第七章光电式传感器教材

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第七章 光电式传感器[可修改版ppt]

第七章 光电式传感器[可修改版ppt]

1)光电管与光电倍增管 ✓特性----光电管 b)伏安特性
当入射光的频谱及光通量一定时,阳极与阴极之
间的电压同光电流的关系。
➢ 当阳极电压比较低时,阴极所 发射的电子只有一部分到达阳 极,其余部分受光电子在真空 中运动时所形成的负电场作用, 回到阴极。
➢ 随阳极电压的增强,光电流随之增大。
➢ 当阴极发射的电子全部到达阳极时,阳极电流达到 饱和状态
光敏二极管的反向偏置接线及光
电特性演示
在没有光照时,由 于二极管反向偏置,反 向电流(暗电流)很小 。
— UO +
光照
光敏二 极管的 反向偏 置接法
当光照增加 时,光电流IΦ 与光照度成正 比关系。
光电倍增管的灵敏度:一个光子射 后,阳极所得到的总电子数。
暗电流:由于环境温度、热辐射和其他因素的影响, 即使没有光信号输入,加上电压后阳极仍有电流。
本底电流:光电倍增管与闪烁体放在一处,在完全 屏蔽光的情况下,出现的电流。
பைடு நூலகம்
2)光敏电阻 ✓构造 光敏电阻用半导体材料制成,没有极性, 纯粹是一个 电阻器件, 使用时既可加直流电压, 也可以加交流电压
1)光电管与光电倍增管 ✓特性----光电管 c)光谱特性
保持光通量和阳极电压不变,阳极电流与波长 之间的关系。
红限频率
I. ——铯氧银 II. ——锑化铯 III.——人眼的视觉特征
光电管的光谱特性
1)光电管与光电倍增管 ✓特性----光电倍增管
倍增系数M: Mcn
光电阴极的灵敏度:一个光子射在 阴极上所能激发的电子数。
第七章 光电式传感 器
实验
灵敏电流 计
弧光灯
锌板
铜网
紫外光照射时电流计指针发生偏转

《光电式传感器》PPT课件

《光电式传感器》PPT课件
光电式传感器
.
1
引言
光电式传感器是把被测物理量的变化先转换成 光信号的变化,然后再通过光电转换元件把光 信号变换成电信号的一种传感器。光电式传感 器的测量方法灵活多样,并且具有使用方便、 非接触、高精度、高分辨力、高可靠性和反应 快等一系列优点,因而发展十分迅速,而且随 着激光、光栅、光导纤维、CCD等器件的相继 问世,光电传感器在检测及自动控制领域中得 到了更广泛的应用。
.
15
光敏电阻
当光敏电阻受 到光照时, 阻值减 小。
2020/12/6
.
16
(2)光敏电阻的基本特性和主要 参数。
光敏电阻的伏安特性。
I(mA)
6 5 4 3 2 1
0
硫化铅 硫化铊 UV
50 100
光敏电阻的伏安特性
2020/12/6
.
17
光敏电阻的光照特性
光敏电阻的光谱特性 。
2020/12/6
12
9.1.3 内光电效应器件
光电倍增管的主要参数
(1)倍增系数M。
(2)光电阴极灵敏度和光电倍增管的总 灵敏度。
放大倍数
106 105 104 103
2020/12/6
25 50 75 100 125 150
.
极 间 电 压 ( V)
13
1.光敏电阻
光敏电阻又称光导管,是一种均质半导 体光电元件。它具有灵敏度高、光谱响 应范围宽、体积小、重量轻、机械强度 高、耐冲击、耐振动、抗过载能力强和 寿命长等特点
2020/12/6
.
21
(1)光敏晶体管结构与工作原理
0.8
.
1.0 波长(m)
9
9.1.2 外光电效应器件

《光电式传感器》课件

《光电式传感器》课件

光电式传感器的Байду номын сангаас类
• 总结词:光电式传感器有多种分类方式,如按工作方式可分为直接转换 型和间接转换型,按输出信号可分为模拟输出和数字输出等。
• 详细描述:根据工作方式的不同,光电式传感器可以分为直接转换型和间接转换型两类。直接转换型传感器利用光电效 应直接将光信号转换为电信号,如光电管、光电倍增管等;而间接转换型传感器则通过其他物理效应将光信号转换为电 信号,如光电池、光电晶体管等。此外,根据输出信号的不同,光电式传感器可以分为模拟输出和数字输出两类。模拟 输出型传感器输出连续变化的电信号,如光电管和光电池;数字输出型传感器则输出离散的电信号,如光电码盘和光电 开关等。
联网领域的应用越来越广泛。未来,需要加强光电式传感器在这些领域
的应用研究,推动相关技术的进步和发展。
03
交叉学科融合发展
光电式传感器涉及到多个学科领域,如物理学、化学、生物学等。未来
,需要加强交叉学科的融合发展,推动光电式传感器在更多领域的应用
和创新。
光电式传感器通常采用光信号传输,不易 受到电磁干扰的影响,具有较好的抗干扰 能力。
光电式传感器的缺点
对环境光敏感
光电式传感器容易受到环境光的影响 ,特别是在室外或者强光环境下,测 量精度会降低。
成本较高
光电式传感器通常需要使用高精度的 光学元件和电子元件,导致其成本较 高。
需要稳定的光源和检测器
光电式传感器需要稳定的光源和检测 器,以保证测量的准确性和稳定性。
《光电式传感器 》PPT课件
目录
• 光电式传感器概述 • 光电式传感器的应用 • 光电式传感器的优缺点 • 光电式传感器的发展趋势 • 光电式传感器的研究现状与展望
01

光电式传感器优秀优秀课件

光电式传感器优秀优秀课件
如图9-2为光电倍增管的典型结构。它是一个除在玻璃 泡内装入光电阴极和光电阳极外,还装有若干个光电倍增 极,且在光电倍增极上涂以在电子轰击下可发射更多次级 电子的材料,倍增极的形状及位置要正好能使轰击进行下 去,在每个倍增极间均依次增大加速电压。
光电式传感器优秀优秀课件
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设每级的倍增率为δ,若有n级,则光电倍增管的光电流 倍增率将为δ n 。倍增级数n可在4~ 14 之间,δ的范围一般是 3~6。
如图9-21所示是两个光电管的差接电路,V1、V2为放大 管。其示值可在指示仪表P上读得。
在平衡工作状态时,指示仪表处在零位。 2.光电倍增管的测量电路
常见的光电倍增管电路如图9-22所示,各倍增极的电压 由分压电阻链R1、R2……Rn获得,被放大的电流流经负载电 阻就得到了所需的输出电压。
光电式传感器优秀优秀课件
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如果光电倍增管用来连续监控很稳定的光源,则图中的 Cn~Cn-2可以省略。使用中往往把电源正极接地,使阳极可 以直接接到放大器的输入端而不使用隔离电容Ca,这样系统 将能响应变化很慢的光强,如果将稳定的光源加以调制,那 么就可以用电容器耦合。
当辐射源为脉冲通量时要把电源负极接地,这样噪声将更 低。这时应接入隔离电容 Ca,同时用电容器Cn~Cn-2稳定最 后几个倍增极在脉冲期间的电压,这些电容器有助于稳定增 益和防止饱和,它们通过电源去耦电容器C将脉冲电压接地。
三、光电池 1.光电池的结构与原理 (1)结构
硅光电池是在一块N型硅片上用扩散的方法掺入一些P型 杂质形成一个大面积的PN结,如图9-11所示。
(2)原理 当光照射到PN结附近时,若光子能量大于半导体材料的

第七章 光电型传感器与测量电路

第七章 光电型传感器与测量电路

2.光生伏特效应及器件 光生伏特效应是光照引起PN结两端产生电动势的效应。 当PN结两端没有外加电场时,在PN结势垒区内仍然存在着 内建结电场,其方向是从N区指向P区,如图7-12所示。 当光照射到结区时,光照 产生的电子一空穴对在结电场 作用下,电子推向N区,空穴推 向P区;电子在N区积累和空穴 在P区积累使PN结两边的电位 发生变化,PN结两端出现一个 因光照而产生的电动势,这一 现象称为光生伏特效应。由于 它可以像电池那样为外电路提 供能量,因此常称为光电池。
图7-8 金属封装的CdS光敏电阻
图7-9 光电二极管原理图
(2) 光敏二极管PN结可以光电导效应工作,也可以光生伏特 效应工作。如图7-9所示,处于反向偏置的PN结,在无光照时 具有高阻特性,反向暗电流很小。当光照时,结区产生电子一 空穴对,在结电场作用下,电子向N区运动,空穴向P区运动, 形成光电流,方向与反向电流一致。光的照度愈大,光电流愈 大。由于无光照时的反偏电流很小,一般为纳安数量级,因此 光照时的反向电流基本上与光强成正比。
图7-3 光电管
光电倍增管的结构如图7-4 所示。在玻璃管内除装有光电 阴极和光电阳极外,尚装有若 干个光电倍增极。光电倍增极 上涂有在电子轰击下能发射更 多电子的材料。光电倍增极的 形状及位置设置得正好能使前 一级倍增极发射的电子继续轰 击后一级倍增极。在每个倍增 极间均,依次增大加速电压。 光电倍增管的主要特点是: 光电流大,灵敏度高,其倍增 率为N=δn,其中δ为单极倍增 率(3~6),n为倍增极数(4~14)。
7.3常用光电器件
光电器件是光电传感器的重要组成部分,对传感器的性能 影响很大。光电器件是基于光电效应工作的,种类很多。所谓 光电效应,是指物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的 能量而产生的电效应。一般地,光电效应分为外光电效应和内 光电效应两类。因此,光电器件也随之分为外光电器件和内光 电器件两类。 7.3.1 外光电效应及器件 在光的照射下,电子逸出物体表面而产生光电子发射的现 象称为外光电效应。 根据爱因斯坦假设:一个电子只能接受一个光子的能量。 因此要使一个电子从物体表面逸出,必须使光子能量ε大于该 物体的表面逸出功A。各种不同的材料具有不同的逸出功A, 因此对某特定材料而言,将有一个频率限νo(或波长限λ0),称 为“红限”,不同金属光电效应的红限见表7-2。

传感器(电子教案)第7章

传感器(电子教案)第7章

表示当光电管的阳级电压一定时,阳极电流I与入射在阴极上 光通量φ之间的关系。

2.伏安特性
当入射光的频谱及光通量一定时,阳极与阴极之间的电压同 光电流的关系叫伏安特性 ,如图7-4(c)所示。
3.光谱特性
由于光阴极对光谱有选择性,因此光电管对光谱也有选择性。 保持光通量和阳极电压不变,阳极电流与光波长之间的关系 叫光电管的光谱特性。光电管尚有温度特性、疲劳特性、惯 性特性、暗电流和衰老特性等,使用时应根据产品说明书和 有关手册合理选用。
第7 章
光电式传感器
光电式传感器是将光通量转换为电量的一种传感器。 光电式传感器的基础是光电转换元件的光电效应。
7.1光电效应 7.2光电元件及其特性 7.3光电式传感器的测量电路 7.4光电传感器及其应用 7.5光纤传感器 7.6电荷耦合器件(CCD) 7.7光栅式传感器 7.8激光式传感器 本章要点
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7.1 光电效应
由光的粒子学说可知,光可以认为是由具有一定能量的粒 子所组成,而每个光子所具有的能量E与其频率大小成正比。 光照射在物体上就可看成是一连串的具有能量为E的粒子轰击 在物体上。所谓光电效应即是由于物体吸收了能量为E的光后 产生的电效应。从传感器的角度看光电效应可分为二大类型。
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7.3光电式传感器的测量电路
要使光电式传感器能很好地工作。除了合理选用光 电转换元件外,还必须配备合适的光源和测量线路。 7.3.1光源 发光二极管 图7-14 真空光电管的差接测量电路 钨丝灯泡 图7-15 光电倍增管的测量电路 电弧灯或石英灯 激光 图7-16 光敏电阻开关电路 7.3.2测量电路 图7-18 具有温度补偿的光敏二极管 光电管的测量电路 测量电路 光电倍增管的测量电路 光敏电阻的测量电路 光敏晶体管的测量电路 光电池的测量电路

传感器第4版课件教学配套课件唐文彦第07章光电式传感器

传感器第4版课件教学配套课件唐文彦第07章光电式传感器
于快速的正弦和脉冲调制。
白炽灯为可见光源,峰值波长在近红外区 域,可用作近红外光源。
二、气体放电光源
什么是气体放电光源?
电流通过气体会产生发光现象,利用这种 原理制成的光源称为气体放电光源。
气体放电光源的光谱与什么有关?
其光谱是不连续的,光谱与气体的种类几 放电条件有关。
哪些光源属于气体放电光源?
应用领域:摄像机、广播电视、可视电话、 传真、自动检测、控制、军事、医学、天 文、遥感。
车身检测、钢管检测、芯片检测、指纹检 测、虹膜检测、显微镜改造、工件尺寸及缺 陷检测、对刀仪、复杂形貌测量等。
优点
固体化、体积小、重量轻、功耗低、可靠性 高、寿命长
图像畸变小、尺寸重现性好
光敏元之间几何尺寸精度高,可得到较高的 定位精度和测量精度,具有较高分辨力
与光电导型工作原理相似,利用光子引 起的电子跃迁将光信号转变为电信号, 只是光照射在半导体结上而已,。
主要有:光电二极管和光电三极管。
图7-7 光敏管结构及其符号
a) 光敏二极管 b) 光敏三极管 c) 光敏场效应三极管
(四)光生伏特型探测器
是一种自发电式的有源器件。这种半导体 器件受到光照射时就产生一定方向的电动 势,而不需要外部电源。这种因光照而产 生电动势的现象称为光生伏特效应。
图7-25 光纤的结构及传光原理
定义Δ = (n12 - n22) / (2n12) ≈(n1- n2)/n1,Δ
称为光纤的相对折射率差。
当光线以入射角θ入射到光纤的端面时, 在端面处发生折射,设折射角为θ’,然后 光线以Φ角入射至纤芯与包层的界面。当 Φ角大于纤芯与包层间的临界角Φc时,即
则射入的光线在光纤的界面上发生全反射, 并在光纤内部以同样的角度反复逐次反 射,直至传播到另一端面。

七章节光电式传感器

七章节光电式传感器

7.1 光电效应
(1)结光电效应。 以PN结为例,当光照射PN结时,若光子能量大于半
导体材料的禁带宽度Eg,则使价带的电子跃迁到导带,产生 自由电子—空穴对。在PN结阻挡层内电场的作用下,被激发 的电子移向N区的外侧,被激发的空穴移向P区的外侧,从而 使P区带正电,N区带负电,形成光电动势。
基于结光电效应的光电元件有光电池和光电晶体管等。
7.2光电元件
.
图7-8 光电倍增管的光电特性
7.2光电元件
(4)光电倍增管的暗电流
光电倍增管暗电流的定义和产生的原因与光电管一 样,只是多了倍增极二次发射的影响。光电倍增管中光电 阴极和各倍增极都有热电子发射,由于光电倍增管中电流 是逐级倍增的,所以在热电子发射中,光电阴极和第一倍 增极的热电子发射是主要的。为了减少由管座各极之间漏 电流形成的暗电流,有时将阳极单独引出来,此外,管内 电子将残余气体和铯原子电离,正离子将奔向阴极并轰击 产生二次电子发射,这些电子再经倍增极放大输出,增加 了暗电流。
7.2光电元件
.
图7-4 光电管的光照特性
7.2光电元件
7.2.2光电倍增管 当入射光很微弱时,普通光电管产生的光电流很小,只
有零点几个微安,造成的测量误差将很大,甚至无法检测。 为了提高光电管的灵敏度,在光电管的阴极和阳极之间安装 一些倍增极,就构成了光电倍增管。光电倍增管实际上是光 电阴极和二次电子倍增器的结合。当电子或光子以足够大的 速度轰击金属表面而使内部的电子逸出金属表面时,这种逸 出金属表面的电子叫做二次电子。二次电子的数目不仅取决 于入射光粒子的数目,还与入射光粒子的速度、金属的性质 等有关。
与各倍增极之间电压保持恒定条件下,阳极电流IA(光电 流)与最后一级倍增极和阳极间电压UAD的关系,典型光 电倍增管伏安特性如图7-7所示。它是在不同光通量下的 一组曲线族。象光电管一样,光电倍增管的伏安特性曲线 也有饱和区,照射在光电阴极上的光通量越大,饱和阳极 电压越高,当阳极电压非常大时,由于阳极电位过高,使 倒数第二级倍增极发出的电子直接奔向阳极,造成最后一 级倍增极的入射电子数减少,影响了光电倍增管的倍增系 数,因此,伏安特性曲线过饱和区段后略有降。

《传感器技术与应用》课件第七章光电式传感器

《传感器技术与应用》课件第七章光电式传感器
器人视觉、自动化生产线等领域有广泛应用。
05
光电式传感器的优缺点 与发展趋势
光电式传感器的优点
测量精度高
非接触测量
光电式传感器采用光信号作为测量媒介, 具有较高的测量精度和灵敏度,能够实现 微小量的精确测量。
光电式传感器通过光信号与被测物体的相 互作用进行测量,无需直接接触被测物体 ,能够减少对被测物体的损伤和磨损。
光电二极管和光电晶体管
光电二极管
利用内光电效应制成的光电转换器件,能够 将入射光的辐射能转换为电流。
光电晶体管
在普通晶体管的基础上增加光敏基区,利用 内光电效应实现光信号的放大和调制。
光电耦合器
光电耦合器定义
将发光器件和光敏器件封装在同一壳 体内,通过光的传输实现电信号的传 输与隔离的器件。
光电耦合器原理
响应速度快
抗干扰能力强
光电式传感器具有较快的响应速度,能够 实现快速动态测量和实时控制。
光电式传感器采用光信号传输,不易受到 电磁干扰的影响,能够在复杂的环境中进 行稳定测量。
光电式传感器的缺点
对光源依赖性强
光电式传感器依赖于特定光源,如激光、红外线等,需要稳定的 光源和光路系统,对光源的稳定性要求较高。
利用光纤传输光信号,通过光电器 件将光纤中的光信号转换为电信号。
光电式传感器的应用领域
工业自动化控制
用于检测生产线上的产品、测量长度和速度 等参数。
环境监测
用于检测空气质量、水质等环境参数。
医疗诊断
用于检测生物体的生理参数,如血压、脉搏 等。
安全防范
用于监控、报警等安全系统,保障人员和财 产安全。
发光器件发出光线,光敏器件接收光 线并转换为电信号,从而实现输入与 输出之间的电气隔离。

光电式传感器-PPT课件

光电式传感器-PPT课件

光敏电阻的光谱特性 。
100
Sr 灵敏度 (%)
80 60 40 20 0 硫化镉 1.5 3 硫化铅 硫化铊
光电流 I
mA
波 长 ( A)
2019/3/16
18
100
灵敏度 S ( %)
硫化铅
光敏电阻的频率特性
8 0 6 0 4 0 2 0 0 10 100
硫化镉
1000
10000
频 率 ( H z)

光电管
6
9.1.2 外光电效应器件

光电管的伏安特性曲线
I (A)
4 3
0 . 1 lm
0 .0 5 lm
2
0 .0 2 lm
1 0 20 40 60 80 100
U A( V )
7
9.1.2 外光电效应器件

光电管的光照特性
光电流 I ( A)
16 12 8 4 0 0.2 0.4
2
9.1 光电传感器
9.1.1 光电效应


所谓光电效应是指在光的照射下一些金 属、金属氧化物或半导体材料释放电子 的现象。 光子是具有一定能量的微粒,是以光速 运动的粒子流。每一个光子都具有一定 的能量,它的能量大小E与其频率 成正 比。
Eh hc

3
9.1.1 光电效应


光电效应分为内光电效应和外光电效应。当 物体在光的作用下所释放的电子没有逸出物 体表面,而只在物体的内部运动并使物体的 电学特性发生变化的现象叫做内光电效应, 内光电效应多产生于半导体材料内。 当物体在光的作用下使物体中的电子从物体 表面逸出的现象,叫做外光电效应,外光电 效应多发生于金属或金属氧化物内。

8光电式传感器 .ppt

8光电式传感器 .ppt

二、光电器件
光信号→电信号
1、外光电效应应用器件
光电管
A
A
A——阳极,K——阴极
K到适当波长的光线照射时发射电子,中央带正 电的阳极吸引从阴极上逸出的电子,这样在光电管内就有电 子流,在外电路中便产生电流。
伏安特性
第七章 光电式传感器
入射光的频谱及光通量一定时,阳极 电流与阳极电压之间的关系。
Mn
所以
I in
式中,i为光电阴极的光电流
第七章 光电式传感器
几种光电倍增管的外形
第七章 光电式传感器
2、内光电效应应用器件:
光敏电阻 • 结构
一般希望暗电阻越大越好,亮电阻越小越 好, 此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏 电值阻在的几暗千电欧阻以值下用一。半般导在体兆材欧料量制级成, 亮电阻
暗电阻 暗电流 亮电阻 亮电流 光电流
第七章 光电式传感器
光敏电阻演示
当光敏 电阻受到光 照时,光生 电子—空穴 对增加,阻 值减小,电 流增大。
2021/4/1
暗电流(越小越好)
19
第七章 光电式传感器
光敏晶体管(二极管、三极管),有极性:
光照射——光电子空穴对——光生载流子 ——内建电场作用——光电流——PN结反向导通
在没有光照射时,反向电
光子的轰击,物体中的电子吸收入射光子的能量,而发生相 应的效应(如发射电子、电导率变化或产生电动势)。
第七章 光电式传感器
光电效应按原理又分为以下3种:
1、外光电效应:在光照作用下,物体内电子逸出 物体表面,形成光电流。
光子能量被电子吸收后,能量转化为电子逸出功
A0和动能,即:
Ek 12mv02 hf A0
N

《传感器技术与应用》课件第七章 光电式传感器

《传感器技术与应用》课件第七章 光电式传感器

2020/2/9
2
7.1 光电传感器
7.1.1 光电效应
所谓光电效应是指在光的照射下一些金 属、金属氧化物或半导体材料释放电子 的现象。
光子是具有一定能量的微粒,是以光速
运动的粒子流。每一个光子都具有一定
的能量,它的能量大小E与其频率 成正
比。
E

h

hc

2020/2/9
3
7.1.1 光电效应
2020/2/9
14
(1)光敏电阻的原理和结构。
光敏电阻受到光照时,由于内光电效应,因
而其导电性能增强而电阻R0值下降,所以流
过负载电阻RL的电流
半导体
及其两端电压会发生变
电极
化。一般而言,光线越
强,电流越大。当光照
停止时,光电效应会立
玻璃底板
即消失,电阻又恢复原
值。
VCC
检流计
2020/2/9
2020/2/9
28
(2)光敏晶体管的基本特性。
① 光谱特性。
100
相对灵敏度 (%)
80


60
40

20
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2
入射光波长(µm)
2020/2/9
29
电流 mA 电流 mA
② 伏安特性
0.10
1200 1x 0.08
0.06
1000 1x
0.04
800 1x
式为 Er aE0
2020/2/9
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7.2.1 红外辐射的基本定律
3 、维恩位移定律 热辐射发射的电磁波中包含着各种
波长。物体峰值辐射波长 与物体的自 身的绝对温度 成反比,即

《光电式传感器讲》PPT课件

《光电式传感器讲》PPT课件
565,680 900 920
材料 CuSe-ZnSe ZnxCd1-xTe GaAs1-xPx
InPxAs1-x InxGa1-xAs
波长/nm 400~630 590~830 550~900 910~3150 850~1350
发光二极管的光谱特性如图所示。图中砷磷化镓 曲线有两根,这是因为其材质成分稍有差异而得到不
c
hc Eg
价带
价电子所占能带
基于这种效应的光电器件有光敏电阻。
2).光生伏特效应:在光作用下能使物体产生一定方 向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二 极管、三极管。
① 势垒效应(结光电效应)
光照射PN结时,若h≧Eg,使价带中的电子跃迁
到导带,而产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用
7.1 概 述 1 光的特性 光波是波长为10~106nm的电磁波。
紫外光 可见光
红外光
10 nm 380 nm 780 nm
1000,0Байду номын сангаас0 nm
性质:光都具有反射、折射、散射、衍射、干涉和
吸收等性质。
1905年,爱因斯坦提出了光
子假设:光在空间传播时,
是不连续的,也具有粒子性,
即一束光是一束以光速运动
(3)液体激光器 种类:螯合物激光器、无机液体激光器和有机染料激 光器,其中较为重要的是有机染料激光器。它的最大 特点是发出的激光波长可在一段范围内调节,而且效 率也不会降低,因而它能起着其他激光器不能起的作 用。
(4)半导体激光器 与前几种相比出现较晚,其成熟产品是砷化镓激光 器。特点:效率高、体积小、重量轻、结构简单, 适宜在飞机、军舰、坦克上应用以及步兵随身携带。 其缺点是输出功率较小。目前半导体激光器可选择 的波长主要局限在红光和红外区域。

传感器(第6版) PPT课件第7章

传感器(第6版) PPT课件第7章

第二节 光电器件
一、热探测器 原理及特点:基于光辐射与物质相互作用的热效应制成的传感器, 它的突出优点是能够接收超低能量的光子,具有宽广和平坦的光谱响应, 尤其适用于红外的探测。 种类:测辐射热电偶、测辐射热敏电阻和热释电探测器。 1、测辐射热电偶 与常规热电偶相似,只是在电偶的一个接头上增加光吸收涂层,当 有光线照射到涂层上,电偶接头的温度随之升高,造成温差电势。 2、测辐射热敏电阻 用热敏电阻代替了热电偶,当有光线照射到涂层上,首先引起温度 的变化,热敏电阻再将温度转化为电阻值的变化。
第一节 光源
四、激光器 激光产生的过程: ➢某 些 物 质 的 分 子 、 原 子 、 离 子 吸 收 外 界 特 定 能 量 ( 如 特 定 频 率 的 辐 射),从低能级跃迁到高能级上(受激吸收); ➢如果处于高能级的粒子数大于低能级上的粒子数,就形成了粒子数反 转,在特定频率的光子激发下,高能粒子集中地跃迁到低能级上,发射 出与激发光子频率相同的光子(受激发射); ➢由于单位时间受激发射光子数远大于激发光子数,因此上述现象称为 光的受激辐射放大。 ➢具有光的受激辐射放大功能的器件称为激光器。
普通高等教育“十一五”国家级规划教材
传 感 器(第6版)
哈尔滨工业大学 唐文彦 主编
普通高等教育“十一五”国家级规划教材
第七章 光电式传感器
第一节 光源 第二节 光电器件 第三节 电荷耦合器件和位置敏感器件 第四节 光纤传感器 第五节 光栅式传感器 第六节 激光式传感器
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第七章 光电式传感器
波长300—380nm称为近紫外线 波长200—300nm称为远紫外线 波长10—200nm称为极远紫外线
第一节 光源
红外线:波长780—106nm 波长3μm(即3000nm)以下的称近红外线 波长超过3μm 的红外线称为远红外线。
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N区带负电,P区带正电。如 果光照是连续的,经短暂的 时间,PN结两侧就有一个稳 定的光生电动势输出。
3)光电池 光电池外形
光敏面
4)光敏二极管及光敏三极管 构造
光敏二极管的基本结构也是一个PN结,与一 般二极管相似、它装在透明玻璃外壳中,其PN结 装在管顶,可直接受到光照射。光敏二极管在电路 中一般是处于反向工作状态,如图所示。
能量E大于表面逸出功A0。逸出表面的电子就具有动
能Ek
Ek

1 mv2 2

hf

A0
1)外光电效应
Ek

1 2
mv2

hf

A0
光电子能否产生,取决于光子的能量是否大于该
物体的电子表面逸出功。这意味着每种物体都有
一个对应的光频阈值,称为红限频率。
入射光的频谱成分不变时,产生的光电流与光强 成正比,光强越强意味着入射的管子数目越多, 逸出的电子数目就越多。
若要使入射光线在纤芯和包层的界面上发生全反
射,入射角应大于等于临界角即:
1

c

arcsin n1
n2

sin 1 n2 / n1
sin
0

n1 n0
1

n22 n12

1 n0
n12 n22
光纤的传输原理
1)光导纤维
一、光导纤维的结构和传输原理
sin
0

n0
光敏电阻
光敏三极管
3、光电式传感器的测量电路及应用
要使光电式传感器能很好地工作,除了合理 选用光电转换元件外,还必须配备合适的光源和 测量线路。
光源
发光二极管 钨丝灯泡 电弧灯或石英灯 激光
3、光电式传感器的测量电路及应用 光电式传感器按其接收状态可分为模拟式和脉 冲式光电传感器两大类。
1)光导纤维 二、光导纤维的种类 1. 按折射变化:
阶跃型:光导纤维的纤芯与包层间的折射率是突变的。 渐变型 :光纤横截面中心处折射率最大,其值有中 心向外逐渐变小,到纤芯边界边时变为包层折射率。
1)光导纤维
二、光导纤维的种类 2.按其传输模式
1)光电管与光电倍增管 特性----光电管 b)伏安特性
当入射光的频谱及光通量一定时,阳极与阴极之
间的电压同光电流的关系。
当阳极电压比较低时,阴极所 发射的电子只有一部分到达阳 极,其余部分受光电子在真空 中运动时所形成的负电场作用, 回到阴极。
随阳极电压的增强,光电流随之增大。
当阴极发射的电子全部到达阳极时,阳极电流达到 饱和状态
光电池是基于光生伏特效应制成的,是自发 电式有源器件。它有较大面积的PN结,当光照射 在PN结上时,在结的两端出现电动势。
P --- +++ N
3)光电池
硅光电池的制造原理:在N型衬底上制造一薄层P 型层作为光照敏感面,就构成最简单的光电池。当入射 光子的能量足够大时,P型区每吸收一个光子就产生一 对光生电子—空穴对,光生电子—空穴对的的扩散运动 使电子通过漂移运动被拉到N型区,空穴留在P区,所以
1) 模拟式光电传感器
模拟式光电传感器的工作原理是基于光电元件 的光电特性,其光通量是随被测量而变,光电流就 成为被测量的函数,故称为光电传感器的函数运用 状态。它的形式有吸收式、反射式、遮光式和辐射 式。
1) 模拟式光电传感器
a) 吸收式:恒光源发射的光通量穿过被测物,一部 分由被测物吸收,剩余部分投射到光电元件上, 吸收量决定于被测物的某些参数。被吸收的光通 量与被测物的透明度有关,常用作混浊度计等。
光电子逸出物体表面具有初始动能。
2)内光电效应
光照射在物体上,使物体的电阻率发生变化,或 产生光生电动势的现象称为内光电效应。
a)光电导效应 某些半导体,在黑暗环境中电阻值很高;当光照
射在物体上,在光线作用下,电子吸收光子能量从键合 状态过渡到自由状态,从而加强了导电性能,使电阻值 降低。
基于这种效应的光电器件有光敏电阻。
1) 模拟式光电传感器
d) 辐射式:光源本身是被测物,被测物发出的光 投射到光电元件上,光电元件的输出反映了光源 的某些物理参数。
2) 脉冲式光电传感器 脉冲式光电传感器的作用方式是光电元件的
输出仅有两种稳定状态,即"通"与"断"的开关状态, 所以也称为光电元件的开关运用状态。
光电数字式转速表
天幕靶
制,自动计数、自动
光电管
报警、自动跟踪等。
放大器
控制机构
数码相机
数码相机使用CCD光敏器件代 替胶卷感光成像其原理就是 CCD元件的光电效应。
5、光纤传感器
光导纤维 光纤传感器的工作原理
和典型结构
1)光导纤维
一、光导纤维的结构和传输原理 中心圆柱体称为纤芯,由石英玻璃或塑料制
成。纤芯外围的圆筒形外壳称为包层,通常也是 由玻璃或塑料制成。包层外面有涂敷层,之外是 一层塑料保护外套。
由Snell定律: sin 1 n0 sin 0 n1
n0 sin 0 n1 sin 1 n1 cos1
sin
0

n1 n0
cos 1

n1 n0
1 sin 2 1
光纤的传输原理
1)光导纤维
一、光导纤维的结构和传输原理
sin
0

n1 n0
cos 1

n1 n0
1 sin 2 1

sin
C

1 n0
n12 n22
反映了光纤与光源或探测器等元件耦合时的耦合
效率,只有入射光处于θc的光锥内, 光纤才能导光。 一般希望有大的数值孔径,这有利于耦合效率的
提高,但数值孔径过大,会造成光信号畸变。
与光纤的几何尺寸无关,仅与纤芯和包层的折射 率有关。可将NA值做的很大,但横截面积却很小, 使得光纤柔软且可弯曲。
2)内光电效应
b)光生伏特效应 在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势
的现象叫做光生伏特效应。
光线照射PN结时,产生电子空穴对,在阻挡层内 电场的作用下,被光激发的电子移向N区外侧,被光激 发的空穴移向P区外侧,从而使P区带正电,N区带负 电,形成光电动势。
基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、三极管
1
n22 n12
1 n0
n12 n22
能使光线在光纤内全反射的最大入射角θ c可由
上式求得,即
sin
C

1 n0
n12 n22 NA
NA称为光纤的数值孔径,它表示当入射光从外
部介质射入光纤时,只有入射角小于θc的光才能在光
纤中传播。
1)光导纤维
一、光导纤维的结构和传输原理
数 值 孔 径 :NA
1) 模拟式光电传感器 b)反射式:恒光源发出的光通量投射到被测物上,
然后从被测物表面反射到光电元件上,光电元件 的输出反映了被测物的某些参数。反射光通量取 决于反射表面的性质、状态和与光源之间的距离, 可制成表面粗糙度测试仪等。
1) 模拟式光电传感器
c) 遮光式: 恒光源发出的光通量在到达光电元件 的途中遇到被测物,照射到光电元件上的光通量 被遮蔽掉一部分,光电元件的输出反映了被测物 的尺寸。
2、光电元件及其特性 1)光电管与光电倍增管
构造
光电阴极
光窗 阳极
光电管有真空光电管和充气 光电管或称电子光电管和离子 图7-2 光电管的结构图
光电管两类。两者结构相似,如图。它们由一个阴 极和一个阳极构成,并且密封在一只真空玻璃管内。 阴极装在玻璃管内壁上,其上涂有光电发射材料。 阳极通常用金属丝弯曲成矩形或圆形,置于玻璃管 的中央。
光纤的导光能力取决 于纤芯和包层的性质,机 械强度取决于塑料保护外 套。
光纤的结构示意图
1)光导纤维
一、光导纤维的结构和传输原理
发生全反射的条件?
光纤传输的基础:光的全反射
纤芯的折射率为n1;包层的折射率为n2;
n1 > n2 相 对 折 射 率 差 用 Δ 表 示 Δ=1– n2/ n1
通常Δ为0.005~0.14。
件产生的光电流与光 照之间的关系。
硅光电池
开路电压 短路电流
硒光敏电阻
光敏晶体管
5)半导体光电元件的特性
b)伏安特性 指光电元件的端
电压与电流之间的关 系。
硅光电池
光敏电阻
光敏三极管
5)半导体光电元件的特性
c)光谱特性
只有能量大于半导体材 料禁带宽度的那些光子才能 激发出光生电子―空穴对。
光电池
光电倍增管的灵敏度:一个光子射 后,阳极所得到的总电子数。
暗电流:由于环境温度、热辐射和其他因素的影响, 即使没有光信号输入,加上电压后阳极仍有电流。
本底电流:光电倍增管与闪烁体放在一处,在完全 屏蔽光的情况下,出现的电流。
2)光敏电阻 构造 光敏电阻用半导体材料制成,没有极性, 纯粹是一个 电阻器件, 使用时既可加直流电压, 也可以加交流电压
实验
灵敏电流 计
弧光灯
锌板
铜网
紫外光照射时电流计指针发生偏转
1、光电效应
光的粒子学说:光可以认为是由具有一定能量的
粒子所组成,而每个光子所具有的能量E与其频率大
小成正比。
E=hf
h—普朗克常数,6.626×10-34J·s;f—光的频率(s-1)
光照射在物体上就可看成是一连串的具有能量为 E的粒子轰击在物体上。
光电效应:物体吸收能量为E的光后,转换为该 物体中某些电子的能力,从而产生的电效应。
1)外光电效应 在光线的作用下,物体内的电子逸出物体表面向 外发射的现象称为外光电效应。 光电子:向外发射的电子。
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