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关于介质损耗的一些基本概念（泛华电子）1、介质损耗什么是介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。

也叫介质损失，简称介损。

2、介质损耗角δ在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。

简称介损角。

3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。

介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量，则可以得到如下相量图：总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，因此：这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。

因此现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量δ或者Φ得到介损因数。

测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。

绝缘能力的下降直接反映为介损增大。

进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。

测量介损的同时，也能得到试品的电容量。

如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路，电容量就有明显的变化，因此电容量也是一个重要参数。

4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值，意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。

功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ)，而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。

一般cosΦ<tgδ，在损耗很小时这两个数值非常接近。

5、高压电容电桥高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。

通过比对电流相位差测量tgδ，通过出比电流幅值测量试品电容量。

因此用电桥测量介损还需要携带标准电容器、升压PT和调压器。

接线也十分烦琐。

国内常见高压电容电桥有：型号生产厂家性能2801Haefely西林电桥，手动调节，介损相对误差0.5%，试验室使用。

其改进型为2809A。

QS30上海沪光厂电流比较仪电桥，手动调节，介损相对误差0.5%±0.00005，试验室使用。

QS1上海电表厂西林电桥，手动调节，介损相对误差10%±0.003，现场测量用。

支持正反接线，移相或到相抗干扰。

AI-6000分体型泛华电子自动调节，红外线遥控，介损相对误差0.2%±0.00005，现场或试验室用。

支持正反接线，移相或倒相抗干扰。

配合变频电源可变频抗干扰。

6、高压介质损耗测量仪简称介损仪，是指采用电桥原理，应用数字测量技术，对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。

一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。

AI-6000利用变频抗干扰原理，采用傅立叶变化数字波形分析技术，对标准电流和试品电流进行计算，抑制干扰能力强，测量结果准确稳定。

国内常见高压介质损耗测量仪有：型号生产厂家性能2816Haefely 高压输出12kV/200mA,介损误差1％±0.0001(抗干扰方式、指标不祥，估计是移相),正反接线方式， C / L / R测量，总重量104kg。

M4000DOBLE 高压输出10kV/300mA,介损误差1％±0.0004(变频抗干扰，20倍）,正反接线方式， C / L / R测量，笔记本＋WINDOWS，45～70Hz，重量66kg。

AI-6000泛华电子10kV/200mA，介损误差1％±0.0004，变频法45～65Hz，抗干扰2：1，正、反（含高、低压侧屏蔽）接线方式，CVT自激法，C / L / R 测量，模拟西林电桥和电流比较仪电桥，试验室介损精度达到精密电桥标准，29kg。

7、外施使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验，对介损仪的示值按一定的比例关系进行计算得到测量结果的方法。

8、内施使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验，直接得到测量结果的方法。

9、正接线用于测量不接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于地电位。

10、反接线用于测量接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于高电位，他与外壳之间承受全部试验电压。

11、常用介损仪的分类现常用介损仪有西林型和M型两种，QS1和AI-6000为西林型。

12、常用抗干扰方法在介质损耗测量中常见抗干扰方法有三种：倒相法、移相法和变频法。

AI-6000采用变频法抗干扰，同时支持倒相法测量。

13、准确度的表示方法tgδ：±（1%D+0.0004）Cx：±（1%C+1pF）+前表示为相对误差，+后表示为绝对误差。

相对误差小表示仪器的量程线性度好，绝对误差小表示仪器的误差起点低。

校验时读数与标准值的差应小于以上准确度，否则就是超差。

14、抗干扰指标抗干扰指标为满足仪器准确度的前提下，干扰电流与试验电流的最大比例，比例越大，抗干扰性能越好。

AI-6000在200%干扰（即I干扰 / I试品≤2）下仍能达到上述准确度。

介损与频率的关系及变频测量原理（泛华电子）1、变频测量原理干扰十分严重时，变频测量能得到准确可靠的结果。

例如用55Hz测量时，测量系统只允许55Hz信号通过，50Hz干扰信号被有效抑制，原因在于测量系统很容易区别不同频率，由下述简单计算可以说明选频测量的效果：两个频率相差1倍的正弦波叠加到一起，高频的是干扰，幅度为低频的10倍：Y=1.234sin(x+5.678°)+12.34sin(2x+87.65°)在x=0/90/180/270°得到4个测量值Y0=12.4517，Y1= -11.1017，Y2=12.2075，Y3= -13.5576，计算A=Y1- Y3=2.4559，B=Y0- Y2=0.2442，则：这刚好是低频部分的相位和幅度，干扰被抑制。

实际波形的测量点多达数万，计算量很大，结果反映了波形的整体特征。

2、频率和介损的关系任何有介损的电容器都可以模拟成RC串联和并联两种理想模型：(1) 并联模型认为损耗是与电容并连的电阻产生的。

这种情况RC两端电压相等：有功功率，无功功率，并联模型因此其中ω＝2πf，f为电源频率。

可见，如果用真正用一个纯电阻和一个纯电容模拟介损的话，它与频率成反比。

当R=∞时，没有有功功率，介损为0。

这种方法常用于试验室模拟10％以上的大介损，或用于制做标准介损器。

(2) 串联模型认为损耗是与电容串连的电阻产生的。

这种情况电路的电流相等：有功功率，无功功率，串联模型因此由上分析可知，串联模型tgδ=2πfRC，并联模型tgδ=1/(2πfRC)，R和C基本不变，f是变化量。

把45Hz、50Hz、55Hz分别代入公式，可看到tgδ分别随频率f成正比和反比。

如下图所示，f对完全正比和完全反比两种模型影响较大。

但实际电容器是多种模型交织的混合模型，此时f的影响就小。

3. 实际电容试品：(1) 固定频率下测量实际电容试品在一个固定频率下，即可以用串连模型也可以用并联模型表示。

例如50Hz下，下面两个电路对外呈现的特性完全一样：不同的电桥测量这两个试品，其介损都是31.4％，但西林电桥（2801或QS1）测量的电容量是10000pF，电流比较仪电桥（如QS30）测量的电容量是9101.7pF。

这是因为2801电桥认为试品损耗是串连模型，QS30认为试品是并联模型。

通常认为并联模型更接近实际情况，这是因为有功电流穿过电极之间的绝缘层，更象是损耗电阻并联在电极之间，而电极本身电阻为零，没有损耗。

实际上当介损在10％以下时，这种电容量的差别是很小的。

(2) 变频测量从事现场试验的专家都有这样的经验：使用传统仪器，如QS1，在干扰严重的现场环境下测量介损，采用移相、倒相方法反复测量，仍无法使电桥平衡。

随着电压等级提高，干扰越来越严重。

这种情况下变频测量是一个很好的、甚至是唯一的选择。

变频测量的抗干扰能力比移相、倒相法提高一个数量级以上。

这好比两个电台在同一个频率上，很难将另一个信号抑制掉，但如果两个电台的频率不同，则很容易区分。

4、自动变频与50Hz等效变频测量受到的唯一怀疑是频率的等效性。

按上述模型，介损是随频率变化的。

例如50Hz下1％的介损，采用55Hz测量。

串联模型的测量结果变成 1.1％(正比)，并联模型测量结果变成0.91%（反比）。

虽然这样的误差可能满足现场测量的要求，但误差还是偏大。

为了解决这个问题，我们首先提出了双变频测量原理：在50Hz对称位置45Hz和55Hz各测量一次，然后将测量数据平均，使误差大大减小。

理论分析结果如下表所示：模型50Hz真实介损45Hz测量介损55Hz测量介损平均串连1％0．9％1．1％1％并联1％1．111％0．909％1．010％可见最大误差发生在并联模型，相对误差1％。

以上分析表明，采用双变频测量，即发挥了变频测量的高抗干扰能力，理论上的最大相对误差也小于1％，可以满足现场测量需要。

也可以采用47.5Hz、52.5Hz双变频测量，理论误差将减少到0.25％，但这时的抗干扰能力肯定不如45Hz、55Hz好。

实际测量显示，变频测量的数据十分稳定，重复性特别好。

试验室校验也显示了很好的精度指标。

目前变频测量的原理已经得到普遍认可。

高压电容电桥的基本工作原理（泛华电子）（1）西林电桥调节R3、C4使电桥平衡，此时a、b两点电压相等，即R3、C4两端电压相等。

因为交流电路中电容阻抗为。

电路中R4、C4的并联阻抗为两者倒数和的倒数按阻抗元件分压原理，不难得到：两边取倒数得：按复数相等实部、虚部分别相等的规定得到按串连模型介损定义：,由于R4是固定的可以从C4刻度盘上读出介损，通过R3、R4、Cn可以计算Cx。

采用这个原理的仪器有现场用的QS1、试验室用的2801等。

（2）M型电桥将试品改为并联模型。

注意到Ir与Icx、Icn差90度：调节R4使Uw最小。

这时IcnR4=IcxR3, Uw=IrR3，因此：由于a、b间电压没有完全抵消，因此M型电桥也称为不平衡电桥。

Uw测量的是绝对值，小介损时电压很低，难以保证测量精度。

（3）数字电桥数字电桥的测量回路还是一个桥。

R3、R4两端的电压经过A/D采样送到计算机，求得:进一步可求得试品介损和电容量。

数字电桥的最大优势在于：可以实现自动测量，可以补偿所有原理性误差，没有复杂的机械调节部件，测量以软件为主，性能十分稳定。

测量介损时常用的抗干扰方法（泛华电子）1、干扰源介损测量受到的主要干扰是感应电场产生的工频电流。

无论何种测量方式，它都会进入桥体：一般介损仪都能抗磁场干扰，因为内部的升压变压器就是一个强烈的磁场干扰源。

2、倒相法测量一次介损，然后将试验电源倒相180度再测量一次，然后取平均值。

倒相法是抗干扰最简单的方法，也是效果最差的方法。

因为两次测量之间干扰电流或试品电流的幅度会发生波动，会引起明显误差。

一般干扰电流不超过试验电流2％时，这种方法是很有效的。