薄膜,如半导体薄膜、绝缘薄膜、导电薄膜等。
未来,磁控溅射镀膜技术的发展趋势主要体现在以下几个方面:一是进一步完善磁控溅射镀膜技术的工艺参数,提高薄膜的质量和性能;二是研究磁控溅射镀膜技术在新型材料制备中的应用,如纳米材料、石墨烯等;三是探索磁控溅射镀膜技术在生物医学、环境治理等领域的应用可能性。
真空磁控溅射镀膜设备用户手册
真空磁控溅射镀膜控制系统用户手册2008-07-09V1.1目录1.系统简述 (4)1.1真空系统 (4)1.2 传送系统 (4)1.3 加热系统 (4)1.4 溅射电源 (4)1.5 冷却水 (4)1.6 工艺气路 (5)2.系统供电 (5)2.1 柜体通电前检查 (5)2.2 现场设备通电前检查 (5)2.3 电源送电顺序 (5)2.3.1 PLC控制柜 (5)2.3.2 电加热柜 (6)2.3.3 泵组柜 (6)3.PLC运行程序 (6)3.1 环境模式 (7)3.2 工作模式 (7)3.3 安全连锁 (9)3.4 系统报警 (10)4.上位机软件操作 (12)4.1 上位机画面 (12)4.1.1 介绍 (12)4.1.1.1 图例 (12)4.1.2总貌 (14)4.1.3 真空 (15)4.1.4 传动 (17)4.1.5加热 (19)4.1.6 参数设定 (21)4.1.7 溅射电源 (23)4.1.8 控制模式 (25)4.1.9 分子泵使能操作 (27)4.1.10 历史报警 (28)4.1.11 框架信息 (29)4.1.12运行注意事项 (30)4.1.12.1 开机注意事项 (30)4.1.12.1 停机注意事项 (31)5. 工程维护 (31)5.1 传输设置 (31)5.1.1 传输工程文件 (32)5.2 WINGP运行 (33)6.变量地址表 (34)TFT系统需要实现玻璃在真空环境下自动化的连续镀膜,生产线布置为“回”字型矩形结构,生产线划分为4个区,位于生产线左右侧的上片区和下片区,位于上下片平台间的工艺区和回传区,其中呈”->”方向移动的区域为工艺区,呈”<-“方向移动的区域为回送区。
TFT控制系统实现对生产过程中的真空、加热、传动、电源、冷却水、工业气体在镀膜过程中的连续控制。
1.1真空系统真空系统设备集中于真空室区域,由抽气设备(机械泵、罗茨泵、分子泵)检测设备(PG 表,CG表)、安全阀(分子泵前蝶阀、机械泵罗茨泵间自吸阀、管道阀和破空阀);通过机械泵 ->罗茨泵->分子泵接力抽气,将腔室内压力由大气变为真空,并在生产过程中保持适合生产的真空环境;1.2 传送系统传送系统共24台操作电机,上下片平台各4台,工艺区11台,回传区5台传动电机,除上下片平台各有2台电机可实现双向传动外,其余电机均为单向传动;其中除M3 –M9 可以通过端子通断和模拟量信号协同控制电机转速外,其余电机的传动速度由端子通断直接控制;1.3 加热系统加热系统共66台,在连续生产过程中,逐段加热工艺区腔室内的温度,以确保在玻璃在镀膜过程中的环境温度,加热系统进行PID运算,通过固态继电器的电压脉冲控制加热器的加热频率;1.4 溅射电源在工艺区有4个溅射室,室内配置MF中频溅射电源和DC直流溅射电源,通过电源产生的高电压电离气体分子;1.5 冷却水机械泵、分子泵、溅射电源冷却管路安装有压力检测设备,通过水流开关检测冷却水压力是否符合设备冷却的要求;1.6 工艺气路气路由供气管道,流量计和切断阀组成;2.1 柜体通电前检查➢柜间连接线校核;➢所有断路器,熔断器处于断开状态;➢检查泵组柜,电加热柜一次主排、母排绝缘和是否短路;➢检查泵组柜,PLC柜,电加热柜,电源柜是否短路;2.2 现场设备通电前检查➢电缆接线的校核;➢接线的电源电压等级是否与设备匹配;➢机械泵,罗茨泵,传动电机通电前进行三相对地绝缘(电阻>0.5M欧)测试;➢其它现场设备是否有短路现象,例如分子泵,阀门等;➢控制回路的功能测试;2.3 电源送电顺序2.3.1 PLC控制柜➢传动控制柜PLC模块电源供电(220V)QF51->SB54(面板)->QF81;➢PLC控制柜及PLC模块触摸屏供电(220V)QF51->SB54(面板)->QF82;➢检修插座供电(220V)QF51->SB54(面板)->QF86;➢传动控制柜I/O模块供电(24V)QF51->SB54->QF71->QF74;➢PLC控制柜I/O模块供电(24V)QF51->SB54->QF71->QF71.1;➢流量计供电(±15V)QF51->SB54->QF61;➢温度控制器供电(24V)QF51->SB54->QF64->QF64.1;➢中频/直流控制电源(24V)QF51->SB54->QF64->QF66;➢阀门,机械泵气镇,油镇供电(24V)QF51->SB54->QF84->QF84.1;➢光电开关及真空计电源(24V)QF51->SB54->QF84->QF85;传动电机供电(380V)QF51(泵组控制柜)-->QF165(泵组控制柜)-->(QF52-QF311)2.3.2 电加热柜➢电加热供电(220V)QF51(泵组控制柜)->QF166(泵组控制柜)->(QF54~QF185)2.3.3 泵组柜➢机械泵供电(380V)QF51->QF111(进片室)QF51->QF114(工艺区)QF51->QF116(出口室)➢罗茨泵供电(380V)QF51->QF112(进片室)QF51->QF115(工艺区)QF51->QF118(出口室)➢分子泵供电(380V)QF51->(QF111-QF162)➢中频溅射电源供电(380V)QF411->(QF412-QF416)直流溅射电源供电(380V)QF411->(QF421-QF432)3.PLC运行程序PLC程序采用三菱GX Works2 1.31H开发。
磁控溅射操作流程及注意事项
磁控溅射操作流程及注意事项一、打开冷却水箱电源(注:水箱电源是设备的总电源。
)检查水压是否足够大(0.1MPa),水压控制器是否起作用。
二、放气2.1 确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温;2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态;2.3磁控溅射室的放气阀是V2,放气时旋钮缓慢打开,这可以保证进入气流不会太大;2.4 放气完毕将气阀关紧。
三、装卸试样与靶材3.1 打开B柜总电源(在B9面板上),电源三相指示灯全亮为正常。
3.2 提升或降落(B4“升”或“降“)样品台要注意点动操作,不要连续操作。
3.3 装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套,避免油污、灰尘等污染。
3.4 磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米,屏蔽罩与阴极应该为断路状态。
3.5 装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应,并记录样品座的编号及目前所对应的靶位。
3.6 降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合,并用工业酒精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。
四、抽真空4.1 确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时;4.2 确认闸板阀G2、G4已经关闭;4.3 打开B4上“机械泵Ⅰ”,再打开气阀V1,开始抽低真空。
4.4 打开B3面板的电源开关,同时关闭“复合”键。
可以从B3-1处观察低真空度。
(低真空测量下限为0.1Pa)。
当真空度小于5Pa可以开始抽高真空。
4.5 关闭气阀V1,打开B4上“电磁阀Ⅰ”(确认听到响声表示电磁阀已开)4.6打开B8面板的磁控室分子泵电源,按下“START”键,按下FUNC/DATA键,数字开始逐步上升,等大于H100.0后打开闸板阀G1,随后分子泵速上升并稳定到H400.0。
4.7 磁控室的高真空度在B2面板显示,不要一直开着高真空的测量,也不要频繁开关, 通常每隔1-2小时可打开观察一次,等示数稳定后再关闭(一般不超过3分钟)。
五、充气5.1确认高真空度达到了-4、-5的数量级,在充气之前必须关闭高真空计;5.2 打开A1面板上MFC电源,预热3分钟;5.3 稍关闭闸板阀G1到一定程度,但不要完全关紧5.4 打开V4、V6(若是二路进气,V5应和V6同时打开)阀门5.5 将控制阀扳到“阀控“位置5.6 打开气瓶阀门,稍旋紧减压阀至压力示数为0.1MPa即可;5.7 调节MFC阀控的设定(一般在30左右),再进一步关紧闸板阀使得低真空(B3-1)读数接近所需的溅射压强,然后通过微调MFC阀控得到所需的溅射压强。
磁控镀膜操作规程
磁控镀膜操作规程《磁控镀膜操作规程》一、设备准备1. 检查磁控镀膜设备的各项功能是否正常,如真空系统、控制系统、电源系统等。
2. 清洁设备表面,确保无杂物影响操作。
二、镀膜工艺参数设置1. 根据所需镀层材料,设定合适的工作压力、工作温度和镀层厚度等参数。
2. 确定镀膜目标和生产量,设置时间参数,确保生产效率和镀层质量。
三、镀膜前处理1. 将待镀物清洁干净,去除表面油污和杂质。
2. 确保基材表面光洁度和粗糙度符合镀膜要求。
四、真空抽气1. 打开真空系统,将系统内的气体抽出,建立所需的真空环境。
2. 监测真空度,确保达到镀膜所需的真空度。
五、镀膜操作1. 将基材放置于镀膜室内,确保均匀分布。
2. 打开镀膜源和辅助源,开始镀膜过程。
3. 定时监控镀膜厚度和表面质量,调整工艺参数确保镀层均匀、致密。
六、室内排气1. 镀膜结束后,关闭镀膜源和辅助源,开始排气。
2. 确保室内气体排净,避免对环境造成影响。
七、镀膜后处理1. 将镀好的物品取出,进行表面检查和包装2. 清理设备,做好设备保养和维护。
八、安全注意1. 操作人员需穿戴好相关防护用具。
2. 遵守设备操作规程和安全操作流程。
九、记录和报告1. 记录镀膜工艺参数和设备运行情况。
2. 发现异常情况及时报告并做好记录。
十、设备关机1. 关闭设备电源和真空系统,确保设备安全关机。
2. 清理操作区域,确保整洁。
以上即为《磁控镀膜操作规程》,请操作人员严格遵守规程,确保镀膜操作顺利进行,生产出优质的镀层产品。
超高真空磁控溅射镀膜与离子束清洗系统操作规程
超高真空磁控溅射镀膜与离子束清洗系统操作规程一.开机1 分子泵、各磁控靶接通冷却水,检查水路是否漏水。
2 各单元电源与总电源接通,总电源供电。
(启动总电源前,报警选择档指向报警;开总电源后,A、B、C灯亮)3 启动机械泵,缓慢打开旁抽阀V2,预抽溅射室。
4打开ZDF2AK复合真空计,当示数显示小于5 Pa时,关闭旁抽阀V2,打开电磁阀(有清脆的响声),然后启动分子泵开关,待示数显示为零时,启动START,并马上打开闸板阀G1(逆时针旋转到底后稍微回转),开始抽高真空。
5 打开计算机,进行运行参数设置。
(见后面介绍)6 达到所需真空度后,准备镀膜。
(见后面介绍)7 镀膜完毕后,关闭直流或射频电源,关气路。
(见后面介绍)二、靶位自动调节程序1 挡板控制及状态各靶挡板显示与溅射室内靶挡板位置一致。
若不一致,则改变计算机上显示状态,点击“开(关)”按钮即可,在挡板没有达到相应的“开(关)”状态时,该按钮是闪烁的,达到所需状态时,按钮是亮的。
2 转盘控制与状态样品与样品挡板状态确定显示与当前溅射室内一致,若不一致,则重新标定。
例如:当前溅射室内状态为样品2对应样品位置A位,样品挡板显示A位,然而计算机显示样品1对应样品位置A 位,样品挡板显示A位。
拖动样品1到样品2,将弹出“样品编号”对话框,点击“否”,则可以重新标定样品编号。
重新标定样品挡板,样品位置时也是如此操作。
注意:样品位置和样品编号不能同时改变。
例如:样品1在A位置溅射完毕后,需要在B位溅射样品2,则应该先把样品1拖到样品2,将弹出“样品编号”对话框,点击“是”,可将样品2移动到A靶位;然后,将样品位置A拖到B,将弹出“样品位置”对话框,点击“是”,可将样品2移动到B靶位。
样品速度和挡板速度公转速度和挡板公转速度均调为1.0 r/min即可,运行稳定。
3 运行设置点击“修改”按钮,输入控制语句,点击“关闭”按钮,然后点击“运行”按钮,设备将按照设置的语句运行。
磁控溅射仪使用说明(1)
磁控溅射仪使用说明一、放入样品1、在仪器关闭前提下,缓慢开启V5对进样室进行放气至听不到V5进气声音;2、打开进样室观察窗口,将样品放在样品托上后,将样品托放入进样室内样品架上;3、关闭观察窗口,旋紧螺母;4、关闭V5。
二、开机1、溅射室暴露大气后开机法:1)开循环水电源、阀门;2)开总控电源,确认电源指示灯正常;3)打开G2,开主溅射室机械泵R1,缓慢打开旁抽阀V4;4)当低真空计示数都<30Pa时,关闭V4、G2;5)开机械泵R2,电磁阀DF;6)启动分子泵(进样室-工作,溅射室-启动);7)打开闸板阀G1、G3。
2、溅射室未暴露大气开机法:1)开循环水电源、阀门;2)开总控电源,确认电源指示灯正常;3)开主溅射室机械泵R1,缓慢打开旁抽阀V4;4)当低真空计进样室示数<30Pa时,关闭V4;5)开机械泵R2,电磁阀DF;6)启动分子泵(进样室-工作,溅射室-启动);7)打开闸板阀G1、G3。
三、关机1)关闭两个高真空计(溅射室-按“电源”键,进样室按“复合”键);2)关闭两个闸板阀G1、G3;3)给分子泵降速(进样室分子泵-按“工作”键,溅射室分子泵-按“停止”键)4)进样室分子泵频率降至50Hz后关闭机械泵R2;溅射室分子泵频率降至50Hz时依次关闭电磁阀DF、机械泵;5)分子泵频率降至0Hz后,关闭其电源;6)关闭总电源、冷却水电源、阀门。
四、溅射实验1、溅射实验1)确认高真空计关闭;2)从真空室到气瓶方向开阀(不包括气瓶阀门);3)打开气瓶高压阀,调节低压阀至低压表示数为1-2个大气压;4)把流量计打到阀控档,调节进气旋钮进行流量调节;5)通过调节闸板阀G1控制起辉压强(3-5Pa);6)用直流电源起辉直接调功率;溅射电源必须预热3-5分钟;7)调节相应功率计的C1和C2使入射功率最高,反射功率最低。
2、试验结束1)把功率调到0点;2)把闸板阀打开;3)关闭气瓶高压阀;4)把流量计打倒清洗档至高、低压表示数都为0时,关闭低压阀;5)从气瓶到溅射室顺序关气。
磁控溅射镀膜操作流程
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1. 准备工作。
清洁镀膜基底,去除氧化层和其他污染物。
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磁控溅射镀膜机使用说明
1、检查水箱液面高于冷却管,三相电指示灯,出气管放到窗外。
(推荐用纯净水)
2、放样品
a、打开放气阀,打开侧门,关闭放气阀。
(或看真空计示数)
b、升顶盖
c、放靶材,放样品,用万用表检查靶材与外壳是否短路
d、降顶画,关侧门
3、抽真空
a、手按住侧门,开机械泵,开电磁阀,开预抽阀
b、清洗Ar气管,将Ar气减压阀关闭(逆时针),将Ar气开关打向(D08-1F)清洗,示数降为零(0.1-0.2)打到关闭,打开Ar气瓶上减压阀0.2Mpa
c、当气压计小于5pa,开分子泵(先合上电源,再按运行,运行一段时间后自动停止),关预抽阀,开抽板阀
d、烘烤(约半小时),关烘烤(未做)
e、等待真空至要求值。
4、溅射
关小抽板阀,打开Ar气开关至阀控,流量设置为要求值(文献),调节抽板阀令腔内气压至工作气压(文献Ar气压)20pa
打开偏压电源(直流),打开基底挡板,清洗基底(清洗完关基底挡板)。
恒电流:
打开射频电源,调节功率至要求值,打开靶材挡板,开始溅射。
射频电源要令Pr尽可能至零(调节LOAD,TUNE调占空比)。
打开基底挡板,开始溅射。
5、停机
溅射完,关射频电源off,流量调至0,关Ar气至关闭,打开抽板阀,抽真空1小时。
关抽板阀,关分子泵(先按STOP,一直到示数为0,再关闭电源),关电磁阀,关机械泵。
6、关气瓶(主)
注意:
1、不允许真空状态下,打开顶盖升降。
2、不允许分子泵,运行时,打开充气阀。
3、Ar气减压阀,一定逆时针关闭后才能清洗Ar气管。