模电课后练习答案(精简版)
模电课后答案--

第二章晶体三极管及其放大电路基础1、简述三极管制作的结构特点?答:基区:很薄且杂质浓度很低;发射区:杂质浓度很高;集电区:面积很大,但杂质浓度远远小于发射区的杂质浓度2、简述三极管的放大原理。
答: 1、三极管有三个级:发射极E、集电极C、基极B有三个区:发射区、集电区、基区有两个结:发射结、集电结2、三极管用于放大时,首先保证发射结正偏、集电结反偏。
3、分析以NPN型硅三极管为例:( 1)、BJT内部的载流子传输过程:因为发射结正偏,所以发射区向基区注入电子,形成了扩散电流IEN 。
同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动,形成的电流为IEP。
但其数量小,可忽略。
所以发射极电流I E ≈ IEN 。
发射区的电子注入基区后,变成了少数载流子。
少部分遇到空穴后复合掉,形成IBN。
所以基极电流I B ≈ IBN 。
大部分到达了集电区的边缘。
因为集电结反偏,收集扩散到集电区边缘的电子(漂移运动),形成电流ICN 。
另外,集电结区的少子形成漂移电流ICBO(很小),所以IC≈ICN(2)、BJT的放大:集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话):基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:IC= βIB 即电流变化被放大了倍, (β叫做三极管的放大倍数,一般远大于1)。
如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了IC很大的变化。
如果集电极电流IC是流过一个电阻RC的,那么根据电压计算公式U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。
我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。
3、如何理解三极管是电流控制的有源器件?答:这要从三极管的电流放大和开关特性说起!半导体三极管的结构是在硅片的基区上形成相邻的集电结和发射结!这两个结的电流导通必需通过基区!这有点像两根水管中间要通过一层滤网或是闸门!基区的网栅密度或闸门开闭控制着集,射极间的电流强度!三极管的基区空穴密度取决于所加电位!而空穴密度又决定着该结的厚度!这个厚度又决定了其导电强度!这就决定了集,射间的电流强度!三极管的三个极电压是基极很低!集电极很高!发射极是公共端!我们在基极和发射极间控制一个小电位的变化或通断!就能间接地控制集电极和发射极间的大电流(高电位)变化或是通断!这就是三极管是电流控制的有源器件的原理4、5、6、画出题图2-3中所示的各电路的直流通路、交流通路。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号,可以表示任意数值;数字信号是离散变化的信号,只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域;数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流,并给出它们的单位。
电压(V)是电势差,单位为伏特(V);电流(I)是电荷通过导体的速率,单位为安培(A)。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等;常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律,电流等于电压与电阻之间的比值,即I=V/R,其中I为电流,V为电压,R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度,单位为欧姆(Ω)。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么?给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加,即R= R1 + R2 + … + Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加,再取倒数,即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中,多个电阻串联,电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力,单位为法拉(F)。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么?给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加,再取倒数,即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn,其中C为总电容,C1、C2、…、Cn为各个电容值。
模电课后习题解答
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解:由题意
vi=6sinωt(V)波形如图2.1.7所示:
当 时,二极管D1导通,vo=3.7V,
当 时,二极管D2导通,vo=−3.7V,
当 时,二极管D1、D2截止,vo=vi。
2.2.2已知稳压管的稳压值VZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解:(1)当VI=10V时,若VO1=VZ=6V,则稳压管的电流为
,
大于其最小稳定电流,所以稳压管击穿。故 。
(2)当VI=10V时,若VO2=VZ=6V,则稳压管的电流为
对于图b所示的电路,当 时,稳压管DZ反向击穿,vo=VZ,当 时,稳压管DZ未击穿,vo=vi。
2.2.4已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。
(1)分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值;
(2)若vi=35V时负载开路,则会出现什么现象?为什么?
解:(1)当vi=10V时,若vO=VZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故
当vi=15V时,稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin,所以
vO=VZ=6V
同理,当vi=35V时,vO=VZ=6V。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。(设 )
解:由公式
由于 ,VT=0.026V
正向偏置VD=0.26V时
当反向偏置 时
模电课后习题答案4,5,6,8习题
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第四章局部习题解答4.1.3 某BJT 的极限参数I CM =100mA ,P CM =150mW ,V 〔BR 〕CEO =30V ,假设它的工作电压V CE =10V ,则工作电流I C 不得超过多大?假设工作电流I C =1mA ,则工作电压的极限值应为多少?解: BJT 工作时,其电压和电流及功耗不能超过其极限值,否则将损坏。
当工作电压V CE 确定时,应根据P CM 及I CM 确定工作电流I C ,即应满足I C V CE ≤P CM 及I C ≤I CM 。
当V CE =10V 时,此值小于I CM =100mA ,故此时工作电流不超过15mA 即可。
同理,当工作电流I c 确定时,应根据I C V CE ≤P CM 及V CE ≤V 〔BR 〕CEO 确定工作电压V CE 的大小。
当I C =1mA 时,为同时满足上述两个条件,则工作电压的极限值应为30V 。
4.3.3 假设将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3所示电路,并设V CC =12V ,R C =1k Ω,在基极电路中用V BB =2.2V 和R b =50k Ω串联以代替电流源i B 。
求该电路中的I B 、I C 和V CE 的值,设V BE =0.7V 。
图题3.3.1解: 由题3.3.1已求得β=200,故I C =βI B =200×0.03mA=6mA V CE =V CC -I C R c =6V4.3.5 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线,试求:〔1〕电源电压V CC ,静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值;〔2〕电阻R b 、R e 的值;〔3〕输出电压的最大不失真幅度;〔4〕要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少?解:〔1〕由图题3.3.6可知,直流负载线与横坐标轴的交点即V CC 值的大小,故V CC =6V 。
模电第四版习题答案
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模电第四版习题答案模拟电子技术是电子工程领域中非常重要的基础课程,其习题答案对于学生理解和掌握课程内容至关重要。
以下是模拟电子技术第四版习题的部分答案,供参考:第一章:半导体基础1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
在室温下,硅的电阻率大约是1kΩ·cm,而锗的电阻率大约是0.6kΩ·cm。
2. N型半导体中,多数载流子是自由电子,而P型半导体中,多数载流子是空穴。
3. PN结的正向偏置是指给P型半导体加上正电压,N型半导体加上负电压,此时PN结导通。
第二章:二极管1. 整流二极管主要用于将交流电转换为脉动直流电,稳压二极管主要用于电路中稳定电压。
2. 一个理想的二极管在正向偏置时电阻为零,反向偏置时电阻无穷大。
3. 齐纳二极管是一种特殊类型的稳压二极管,它在反向偏置时具有稳定的电压。
第三章:双极型晶体管1. 双极型晶体管(BJT)分为NPN和PNP两种类型,其中NPN型BJT在基极-发射极结正向偏置时导通。
2. 晶体管的放大区是基极电流变化引起集电极电流变化的区域。
3. 晶体管的饱和区是指基极电流足够大,使得集电极电流达到最大值,此时晶体管不能进一步放大信号。
第四章:场效应晶体管1. 场效应晶体管(FET)的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
2. JFET(结型场效应晶体管)和MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是两种常见的FET。
3. MOSFET在截止状态下,其源极和漏极之间的电阻非常大,几乎相当于断路。
第五章:放大器基础1. 放大器的主要功能是接收一个电信号并将其转换为更大的电流或电压信号。
2. 共射放大器是最常见的BJT放大器配置之一,它具有较高的电压增益和中等的电流增益。
3. 差分放大器能够放大两个输入信号之间的差值,对共模信号不敏感。
第六章:反馈放大器1. 反馈放大器通过将输出信号的一部分反馈到输入端来稳定放大器的性能。
2. 负反馈可以提高放大器的稳定性和线性度,但可能会降低增益。
模电第四版习题答案
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1 思考与练习答案1.1 填空(1)单向导电性 不可以(2)0.5V 0.7V 0.1V 0.3V 硅(3)R×100或R×1K R×10K R×1K(4)变压、整流、滤波、稳压 整流(5)4 100Hz(6)变压器次级线圈 滤波电容(7)+5 -12I C =1mA 时,工作电压的极限值为100V 。
2.7 (a )放大;(b )截止;(c )饱和;(3)e b c PNP 硅管 (2)c b e PNP 锗管2.13 (a ) 能 (b ) 不能 (c ) 能 (d ) 不能 (e ) 不能 (f ) 不能2.14 要保证发射结正偏,集电结反偏2.17 (1) I BQ =200μA I CQ =10mA U CEQ =14V 放大区(2) I BQ =33.3μA I CQ =2mA U CEQ =2V 放大区(3) I BQ =50μA I CQ =5mA U CEQ =9V 放大区(4) I BQ =30μA I CQ =3mA I CS ≈0.86mA I BS ≈8.6μA I BQ > I BS 饱和区2.18 (b )图为饱和失真 原因是静态工作点偏高 将R b 调小消除失真;(c )图为截止失真 原因是静态工作点偏低 将R b 调大消除失真2.19 I BQ =30μA I CQ =1.2mA U CEQ =5.88V(1) 360k Ω (2) 270 k Ω项目3 思考与练习答案3.1 (a )不能 (b )能 (c )不能 (d )不能3.2 R =10k Ω3.3 (1)上“-”下“+” (2)f 0=1.94kHz (3)二极管V D 1、V D 2用以改善输出电压的波形,稳定输出幅度。
(4)R p 用来调节输出电压的波形和幅度。
必须调节R p 使得R 2满足2 R 3> R 2>(2 R 3-R 1)。
3.5 (a )能 (b )不能 (c )能 (d )能 (e )不能 (f )能3.7 (a )并联型石英晶体振荡器 (b )串联型石英晶体振荡器3.8(1)o i u u =-(2)o i u u =3.9(a )-0.4V ;(b )0.8 V ;(c )0.8 V ;(d )6 V ;(e )1.5 V 3.10S L F U I R =3.1121222O i R R u u R += 响,(612)O u V = ;3.13(a )124()O i i u u u =-+;(b )122i i O u u u +=;(c )2144O i i u u u =-; 3.14 312463O i i i u u u u =--; 3.15 (1)R 1= 50 k Ω (2) R 1=10 0 k Ω (3) R 1= 50 k Ω R 2= 20 k Ω R 3= 100 k Ω(4) R 1= 50 k Ω R 2= 20 k Ω项目4 思考与练习答案4.3 (c )二阶无源带阻滤波器 (d )二阶有源带通滤波器4.4 (a )二有源带通滤波器 (b )二阶有源带阻滤波器(c )二阶有源低通滤波器 (d )二阶有源高通滤波器4.5答是使音响系统的频率特性可以控制,以达到高保真的音质;或者根据聆听者的爱好,修饰与美化声音。
模电课后答案
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模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。
在圆圈中画出管子,并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9解:如解图1.9。
解图1.9第2章 基本放大电路习题2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80,ber =1kΩ,20iU mV = ,静态时0.7BEQ U V =,4CEQ U V =,20BQ I A μ=。
判断下列结论是否正确,在括号内打“√”和“×”表示。
(1)342002010uA -=-=-⨯ (×) (2)4 5.710.7uA =-=- (×) (3)8054001u A ⨯=-=- (×) (4)80 2.52001uA ⨯=-=- (√) (5)20120i R k k =Ω=Ω (×) (6)0.7350.02i R k k =Ω=Ω (×) (7)3i R k ≈Ω (×) (8)1i R k ≈Ω (√) (9)5OR k =Ω (√) (10) 2.5O R k =Ω (×)(11)20S U mV ≈ (×) (12)60SU mV ≈ (√)2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80 ,'100bb r =Ω。
分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、uA 、i R 和o R 。
解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、be r 均相等,它们分别为:22CC BEQBEQ BQ bsV U U I A R R μ-=-≈1.76CQ BQ I I mA β=≈'26(1)1.3be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为:6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈; 308c ubeR A r β=-≈-// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω; 93beusube sr A A r R ≈⋅≈-+5o c R R k ==Ω3L R k =Ω时,静态管压降、电压放大倍数分别为:(//) 2.3LCEQ CC CQ c L L cR U V I R R VR R =-≈+用基尔霍夫电流定律容易理解(//)115c L u be R R A r β=-≈- 34.7be us ube sr A A r R ≈⋅≈-+ // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω。
模拟电路课后练习题含答案

模拟电路课后练习题含答案
题目一
已知信号源 $U_1 = 10 \\sin(\\omega t)$,其电阻为 $R_1 = 100 \\Omega$,电感为L1=100mH,求相电角。
解答
根据电路理论,通过电阻和电感的电流 $i_1 = I_m \\sin(\\omega t +
\\phi)$ 与电压 $u_1 = U_m \\sin(\\omega t)$ 满足以下公式:
$$ \\begin{aligned} i_1 &= \\frac{U_m}{Z} \\sin(\\omega t) \\\\ &=
\\frac{U_m}{\\sqrt{R_1^2 + (\\omega L_1)^2}} \\sin(\\omega t + \\phi)
\\end{aligned} $$
其中,Z为电路的阻抗,$\\phi$ 为相电角,I m为电流幅值,U m为电压幅值。
由此可解得相电角 $\\phi = \\arctan(\\omega L_1/R_1) = \\arctan(0.314) \\approx 17.8^\\circ$。
题目二
已知有一个偏置电压为V CC=12V的电路,其有源器件为晶体管,其I C=
5mA,V CE(sat)=0.2V,则求晶体管功耗P T。
解答
根据电路理论,晶体管的功耗P T为其集电极电压V CE与集电极电流I C的乘积,并乘以当前电路中的个数:
1。
模电课后题答案详解
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习题解答第1章1.1简述半导体的导电特性。
答:半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
半导体一般呈晶体结构,其原子核对价电子的束缚较弱,当半导体受到外界光和热的刺激时,它便释放价电子,从而使导电能力发生变化。
例如纯净的锗从20℃升高到30℃时,它的电阻率几乎减小为原来的1/2。
又如一种硫化镉薄膜,在暗处其电阻为几十兆欧姆,受光照后,电阻可以下降到几十千欧姆,只有原来的百分之一。
利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。
若在纯净的半导体中加入微量的杂质,则半导体的导电能力会有更显著的增加,例如在半导体硅中,只要掺入亿分之一的硼,电阻率就会下降到原来的几万分之一,这是半导体最显著的导电特征。
利用这个特性,可制造出各种半导体器件。
1.2 简述PN结是如何形成的。
答:当P型和N型半导体结合在一起时,由于交界面两侧多数载流子浓度的差别,N区的多数载流子电子向P区扩散,P区的多数载流子空穴也要向N区扩散,于是电子与空穴复合,在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区,N区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。
这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区,称为PN结。
PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。
内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散,另一方面又会促进少数载流子的漂移,即N区的少数载流子空穴向P区移动,P区的少数载流子电子向N区移动。
因此,在交界面两侧存在两种对立的运动,漂移运动欲使PN结变窄,扩散运动运动欲使PN结变宽。
当扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流大小相等,两种运动达到动态平衡时,PN结宽度不再变化,即PN结维持一定的宽度。
由于内电场的存在,使载流子几乎不能在PN结内部停留,所以,PN 结也称为耗尽层。
1.3 二极管的特性曲线有哪几个区域?二极管的单向导电能力是指特性曲线上的哪个区域的性质?二极管的稳压能力又是指特性曲线上的哪个区域性质?答:二极管的特性曲线有正向特性、方向特性和反向击穿特性三个区域。
模电三版课后习题答案
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模电三版课后习题答案模电三版课后习题答案模拟电子技术是电子工程中的重要学科,它涉及到电子电路的设计、分析和应用。
模电三版是一本经典的教材,其中的习题是学生巩固知识的重要途径。
然而,习题的答案并不是每个学生都能轻松找到的,因此,本文将为大家提供模电三版课后习题的答案,以帮助大家更好地学习和理解模拟电子技术。
第一章:放大电路基本概念1. 放大电路的作用是什么?答案:放大电路的作用是将输入信号放大到所需的幅度,以实现信号的增强和处理。
2. 放大电路的分类有哪些?答案:放大电路可以分为电压放大电路、电流放大电路和功率放大电路三种类型。
3. 什么是共射放大电路?答案:共射放大电路是一种常见的三极管放大电路,输入信号与输出信号都是通过集电极进行耦合。
第二章:放大电路的频率特性1. 什么是截止频率?答案:截止频率是指放大电路在频率较高时,输出信号的幅度开始下降,达到截止频率时幅度下降到原来的1/√2。
2. 如何计算截止频率?答案:截止频率可以通过放大电路的频率响应曲线来确定,当幅度下降到原来的1/√2时,对应的频率即为截止频率。
3. 什么是增益带宽积?答案:增益带宽积是指放大电路的增益乘以其截止频率的乘积,用来衡量放大电路的频率特性。
第三章:放大电路的稳定性1. 什么是稳定性?答案:稳定性是指放大电路在工作过程中,输出信号不会因为温度、电源电压等因素的变化而产生明显的变化。
2. 如何提高放大电路的稳定性?答案:可以通过负反馈、补偿电路等方法来提高放大电路的稳定性。
3. 为什么会出现放大电路的自激振荡?答案:放大电路的自激振荡是由于正反馈引起的,当放大电路的增益大于1时,就容易出现自激振荡现象。
第四章:放大电路的非线性失真1. 什么是非线性失真?答案:非线性失真是指放大电路输出信号的波形不再是输入信号的简单放大,而是出现了形状变化或者畸变。
2. 如何衡量非线性失真?答案:常用的衡量非线性失真的指标有谐波失真、交调失真等。
模电课后习题答案
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V cc - U CESR c =2.86mA第一章半导体基础知识自测题一、(1)v (2)X ( 3)v (4)X ( 5)v (6)X二、(1) A (2) C ( 3) C (4) B ( 5) AC三、U oi 〜1.3V U02 = 0 U03 1.3V U O4〜2V U05 〜2.3V U°6―2V四、U O1 = 6V U O2= 5V五、根据P CM = 200mW 可得:U CE= 40V 时I C= 5mA , U CE= 30V 时I C 〜6.67mA,U CE = 20V 时 I c = 10mA , U CE = 10V 时 I c = 20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
六、1、I B =V BB —U BE詔6讥R bI c 二T B二2.6mAU CE = Vcc j c R c = 2VU O = U CE= 2V。
2、临界饱和时U CES=U BE= 0.7V,所以I B=28.6讥&=V BB一 U BE,45.4小I B七、T1 :恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。
习题1.1 (1) A C (2) A ( 3) C ( 4) A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
..'t1.3 u i和U o的波形如图所示。
1.4 u i和U o的波形如图所示。
1.5 u o的波形如图所示。
1.6I D=( V —U D) /R=2.6mA ,U T/I D = 10Q , l d= U i/r D心 1mA。
1.7(1 )两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8l ZM = P ZM/U Z = 25mA, R= U Z/I DZ = 0.24 〜〔.2k Q。
1.9(1 )当U I = 10V时,若U O=U Z = 6V,则稳压管的电流为4mA , 小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
模电课后习题完整答案
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1.1 在题1.1图中,各元件电压为 U 1=-5V ,U 2=2V ,U 3=U 4=-3V ,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载?解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI ;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。
P 1=-U 1×3= -(-5)×3=15W ; P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ;P 3=U 3×(-1)=-3×(-1)=3W ;P 4=-U 4×(-4)=-(-3)×(-4)=-12W 。
元件2、4是电源,元件1、3是负载。
1.4 在题1.4图中,已知 I S =2A ,U S =4V 。
解:I=I S =2A ,U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ,U S 与I 为关联参考方向,电压源功率:P U =IU S =2×4=8W ,U 与I 为非关联参考方向,电流源功率:P I =-I S U=-2×6=-12W ,验算:P U +P I +P R =8-12+4=01.6 求题1.6图中的U 1、U 2和U 3。
解:此题由KVL 求解。
对回路Ⅰ,有: U 1-10-6=0,U 1=16V 对回路Ⅱ,有:U 1+U 2+3=0,U 2=-U 1-3=-16-3=-19V 对回路Ⅲ,有:U 2+U 3+10=0,U 3=-U 2-10=19-10=9V验算:对大回路,取顺时针绕行方向,有:-3+U 3-6=-3+9-6=0 ,KVL 成立1.8 求题1.8图中a 点的电位V a 。
题1.4图+U 3--3V++6V -题1.6图20Ω1a题1.8图(a)(b)解:重画电路如(b )所示,设a 点电位为V a ,则201a V I =,5502+=a V I ,10503-=a V I 由KCL 得: I 1+I 2+I 3=0 即0105055020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7100-=1.10 求题1.10图所示电路端口的伏安关系。
模电课后习题参考答案
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《自测题、思考题与习题》参考答案第1章自测题一、1.杂质浓度;温度。
2.减小;增大。
3.单向导电;最大整流电流I F;最大反向工作电压U RM。
4.0.5;0.7;0.1;0.2。
5. 15V;9.7V;6.7V;1.4V;6V;0.7V。
6.大;整流。
二、1.①;⑤;②;④。
2. ②;①。
3.①。
4.③。
5.③。
6.③。
三、1、2、5、6对;3、4错。
思考题与习题1.3.1 由直流通路(图略)得I D=(10-0.7)/5.1×103≈1.82mA;则有r d≈26(mV)/I D(mA)=14.3Ω。
再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[14.3/(14.3+25)]u i≈3.6sinωt(mV)。
1.3.2(a)U D=-3V,VD截止,U AB=-12V。
(b)U D1=10V,U D2=25V,VD2优先导通,VD1截止,U AB=-15V。
1.3.3 当u i≥1.7V时VD1导通,VD2截止,u o=1.7V;当u i≤-1.7V时VD2导通,VD1截止,u o=-1.7V;当-1.7V≤ u i≤1.7V时VD1、VD2均截止,u o=u i。
故u o为上削顶下削底,且幅值为±1.7V的波形(图略)。
1.3.4 在等效电路中,两二极管可由图1.3.2(c)来表示。
当-0.5V<u i<0.5V时,VD1、VD2均截止,u o=u i。
当u i≥0.5V时VD1导通,VD2截止,u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th,其最大值为U om≈1.42V。
同理,当u i≤-0.5V时,U om≈-1.42V。
图略。
1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V,U B=8V,U BC=5V。
因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。
截止。
1.4.1 当u i>8V时,稳压管起稳压作用,u o=8V;-0.7V<u i<8V时,u o=u i;u i<-0.7V时,u o=-0.7V。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
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第1章习题答案1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。
(1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
(√)(2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
(×)(3)线性电路一定是模拟电路。
(√)(4)模拟电路一定是线性电路。
(×)(5)放大器一定是线性电路。
(√)(6)线性电路一定是放大器。
(×)(7)放大器是有源的线性网络。
(√)(8)放大器的增益有可能有不同的量纲。
(√)(9)放大器的零点是指放大器输出为0。
(×)(10)放大器的增益一定是大于1的。
(×)2 填空题:(1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。
(2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。
(3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。
(4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。
(5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。
(6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。
(7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。
(8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。
(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
(10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带f BW是250KHZ。
3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。
模电参考答案(全4套)
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参考答案(第1套)一、1.电流、正向、反向;电压。
2.线性、非线性。
3.共基、共射、共集。
4.差模、共模、ocodA A 。
5.低通、200、200。
6.乙类、0、LCC R V22、0.2。
二、2.放大状态。
4.电压-串联、增大、宽。
三、1.V U mA I AI CEQ CQ BQ 2.32.222==≈μ2.115//-=-=beLC ur R R A βΩ==Ω=≈=K R R k r r R R R C o be be b b i 33.1////21四、反馈组态为:电压-串联负反馈1211R R FA uf +== 五、该放大电路为共基接法,根据瞬时极性法可知引入了负反馈,不能振荡。
更正:将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。
六、 1.R R TH U U R R U 3221-=-=;=,=时,当;=,=-时,当V 4U V 6U 0V 4U V 6U 0TH R TH R -<>i i u u七、运放构成差动输入形式,反相端输入为U I ,同相端输入I IU U ~0='。
I I f I f I f o U U R R U R R U R R U ~)1(111-='++-=八、1.误差放大器的同相在下方、反相端在上方。
2.电路由四个部分构成:(1)由R 1、R 2和R W 构成的取样电路;(2)由运放构成负反馈误差放大器;(3)由R 和D W 构成基准电压电路;(4)由T1和T2复合管构成调整管。
3.V U R R R R R U R R R R U R R R R R U Z w wZ w Z w w o 10~15~221221221=+++++=+"++=参考答案(第2套)一、1. 反向击穿;2. 甲类、甲乙类、乙类、甲乙类; 3. 零点漂移;4. (串联负反馈)从C 到F ;(电压负反馈)从A 到E ; 5. 差放输入级、压放中间级、互补输出级、偏置电路; 6. (1)0.5; (2)5; (3)20; 二、1.W R VP L CC o 922max== LoMoM AV C R U I I πππ==⎰)(Sin ωinωt 21 W R VI V P LCC AV C CC V 46.11222)(===π %5.78max==Vo P P η W P P P P o V T T 23.1)(21max 21=-== 2.W P P o T 8.12.0max max == 三、1.10=umA 2.)101)(101(1010)1)(1()(5fj f j f jf f j f f j f fjA j A HL Lumu ++⋅=++= ω3.输出电压会失真。
(完整版)模电习题答案

3-11 放大电路如题 3-73 图所示,已知U CC管的 U be 0.7V ,β=60。
试求: 12V, R b 360k , R L R c 2k ,三极(1)计算静态工作点 ? (2)计算 A u 、 R i 和 R o(3)u i 的有效值为多大时输出电压将出现失真?首先出现什么失真? 解:(1)计算静态工作点,I BQUCC 0.7 12 0.70.03 mA , I CQ I BQ 60 0.03 mA 1.8mA R b 360kI EQ ( 1)I BQ 61 0.03 mA 1.83 mA U CEQ U CC I CQ R C 12 1.8mA 2k 8.4V ? (2)计算 A u 、 R i 和 R o共射放大电路 R i r be 200 (1 )26mV200 (160) 261.067 kIEQ1.83R o R C 2k?Au(R L // R ) 60 (2k//2k) 56.2rbe1.067k3-14 如题 3-75 图所示放大电路。
三极管的电流放大系数为 β=100,U BE =0.6V ,U CC =18V , R b1= 39 k Ω, R b2= 13 k Ω, R c = 2.4 k Ω,R e1=100 Ω,R e2= 1.1k Ω ,R s = 500 Ω,R L =2.4 k Ω, U sm =500 mV 。
求:①接上和断开电容 C E 两种情况下的静态工作点 I B 、I C 和U CE ;②接上 和断开电容 C E 时的电压放大倍数 A u 、输入电阻 R i 和输出电阻 R o ;③接上和断开电容 C E 时 的输出电压 U o 。
解:①求,接上和断开电容 C E 两种情况下的静态工作点 I B 、I C 和U CE由于接上和断开电容 C E 不会影响静态工作点 I B 、I C 和U CE ,设三极管的基极电位为 V B ,3)u i 的有效值为多大时输出电压将出现失真?首先出现什么失真? 由于静态工作点 U CEQ 比较靠近截止区, u o 幅度增大时,首先出现截止失真 i C1 1uCERL RL // R c(U CEQ ,I CQ ) 为 (8.4 V,1.8 mA ) ,在输出特性平面上,设交流负载线与另外因为交流负载线的斜率为RL1,而静态 Q 点1ku CE 轴的交点为UCE off ,则 U CE off U CEQ u CE 8.4V ( 1) (所 以 ,u o 幅 度 大 于 U CE off U CEQ 10.2 8.4 1.82 U o A u1.8 mA) 1k 1.8V ( 相 应 u o 的 有 效 值为UoU i10.2V1.27V ) 时 , u o 开 始 出 现 截 止 失真 , 此 时 , u i 的 有 效 值 1.270.02V 56.2则,U BRb1 Rb2U13kUccR cc39k 13k18 4.5 V ,而 U B 0.7 (R e1 R e2 ) I EQ所以, U B 0.7 4.50.73.17 mA , I BQIEQ0.031 mAI EQ EQ R e1 R e21.1k 0.1k1I CQ βI BQ 3.1 mA,U CEQ (UCC I CQ R C ) (R e1 R e2)I EQ (18 3.1mA 2.4k) .1k 0.1k) 3.17 mA 6.76Vc I cIb bI2②接上和断开电容 C E 时的电压放大倍数 Au 、输入电阻 R i 和输出电阻 R o rbe (ⅰ)接上电容 C E 时,交流小信号等效电路为: 其中,小信号等效模型的参数(1 ) 26mV200 IEQ 200(1 100) 263.17 U s b21.03kR iAu Uo( I b )(R C //R L ) (R C //R L ) I b r be (R iRo Ui R b1 // Rb2//(r be ( R C 2.4k1)I b R e 11)R e1)ⅱ)断开电容 C E 时, r be (1)R e1 39 k//13k//(1.03 U?+U beIeR e1题3-20 图 微变等效电路100 (2.4//2.4) 10.781.03 (100 1) 0.1 k (100 1) 0.1k) 5.2kc + R sR LU i Rb1 Rb2 R o+?UI 2 交流小信号等效电路为: I i I 1 Ri题3-20图 中 C 开E 路时的等效电路 Ib b Ic+ U ?s类似前面,断开电容 C E 时, (R C // R L ) R e2) A ur be ( 1)(R e1 R i R b1 // R b2 //[ r be100(2.4//2.4)0.98 1.03 (100 1) (1.1 0.1) ( 1)(R e1 R e2)] RLRcU oR o39 k//13 k//(1.03 k R o R C 2.4k (100 1) (1.1k 0.1 k))9.03k③接上和断开电容 C E 时的输出电压 ⅰ)接上电容 C E 时, Aus U o R i iA u R i Rs 5.25.25.20.5 ( 10.78) 9.83而 A us Uo ,所以, uo 的有效值 U oUs U sA us 0.5V 9.83 4.92 V?R 9.03(ⅱ)断开电容 C E 时, A us RiA u 9.03( 0.98) 0.93 us R i R s u9.03 0.5 同理, u o 的有效值 U o U s A us 0.5V 0.93 0.465 V 3-16 在题 3-77 图所示放大电路中,已知 U CC =20V ,R b =470k Ω,R e =4.7 k Ω, R L = 4.7 k Ω, 三极管 β=100,静态时 UCE =10V 。
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一、单项选择题(只有一个选项正确,共10道小题)1. 稳压管的动态电阻r Z 是指()。
(A) 稳定电压与相应电流I Z 之比(B) 稳压管端电压变化量ΔU Z 与相应电流变化量ΔI Z 的比值(C) 稳压管正向压降与相应正向电流的比值你选择的答案: B [正确]正确答案:B解答参考:2. 如图所示的放大电路( )。
(A) 能稳定静态工作点(B) 不能稳定静态工作点(C) 不仅能稳定静态工作点且效果比接有射极电阻时更好你选择的答案: B [正确]正确答案:B解答参考:3. 已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为6V、9V 和6. 3V,则6V所对应的电极为()。
(A) 发射极(B) 集电极(C) 基极你选择的答案: A [正确]正确答案:A解答参考:4. 振荡器之所以能获得单一频率的正弦波输出电压,是依靠了振荡器中的()。
(A) 选频环节(B) 正反馈环节(C) 基本放大电路环节你选择的答案: A [正确]正确答案:A解答参考:5. 开环工作的理想运算放大器,同相输入时的电压传输特性为()。
(A)(B)(C)你选择的答案: A [正确]正确答案:A解答参考:6. 理想运算放大器的共模抑制比为( )。
(A) 零(B) 约120 dB(C) 无穷大你选择的答案: C [正确]正确答案:C解答参考:7. 半导体二极管的主要特点是具有()。
(A) 电流放大作用(B) 单向导电性(C) 电压放大作用你选择的答案: B [正确]正确答案:B解答参考:8. 在运算放大器电路中,引入深度负反馈的目的之一是使运放( )。
(A) 工作在线性区,降低稳定性(B) 工作在非线性区,提高稳定性(C) 工作在线性区,提高稳定性你选择的答案: B [正确]正确答案:B解答参考:9.整流电路如图所示,设二极管为理想元件,已知变压器副边电压,若二极管D1损坏而断开,则输出电压的波形应为图()。
(A)(B)(C)(D)你选择的答案: C [正确]正确答案:C解答参考:10. 如图所示电路中,能够实现运算关系的电路是()。
模电课后习题答案
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习题:一.填空题1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。
2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管,利用发光材料可制成发光二级管,利用PN结的光敏性可制成光敏(光电)二级管。
3.在本征半导体中加入__5价__元素可形成N型半导体,加入_3价_元素可形成P型半导体。
N型半导体中的多子是_自由电子_______;P型半导体中的多子是___空穴____。
4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。
5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为,锗材料二极管的正向导通电压为。
6..理想二极管正向电阻为__0______,反向电阻为_______,这两种状态相当于一个___开关____。
7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。
8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。
9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。
10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电,因此三极管又称为双极型晶体管。
11.设晶体管的压降U 不变,基极电流为20μA时,集电极电流等于2mA,则β=__100__。
12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类,目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管,按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类,每一类中又分为N沟道和P沟道两种。
13. 查阅电子器件手册,了解下列常用三极管的极限参数,并记录填写题表2-1在下表中题表2-1二.选择题1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 A 。
A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压2.理想二极管加正向电压时可视为 B ,加反向电压时可视为__A__。
A.开路B.短路C.不能确定3.稳压管的稳压区是二极管工作在__D__状态。
A.正向导通B.反向截止C.反向导通D.反向击穿4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将__A__。
A.增大B.不变C.减小5.工作在放大区的某晶体管,如果当I从12μA增大到22μA时,I从1mA变为2mA,那么它的β约为__C__。
模拟电子技术课后习题及答案
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模拟电子技术课后习题及答案1(总18页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P 型半导体。
( )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS 大的特点。
( )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、选择正确答案填入空内。
(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S -TU U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏(5)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。
解:U O1≈,U O2=0,U O3≈-,U O4≈2V,U O5≈,U O6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U和O1U各O2为多少伏。
模电课后练习答案(精简版)

2.13 电路如图P 2.13所示,晶体管的β=100,'bb r =100Ω。
(1)求电路的Q 点、uA 、R i 和R o ;(2)(2)若电容C e 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?解:(1)静态分析 V7.5)(A μ 101mA1V 2e f c EQ CEQEQBQ e f BEQBQ EQ CC b2b1b1BQ=++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β动态分析:Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r uββββ∥∥∥(2)R i 增大,R i ≈4.1k Ω;uA 减小,ef 'L R R R A u +-≈ ≈-1.92。
解:图(a )所示电路中引入了交、直流负反馈图(b )所示电路中引入了交、直流负反馈图(c )所示电路中通过R s 引入直流负反馈,通过R s 、R 1、R 2并联引入交流负反馈,通过C 2、R g 引入交流正反馈。
图(d )、(e )、(f )所示各电路中均引入了交、直流负反馈。
图(g )所示电路中通过R 3和R 7引入直流负反馈,通过R 4引入交、直流负反馈。
6.6 分别判断图 6.4(d )~(h )所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈,并计算它们的反馈系数。
解:各电路中引入交流负反馈的组态及反馈系数分别如下: (d )电流并联负反馈1of ==I I F (e)电压串联负反馈211of R R R U U F +==(f )电压串联负反馈1of ==U U F (g)电压串联负反馈211of R R R U U F +==(h)电压串联负反馈311of R R R U U F +==6.7分别判断图P 6.5(a )(b )(e )(f )(g )所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈,并计算它们的反馈系数。
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2.13 电路如图P 2.13所示,晶体管的β=100,'bb r =100Ω。
(1)求电路的Q 点、uA 、R i 和R o ;(2)(2)若电容C e 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?解:(1)静态分析 V7.5)(A μ 101mA1V 2e f c EQ CEQEQBQ e f BEQBQ EQ CC b2b1b1BQ=++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β动态分析:Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r uββββ∥∥∥(2)R i 增大,R i ≈4.1k Ω;uA 减小,ef 'L R R R A u +-≈ ≈-1.92。
解:图(a )所示电路中引入了交、直流负反馈图(b )所示电路中引入了交、直流负反馈图(c )所示电路中通过R s 引入直流负反馈,通过R s 、R 1、R 2并联引入交流负反馈,通过C 2、R g 引入交流正反馈。
图(d )、(e )、(f )所示各电路中均引入了交、直流负反馈。
图(g )所示电路中通过R 3和R 7引入直流负反馈,通过R 4引入交、直流负反馈。
6.6 分别判断图 6.4(d )~(h )所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈,并计算它们的反馈系数。
解:各电路中引入交流负反馈的组态及反馈系数分别如下: (d )电流并联负反馈1of ==I I F (e)电压串联负反馈211of R R R U U F +==(f )电压串联负反馈1of ==U U F (g)电压串联负反馈211of R R R U U F +==(h)电压串联负反馈311of R R R U U F +==6.7分别判断图P 6.5(a )(b )(e )(f )(g )所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈,并计算它们的反馈系数。
解:各电路中引入交流负反馈的组态及反馈系数分别如下: (a)电压并联负反馈R U I F 1of -== (b)电压并联负反馈4o f 1R U I F -== (e)电流并联负反馈212of R R R I I F +==(f )电压串联负反馈411of R R R U U F +==(g)电流串联负反馈94292of R R R R R I U F ++-==6.8估算图 6.4(d )~(h )所示各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。
解:各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数如下:13fo io f 12fo i o f fo io f 13fo i o f 1L 1f L o 1i L o i o f 1 (h)1 (g)1 (f)1 (e) (d)R R UU U U A R R U U U U A UU U U A R R U U U U A R R R I R I R I R I U U A u u u u u +=≈=+=≈==≈=+=≈==≈≈=6.9估算图 6.5(e )(f )(g )所示各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。
解:各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数如下:92L 87942fL 87o io f 14fo i o f s 'L 21sf L 4o i o sf ))(( )( (g)1 (f))1()( (e)R R R R R R R R UR R R I U U A R R U U U U A R R R R R I R R I U U A u u u ∥∥∥∥∥++-=≈=+=≈=⋅+=≈=解:u O 1=(-R f /R ) u I =-10 u I ,u O 2=(1+R f /R ) u I =11 u I 。
解:在图示各电路中,集成运放的同相输入端和反相输入端所接总电阻均相等。
各电路的运算关系式分析如下: (a)13I2I1I33f I22f I11f O 522u u u u R Ru R R u R R u +--=⋅+⋅-⋅-= (b)13I2I1I33f I22f I11f O 1010u u u u R Ru R R u R R u ++-=⋅+⋅+⋅-=(c ))( 8)(I1I2I1I21fO u u u u R R u -=-=(d )I44f I33f I22f I11f O u R Ru R R u R R u R R u ⋅+⋅+⋅-⋅-= 1413I2I1402020u u u u ++--= 9.3 在图P 9.2所示电路中,已知V C C =16V ,R L =4Ω,T 1和T 2管的饱和管压降│U C E S │=2V ,输入电压足够大。
试问:(1)最大输出功率P o m 和效率η各为多少?(2)晶体管的最大功耗P T m a x 为多少?(3)为了使输出功率达到P o m ,输入电压的有效值约为多少?解:(1)最大输出功率和效率分别为%8.694πW5.242)(CCCESCC L2CES CC om ≈-⋅==-=V U V R U V P η(2)晶体管的最大功耗W4.622.02.0L2CC oMTm ax =⨯=≈R V P P (3)输出功率为P o m 时的输入电压有效值V 9.92CESCC om i ≈-≈≈U V U U10.15 直流稳压电源如图P 10.15所示。
(1)说明电路的整流电路、滤波电路、调整管、基准电压电路、比较放大电路、采样电路等部分各由哪些元件组成。
(2)标出集成运放的同相输入端和反相输入端。
(1)写出输出电压的表达式。
解:(1)整流电路:D 1~D 4;滤波电路:C 1;调整管:T 1、T 2;基准电压电路:'Z 'D 、R 、R 、D Z ;比较放大电路:A ;取样电路:R 1、R 2、R 3。
(2)为了使电路引入负反馈,集成运放的输入端上为“-”下为“+”。
(3)输出电压的表达式为Z3321O Z 32321U R R R R U U R R R R R ⋅++≤≤⋅+++10.17 在图P 10.17所示电路中,R 1=240Ω,R 2=3k Ω;W117输入端和输出端电压允许范围为3~40V ,输出端和调整端之间的电压U R 为 1.25V 。
试求解:(1)输出电压的调节范围;(2)(2)输入电压允许的范围; (3)解:(1)输出电压的调节范围 (4)V 9.1625.1)1(REF 12O ~=+≈U R R U (2)输入电压取值范围 V25.41 V 20m ax 12Om in Im ax m in 12m ax O Im in ≈+=≈+=U U U U U U7.13 分别求解图P 7.13所示各电路的运算关系。
解:图(a )所示为反相求和运算电路;图(b )所示的A 1组成同相比例运算电路,A 2组成加减运算电路;图(c )所示的A 1、A 2、A 3均组成为电压跟随器电路,A 4组成反相求和运算电路。
(a )设R 3、R 4、R 5的节点为M ,则))(( )(2I21I15434344M O 5M2I21I15342I21I13M R u R u R R R R R R i u u R u R u R u i i i R u R u R u R R R R +++-=-=-+=-=+-=(b )先求解u O 1,再求解u O 。
))(1( )1()1( )1()1(I1I245I245I11345I245O145O I113O1u u R R u R Ru R R R R u R Ru R R u u R R u -+=+++-=++-=+=(c )A 1、A 2、A 3的输出电压分别为u I 1、u I 2、u I 3。
由于在A 4组成的反相求和运算电路中反相输入端和同相输入端外接电阻阻值相等,所以)( 10)(I3I2I1I3I2I114O u u u u u u R R u ++=++=8.7 电路如图P 8.7所示,试求解: (1)R W 的下限值;(2)(2)振荡频率的调节范围。
解:(1)根据起振条件22'W 'W f >,>R R R R +k Ω。
故R W 的下限值为2k Ω。
(2)振荡频率的最大值和最小值分别为Hz145)( π21kHz6.1 π2121min 01max 0≈+=≈=CR R f CR f7.12 电路如图P 7.12所示。
(1)写出u O 与u I 1、u I 2的运算关系式; (2)当R W 的滑动端在最上端时,若u I 1=10m V ,u I 2=20m V ,则u O =? (3)若u O 的最大幅值为±14V ,输入电压最大值 u I 1m a x =10m V ,u I 2m a x =20m V ,最小值均为0V ,则为了保证集成运放工作在线性区,R 2的最大值为多少?解:(1)A 2同相输入端电位)( 10)(I1I2I1I2fN2P2u u u u RR u u -=-== 输出电压))(1(10)1(I1I212P212O u u R Ru R R u -+=⋅+= 或)(10I1I21WO u u R R u -⋅⋅= (2)将u I 1=10m V ,u I 2=20m V 代入上式,得u O =100m V(3)根据题目所给参数,)(I1I2u u -的最大值为20m V 。
若R 1为最小值,则为保证集成运放工作在线性区,)(I1I2u u -=20m V 时集成运放的输出电压应为+14V ,写成表达式为14201010)(10min1I1I2min 1W O =⋅⋅=-⋅⋅=R u u R R u 故 R 1m i n ≈143ΩR 2m a x =R W -R 1m i n ≈(10-0.143)k Ω≈9.86 k Ω9.8 在图P 9.8所示电路中,已知V C C =15V ,T 1和T 2管的饱和管压降│U C E S │=2V ,输入电压足够大。
求解:(1)最大不失真输出电压的有效值; (2)负载电阻R L 上电流的最大值;(3)最大输出功率P o m 和效率η。
解:(1)最大不失真输出电压有效值V65.82)(CES CC L4Lom ≈-⋅+=U V R R R U(2)负载电流最大值A 53.1L4CES CC Lmax ≈+-=R R U V i (3)最大输出功率和效率分别为 (4) %644πW 35.92CC 4CES CC L2om om≈--⋅=≈=V U U V R U P R η电路如图P 1.3所示,已知u i =10s in ωt (v),试画出u i 与u O 的波形。