各个芯片厂家对NOR_FLASH存储器的编号
2024年NOR Flash芯片市场调查报告
NOR Flash芯片市场调查报告引言NOR Flash（又称作非易失性存储器，即Nonvolatile Memory）作为一种主要的存储器类型，广泛应用于嵌入式系统和移动设备等领域。
本报告旨在对当前NOR Flash 芯片市场进行调查，并分析其市场现状和未来发展趋势。
市场概述定义NOR Flash芯片是一种非易失性存储器，其存储单元以字节为单位进行访问。
与其他存储器类型相比，NOR Flash具有快速读取速度和较小的擦除区块，使其适用于需要频繁读取和修改数据的应用场景。
市场规模根据市场调查数据显示，NOR Flash芯片市场在过去几年中保持了持续增长的趋势。
预计到2025年，全球NOR Flash芯片市场规模将达到XX亿美元，年复合增长率约为X%。
产品应用NOR Flash芯片广泛应用于各种嵌入式系统和移动设备，包括智能手机、平板电脑、游戏机、电子书、汽车音响、工业控制设备等。
其高速读取和擦除特性使得NOR Flash芯片在这些应用中得到了广泛的采用。
市场竞争情况主要供应商目前，全球NOR Flash芯片市场竞争激烈，主要供应商包括Intel、Micron、Cypress、Winbond、Spansion等。
这些厂商凭借其先进的制程技术和稳定的产品质量，在市场上占据了重要的份额。
技术创新为应对市场竞争，供应商们不断进行技术创新，以提高产品性能和降低生产成本。
其中，3D NAND技术的引入为NOR Flash芯片的发展带来了重要突破。
通过垂直堆叠多层存储单元，提高了存储密度和读写速度，进一步拓展了NOR Flash芯片的应用领域。
市场发展趋势高存储密度需求增加随着人们对嵌入式系统和移动设备存储容量需求的不断增加，NOR Flash芯片的高存储密度成为市场的关注焦点。
未来，市场将迎来更高容量、更高速度的NOR Flash芯片产品。
新兴应用市场的增长除了传统的嵌入式系统和移动设备市场，新兴市场如物联网、人工智能、自动驾驶等领域的快速发展，将为NOR Flash芯片带来新的增长机遇。
赛普拉斯命名规则
赛普拉斯命名规则
赛普拉斯的命名规则主要包括以下部分：
1. 产品前缀
2. 闪存芯片系列
3. 闪存芯片家族
4. 电压
5. 闪存芯片容量
6. 闪存芯片制程工艺
7. 速度
8. 封装类型
9. 封装材料
10. 温度范围
11. 型号（其他订购选项）
12. 包装类型
具体来说，例如NOR闪存(NOR Flash)芯片命名规则：
1. 第1组编号表示产品前缀。
2. 第2组编号表示闪存芯片系列。
3. 第3组编号表示闪存芯片家族。
4. 第4组编号表示电压。
5. 第5组编号表示闪存芯片容量。
6. 第6组编号表示闪存芯片制程工艺。
7. 第7组编号表示速度。
8. 第8组编号表示封装类型。
9. 第9组编号表示封装材料。
10. 第10组编号表示温度范围。
11. 第11组编号表示型号（其他订购选项）。
12. 第12组编号表示包装类型。
如果需要更详细的信息，建议查阅赛普拉斯官方网站或与相关负责人联系。
最新三星FLASH命名规则
三星F L A S H命名规则Samsung nand flash ID spec三星在nand flash存储方面也是投入了很多精力，对于pure nand flash、OneNAND（带controller的nand flash模块）以及nand的驱动都有很深层的开发。
后面说的nand都会基于Samsung的产品，包括驱动。
三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed One NandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G2G : 2G 4G : 4G 8G : 8GAG : 16G BG : 32G CG : 64GDG : 128G 00 : NONE6~7. organization00 : NONE 08 : x88. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COB B : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free) J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217) L : LGAM : TLGA N : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-R S : SMART MEDIAT : TSOP2 U : COB (MMC)V : WSOP W : WAFERY : TSOP113. TempC : Commercial I : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)3 : Wafer Level 3A : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)17~18. Customer "Customer List Reference"。
Flash 存储器的简介
Flash 存储器的简介在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统，该存储器系统可用作代码和数据的存储。
它在整个存储器中所处的位置在最起始的位置，一般其起始地址从0 开始。
Flash 是由一组可独立擦除的1KB 区块所构成的，对一个区块进行擦除将使该区块的全部内容复位为1。
Flash 存储器是由1KB 区块构成，而且每个区块的基地址都固定的。
Flash 存储器的操作对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。
Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。
Flash 存储器的编程写入的地址必须以字（4个字节）为单位对齐，且指明要写入的具体地址。
也就是说可以是任意地址，但必须满足写入的地址是字对齐的。
Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据，但必须满足读取的地址是字对齐的，否则，读出的数据绝对不正确，结果也难以预料。
Flash 存储器的擦除Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。
也就是说以区块是flash 擦除的最小单位。
●执行 1-KB 页的擦除执行 1KB 页的擦除步骤如下：(1) 将页地址写入FMA 寄存器(2) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将ERASE 位置位（写入0xA4420002）。
(3) 查询FMC 寄存器直至ERASE 位被清零。
●执行 Flash 的完全擦除执行完全擦除的步骤如下：(1) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将MERASE 位置位（写入0xA4420004）。
(2) 查询FMC 寄存器直至MERASE 位被清零。
FLASH存储器的测试方法研究1．引言随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大，FLASH型存储器的用量迅速增长。
FLASH芯片由于其便携、可靠、成本低等优点，在移动产品中非常适用。
NAND FLASH 各厂家容量区分
料号厂商容量打点丝印BF16G32YH0B Hynix 2GB 白H27UAG8T2BTR-BC BF27UBG5H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8U5ATR-BC BF27UCG5H0B Hynix 8GB 黄H27UCG8VFATR-BC BF64G26YH0B Hynix 8GB 黄H27UCG8T2MYR-BC BFBG8T25H0F Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2BTR-BC BFBG8T25X02Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2ATR-BC BFBG8U55H0F Hynix 4GB 蓝H27UBG8U5MTR-BC BFCG8V5MH0B Hynix 8GB 黄H27UCG8V5MTR-BC BK27UBG9H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2MYR-BC BK27UCG9H0B Hynix 8GB 黄H27UCG8UDMYR-BC BK27UDG5H0B Hynix 16GB 红H27UDG8VEMYR-BC BKAG8T25H0F Hynix 2GB 白H27UAG8T2MTR-BC BKBG8T25H1B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2ATR-BC BF16G32YH0B Hynix 2GB 白H27UAG8T2BTR-BC BF27UBG5H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8U5ATR-BC BF27UCG5H0B Hynix 8GB 黄H27UCG8VFATR-BC BF64G26YH0B Hynix 8GB 黄H27UCG8T2MYR-BC BFBG8T25H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2BTR-BC BFBG8T25X02Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2ATR-BC BFBG8U55H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8U5MTR-BC BFCG8V5MH0B Hynix 8GB 黄H27UCG8V5MTR-BC BK27UBG9H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2MYR-BC BK27UCG9H0B Hynix 8GB 黄H27UCG8UDMYR-BC BK27UDG5H0B Hynix 16GB 红H27UDG8VEMYR-BC BKAG8T25H0B Hynix 2GB 白H27UAG8T2MTR-BC BKBG8T25H1B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2ATR-BC BNAG8T25H0B Hynix 2GB 白H27UAG8T2ATR-BC BNBG8T25H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2AYR-BC BF32G08520B INTEL 4GB 蓝JS29F32G08AAME1BF32G08DX02INTEL 4GB 蓝JS29F32G08AAMDB BF64G085202INTEL 8GB 黄JS29F64G08AAME1BF9F64G5X02INTEL 8GB 黄JS29F64G08CAMDB BFJS29F5202INTEL 2GB 白JS29F16B08CAME1BF16B08520F INTEL 2GB 白JS29F16B08JAMDB BF32G085202INTEL 4GB 蓝JS29F32G08AAME1BF32G08DX02INTEL 4GB 蓝JS29F32G08AAMDB BF64G085202INTEL 8GB 黄JS29F64G08AAME1BF9F64G5X02INTEL 8GB 黄JS29F64G08CAMDB BFJS29F5202INTEL 2GB 白JS29F16B08CAME1BF16G085M0B Micron 2GB 白MT29F16G08MAAWP BF32G083M02Micron 4GB 蓝MT29F32G08CBACAWP BF64G089M0B Micron 8GB 黄MT29F64G08CECBBH1BF64G089X0F Micron 8GB 黄MT29F64G08EBAAAB74A3WC1BK32G085M0B Micron 4GB 蓝MT29F32G08QAA BK64G085M0BMicron8GB黄MT29F64G08TAAK9G BG 08U0AFlash容量&丝印一览表备注MT 29F 16G 08MAAWPJS 29F 32G 08AAMDB标识点6.7.8位为容量换算，换算方法为：32Gb/8=4GB 16Gb=2GB 68Gb=8GB标识点4.5位为容量换算，换算方法为：BG (32Gb ）/8=4GB K9指厂商：三星标识点6.7.8位为容量换算，换算方法为：16Gb/8=2GB MT 指厂商：镁光80:8M 1G:1G 2G:2G 4G:4G 8G:8G AG:16G BG:32G CG:64G ZG:48G DG:128G EG:256G GG:384G HG:512G LG:24G NG:96GBN128G8YM02Micron16GB红MT29F128G08CFAAAWP BN32G085M0B Micron4GB蓝MT29F32G08CBAAAWC BN32G085M1B Micron4GB蓝MT29F32G08CBABAWP BN32G085M2B Micron4GB蓝MT29F32G08CBACAWP BN64G085M0B Micron8GB黄MT29F64G08CFAAAWC BN64G085M12Micron8GB黄MT29F64G08CBAAAWP BN64G085M1B Micron8GB黄MT29F64G08CBAAAWP BN64G08YM0B Micron8GB黄MT29F64G08CEAAAC5 BF0GD8U5S02samsung8GB黄K9ACGD8U0MBF1G08U5S0B samsung128MB无点K9F1G08U0CBF1G08U5S0F samsung128MB无点K9F1G08U0CBF4G08U9S0F samsung512MB无点K9F4G08U0BBF8G08UDS0B samsung1GB绿K9K8G08U1DBFAG08UDS0B samsung2GB白K9FAG08U0MBFBG08U5S0B samsung4GB蓝K9GBG08U0ABFBG08U9S02samsung4GB蓝K9ABG08U0ABFG08U05X1B samsung2GB白K9GAG08U0EBFG08U05X1F samsung2GB白K9GAG08U0DBFK9ABG5S0B samsung4GB蓝K9ABGD8U0BBFK9BCGYS02samsung8GB黄K9BCG08U1ABKBG08U9S0B samsung4GB蓝K9ABG08U0ABKCG08U9S0F samsung8GB黄K9BCG08U1ABKDG08U9S0B samsung16GB红K9CDG08U5ABN04G085S0F samsung512MB无点K9F4G08U0ABNAG08UDS0B samsung2GB白K9GAG08U0MBNF2G085S0B samsung256MB无点K9F2G08U0BBNF8G085S0B samsung1GB绿K9F8G08U0M BNG4G085S0B samsung512MB无点K9G4G08U0B BNK8G08DS0B samsung1GB绿K9K8G08U0B BNKAG085S0B samsung2GB白K9KAG08U0M BF1G08U5S0B samsung128MB无点K9F1G08U0C BF4G08U9S0F samsung512MB无点K9F4G08U0B BF8G08UDS0B samsung1GB绿K9K8G08U1D BFAG08UDS0B samsung2GB白K9FAG08U0M BFBG08U5S0B samsung4GB蓝K9GBG08U0A BFBG08U9S02samsung4GB蓝K9ABG08U0A BFG08U05X1B samsung2GB白K9GAG08U0E BFG08U05X1F samsung2GB白K9GAG08U0D BFK9ABG5S02samsung4GB蓝K9ABGD8U0B BFK9BCGYS02samsung8GB黄K9BCG08U1A BKBG08U9S0B samsung4GB蓝K9ABG08U0A BKCG08U9S0B samsung8GB黄K9BCG08U1A BKDG08U9S0F samsung16GB红K9CDG08U5A BN04G085S0F samsung512MB无点K9F4G08U0A BN0K9GB5X0B samsung4GB蓝K9GBG08U0A BN0K9GB5X0B samsung4GB蓝K9GBG08U0AH27U BG8T2BTR-BC标识点5.6位为容量换算，换算方法为：BG（32Gb）/8=4GBH指厂商：海力士1G=128MB2G=256MB4G=512MB8G=1GBAG（16G）=2GBBG（32G）=4GBCG（64G）=8GBDG（128G）=16GBEG（256G）=32GBGG（384G）=48GBHG（512G）=64GBLG（24G）=3GBNG（96G）=12GBZG（48G）=6GB64:64Mb 12:128Mb25:256Mb 51:512Mb 1G:1G2G:2G 4G:4G 8G:8GAG:16G BG:32G CG:64GDG:128G EG:256G容量换算信息：。
常见内存芯片命名
常见内存芯⽚命名常见内存芯⽚命名三星（Samsung）内存具体含义解释：例：SAMSUNGK4S283232E-TC60 SDRAMK4H280838B-TCB0 DDRK4T51163QE-HCE6 DDR2K4B1G164E-HCE7 DDR3主要含义：第1位——芯⽚功能K，代表是内存芯⽚。
第2位——芯⽚类型4，代表DRAM。
9代表NAND FLASH第3位——芯⽚的更进⼀步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采⽤不同的刷新速率，也会使⽤不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯⽚的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到⼀个内存条后就⾮常容易计算出它的容量。
例如⼀条三星DDR内存，使⽤18⽚SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16⽚/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，⼀个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，⽂中所举的例⼦中有两种情况：⼀种是⾮ECC内存，每8⽚8位数据宽度的颗粒就可以组成⼀条内存；另⼀种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
nor flash不同密度芯片尺寸
nor flash不同密度芯片尺寸Nor Flash是一种非易失性存储器，常用于嵌入式系统中。
它的不同密度芯片尺寸决定了存储容量的大小。
本文将分别介绍不同密度的Nor Flash芯片尺寸及其特点。
一、4Mb Nor Flash芯片尺寸4Mb Nor Flash芯片尺寸相对较小，常见的尺寸为8mm x 20mm。
这种芯片容量较小，适用于存储一些简单的数据或者代码。
它在成本上相对较低，适合对存储容量要求不高的应用场景。
二、8Mb Nor Flash芯片尺寸8Mb Nor Flash芯片尺寸一般为10mm x 20mm。
相比于4Mb芯片，它的容量加倍，能够存储更多的数据。
这种芯片适用于一些中等容量的存储需求，例如存储一些嵌入式操作系统或者中小规模应用程序。
三、16Mb Nor Flash芯片尺寸16Mb Nor Flash芯片尺寸一般为12mm x 20mm。
这种芯片容量相对较大，能够存储更多的数据。
它适用于一些需要较大存储容量的应用场景，例如存储一些图像、音频或者视频等大容量数据。
四、32Mb Nor Flash芯片尺寸32Mb Nor Flash芯片尺寸一般为14mm x 20mm。
这种芯片容量更大，能够存储更多的数据。
它适用于一些需要大容量存储的应用场景，例如存储大型嵌入式操作系统、复杂的应用程序或者大量的多媒体数据。
五、64Mb Nor Flash芯片尺寸64Mb Nor Flash芯片尺寸一般为16mm x 20mm。
这种芯片容量非常大，能够存储大量的数据。
它适用于一些需要极大容量存储的应用场景，例如存储大型游戏、高清视频或者复杂的数据分析应用。
需要注意的是，Nor Flash的容量虽然有所不同，但其工作原理和特点是一致的。
它采用的是串行访问方式，读取速度相对较慢，但擦写次数较多，可达到百万次。
Nor Flash具有非易失性的特点，断电后数据依然保持。
它还具有良好的耐久性和抗电磁干扰能力，适用于各种恶劣环境下的应用。
norflash的id定义规则
norflash的id定义规则
NORFlash的ID定义规则通常由各个厂商自行定义，每个厂商都有自己独特的ID。
这些ID通常由厂商自行定义，用于标识各自生产的NORFlash芯片。
然而，有些厂商可能会遵循一些通用的命名规则。
例如，某些NORFlash芯片的ID可能包含特定的前缀或后缀，用于标识芯片的特定功能或应用领域。
此外，一些厂商可能会使用特定的编码规则来生成ID，这些编
码规则可能涉及不同的数字和字母组合。
这些ID通常具有一定的规
律性，可以帮助工程师和开发人员识别和区分不同的芯片型号和厂商。
需要注意的是，不同的厂商和芯片型号可能会有不同的ID命名
和编码规则，因此具体的规则可能因厂商和芯片型号而异。
如果您需要了解特定NORFlash芯片的ID定义规则，建议查阅该芯片的技术手册或相关文档。
NOR-Flash存储器介绍及编程
NOR-Flash存储器介绍及编程NOR-Flash存储器1概述ADSP-BF532自身不具有ROM，因此必须外接ROM器件来存储放电后仍需要保存的代码和数据。
NOR Flash具有非易失性，并且可轻易擦写。
Flash技术结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能，因此得到了越来越广泛的使用。
在本实验中将主要介绍NOR Flash器件——Am29LV160D在Blackfin处理器系统中的应用。
NOR Flash采用标准总线接口与处理器交互，对它的读取不需要任何特殊的代码。
作为代码存储器，NOR Flash映射在处理器的异步存储区的0x2000,0000到0x201F,FFFF地址上。
若设定系统从Flash启动，则系统上电复位时，处理器就自动从Flash中取得指令运行。
因此NOR Flash中要存放系统启动代码，这些代码必须在系统上电时完成一系列初始化的工作。
经过了这些初始化，系统才得以正确启动并开始工作。
2 实验内容和目标本实验要实现的内容和目标读出FLASH的manufacturer ID和device ID。
对FLASH芯片进行整片擦出，并验证擦除是否成功(读出数据是否为为全0xFFFF)。
往FLASH起始地址写入0x5555，并读出，验证写入是否正确。
3实验分析1(Am29LV160D介绍进行实际编程之前，首先应了解NOR Flash器件Am29LV160D的特性和读写操作的要求。
Am29LV160D是由AMD公司推出的1M×16bit的CMOS 多用途Flash。
它的主要特性如下。
存储空间组织1M×16bit。
读写操作采用单一电源 2.7,3.6V。
可靠性, 可擦写100 000个周期(典型值);, 数据可保存100年。
低功耗- 动态电流 15mA(典型值);, 静态电流 4?A(典型值);, 自动低功耗模式4?A(典型值)。
扇区擦除能力统一为2K×16b大小的扇区。
各种品牌存储IC简单命名介绍
各种品牌存储IC简单命名介绍存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon （英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT （晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard （世界先进）、Nanya（南亚）。
有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR 时代采用的也不多了。
显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。
另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR 的管脚数量为33X2=66。
美光（Micron）图1 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。
LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
8M8——内存颗粒容量为8M。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。
亿恒（In fineon）图2 Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。
目前，Infineon在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。
东芝闪存芯片编号规则
东芝闪存芯片编号规则一、引言随着计算机技术的不断发展，存储器件也在不断更新换代。
闪存芯片作为一种常见的存储器件，其编号规则也是我们需要了解的重要内容之一。
本文将详细介绍东芝闪存芯片编号规则。
二、东芝闪存芯片编号规则概述东芝闪存芯片的编号规则是由数字和字母构成的组合。
其中，数字表示容量大小，字母表示产品系列和工艺等信息。
下面将详细介绍这些内容。
三、容量大小东芝闪存芯片的容量大小以G为单位进行表示。
其中，1G=1024MB=1048576KB=1073741824Byte。
以下是常见容量大小和对应的编号：1. 2GB：TC58NVG0S3ETA002. 4GB：TC58NVG1S3ETA003. 8GB：TC58NVG2S0ETA004. 16GB：TC58NVG3S0ETA005. 32GB：TC58NVG4S0ETA006. 64GB：TC58NVG5S0ETA00四、产品系列东芝闪存芯片产品系列主要有以下几种：1. T：代表该产品系列为TLC（Triple Level Cell）型号。
2. M：代表该产品系列为MLC（Multi Level Cell）型号。
3. S：代表该产品系列为SLC（Single Level Cell）型号。
五、工艺等信息东芝闪存芯片的工艺等信息主要包括以下几种：1. NV：代表该芯片采用NAND Flash技术。
2. G：代表该芯片采用64Gbit NAND Flash技术。
3. 0：代表该芯片采用0.09μm工艺。
六、示例以TC58NVG2S0ETA00为例，其中“TC”表示东芝闪存芯片的产品系列为TLC型号，“58”表示容量大小为8GB，“NV”表示采用NAND Flash技术，“G”表示采用64Gbit NAND Flash技术，“2”表示该产品系列的第二代产品，“S”表示该产品系列为SLC型号，“0”表示采用0.09μm工艺，“ETA00”是东芝闪存芯片的生产批次信息。
从闪存芯片编号识容量
从闪存芯片编号识容量根据芯片编号识容量三星的闪存芯片均以K9打头，与容量相关的字段是从第4位到第7位。
第4～5位表示闪存密度，12代表512M、16代表16M、28代表128M、32代表32M、40代表4M、56代表256M、64代表64M、80代表8M、1G代表1G 、2G代表2G、4G代表4G、8G代表8G、00代表没有。
第6～7位表示闪存结构，00代表没有、08代表×8.16代表×16. 32代表×32。
闪存芯片的容量=闪存密度×闪存结构÷8通过上述公式就可以计算出闪存芯片的真实容量了编号为K9K1G08U0M-YC80的SUMSUNG闪存芯片。
这块闪存芯片的规格为：128M×8bit、50ns 速度，单颗容量 128MB。
工作电压2.4～2.9V。
芯片编号K9F5608U0A，32M×8bit规格50ns速度，单颗容量32MB。
工作电压2.7～3.6V，内部分成块写区域大小（16K＋512）。
三星型号详解K9×××××：Nand FlashK8×××××：Nor FlashK7×××××：Sync SRAM(同步SRAM，带clock，速度快，网络产品，6个晶体管)K6×××××：Aync SRAM(异步SRAM，不带clock，速度快，手机产品，6个晶体管)K5×××××：MCP（相当于K1+K8+K9）K4×××××：DRAMK3×××××：Mask RomK2×××××：FRAMK1×××××：utRAM(使用SRAM技术，但只有2个晶体管跟1个电容，所以比SRAM功耗大，但成本低)samsung 编号：K9LAG08U0M，容量为2G，以K9L为开头的三星闪存一般都为MLC闪存，使用MLC闪存是大势所趋* K9K8G(1GB)、K9W8G(1GB)、K9WAG(2GB)* K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)* K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)* K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)* K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)* (1 Byte = 8 bits)SAMSUNG K9F2808U0B-YCB0 32MBK9F2808U0C-VCB0 32MBK9F5608U0B-YCB0 16MBK9F5608U0C-YCB0 16MBK9F1208U0M-YCB0 64MBK9F1208U0A-YCB0 64MBK9F1208U0A-YIB0 64MBK9F1208U0A-VCB0 64MBK9K1G08U0A-YCB0 128MBK9K1G08U0M-YCB0 128MBK9K1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-YCB0 128MBK9F1G08U0A-YCB0 128MBK9F1G08U0M-VCB0 128MBK9F1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-FIB0 128MBK9K2G08U0M-YCB0 256MBK9K2G08U0A-FIB0 (90nm) 256MBK9K2G08U0M-VCB0 256MBK9K2G08U0M-VIB0 256MBK9K2G08U0A-VIB0 (90nm) 256MBK9F2G08U0M-YCB0 (90nm) 256MBK9K4G08U0M-YCB0 (90nm) 512MBK9K4G08U0M-YCBO(90nm) 512MBK9K4G08U0M-PIB0(90nm) 512MBK9W8G08U1M-YCB0(90nm) 1GBK9W8G08U1M-YIB0(90nm) 1GBK9WAG08U1M 2GMNAND闪存芯片, 一般都是Samsung 或Hynix 芯片. SAMSUNG闪存的型号及对应容量:K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)Hynix闪存的型号及对应容量:HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte) HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte) HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)Part No Description MfgNANDFLASHHY27US08281A-T(P)CB 16Mx8 HYNIXHY27US08561A-T(P)CB 32Mx8 HYNIXHY27US08121A-T(P)CB 64Mx8 HYNIXHY27UF081G2M-T(P)CB 128Mx8 HYNIXHY27UF082G2M-T(P)CB 256Mx8 HYNIXHY27UF082G2A-TPCB 256Mx8 HYNIXHY27UG084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UF084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UT084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UH088G2M-TPCB 1Gx8 HYNIXHY27UU085G2M-TPCB 1Gx8 HYNIXHynix闪存的型号及对应容量:HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte); HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte); HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte); HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) ATJ2051/ATJ2085主控支持的闪存FLASH型号列表品牌型号内存ATJ2085(2051) samsung K9K4G08U0M 512M ysamsung K9W4G08U1M 512M ysamsung K9W8G08U1M 1GB ysamsung K9F4G08U0M 512M ysamsung K9F4G08U0A 512M ysamsung K9K8G08U0M 1G ysamsung K9K8G08U0A 1G nsamsung K9WAG08U1M 2G ysamsung K9G4G08U0M 512M nsamsung K9L8G08U0M 1G nsamsung K9HAG08U1M 2G nHynix HY27UG084G1M 512M yHynix HY27UG084G2M 512M yHynix HY27UH084G1M 512M nHynix HY27UH084G2M 512M yHynix HY27UG088G2M 1G y Hynix HY27UG088G5M 1G n Hynix HY27UG088GDM 1G n Hynix HY27UH088G2M 1G y Hynix HY27UH088GDM 1G n Hynix HY27UH08AG5M 2G n Hynix HY27UH08AGDM 2G n Hynix HY27UF084G2M 512M y Hynix HY27UG088G5M 1GB n Hynix HY27UU088G5M 1G n Hynix HY27UV08AG5M 2G n Hynix HY27UT084G2A, 512M n Hynix HY27UT084G2M 512M n Hynix HY27UU088G 1GB nHynix HY27UU8G5M(MLC) 1GB n Hynix HY27UT4G2M(MLC) 512M n Hynix HY27UVAG5M(MLC) 2GB n Hynix HY27US08561M VPCB 428A 32MB HY27US08561M TPIB 427A 32MBHY27US08121M TCB 64MBHY27US08121M TPIB 407T 64MBHY27US08121M TCB 416A 64MBHY27US08121M TCB 422A 64MB HY27US08121M TCB 426A 64MB HY27US08121M TPCB 427B 64MB HY27US08121M VPCB 429A 64MB HY27UA081G1M TCB 128MBHY27UA081G1M TPCB 128MBHY27UA081G1M TCB 423A 128MB HY27UG082G2M 256MBHY27UH084G2M 512MBHY27UG088G5M 1GBHY27UH088G2M 1GBHY27UH08AG5M 2GBTOSHIBA TC58128AFT 16MBTC58128AFTI 16MBTC58DVM72A1FT00/05 16MBTC58256AFT 32MBTC58NVM8S0AFTI0 32MBTC58DVM82A1FT00/05 32MBTC58DVM82A1FTI0 32MBTC58512FT 64MBTC58DVM92A1FT00/05 64MBTH58100FT 128MBTC58DVG02A1FT00/05 128MBTC58NVG0S3AFT00/05 128MBTC58NVG0S3AFTI5 128MBTH58NVG1S3AFT00/05 256MBTH58NVG1S3AFTI0 256MBTC58NVG1S3BFT00 256MBTC58005FT 64MBTC58DVM94B1FT00/05 64MBTC58010FT 128MBTC58DVG04B1FT00/05 128MBTC58DVG14B1FT00/05 256MBTC58DVG14B1FTI0 256MBTH58DVG24B1FT00/05 512MBTC58NVG1D4BFT00 256MBTC58NVG1D4BFT00 256MBTC58NVG2D4BFT00 512MBTH58NVG3D4BFT00 1GBTH58NVG3D4BFTI0 1GBTC58NVG3D4CTG10 1GBTH58NVG4D4BTG20 2GBSANDISK SDTNFAH-128, SDTNGAHE0-128 16M SDTNFAH-256, SDTNGAHE0-256 32MSDTNFAH-512, SDTNGAHE0-512 64M SDTNFCH-512, SDTNGCHE0-512 64M SDTNFBH-1024, SDTNGBHE0-1024 128M SDTNFCH-1024, SDTNGCHE0-1024 128M SDTNFDH-2048, SDTNGDHE0-2048 256M Micron MT29F2G08A 256MBMT29F4G08B 256MBMT29F4G08BAB 512MMT29F8G08FAB 1G。
nandflash及闪存命名规则大全（三星，海力士，美光等）U盘存储技术
nandflash及闪存命名规则大全（三星，海力士，美光等）U盘存储技术nandflash命名规则大全（三星，海力士，美光等）今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下.三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. organization00 : NONE08 : x816 : x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)【举例说明】K 9 G A G 0 8 U 0 M - P C B 01 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1 5 16 17 18K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。
flash 存储器分类
flash 存储器分类全球闪速存储器的技术主要掌握在AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA，由于各自技术架构的不同，分为几大阵营。
1. NOR技术NORNOR技术（亦称为Linear技术）闪速存储器是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架构。
它源于传统的EPROM器件，与其它Flash Memory技术相比，具有可靠性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
NOR技术Flash Memory具有以下特点：(1) 程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行；(2)可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。
由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。
不过，仍有支持者在以写入为主的应用，如CompactFlash卡中继续看好这种技术。
Intel公司的StrataFlash家族中的最新成员——28F128J3，是迄今为止采用NOR技术生产的存储容量最大的闪速存储器件，达到128Mb（位），对于要求程序和数据存储在同一芯片中的主流应用是一种较理想的选择。
该芯片采用0.25μm制造工艺，同时采用了支持高存储容量和低成本的MLC技术。
所谓MLC技术（多级单元技术）是指通过向多晶硅浮栅极充电至不同的电平来对应不同的阈电压，代表不同的数据，在每个存储单元中设有4个阈电压（00/01/10/11），因此可以存储2b信息；而传统技术中，每个存储单元只有2个阈电压（0/1），只能存储1b信息。
NANDNORFLASH闪存产品概述
NANDNORFLASH闪存产品概述随着国内对集成电路，特别是存储芯片的重视，前来咨询我们关于NOR Flash，NAND Flash，SD NAND, eMMC, Raw NAND的客户越来越多了。
这里我们专门写了这篇文章：1，把常用的存储产品做了分类; 2把一些产品的特点做一个描述。
在正式开始介绍之前，我们给大家推(an)荐(li)一款非常易用稳定的Flash产品：CS创世 SD NAND。
具备如下特点：1，免驱动使用；2，可机贴；3，尺寸小巧。
6*8mm，LGA-8封装；4，擦写寿命长；5，耐高低温冲击；6，容量适宜（128MB~4GB）具体可以可以看链接：我们把存储产品大概分为E2PROM，NOR，NAND 3类，他们框架如下：一，E2PROM容量非常小，目前存在于一些MCU内部，遥控器，电风扇等小家电里。
用来存储一些基础信息。
用户基本不关心这个。
因此这里不做详细描述。
二，NOR Flash是目前应用领域最广泛的一种存储芯片了.基本上主流的电子产品里都有使用。
甚至我们手机摄像头内部，屏幕驱动电路板上都会用到。
主要用来存储代码和一些比较小的数据文件。
主流是SPI NOR接口; 主流容量:1Mbit~128Mbit; 封装：SOP-8居多，也有更小的；尺寸也都比较小。
NOR Flash架构决定了它的容量不能做大，而且读取速度比较慢。
好处在于比较简单易用。
甚至可以直接用地址访问到数据，不需要建立文件系统。
（这点攻城狮朋友们比较喜欢）三，NAND Flash应该是目前最热门的存储芯片了。
因为我们生活中经常使用的电子产品都会涉及到它。
比如你买手机，肯定会考虑64GB，还是256GB？买笔记本是买256GB，还是512GB容量的硬盘呢？（目前电脑大部分采用了基于NAND Flash产品的固态硬盘）。
这里我们从如下几方面做一个分类：3.1 内部材质NAND FLASH从材质上可以分为SLC/MLC/TLC/QLC，本质区别就是在最小的存储单元内能存放多少bit的信息。
norflash的id定义规则
norflash的id定义规则
NorFlash的ID定义规则是根据具体的芯片型号和厂商的规定而定的，一般包括以下几个方面：
1. 厂商ID：该字段用于标识NorFlash芯片的制造厂商。
每个厂商都有自己独特的ID，由厂商自行定义。
2. 存储密度：这个字段用于标识NorFlash芯片的存储容量。
一般以MB或GB为单位进行表示。
3. 设备ID：设备ID是指NorFlash芯片的设备标识符。
不同的芯片型号和厂商可能有不同的设备ID命名规则。
4. 特定功能标识：某些NorFlash芯片可能具有特定的功能，如硬件加速、错误检查、电源管理等功能。
这些特殊功能可能需要在ID中进行标识。
总体而言，NorFlash的ID定义规则是由厂商制定的，不同的厂商和型号可能有不同的定义方式。
因此，在使用NorFlash 时，需要查阅相关的芯片手册或与厂商进行联系，以了解具体的ID定义规则。