铁电陶瓷

第四章铁电陶瓷

一、教学内容及要求

掌握铁电体的基本概念，理解电滞回线的形成，理解BaTiO3的结构与自发极化特性以及其介电性能的特点，掌握电畴的基本概念，电畴的成核与生长过程，180°畴和90°畴的异同。理解居里温区的相变扩张的机理，几种相变扩散的异同。掌握展宽效应，移动效应，重叠效应的作用机制。掌握铁电老化，铁电疲劳，去老化的概念。

二、基本内容概述

4.1概述

重点掌握的几个概念：自发极化、、剩余极化、、矫顽场、铁电体、电滞回线、电畴、铁电陶瓷

1、感应式极化：离子晶体中最主要的极化形式是电子位移极化和离子位移极化，这两种极化都属于感应式极化，极化强度大小依赖于外施电场。线性关系，E=0，P=0。

2、自发极化：铁电体所表现的自发极化，却是不依赖于外电场，并能随外电场反向而发生反转。非线性关系，E=0，P≠0。

3、铁电体(ferroelectric)：具有自发极化，且自发极化方向能随外场改变的晶体。它们最显著的特征，或者说宏观的表现就是具有电滞回线。

4、电滞回线(hysteresis curve)：铁电体在铁电态下极化对电场关系的典型回线。

5、电畴（domain）：在铁电体中，固有电偶极矩在一定的子区域内取向相同的这些区域就称为电畴或畴。

6、畴壁（domain wall）：畴的间界。

7、铁电相变：铁电相与顺电相之间的转变。当温度超过某一值时，自发极化消失，铁电体变为顺电体。

8、居里温度（Curie temperature or Curie point）：铁电相变的温度。

9、铁电体的分类：1）按结晶化学；2）按力学性质；3）按相转变的微观机构；4）按极化轴多少。

10、铁电陶瓷：在一定温度范围内具有自发极化，且自发极化能为外电场所转向的陶瓷称为铁电陶瓷。

4.2陶瓷的铁电性与铁电陶瓷

1、BaTiO3的结构与自发极化

BaTiO3为钙钛矿结构，由Ba2+离子与O2-离子一起立方堆积，Ti4+处于氧八面体体心。

BaTiO3的相变：立方相、四方相、三角相、正交相。

自发极化产生的原因：Ti4+－O2-间距大（2.005A），故氧八面体间隙大，Ti4+离子能在氧八面体中振动。T>120℃，Ti4+处在各方几率相同（稳定地偏向某一个氧离子的几率为零），对称性高，顺电相。T<120℃，Ti4+由于热涨落，偏离一方，形成偶极矩，按氧八面体三维方向相互传递，耦合，形成自发极化的小区域，即电畴。

CaTiO3：a=3.80 A，Ti4+、O2-间距1.90 A，氧八面体空隙比Ti4+小得多，Ti4+与O2-电子壳层发生强烈渗透，当Ti4+运动时，受到的恢复力很大。无自发极化。

SrTiO3：临界状态

电畴的运动：在外电场的推动下，电畴会随外电场方向转向运动。当外加电场足够强，电畴将尽可能地统一到外电场一致的方向。电畴的反转过程分为新畴成核、畴的纵向长大、畴的横向扩张和畴的合并四个阶段。

2、 BaTiO3的介电性能

介电常数与温度的关系

无论是单晶还是陶瓷，都可在Tc或转变点找到ε的峰值。ε大小可以认为正比于能为单位电场所反转（所定向）的自发极化矢量。

只有自发极化强度大，且又容易为外电场所转向时，ε才大。

a、a轴的ε比c轴大。在电场作用下，极化尽可能沿电场取向。单晶有明显的方向性，说明90°畴壁比180°畴壁更能为一般外电场所运动。或者说与Ps正交的电场更容易使Ps转向，与Ps反平行的电场难以使Ps反转。

b、BaTiO3陶瓷的ε介于单晶的a轴与c轴之间，且峰值不如单晶尖锐。

c、在0℃，-90℃，120℃出现ε的峰值，说明相变点处新畴容易形成，或此时畴壁运动激活能或Ps的定向激活能下降。

d、温度越低，Ps越难定向，或畴壁越难运动，故Tc处ε最大。

e、T>Tc，ε按居里-外斯定律下降。

f、BT陶瓷：陶瓷的ε介乎单晶的a轴和c轴的数值之间；多晶：晶粒随机取向；多畴：多种取向。转变点处峰值不如单晶尖锐：结构：多相体系，晶粒随机取向，不同热膨胀系数，产生内应力：导致Tc分散（居里区）。

g、Tc均为120℃，第二转变点：单晶：0 ℃；陶瓷：≈20 ℃。

●介电常数ε与电场的关系

a、施加交流电场

b、加上一个直流电场

●介电常数ε与频率的关系

●ρ与T的关系：

4.3强介铁电瓷的改性机理

1、对BaTiO3电容器的要求

●介电常数ε：要求在工作温区的ε尽可能高，但ε随温度的变化率

（△ε/ε25℃）要小。ε随电场强度的变化率也要尽可能小。

●介电损耗tgδ：由于BaTiO3电容器主要用于低频电路中起滤波，旁路，隔直流，

耦合等作用，因而，只要tgδ≤3％即可。

●绝缘电阻ρv：T↑→ρv↓，特别是工作在高温（≥85℃），高湿，长期在直流

电场下（1000小时），Ti4＋→Ti3+，造成ρv↓↓，故要求室温ρv≥1012Ω.cm

●抗电强度E b：尽可能提高E b。（因为铁电瓷抗电强度本来低，分散性又大）。

2、铁电瓷改性原理

掌握几个概念：居里点&居里区；异相共存；相变扩散；展宽效应；移动效应；重叠效应。

(1) 居里区与相变扩散

ε按居里区展开的现象，称为相变扩散（diffuse phase transition）或扩散相变。其原因通常归为“异相共存”。

异相共存→Tc分散→居里区→相变扩散（说明材料的Tc或εmax都是一个统计结果。产生上述异相共存的原因分为热起伏，应力起伏，成分起伏，结构起伏等。

●热起伏相变扩散

温度是分子运动的平均动量的量度，在实际材料中，各微区的温度并不一定相同，存在“热起伏”或“热涨落”现象。这种热起伏的微区称为“坎茨格区”，其线度约10～100nm，假设晶粒粒度为1μm，坎茨格区也仅为单个晶粒体积的10-3~10-6，故每个晶粒具有很多坎茨格区。由于各坎茨格区的温度与宏观温度不同，故Tc由一点变成一个区间—居里区。

当T

当T>Tc时，大部分微区属顺电相，故ε↓，但仍然有少量铁电微区，由于定向容易，在一定温区内ε仍较大。但强电场作用也无法使ε达到最大值。

●应力起伏相变扩散

单晶：如果外加压应力在介质各个方向上均衡一致，则居里峰将基本保留原有形状向低温平移。