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模电试题及答案(大学期末考试题)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。
2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成断开;4、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降()。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF )BW,其中BW=(fH –fL ),(1+AF)称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
《模拟电子技术》模拟题及答案
《模拟电子技术》模拟题及答案(本题共5小题, 每小题4分, 共 20 分)一、填空题1.在本征硅中掺入三价杂质元素, 可获得 型半导体, 其多子是 载流子, 少子是 载流子, 不能移动的定域离子带 电。
2.稳压二极管正常工作......区;光电二极管正常工作...... 区;变容二极管正常工作......区;发光二极管正常工作......区, 其导通压降至少应... V 以上。
3.双极型晶体管是以基极小电流控制集电极大电流的器件, 所以称....控制型器件;单极型场效应管则是以栅源间小电压控制漏极大电流的器件, 因之称... 控制型器件。
4.放大电路静态分析的目的是找出合适......., 以消除非线性失真;动态分析的目的是寻求放大电路......., 根据动态分析结果来确定放大电路的适用场合。
5.文氏桥正弦波振荡器主要......网络和集成运放构成..... 构成的。
电路中的正反馈环节起.....作用;电路中的负反馈环节则起.....作用。
6.小功率并联型直流稳压电源的输出电压是.......调整的;串联型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态;开关型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态。
(本题共11小题, 每小题1分, 共11分)二、 判断正、误题 1.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿, 不会损坏二极管。
2.双极型三极管各种组态的放大电路, 输入、输出均为反相关系。
3.本征半导体中掺入五价杂质元素后, 生成N 型半导体, 其多子是自由电子载流子。
..)4.OCL 甲乙类功放采用了单电源供电方式, 其输出大电容起负电源的作用。
..)5.功率放大器中, 甲乙类功放的性能最优良, 高保真较甲类强, 效率较乙类高。
..)6.NPN 型三极管工作在放大状态时, 其发射极电位最低, 集电极电位最高。
..)7.“虚短”和“虚断”两个重要概念, 无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。
模电试题及答案(大学期末考试题)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
模电填空题
1.在本征半导体中,有电子和空穴两种载流子。
2.与反向偏置相比,正向偏置时PN结的宽度窄、等效电阻小。
3.晶体管工作在放大区时,要求发射结正向偏置、集电结反向偏置。
4.在晶体管三种基本放大电路中,输入电压与输出电压同相并具有电压放大能力的是共基极放大电路,没有电压放大能力的是共集电极放大电路。
5.在多级放大电路中常用的三种耦合方式中,只能放大交流信号的耦合方式有阻容耦合和变压器耦合两种。
6.差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻E R,可以使电路的共模电压放大倍数降低,共模抑制比提高。
7.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是幅度平衡条件和相位平衡条件。
8.在运放组成的电压比较器中,运放一般工作在开环或正反馈状态。
9.组成正弦波振荡器的电路单元除了有放大电路、正反馈网络外,还有选频网络和稳幅环节。
10.整流电路的功能是将交流电压转换成单向脉动电压,滤波电路主要用来滤除整流电路输出中的交流分量(纹波)1.掺杂半导体有 N 型半导体和 P 型半导体两类。
2.PN结的电容效应用扩散电容和势垒电容等效。
3.当温度升高时,晶体管的 和CBO I 增大 ;BE u (B i 不变) 下降 。
4.基本放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真。
5.直接耦合放大电路有两个特殊问题,它们是 零点漂移 和 耦合 。
6.为了使放大电路的o R 增大应引入 电流负 反馈;深反馈的条件是 |1+AF|>>1 。
7.文氏电桥正弦波振荡电路用 RC 串并联 网络选频,当电路产生正弦波振荡时,该网络反馈系数的模F = 1/3 。
8.乙类互补推挽功率放大电路的静态功耗为 零 ,在理想情况下的最高能量转换效率可达到 78.5% 。
9.运放组成的方波-三角波发生器由 迟滞比较器 和 稳压环节两个单元电路组成。
10.在整流电路的输入电压相等的情况下,半波、全波、桥式三种整流电路中,输出电压平均值最低的是 半波 整流电路,二极管承受反向电压最高的是 全波 整流电路。
模电期末考试题库及答案
模电期末考试题库及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,运算放大器的输入端通常具有什么特性?A. 高输入阻抗B. 低输入阻抗C. 低输出阻抗D. 高输出阻抗答案:A2. 下列哪种元件不是模拟电路中的基本元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案:D3. 理想运算放大器的开环增益是多少?A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 1答案:B4. 在模拟电路中,放大器的增益通常用哪个参数表示?A. 电压增益B. 电流增益C. 功率增益D. 阻抗增益5. 以下哪个不是模拟电路中的噪声来源?A. 热噪声B. 散粒噪声C. 互调噪声D. 逻辑噪声答案:D6. 模拟电路中,滤波器的作用是什么?A. 放大信号B. 过滤信号C. 转换信号D. 调制信号答案:B7. 模拟电路中,负反馈的作用是什么?A. 增加增益B. 减少增益C. 增加稳定性D. 减少稳定性答案:C8. 下列哪个不是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 离散变化C. 可模拟连续时间信号D. 可模拟连续空间信号答案:B9. 在模拟电路中,理想二极管的正向导通电压是多少?B. 0.7VC. 无穷大D. 1.5V答案:A10. 模拟电路中的积分器通常由哪种元件组成?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 运算放大器答案:B二、填空题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,______ 通常用来表示放大器的输出信号与输入信号的比值。
答案:增益2. 运算放大器的输出端具有______的特性。
答案:低阻抗3. 模拟电路中的滤波器可以分为______滤波器和低通滤波器。
答案:高通4. 理想运算放大器的输入端是______的。
答案:虚断5. 模拟电路中的信号放大器通常由______、电容和电感等元件组成。
答案:运算放大器6. 模拟电路中的振荡器通常由______、电容和电感等元件组成。
答案:运算放大器7. 模拟电路中的负反馈可以减少放大器的______。
模电习题及答案
一、填空题1. 半导体导电时有和两种载流子共同参与导电,其中带正电,而带负电。
2. 测得某放大电路中一晶体三极管各电极直流电位V1=12V,V2=8V,V3=7.3V,则该三极管的基极电位等于,由材料制成,管型为。
3.双极型三极管是控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加偏置,集电结需要加偏置。
4.根据反馈信号在输出端的取样方式不同,可分为反馈和反馈,根据反馈信号和输入信号在输入端的比较方式不同,可分为反馈和反馈。
6. 正弦波振荡电路的振幅平衡条件是__ _____,相位平衡条件是________ _。
7. 电压负反馈可稳定输出,串联负反馈可使提高。
8. 在运算电路中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区。
二、选择题1.晶体三极管最突出的缺点是()。
A.输入电阻小B.温度稳定性差C.放大倍数小D.易产生失真2.放大电路静态工作点过低容易产生__________失真A.交越B.饱和C.截止D.频率3.某深度负反馈电路,反馈深度AF1 =100,未接负反馈时,放大电路的开环增益为104,则该反馈电路的闭环增益为( )。
A.103B.104C.102D.105 4.下边哪一项不属于多级直接耦合放大电路的优点()。
A.既能放大直流信号,也能放大交流信号B.不会产生零点漂移C.低频响应好D.便于集成化5.差动放大器抑制零点漂移的效果主要取决于( )A.两个三极管的放大倍数B.两个三极管及偏置电阻参数的对称程度C.每个三极管的穿透电流的大小D.两个集电极电阻6.若想把正弦信号转换成方波,可采用以下哪种电路()。
A.微分运算电路B.滞回比较器C.过零比较器D.积分运算电路7.稳压管的稳压作用是利用其什么特性实现的( )A.PN 结的反向截止特性B.PN 结的正向导通特性C.PN 结的反向击穿特性D.PN 结的单向导电性8.下列关于电流串联负反馈不正确的说法是:()A.反馈取样量是电压B.输入量与反馈量在输入端串联C.可提高放大电路的输出电阻D.可以提高放大电路输入电阻9.下面那一项不是对功率放大电路的基本要求()。
模电考试题及答案
模电考试题及答案一、选择题(每题3分,共30分)1. 在模拟电路中,三极管的主要作用是()。
A. 放大信号B. 整流C. 滤波D. 调制答案:A2. 理想运算放大器的输入阻抗是()。
A. 0B. 1ΩC. 1kΩD. 无穷大答案:D3. 共发射极放大电路中,若要增大输出电压,应增大()。
A. 集电极电阻B. 发射极电阻C. 基极电阻D. 电源电压答案:A4. 差分放大电路的主要优点是()。
A. 放大差模信号B. 抑制共模信号C. 增加输出电压D. 减小输入阻抗答案:B5. 负反馈可以()。
A. 增加放大倍数B. 减小非线性失真C. 增加输入阻抗D. 减小输出阻抗答案:B6. 场效应管的控制量是()。
A. 电压B. 电流C. 电荷D. 电场答案:D7. 在模拟电路中,为了减少噪声,通常采用()。
A. 增加电源电压B. 减小电源电压C. 增加信号源阻抗D. 减小信号源阻抗答案:D8. 集成运算放大器的输出电压范围受到()的限制。
A. 电源电压B. 输入电压C. 负载电阻D. 放大倍数答案:A9. 为了使共发射极放大电路工作在放大区,基极与发射极之间的电压应满足()。
A. V_BE > 0.7VB. V_BE < 0.7VC. V_BE = 0.7VD. V_BE ≥ 0V答案:A10. 理想二极管的正向导通电压为()。
A. 0VB. 0.7VC. 1VD. 2V答案:B二、填空题(每题2分,共20分)11. 在共基极放大电路中,输出电压与输入电压相位______。
答案:相同12. 集成运算放大器的差模输入阻抗是指两个输入端之间的阻抗,而共模输入阻抗是指两个输入端对地的阻抗,理想情况下,差模输入阻抗应为______,共模输入阻抗应为无穷大。
答案:无穷大13. 场效应管的跨导定义为输出电流与输入电压之间的比值,即 g_m = ______。
答案:I_D / V_GS14. 为了提高放大电路的输入阻抗,可以在三极管的基极与信号源之间串联一个______。
模拟电路填空题及答案
耦合和旁路
电容,影响高频信号放
大的是 结
电容。
18、在 NPN 三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则
IBQ
增大
,ICQ 增大
,UCEQ
减小
。
19、三极管的三个工作区域是 截止 , 饱和 , 放大 。集成运算放大器是一种采
用 直接 耦合方式的放大电。
20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压
电流,耗尽层 变窄 。
4、二极管最主要的电特性是
单向导电性
,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,
稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号
下工作的电子电路及其技术,称为
模拟
电子技术。
6、PN 结反向偏置时,PN 结的内电场
Va = 1.2V, Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是
硅管 管(材
料), NPN 型的三极管,该管的集电极是 a、b、c 中的 C 。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB 和 20dB, 则该放大电路总的对数增益
为 80
dB,总的电压放大倍数为 10000 。
35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻 大 ,热稳定性 好
36、影响放大电路通频带下限频率 fL 的是 隔直 电容和 极间 电容。
37、三极管工作在放大区时,它的发射结保持 正向 偏置,集电结保持 反向 偏置。
38、场效应管有 共源 、 共栅 、 共漏 三种组态。
39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带 窄 。
模电考试试题10套和答案(打印版)
坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空(本题共20分,每空1分):1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。
2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。
3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。
4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。
6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。
8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR为__________之比。
9.某放大电路的对数幅频特性如图1所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。
图1二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×):1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。
2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。
模电填空题
填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.3_V。
2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 0.7 伏;其门坎电压Vth约为 0.5 伏。
8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下,硅二极管的开启电压约为 0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则IBQ 增大,ICQ 增大,UCEQ 减小。
模电试题及答案(大学期末考试题)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
模电试题及答案(大学期末考试题)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。
2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成断开;4、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降()。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=( 1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=( 1+AF )BW,其中BW=( fH –fL ),( 1+AF)称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
模电答案
11、影响放大电路低频响应的主要因素是 耦合旁路电容 ;影响其高频响应的主要因素为 三极管极间电容 。
半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ,少数载流子为 空穴 ,定域的杂质离子带 正 电。
2、双极型三极管内部有 基 区、 发射 区和 集电 区,有 发射 结和 集电 结及向外引出的三个铝电极。
3、PN结正向偏置时,内、外电场方向 相反 ,PN结反向偏置时,内、外电场方向 相同 。
(1)UBE=0.7V,UCE=6V,IC=?
(2)IB=50μA,UCE=5V,IC=?
(3)UCE=6V,UBE从0.7V变到0.75V时,求IB和IC的变化量,此时的 (9分)
解:(1)由(a)曲线查得UBE=0.7V时,对应IB=30μA,由(b)曲线查得IC≈3.6mA;
(2)由(b)曲线可查得此时IC≈5mA;
答:分析:根据电路可知,当ui>E时,二极管导通u0=ui,当ui<E时,二极管截止时,u0=E。所以u0的波形图如下图所示:
5、半导体二极管由一个PN结构成,三极管则由两个PN结构成,那么,能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管?如不能,说说为什么?
答:将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为,根据三极管的内部结构条件,基区很薄,只能是几个微米,若将两个二极管背靠背连接在一起,其基区太厚,即使是发射区能向基区发射电子,到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉,根本不可能有载流子继续扩散到集电区,所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。
大学生模电试题及答案
大学生模电试题及答案一、选择题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,运算放大器的输入级通常采用什么类型的晶体管?A. 双极型晶体管B. 场效应晶体管C. 绝缘栅晶体管D. 光电晶体管答案:B2. 以下哪个不是模拟电路的特点?A. 信号处理的连续性B. 信号放大C. 数字信号处理D. 模拟信号处理答案:C3. 在模拟电路中,下列哪个元件不是用来进行信号放大的?A. 运算放大器B. 晶体管C. 电阻D. 电感答案:C4. 模拟电路中的噪声主要来源于哪些方面?A. 电源B. 元件内部C. 外部电磁干扰D. 所有以上答案:D5. 在模拟电路设计中,通常采用什么方法来减小噪声?A. 增加电源电压B. 增加信号频率C. 使用低噪声元件D. 所有以上答案:C二、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,_________是用来实现信号放大的。
答案:运算放大器2. 模拟电路中的信号通常是以_________形式存在的。
答案:连续3. 场效应晶体管(FET)的特点是输入阻抗_________,输出阻抗相对较低。
答案:很高4. 在模拟电路中,为了减少信号失真,通常需要对信号进行_________。
答案:滤波5. 模拟电路设计中,为了提高信号的信噪比,可以采取_________。
答案:增益控制三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电路与数字电路的主要区别。
答案:模拟电路处理的是连续变化的信号,而数字电路处理的是离散的信号。
模拟电路通常使用模拟信号进行放大、滤波等处理,而数字电路则通过数字逻辑进行信号的编码、解码和处理。
2. 描述在模拟电路设计中,如何选择合适的运算放大器。
答案:在模拟电路设计中,选择合适的运算放大器需要考虑其带宽、输入输出阻抗、增益、电源电压范围、功耗以及噪声等级等因素,以确保运算放大器能够满足电路设计的要求。
四、计算题(每题15分,共30分)1. 给定一个运算放大器电路,其输入电压为1V,输出电压为10V。
模电填空题(有答案)
填空题:1:按要求填写下表。
答案:答案如表所示。
难度:3知识点:晶体管单管放大电路的三种基本接法2:在图P2.10所示电路中,设某一参数变化时其余参数不变,在表中填入①增大②减小或③基本不变。
答案:答案如解表P2.12所示。
解表P2.12所示难度:3知识点:基本共射放大电路的组成和分析3:根据下列要求,将应优先考虑使用的集成运放填入空内。
已知现有集成运致的类型是:①通用型 ②高阻型 ③高速型 ④低功耗型 ⑤高压型 ⑥大功率型 ⑦高精度型(1)作低频放大器,应选用 。
(2)作宽频带放大器,应选用 。
(3)作幅值为1μV 以下微弱信号的量测放大器,应选用 。
(4)作内阻为100k Ω信号源的放大器,应选用 。
(5)负载需5A 电流驱动的放大器,应选用 。
(6)要求输出电压幅值为±80的放大器,应选用 。
(7)宇航仪器中所用的放大器,应选用 。
答案:(1)① (2)③ (3)⑦ (4)② (5)⑥ (6)⑤ (7)④ 难度:4知识点:集成运放的种类和特点4:已知某放大电路的波特图如图T5.3所示,填空:(1)电路的中频电压增益20lg|m u A |= dB ,mu A = 。
(2)电路的下限频率f L ≈ Hz ,上限频率f H ≈ kHz.(3)电路的电压放大倍数的表达式uA =。
图T5.3答案:(1)60 104 (2)10 10(3))10j 1)(10j 1)(10j 1(j 100)10j 1)(10j 1)(j 101(1054543f f f f f f f +++±+++±或难度:3知识点:放大电路的幅度,频率响应5:在图P5.1所示电路中,已知晶体管的'bb r 、C μ、C π,R i ≈r b e 。
填空:除要求填写表达式的之外,其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。
图P 5.1(1)在空载情况下,下限频率的表达式f L = 。
模拟电子电路填空题及答案
一、填空题(每小题2分,共20 分)1、三极管具有放大作用时,外部电压条件是发射结(正向偏置),集电结(反向偏置)。
2、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=()。
3、当温度升高时三极管的集电极电流IC 增大,电流放大系数β增大。
4、单相全波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是 1.41U2 。
5、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为差模信号。
6、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真,而采用甲乙类互补功率放大器。
7、差分放大电路能够抑制零点漂移,所以它广泛应用于集成电路中。
8、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于1 ,输入电阻大,输出电阻小等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
9、双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。
10、在有源滤波器中,运算放大器工作在线性区;在滞回比较器中,运算放大器工作在非线性区。
1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
模电复习资料(判断和填空有答案)
模电复习资料(判断和填空有答案)本页仅作为文档封面,使用时可以删除This document is for reference only-rar21year.March判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
(对)二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。
(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏,因为击穿是不可逆的。
(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
(错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏,集电结也正偏。
(错)2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. (错)3、三极管处于截止状态时,发射结正偏。
(错)4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体(P型或N型)构成的,所以极e和c极可以互换使用。
(错)5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时,晶体三极管一定损坏。
(错)6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减少。
(错)场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域:可变电阻区、截止区和饱和区。
(错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的,对2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高,容易出现饱和失真。
(对)3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
(错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
(对)射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
(错)射极输出器不具有电压放大作用。
(对)4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的,它不能放大交流信号。
(错)直流放大器只能放大直流信号。
(错)现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。
(错)多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄,级数愈少,通频带愈窄。
(错)。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。
模电填空题
填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.3_V。
2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 0.7 伏;其门坎电压Vth约为 0.5 伏。
8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下,硅二极管的开启电压约为 0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则IBQ 增大,ICQ 增大,UCEQ 减小。
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⑦高精度型
难度:4
( 1)作低频放大器,应选用
( 2)作宽频带放大器,应选用
(3)作幅值为 1μV 以下微弱信号的量测放大器,应选用
(4)作内阻为 100kΩ 信号源的放大器,应选用
(5)负载需 5A 电流驱动的放大器,应选用
(6)要求输出电压幅值为 ±80 的放大器,应选用
( 7)宇航仪器中所用的放大器,应选用
答案: (1)①
( 6) ⑤
知识点:集成运放的种类和特点
( 7) ④
( 2) ③
4:已知某放大电路的波特图如图 T5.3 所示,填空:
( 1)电路的中频电压增益 20lg| Au m |=
(2)电路的下限频率 fL≈
( 3)电路的电压放大倍数的表达式 Au =
答案: (1)60
( 2) 10
( 3)
1
2 [rb'e ∥ (rbb' Rb ∥ Rs )]C'
难度:4 知识点:基本放大电路的等效电路分析法
图 P5.1
。 ①; ①。
6:电路如图 P5.8 所示。已知:晶体管的 、 rbb' 、 Cμ 均相等,所有电容的容
量均相等,静态时所有电路中晶体管的发射极电流 路,将结论填入空内。
对全部高中资料试卷电气设备,在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验;通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术通关,1系电过,力管根保线据护敷生高设产中技工资术艺料0不高试仅中卷可资配以料置解试技决卷术吊要是顶求指层,机配对组置电在不气进规设行范备继高进电中行保资空护料载高试与中卷带资问负料题荷试2下卷2,高总而中体且资配可料置保试时障卷,各调需类控要管试在路验最习;大题对限到设度位备内。进来在行确管调保路整机敷使组设其高过在中程正资1常料中工试,况卷要下安加与全强过,看度并22工且22作尽22下可22都能22可地护以缩1关正小于常故管工障路作高高;中中对资资于料料继试试电卷卷保破连护坏接进范管行围口整,处核或理对者高定对中值某资,些料审异试核常卷与高弯校中扁对资度图料固纸试定,卷盒编工位写况置复进.杂行保设自护备动层与处防装理腐置,跨高尤接中其地资要线料避弯试免曲卷错半调误径试高标方中高案资等,料,编试要5写、卷求重电保技要气护术设设装交备备置底4高调、动。中试电作管资高气,线料中课并敷3试资件且、设卷料中拒管技试试调绝路术验卷试动敷中方技作设包案术,技含以来术线及避槽系免、统不管启必架动要等方高多案中项;资方对料式整试,套卷为启突解动然决过停高程机中中。语高因文中此电资,气料电课试力件卷高中电中管气资壁设料薄备试、进卷接行保口调护不试装严工置等作调问并试题且技,进术合行,理过要利关求用运电管行力线高保敷中护设资装技料置术试做。卷到线技准缆术确敷指灵设导活原。。则对对:于于在调差分试动线过保盒程护处中装,高置当中高不资中同料资电试料压卷试回技卷路术调交问试叉题技时,术,作是应为指采调发用试电金人机属员一隔,变板需压进要器行在组隔事在开前发处掌生理握内;图部同纸故一资障线料时槽、,内设需,备要强制进电造行回厂外路家部须出电同具源时高高切中中断资资习料料题试试电卷卷源试切,验除线报从缆告而敷与采设相用完关高毕技中,术资要资料进料试行,卷检并主查且要和了保检解护测现装处场置理设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况,然后根据规范与规程规定,制定设备调试高中资料试卷方案。
(1
10)(1 jf
难度:3 知识点:放大电路的幅度,频率响应
10
104
103
f j104
)(1
f j105
。
。
( 3) ⑦
图 T5.3
)
或
对全部高中资料试卷电气设备,在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验;通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术通关,1系电过,力管根保线据护敷生高设产中技工资术艺料0不高试仅中卷可资配以料置解试技决卷术吊要是顶求指层,机配对组置电在不气进规设行范备继高进电中行保资空护料载高试与中卷带资问负料题荷试2下卷2,高总而中体且资配可料置保试时障卷,各调需类控要管试在路验最习;大题对限到设度位备内。进来在行确管调保路整机敷使组设其高过在中程正资1常料中工试,况卷要下安加与全强过,看度并22工且22作尽22下可22都能22可地护以缩1关正小于常故管工障路作高高;中中对资资于料料继试试电卷卷保破连护坏接进范管行围口整,处核或理对者高定对中值某资,些料审异试核常卷与高弯校中扁对资度图料固纸试定,卷盒编工位写况置复进.杂行保设自护备动层与处防装理腐置,跨高尤接中其地资要线料避弯试免曲卷错半调误径试高标方中高案资等,料,编试要5写、卷求重电保技要气护术设设装交备备置底4高调、动。中试电作管资高气,线料中课并敷3试资件且、设卷料中拒管技试试调绝路术验卷试动敷中方技作设包案术,技含以来术线及避槽系免、统不管启必架动要等方高多案中项;资方对料式整试,套卷为启突解动然决过停高程机中中。语高因文中此电资,气料电课试力件卷高中电中管气资壁设料薄备试、进卷接行保口调护不试装严工置等作调问并试题且技,进术合行,理过要利关求用运电管行力线高保敷中护设资装技料置术试做。卷到线技准缆术确敷指灵设导活原。。则对对:于于在调差分试动线过保盒程护处中装,高置当中高不资中同料资电试料压卷试回技卷路术调交问试叉题技时,术,作是应为指采调发用试电金人机属员一隔,变板需压进要器行在组隔事在开前发处掌生理握内;图部同纸故一资障线料时槽、,内设需,备要强制进电造行回厂外路家部须出电同具源时高高切中中断资资习料料题试试电卷卷源试切,验除线报从缆告而敷与采设相用完关高毕技中,术资要资料进料试行,卷检并主查且要和了保检解护测现装处场置理设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况,然后根据规范与规程规定,制定设备调试高中资料试卷方案。
= 100, rbe= 1kΩ, C1= C2= Ce= 100μF,则下限频率 fL≈
答案: ( 1)( a)
难度:3
知识点:基本放大电路的分析法
( 2)( c)
图 P5.8
7:电路如图 P6.12 所示,已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无
穷大,最大输出电压幅值为 ±14V。填空:
电路引入了
阻趋近于 uI= 1V,则 uO≈ 则 uO 变为 uO 变为
V。
( 3)( c)
;
;
;
(填入反馈组态)交流负反馈,电路的输入电
,电压放大倍数 Auf= △uO/△uI≈
V;若 R1 开路,则 uO 变为
V;若 R2 开路,则 uO 变为
P6.12
对全部高中资料试卷电气设备,在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验;通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术通关,1系电过,力管根保线据护敷生高设产中技工资术艺料0不高试仅中卷可资配以料置解试技决卷术吊要是顶求指层,机配对组置电在不气进规设行范备继高进电中行保资空护料载高试与中卷带资问负料题荷试2下卷2,高总而中体且资配可料置保试时障卷,各调需类控要管试在路验最习;大题对限到设度位备内。进来在行确管调保路整机敷使组设其高过在中程正资1常料中工试,况卷要下安加与全强过,看度并22工且22作尽22下可22都能22可地护以缩1关正小于常故管工障路作高高;中中对资资于料料继试试电卷卷保破连护坏接进范管行围口整,处核或理对者高定对中值某资,些料审异试核常卷与高弯校中扁对资度图料固纸试定,卷盒编工位写况置复进.杂行保设自护备动层与处防装理腐置,跨高尤接中其地资要线料避弯试免曲卷错半调误径试高标方中高案资等,料,编试要5写、卷求重电保技要气护术设设装交备备置底4高调、动。中试电作管资高气,线料中课并敷3试资件且、设卷料中拒管技试试调绝路术验卷试动敷中方技作设包案术,技含以来术线及避槽系免、统不管启必架动要等方高多案中项;资方对料式整试,套卷为启突解动然决过停高程机中中。语高因文中此电资,气料电课试力件卷高中电中管气资壁设料薄备试、进卷接行保口调护不试装严工置等作调问并试题且技,进术合行,理过要利关求用运电管行力线高保敷中护设资装技料置术试做。卷到线技准缆术确敷指灵设导活原。。则对对:于于在调差分试动线过保盒程护处中装,高置当中高不资中同料资电试料压卷试回技卷路术调交问试叉题技时,术,作是应为指采调发用试电金人机属员一隔,变板需压进要器行在组隔事在开前发处掌生理握内;图部同纸故一资障线料时槽、,内设需,备要强制进电造行回厂外路家部须出电同具源时高高切中中断资资习料料题试试电卷卷源试切,验除线报从缆告而敷与采设相用完关高毕技中,术资要资料进料试行,卷检并主查且要和了保检解护测现装处场置理设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况,然后根据规范与规程规定,制定设备调试高中资料试卷方案。
Au
大
小
大
Au
Au
性能比较(大、中、小)
A i R i
性能比较(大、中、小)
A i
大
大
小
Ri Ro
小大
大小
Ro
小 大 频带宽
Ri
Ri
其它
Ro
其它
Ro
难度:3
Rb 增大
Rc 增大
RL 增大
知识点:基本共射放大电路的组成和分析
②
③
③
①
②
③
3:根据下列要求,将应优先考虑使用的集成运放填入空内。已知现有集成运致的 类型是: ①通用型 ②高阻型 ③高速型 ④低功耗型 ⑤高压型 ⑥大功率型
填空题: 1:按要求填写下表。
电路名称
共射电路 共集电路 共基电路
连接方式(e、c、b)
公共极 输入极 输出极 Au
答案: 答案如表所示。
电路名称
共射电路
共集电路
共基电路
公共端
e
c
b
难度:3 知识点:晶体管单管放大电路的三种基本接法
连接方式 输入端 输出端