模电填空题

一、填空

1．半导体二极管空间电荷区即PN结，还可以称为耗尽层或（空间电荷区）区，其宽度随着外加电压的变化而变化，当正偏时变（窄），反偏时变（宽）。

2.放大电路可以分为四种类型：电压放大，电流放大，互阻放大，互导放大和隔离放大

3．放大电路的动态指标主要包括：输入电阻、（输出电阻）增益、（频率响应）和非线性失真。

4、半功率点、带宽的概念。

答：中频区增益下降3dB的点。宽带：f H-f L

5、线性失真包括（饱和失真）和（截止失真）。

6、同相放大电路输入电阻（很大），反相放大电路输入电阻（较小）。

7、PN结的单向导电性主要原因在于（耗尽区的存在）。

8、雪崩击穿和齐纳击穿的原理和过程，碰撞电离。

答：碰撞电离：少数载流子的强电场作用下获得足够的能量与晶体原子发生碰撞打破共价键束缚，形成更多的电子对。

雪崩击穿：当碰撞达到一定程度，使反向电流急剧增大使PN结被击穿。

齐纳击穿：在强电场作用下，破坏晶体中共价键的束缚，形成较大反向电流使PN结被击穿。

9、PN结正偏时主要是（扩散）电容，反偏时是（势垒）电容。

10、基区宽度调制效应：由于v CE变化引起基区有效宽度变化，致使基极电流变化的效应。

11、影响BJT放大电路低频响应的主要因素是（耦合电容和射极旁路电容），影响高频影响的主要因素是（极间电容和接线电容）。

12、极间反向电流的概念。

答：1、集电极-基极反向饱和电流I CBO

2、集电极-发射极反向饱和电流I CEO

13、复合管的概念。

答：同种类型的或不同种类型BJT构成的具有放大电流作用。

14、BJT是电流型器件，MOS是（电压）型器件。

15、BJT组成的放大电路有三种组态，即CE，CC和CB，又分别称为反相电压放大器、（电压跟随器）和电流跟随器。

16、反形层和感生沟道。

答：电子在栅极附近的P型硅表面上形成一个N型的薄层，通常把这个在P型硅表面上形成的N型薄层，称为反型层，这个反型层实际上就是源极和漏极之间的N型导电沟道。

17、增强型MOS和耗尽型MOS的区别，其符号，JFET的符号。

答：增强型：没有外加电压时没有感生沟道存在。耗尽型：没有外加电压时就有感生沟道存在。

18、开启电压和夹断电压。

答：在增强型管子中，当V GS增大到某一值时，产生了漏极电流，这一值便为开启电压；在耗尽型管子中，当V GS减小到某一值时，漏极电流消失，这一值

便为夹断电压。

19、MOSFET是表面场效应器件，JEFT是（体内）场效应器件。

20、镜像电流源的实用场合（在电路中提供直流偏置），还可以作为（有源负载）。

21、集成运放一般包括哪几部分？

答：差分输入级，电压放大级，输出级和偏置电路

22、输入级采用差动放大电路的作用是（抑制零漂）。

23、输出级采用（CC ）组态的放大电路，原因是（增强带负载能力）。

24、差分放大电路的特点：放大差模，抑制共模。

25、单相桥式整流电路的输入电压为u=20sinωt V，输出电压的平均值为（9√2 ）。

26、功率放大电路提高效率的途径（降低静态功耗，减小静态电流）。

27、功率放大电路的种类：甲类，乙类，甲乙类与丙类

28、甲类放大电路的最大效率、乙类放大电路的最大效率。

答：甲类最大50%，乙类最大78.5%

29、选择功率BJT主要要考虑什么参数？

答：1、最大允许管耗。2、单管V CE。3、通过每个BJT最大集电极电流。30、交越失真、饱和和截止失真。

答：交越失真：在乙类放大电路中出现

截止失真与饱和失真：与静态工作点有关

31、克服乙类放大电路交越失真的方法？

答：采用甲乙类互补对称电路，利用二极管进行偏置。

32、滤波器的种类

答：低通滤波器，高通滤波器，带通滤波器与带阻滤波器。

33、正弦波振荡电路持续振荡的条件？起振条件？

答：AF=1（向量）；起振条件：AF>1

34、正弦波振荡电路的组成部分

答：放大电路，反馈电路，选频网络与稳幅环节

答：非线性状态下

36、衡量稳压电源的质量指标？

答：稳压系数，电压调整率，电流调整率，输出电阻，温度系数和纹波系数。

37、串联反馈式稳压电路包括哪几部分？

答：基准电压，比较放大部分，调整和取样。

38、直流稳压电源包括哪几部分？

答：变压器，整流，滤波和稳压。

39、电容输入式滤波适用于小电流，电感输入式滤波适用于大电流场合。

40、串联反馈式稳压电路中的调整管工作在什么区？

答：放大区

41、整流电路的种类

答：半波整流，全波整流，桥式整流和倍压整流。