电力电子技术填空题整理
【电力电子技术期末考试】必考填空题整理
填空1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+ 、 Ⅰ- 、 Ⅲ＋ Ⅲ- 四种 。
11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T 2接 负 电压；门极G 接 正 电压，T2接 负 电压。
I- 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G 接负 电压，T2接 正 电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接 负 电压，第二阳极T2接 正 电压,门极G 接正 电压，T2接 负 电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接 负 电压，第二阳极T2接 正 电压；门极G 接 负电压，T2接 正 电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫（脉冲） 换流。
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题及答案一、填空题（29分）1、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接正电压，T2接负电压。
I- 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接负电压，T2接正电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接正电压，T2接负电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接负电压，T2接正电压。
2、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。
3、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。
4、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管； 200表示表示 200A ，9表示 900V 。
5、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲；主要用于驱动小功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲；可以触发大功率的晶闸管。
6、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V，流过晶闸管的大电流有效值为15A，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为(1.5?2倍)2220V；晶闸管的额定电流可选为(1.5?3倍)1、普通晶闸管的图形符号是电极分别是阳极A ，阴极K 和门极G 晶闸管的导通条件是阳极加正电压，阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通；关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流IH 时，导通的晶闸管关断。
2、可关断晶闸管的图形符号是；电力场效应晶体管的图形符号是绝缘栅双极晶体管的图形符号是；电力晶体管的图形符号是。
3、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在0o―180o 变化，在阻感性负载时移相范围在φ―180o 变化。
5、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容。
6、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。
电力电子技术题库及答案整理版
电力电子技术题库及答案整理版《电力电子技术》习题&答案一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是______智能功率集成电路_________。
3、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM__小于__UBO。
4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于_UFm为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______下降______。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_____________静态均压________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___Y形和△形___二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_________________输出电压基波________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用___快速恢复__型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：_____________________维持电流_______________________。
电力电子技术试卷
电力电子技术Power Electronics一、 填空题（1分/空）1.电力电子技术，一般是由 、 和以电力电子器件为核心的 组成一个系统。
造成在不加门极触发控制信号，即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素:一是 ，二是 。
3.带平衡电抗器的双反星形可控整流电路的特点是适用于要求 、 的场合。
4.在升压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V ,导通比 ,则负载电压U0= V 。
5.选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以 倍。
电动势负载时，只有 的瞬时值大于负载的反电动势，整流桥路中的晶闸管才能承受正压而触发导通。
研究换流方式主要是研究 。
换流方式可分为: 、 、 和 。
二、 判断题（2分/题）1．负载换流方式只适用于容性负载。
（ ）2．三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法，a 、b 两相的自然换相点是同一点。
（ ）3．负载换流方式适用于电感性负载。
（ ）4．电力电子器件一般都工作在开关状态。
（ ）三、 选择题（2分/个）1．单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（ ）①0°~90° ②0°~180° ③90°~180° ④180°~360°2．电流源型逆器中间直流环节贮能元件是（ ）。
① 电容 ②电感 ③蓄电池 ④电动机3. 三相桥式全控整流电路中，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围是 ；当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围是 。
4. 单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有 次数的谐波，变压器二次侧电流中含有 次数的谐波。
31Kv四、简答题（8分/题）1．（a）画出晶闸管的电气图形符号；（b）在什么条件下晶闸管才能导通。
2. 交流调压电路和交流调功电路有什么区别？两者各运用于什么样的负载？3．在本课程中学习过的电力电子器件主要有哪几种？并简述各自的特点。
电力电子技术复习题(整理版)
电力电子技术复习题(整理版)电力电子技术复习题一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
3、对于同一个晶闸管，其维持电流IH _______擎住电流IL（数值大小关系）。
4、在GTR和IGBT两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是_____，属于电流驱动的器件是___。
5、在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路与单相可控整流电路比较，三相可控整流电路可获得__________的输出电压。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff=___________，其值越______越好。
9、单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ=___________。
10、将直流电能转换为交流电能，并把交流电能直接提供给交流用电负载的逆变电路称为___________逆变器。
11、对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是过高，二是_______________。
12、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为。
13、电压型单相桥式逆变电路中，与开关管反并联的二极管起着___________和防止开关器件承受反压的作用。
14、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
15、单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始导通到关断之间的角度称为__________。
16、正弦脉宽调制(SPWM)的载波信号波形一般是_________波，基准信号波形为_________波。
电力电子技术试题及答案
一、填空题（29分）1、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T 2接 负 电压；门极G 接正 电压，T2接 负 电压。
I- 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G 接 负 电压，T2接 正 电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接正 电压；门极G 接正电压，T2接 负 电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接 正电压；门极G 接 负电压，T2接 正 电压。
2、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫（脉冲）换流。
3、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 有源 逆变器与 无源 逆变器两大类。
4、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管 ； 200表示表示 200A ，9表示 900V 。
5、单结晶体管产生的触发脉冲是 尖脉冲 脉冲；主要用于驱动 小 功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为 强触发脉冲 脉冲；可以触发 大 功率的晶闸管。
6、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V ，流过晶闸管的大电流有效值为15A ，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为V 2202)25.1(倍-；晶闸管的额定电流可选为A 57.115)35.1(倍-。
1、普通晶闸管的图形符号是 电极分别是 阳极A ， 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是 阳极加正电压， 阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通 ；关断条件是 当晶闸管阳极电流小于维持电流I H 时，导通的晶闸管关断 。
2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 。
3、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在 0º—180º 变化，在阻感性负载时移相范围在 φ—180º 变化。
5、提高变流置的功率因数的常用方法有 减小触发角 、 增加整流相数 、 采用多组变流装置串联供电 、 设置补偿电容 。
电力电子技术试题库答案
二、判断题（每题1分，共10分）
1、 晶闸管的门极既可以控制它的导通，也可以控制它的关断。（ 错 ）2、晶闸管的门极既不能控制它的导通，也不能控制它的关断。（错 ）3、晶闸管的门极可以控制它的导通，但不能控制它的关断。（ 对 ）4、晶闸管的门极不可以控制它的导通，但能控制它的关断。（错 ）5、额定电流为100A的晶闸管，允许通过的最大平均电流为157A。（ 对 ）6、在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流。（ 对 ）7、在室温下门极断开时，晶闸管从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为掣住电流。 ( 错 )8、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为掣住电流。 （ 对 ）9、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为维持电流。 （ 错 ）10、反励式变换器是指开关管导通时电源将电能转换为磁能储存在电感中，开关管截止时再将磁能转换为电能传送给负载。（ 对 ）
三相全控桥整流电路带大电感负载时，输出电压平均值为（2.34U2cosα），晶闸管承受的最大电压为（61/2U2）。38、单结晶体管从截止区转变为负阻区的转折点为（峰点），该点的电压为（Up=ηUbb+UD）。
在升降压变换电路中，当0.5<D<1时为（降压）变换电路，当0<D<0.5时为（升压）变换电路。40、库克变换电路的输出电压为（Uo=-DUd/(1-D)），输出电流为（Io=-(1-D)Id/D）。41、根据输入直流电源特点，逆变电路分为（电压型）和（电流型）逆变电路。42、根据换流方式，逆变电路分为负载换流型、（脉冲换流型）和（自换流型）逆变电路。43、常用的均流措施有（电阻均流）和（电抗均流）两种。44、单结晶体管的负阻特性是指（峰点）和（谷点）之间的特性。45、PWM逆变电路有（异步调制）和（同步调制）两种控制方式。46、有源逆变主要用于（直流电机的可逆调速）、（绕线型异步电动机的串级调速）和高压直流输电以及太阳能发电等。
电力电子技术练习题(答案)
答：电路会出现失控现象。为消除失控现象，可在电 路中加接续流二极管。
5、晶闸管导通后，通过晶闸管电流的大小与电路中 哪些参数有关？
答：晶闸管导通后，通过晶闸管电流的大小与电路中 的电源及负载电阻有关。
6、什么是电压型、电流型逆变电路？输出交流电压、 交流电流的波形各有什么特点？
6、对于全控型电力电子器件，驱动电路的基本任务是 （A ）
A 既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。 B 只要提供开通控制信号。 C 只要提供关断控制信号。 D 因为是全控型，不必要提供控制信号。
7、在库克斩波电路中，要得到高于输入电压的输出电 压，开关管的开通占空比要（ B ） A 小于0.5 B 大于0.5 C 等于0.5 D 等于1
其中两组晶闸管， VT1、VT3、VT5为 共阴极 组， VT2、VT4、VT6为共阳极 组；
晶闸管的导通顺序是 VT1VT2VT3VT4VT5VT6 ；
各晶闸管的触发脉冲依次相差600 。同一相的两只 晶闸管的触发脉冲依次相差 1800 。
15、三相半波可控整流带电感性负载的电路中，晶闸管控
制角α的移相范围是 00 ~ 900，晶闸管可能承受的最大电 压为 6U2 。
A、 方波 B 正弦波 C 三角波 D 半波整流的波形
13、如图为电压型串联谐振式变频电路，其输出电 流的波形基本为（ B ） A、 方波 B 正弦波 C 三角波 D 半波整流的波形
14、如图为电压型串联谐振式变频电路，其输出电 压的波形为（ A ） A、 方波 B 正弦波 C 三角波 D 半波整流的波形
答：直流侧并联大电容，电压基本无脉动，相当于电 压源，此为电压型逆变电路。输出交流电压为矩形波， 输出电流波形由负载性质性质决定。直流侧串大电感， 电流基本无脉动，相当于电流源，此为电流型逆变电 路。输出交流电流为矩形波，输出电压波形由负载性 质性质决定。 。
电力电子技术复习资料（1）
电力电子技术复习资料填空题1. 电力电子技术是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
（1）2. 电力电子技术是应用在电力变换领域的电子技术。
（1）3. 电能变换的含义是在输入与输出之间，将电压、电流、频率、相位、相数的一项以上加以改变。
4. 在功率变换电路中，为了尽量提高电能变换的效率，所以器件只能工作在开关状态，这样才能降低损耗。
5. 电力电子技术的研究内容包括两大分支：电力电子器件制造技术和变流技术。
6.半导体变流技术包括用电力电子器件构成电力变换电路和对其进行控制的技术，以及构电力电子装置和电力电子系统的技术。
7. 电力电子器件是直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
8.处理信息的电子器件一般工作于放大状态，而电力电子器件一般工作在开关状态。
9.主电路是在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。
10.电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
11.按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：不可控器件、半控器件、全控器件。
12. 按照驱动电路信号的性质，电力电子器件可分为以下分为两类：电流驱动型、电压驱动型。
13. 电力二极管的工作特性可概括为 单向导电性 。
14.电力二极管的主要类型有 普通二极管 、快恢复二极管 、 肖特基二极管 。
15. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为 1K Hz 以下的整流电路。
其反向恢复时间较长，一般在 5μs 以上。
16. 快恢复二极管简称快速二极管，其反向恢复时间较长，一般在 5μs 以下。
17.肖特基二极管的反向恢复时间很短,其范围一般在 10～40ns ns之间18.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为 维持电流 。
晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流称为 擎住电流 。
对同一晶闸管来说，通常L I 约为H I 的称为 2~4 倍。
电力电子技术填空题汇总
1. 电流源型逆变器的输出电流波形为矩形波。
2. 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°。
3. 将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为有源逆变器。
4. 电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。
5.同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流IL在数值大小上有I L_=(2～4)______I H。
6. 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值下降。
7.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是___静态均压_____措施。
8.三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______三角形和星形__二种方式。
9.抑制过电压的方法之一是用____储能元件____吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10. 控制角α与逆变角β之间的关系为β=л-α。
11.SPWM有两种调制方式：单极性和___双极性___调制。
12.逆变器可分为无源逆变器和__有源____逆变器两大类。
1、普通晶闸管内部有两个PN结,，外部有三个电极，分别是阳极A 极阴极K 极和门极G 极。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。
3、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管，50表示额定电流50A ，7表示额定电压100V 。
5、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，电感性负载和反电动势负载三大类。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会减小，解决的办法就是在负载的两端并接一个续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角小、电流波形不连续、呈脉冲状、电流的平均值小。
《电力电子技术》复习资料
《电力电子技术》复习资料一、填空题1．晶闸管有三个电极：阳极、阴极和门极。
2．晶闸管导通的条件是：在阳极和阴极之间加足够的正向电压的同时，门极加适当的正向电压。
3．反电势负载的特点是只有整流电路输出电压大于负载反电势时才有电流产生。
4．晶闸管关断可以采取减少阳极电流使之不能维持正反馈，断开阳极电源或者在阳极和阴极之间加反向电压的方法。
5．三相全控桥式整流电路在任何时刻必须有两个晶闸管同时导通，一个在共阴极组，一个在共阳极组。
6．不可控两端器件，它具有整流作用，而无可控功能。
7．同一套晶闸管电路，既可作整流，又能作逆变，常称这一装置为变流器。
8．当0＜α＜90°时。
变流器工作在整流状态，当α=90°时工作在中间状态，当90°＜α＜180°时，若同时存在一个适当的外接直流电源，变流器工作于逆变状态。
9．在逆变电路中，由于电路的电阻很小，应当尽量避免两个电源反极性相连。
10．规定逆变角β以控制角α=∏时作为计量的起始点，此时的β等于β=0。
11．逆变电路可以分为有源逆变和无源逆变两大类。
12．三相可控整流电路的基本形式是三相半波可控整流电路。
13．绝缘栅双极晶体管具有开关速度快、输入阻抗高、通态电压低、耐压高、电容量大等优点。
14．晶闸管逆变器是一种把固定的直流电压变成固定或可调的交流电压的装置。
15．功率场效应晶体管的最大功耗，随管壳温度的增高而下降。
16．肖特基二极管适用于电压不高，要求快速、高效的电路中。
17．功率场效应晶体管的特点是：栅极的静态内阻高，驱动功率小，撤除栅极信号后能自动关断，同时不存在二次击穿，安全工作区范围宽。
18. 绝缘栅双极晶体管的本质是一个____场效应晶体管__________ 。
19、肖特基二极管的_____开关时间______短，故开关损耗远小于普通二极管。
21. 肖特基二极管正向压降小，开启电压__低_____ ，正向导通损耗小。
(完整版)电力电子技术总复习
《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、开关型DC/DC 变换电路的3个基本元件是 、 和 。
2、逆变角β与控制角α之间的关系为 。
3、GTO 的全称是 。
4、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有 斩波电路； 斩波电路； --——斩波电路.5、变频电路从变频过程可分为 变频和 变频两大类。
6、晶闸管的工作状态有正向 状态，正向 状态和反向 状态。
7、只有当阳极电流小于 电流时，晶闸管才会由导通转为截止.8、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 角.9、GTR 的全称是 。
10、在电流型逆变器中，输出电压波形为 波，输出电流波形为 波。
11、GTO 的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。
12、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是 ， 和 。
13、整流指的是把 能量转变成 能量.14脉宽调制变频电路的基本原理是:控制逆变器开关元件的 和 时间比，即调节 来控制逆变电压的大小和频率。
15、型号为KP100—8的元件表示 管、它的额定电压为 伏、额定电流为 安.16、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题,通常主要采取的隔离措施包括： 和 。
二、判断题1、KP2—5表示的是额定电压200V ，额定电流500A 的普通型晶闸管。
2、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
3、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极.4、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。
5、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。
6、普通晶闸管内部有两个PN 结。
7、逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相,或是逆变角太小造成的。
8、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明，其电路中发生的“逆变”称有源逆变. 9、单相桥式可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为22U 。
10、MOSFET属于双极型器件.11、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。
电力电子技术填空题整理
电力电子技术填空题整理1、通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
2、电力电子器件的分类：①半控型，晶闸管及其派生元件。
②全空型，IGBT，GTO，GTR，MOSFET。
③不可控型元件。
单极型电力电子器件有电力MOSFET，双极型：GTO，GTR，复合型：IGBT，可控器件中，容量最大的是：GTO，工作频率最高的是：电力MOSFET，属于电压驱动的是：电力MOSFET，IGBT，属于电流驱动的是：SCR，GTO，GTR3、单相交流调压电路带电阻负载，其导通控制角α的移相范围是180°，随α的增大，Uo减小，功率因数减小.4、把直流变成交流的电路称为逆变电路，当交流侧有电源时称为有源逆变，当交流侧无电源时称为无源逆变。
逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电路为电压型逆变电路，当直流侧为电流源时，成此电路为电流型逆变电路。
5、半桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为1/2Ud，全桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为1Ud。
6、三相电压型逆变电路中，每个桥臂的导电角度为180°，各相开始导电的角度依次相差120°，在任意时刻，有3个桥臂导通。
电压型逆变电路一般采用全控型器件，换流方式为器件换流，电流型逆变电路中较多采用半控型器件，换流方式有的采用负载换流，有的采用强迫换流。
7、直流斩波电路中最基本的两种电路时降压斩波电路和升压斩波电路。
复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可以看做是一个升压斩波电路和一个降压斩波电路的组合；多相多重斩波电路中，3相3重斩波电路相当于3个降压斩波电路并联。
8、按照加在两端信号的波形有①脉冲触发型②电平控制型；按照器件内部空穴参加导电的情况①单极型器件②双极型器件③复合型器件；按照信号的性质①电流驱动型②电压驱动型9、电力二极管的主要类型①普通二极管②快恢复二极管③肖特基二极管10、晶闸管的基本工作特性概括为①正向有触发则导通②反向截止③一旦导通，无论门极触发电流是否存在都保持导通。
电力电子技术 填空题大全
一，填空题1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。
11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接正电压，T2接负电压。
I- 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接负电压，T2接正电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压,门极G接正电压，T2接负电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接负电压，T2接正电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。
电力电子技术整理(考试必过)
期内的脉冲数减少， PWM 脉冲不对称的影响就变大，有时信号波的微小变化还会产生 PWM 脉冲的跳动。这就使得输出 PWM 波和正弦波的差异变大。对于三相 PWM 型逆变 电路来说，三相输出的对称性也变差。③同步调制：载波比 N 等于常数，并在变频时使载 波和信号波保持同步的方式。④同步调制的特点：在同步调制方式中，信号波频率变化时 载波比 N 不变，信号波一个周期内输出的脉冲数是固定的，脉冲相位也是固定的。当逆变 电路输出频率很低时，同步调制时的载波频率 fc 也很低。fc 过低时由调制带来的谐波不 易滤除。当负载为电动机时也会带来较大的转矩脉动和噪声。 当逆变电路输出频率很高 时，同步调制时的载波频率 fc 会过高，使开关器件难以承受。此外，同步调制方式比异步 调制方式复杂一些。 ⑤分段同步调制：分段同步调制是把逆变电路的输出频率划分为若 干段，每个频段的载波比一定，不同频段采用不同的载波比。其优点主要是：在高频段采 用较低的载波比，使载波频率不致过高，可限制在功率器件允许的范围内。而在低频段采 用较高的载波比，以使载波频率不致过低而对负载产生不利影响。 25.如何提高 PWM 逆变电路的直流电压利用率？ 答：采用梯形波控制方式，即用梯形波作为调制信号，可以有效地提高直流电压的利用率。 对于三相 PWM 逆变电路，还可以采用线电压控制方式，即在相电压调制信号中叠加 3 的 倍数次谐波及直流分量等，同样可以有效地提高直流电压利用率。 26 什么是电流跟踪型 PWM 变流电路？采用滞环比较方式的电流跟踪型变流器有何特点？ 答：电流跟踪型 PWM 变流电路就是对变流电路采用电流跟踪控制。也就是，不用信号波对 载波进行调制，而是把希望输出的电流作为指令信号，把实际电流作为反馈信号，通过二 者的瞬时值比较来决定逆变电路各功率器件的通断，使实际的输出跟踪电流的变化。 采用滞环比较方式的电流跟踪型变流器的特点： ①硬件电路简单； ②属于实时控制方式，电流响应快； 。 ③不用载波，输出电压波形中不含特定频率的谐波分量；⑤采用闭环控制 ④与计算法和调制法相比，相同开关频率时输出电流中高次谐波含量较多； 27.什么是 PWM 整流电路？它和相控整流电路的工作原理和性能有何不同？ 答： ①PWM 整流电路就是采用 PWM 控制的整流电路， 通过对 PWM 整流电路的适当控制， 可以使其输入电流十分接近正弦波且和输入电压同相位，功率因数接近 1。②相控整流电 路是对晶闸管的开通起始角进行控制，属于相控方式。其交流输入电流中含有较大的谐波 分量， 且交流输入电流相位滞后于电压， 总的功率因数低。 ③PWM 整流电路采用 SPWM 控制技术，为斩控方式。其基本工作方式为整流，此时输入电流可以和电压同相位，功率 因数近似为 1。 ④PWM 整流电路可以实现能量正反两个方向的流动，即既可以运行在整 流状态，从交流侧向直流侧输送能量；也可以运行在逆变状态，从直流侧向交流侧输送能 量。而且，这两种方式都可以在单位功率因数下运行。 ⑤此外，还可以使交流电流超前 电压 90°，交流电源送出无功功率，成为静止无功功率发生器。或使电流比电压超前或滞 后任一角度..。 28.滞环比较方式的电流跟踪 PWM 逆变电路中，滞环宽度对逆变电路性能有何影响？ 环宽过宽时，开关频率低，跟踪误差大； 环宽过窄时，跟踪误差小，但开关频率过高，开关损耗增大。 29.软开关电路的实质是什么？为什么要使用软开关技术？ 答：软开关的实质是消除开关管两端电压和电流的交叠区，或使得交叠区尽量小。 使用软开关技术的目的是：降低开关损耗，提高开关频率从而提高功率密度。 30.电力电子器件的串联使用和并联使用 晶闸管的串联 ◆当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号器件相串联。
电力电子技术填空题
填空题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术填空题
1、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
2、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
3、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
5、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
6、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
7、_________存在二次击穿现象，____________存在擎住现象。
8、功率因数由和这两个因素共同决定的。
9、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_措施。
10、同一晶闸管，维持电流I H与掣住电流I L在数值大小上有I L_ I H。
11、电力变换通常可分为：、、和。
12、在下图中，_______和________构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；___和_______构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于____象限。
13、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管；可关断晶闸管；功率场效应晶体管；绝缘栅双极型晶体管；IGBT是和的复合管。
14、晶闸管对触发脉冲的要求是、和。
15、多个晶闸管相并联时必须考虑的问题，解决的方是。
电力电子技术填空题
1、电子技术包括____微电子电力_____和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在___开关__状态。
当器件的工作频率较高时，____开关_____损耗会成为主要的损耗。
4、面积等效原理指的是，__冲量_______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_MOSFET________，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是__IGBT_________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为_VD1_______；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为____VD2___；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为___V2____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为__VD1_____；一、填空题（本题共6小题，每空1分，共15分）1、____GTR_____存在二次击穿现象，___IGBT_________存在擎住现象。
2、功率因数由基波电流相移和电流波形畸变这两个因素共同决定的。
6、在下图中，_ V1______和___ VD1_____构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；____ V2___和__ VD2_____构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于__第2__象限。
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的复合管。
(完整版)电力电子技术练习题(答案)
34、将50Hz的工频交流电直接变换成其他频率的 交流电，—般输出频率均小于工频频率，这种直 接变频的方式称为 交—交变频 。
35、将50Hz的交流电先经整流变换为直流电，再 由直流电变换为所需频率的交流电这种变频的方 式称为 交—直—交变频。
36、如图为电流型并联谐振式变频电路，其输出电 流的波形为 矩形波 ， 其输出电压的波形基本 为 正弦波 。
5、有源逆变的条件（ A ） A （1）有直流电动势源EM，其极性和晶闸管
的导通方向一致且EM>Ud （2）、逆变角β<90º （α>90º ）。
B （1）有直流电动势源EM，其极性须和晶闸 管的导通方向一致且EM>Ud
37、如图为电压型并联谐振式变频电路，其输出电 流的波形为 正弦波 ， 其输出电压的波形基本 为 矩形波 。
38、电压型变频电路的特点是： (1) 直流侧接有 大电容 ，相当于电压源，直流电
压基本无脉动。 (2) 交流侧电压波形为 矩形波 ，交 流侧电流的波形由 负载性质 决定。
39、电流型变频电路的特点不： (1)直流侧接有 大电感 ，相当于电流源，直流电流基 本无脉动。(2)交流侧电流为 矩形波 ，交流侧电压的
斩波式 和通断式。
31、双向晶闸管的主要参数中，额定电流指的 是：在规定条件下，晶闸管所允许流过的最大工频 。 电流的有效值
32、对于电阻性负载的单相交流调压电路，输入电压
为Ui，控制角α的可调范围为
，输出电压的可
调范围为
。
0~
0 ~ Ui
33、对于电感性负载的单相交流调压电路，若负载 的阻抗角为φ，则晶闸管的控制角α的可调范围
电力电子技术练习题
一、填空题
1、电子技术包括信息电子技和术 电力两电大子分技支术。
电力电子技术填空
1.电力电子器件一般工作在开关状态，在器件开关频率很低
的情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件工作在频率较高时，功率损耗主要是开关损耗。
2.软开关技术一般通过在原电路中增加谐振电感，电容等谐
振元件，构成辅助换流电路，在开关过程前后引入谐振过程。
如果在开关开通前电压先降为0，就可以大大减小开关损耗和开关噪声。
3.在设计电力电子器件的驱动电路时，使电力MOS开通的驱动
电压一般取10-15V，应用时，在栅极串入一只低值电阻10 可以减小寄生振荡。
4.晶闸管的导通和关断条件。
导通：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流；
关断：利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于0的某一数值以下，即维持电流以下。
5.使整流电路工作在有源逆变状态的条件，一是要有直流电动
势，其极性于晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流器直流侧的平均电压；二是要使晶闸管控制角α>π/2，U d为负。
6.。
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1、通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
2、电力电子器件的分类：①半控型，晶闸管及其派生元件。
②全空型，IGBT，GTO，GTR，MOSFET。
③不可控型元件。
单极型电力电子器件有电力MOSFET，双极型：GTO，GTR，复合型：IGBT，可控器件中，容量最大的是：GTO，工作频率最高的是：电力MOSFET，属于电压驱动的是：电力MOSFET，IGBT，属于电流驱动的是：SCR，GTO，GTR
3、单相交流调压电路带电阻负载，其导通控制角α的移相范围是180°，随α的增大，Uo减小，功率因数减小.
4、把直流变成交流的电路称为逆变电路，当交流侧有电源时称为有源逆变，当交流侧无电源时称为无源逆变。
逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电路为电压型逆变电路，当直流侧为电流源时，成此电路为电流型逆变电路。
5、半桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为1/2Ud，全桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为1Ud。
6、三相电压型逆变电路中，每个桥臂的导电角度为180°，各相开始导电的角度依次相差120°，在任意时刻，有3个桥臂导通。
电压型逆变电路一般采用全控型器件，换流方式为器件换流，电流型逆变电路中较多采用半控型器件，换流方式有的采用负载换流，有的采用强迫换流。
7、直流斩波电路中最基本的两种电路时降压斩波电路和升压斩波电路。
复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可以看做是一个升压斩波电路和一个降压斩波电路的组合；多相多重斩波电路中，3相3重斩波电路相当于3个降压斩波电
路并联。
8、按照加在两端信号的波形有①脉冲触发型②电平控制型；按照器件内部空穴参加导电的情况①单极型器件②双极型器件③复合型器件；按照信号的性质①电流驱动型②电压驱动型
9、电力二极管的主要类型①普通二极管②快恢复二极管③肖特基二极管
10、晶闸管的基本工作特性概括为①正向有触发则导通②反向截止③一旦导通，无论门极触发电流是否存在都保持导通。
11、逆导晶闸管是将一个二极管与晶闸管反并联在同一管芯上的功率集成器件。
12、GTO的多元集成结构是为了便于实现门极关断而设计的
13、功率晶体管GTR从高压小电流向低电压大电流跃变的现象称为二次击穿
14、为了有利于功率晶体管的管段，驱动电流沿应是负脉冲。
15、抑制过电压的方法之一是使用电容吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于小功率装置的保护。
16、功率晶体管缓冲保护电路的而机关要求采用快恢复二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
17、电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。
18、多重化整流电路可以提高功率因数，其中移相多重联结有并联多重联接和串联多重联接两大类。
19、逆变电路中，当交流侧和电网连接时，这种电路称为有源逆变电路，欲实现有源逆变，只能采用全控电路，当控制角0<α<π/2时，电路工作在整流状态；当π/2<α<π时，电路工作在逆变状态。
20、在整流电路中，能够实现有源逆变的有单相全波可控，三相全控桥等（可控
整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是α>π/2和直流电动势
21、大中功率的变流器广泛应用的是晶体管触发电路，同步信号为锯齿波的触发电路，可分为三个基本环节，即脉冲的形成和放大，锯齿波的形成和脉冲相移，同步环节。
22、PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术。
PWM逆变电路可以分为电压型和电流型两种，实际应用的几乎是电压型电路，得到PWM波形的方法一般有两种，即计算法和调制法，实际中主要采用调制法。
PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式成为单极性控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用双极型控制方式。
23，根据载波和信号波是否同步即载波比的变化情况，PWM调制方式可以分为同步调制和异步调制，一般为综合两种方法的优点，在低频输出时采用异步调制方法，在高频输出时采用同步调制方法。
24、PWM逆变电路多重化联结方式有变压器方式。
PWM整流电路的控制方法有间接电流控制和直接电流控制，。