电力电子技术填空题整理

1、通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。

2、电力电子器件的分类：①半控型，晶闸管及其派生元件。②全空型，IGBT，GTO，GTR，MOSFET。③不可控型元件。单极型电力电子器件有电力MOSFET，双极型：GTO，GTR，复合型：IGBT，可控器件中，容量最大的是：GTO，工作频率最高的是：电力MOSFET，属于电压驱动的是：电力MOSFET，IGBT，属于电流驱动的是：SCR，GTO，GTR

3、单相交流调压电路带电阻负载，其导通控制角α的移相范围是180°，随α的增大，Uo减小，功率因数减小.

4、把直流变成交流的电路称为逆变电路，当交流侧有电源时称为有源逆变，当交流侧无电源时称为无源逆变。逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电路为电压型逆变电路，当直流侧为电流源时，成此电路为电流型逆变电路。

5、半桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为1/2Ud，全桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为1Ud。

6、三相电压型逆变电路中，每个桥臂的导电角度为180°，各相开始导电的角度依次相差120°，在任意时刻，有3个桥臂导通。电压型逆变电路一般采用全控型器件，换流方式为器件换流，电流型逆变电路中较多采用半控型器件，换流方式有的采用负载换流，有的采用强迫换流。

7、直流斩波电路中最基本的两种电路时降压斩波电路和升压斩波电路。

复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可以看做是一个升压斩波电路和一个降压斩波电路的组合；多相多重斩波电路中，3相3重斩波电路相当于3个降压斩波电

路并联。

8、按照加在两端信号的波形有①脉冲触发型②电平控制型；按照器件内部空穴参加导电的情况①单极型器件②双极型器件③复合型器件；按照信号的性质①电流驱动型②电压驱动型

9、电力二极管的主要类型①普通二极管②快恢复二极管③肖特基二极管

10、晶闸管的基本工作特性概括为①正向有触发则导通②反向截止③一旦导通，无论门极触发电流是否存在都保持导通。

11、逆导晶闸管是将一个二极管与晶闸管反并联在同一管芯上的功率集成器件。

12、GTO的多元集成结构是为了便于实现门极关断而设计的

13、功率晶体管GTR从高压小电流向低电压大电流跃变的现象称为二次击穿

14、为了有利于功率晶体管的管段，驱动电流沿应是负脉冲。

15、抑制过电压的方法之一是使用电容吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于小功率装置的保护。16、功率晶体管缓冲保护电路的而机关要求采用快恢复二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。

17、电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。

18、多重化整流电路可以提高功率因数，其中移相多重联结有并联多重联接和串联多重联接两大类。

19、逆变电路中，当交流侧和电网连接时，这种电路称为有源逆变电路，欲实现有源逆变，只能采用全控电路，当控制角0<α<π/2时，电路工作在整流状态；当π/2<α<π时，电路工作在逆变状态。

20、在整流电路中，能够实现有源逆变的有单相全波可控，三相全控桥等（可控

整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是α>π/2和直流电动势

21、大中功率的变流器广泛应用的是晶体管触发电路，同步信号为锯齿波的触发电路，可分为三个基本环节，即脉冲的形成和放大，锯齿波的形成和脉冲相移，同步环节。

22、PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术。PWM逆变电路可以分为电压型和电流型两种，实际应用的几乎是电压型电路，得到PWM波形的方法一般有两种，即计算法和调制法，实际中主要采用调制法。PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式成为单极性控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用双极型控制方式。23，根据载波和信号波是否同步即载波比的变化情况，PWM调制方式可以分为同步调制和异步调制，一般为综合两种方法的优点，在低频输出时采用异步调制方法，在高频输出时采用同步调制方法。

24、PWM逆变电路多重化联结方式有变压器方式。PWM整流电路的控制方法有间接电流控制和直接电流控制，