CETC48半导体工艺设备
中国电子科技集团(CECT)介绍
中国电子科技集团（CECT）介绍发表于：2007年11月21日 18时47分3秒阅读(122)评论(0)举报本文链接：/23582740/blog/1195642023中国电子科技集团（CECT）介绍中国电子科技集团公司（CETC）成立于2002年3月1日，是经国家批准组建的大型国有企业集团，也是国家批准授权的20家投资机构之一。
中国电子科技集团公司是在信息产业部直属的46家电子科研院所及26家全资或控股高科技企业基础上组建而成的。
集团公司所属单位分布在北京、上海、天津、广东、四川、陕西等18个省市区。
集团公司注册资本63.5亿元，总资产158亿元，2001年实现总收入97亿元，出口额达到5563万美元。
现有职工5.4万人，专业技术人员3.3万人，其中中国工程院院士10人，国家级有突出贡献的中青年技术、管理专家63人，享受政府津贴的专家有1357人，高级专业技术人员6326人。
50年来，中国电子科技集团公司所属科研院所作为信息产业的国家队，为我国四个现代化做出了巨大的贡献。
其研究领域覆盖了电子信息技术的各专业门类，具备从电子元器件、整机到系统工程的综合技术创新开发、系统集成实力，现拥有14个国家级重点实验室、12个国家级与9个部级质量检测机构，拥有一批国内一流的中试线、生产线、装配线和机加工中心，形成了完整的研究、设计、试制、生产及试验能力体系，在集成电路技术、软件技术、新型电子元器件与电子信息材料技术、光电技术、计算机信息处理技术、通信与网络技术、音视频与多媒体技术、电子产品制造技术、信息安全技术和互联网应用技术等专业领域具有明显优势。
“九五”期间，集团公司所属研究院所曾获得国家级科技进步奖54项、部级科技成果奖493项，是国内最具技术竞争实力的大型企业集团。
中国电子科技集团公司所属单位长期服务于国防、通信、航天、金融、能源、交通等国民经济各行业，开发成功航天测控系统、航天指挥中心安全系统、联合信息发布系统、导航系统、空中交通管制系统、铁路车站信息综合处理系统、金融网络系统、社会劳动保障系统、城市照明自动监控管理系统、公共安全报警联联网综合系统、智能建筑管理系统、政务信息系统，智能交通系统、汽车电子系统、能源电子控制系统等，并面向市场提供各类雷达、计算机、通信网络产品、集成电路、数字视频产品、新型元器件（PDP、液晶显示等）、专用设备仪器、基础材料等，创造了良好业绩。
中国电子科技集团公司(CETC)成员单位
中国电子科技集团公司(CETC)成员单位一览表电科院电子科学研究院2所西北电子装备技术研究所3所电视电声研究所7所通信研究所8所光纤光缆传输技术研究所9所西南应用磁学研究所10所西南电子技术研究所11所华北光电技术研究所12所真空电子技术研究所13所半导体研究所14所电子技术研究所15所华北计算技术研究所16所低温电子研究所18所电源研究所20所导航技术研究所21所微电机研究所22所中国电波传播研究所23所传输线研究所24所固体电路研究所26所压电与声光技术研究所27所中原电子技术研究所28所电子工程研究所29所西南电子设备研究所30所西信研究所32所华东计算技术研究所33所磁记录技术研究所34所激光通信研究所36所江南电子通信研究所38所华东电子工程研究所39所西北电子设备研究所40所接插件继电器研究所41所华东电子测量仪器研究所43所华东微电子技术研究所44所光电技术研究所45所半导体专用设备研究所46所电子材料研究所47所东北微电子研究所48所半导体工艺设备研究所49所东北传感技术研究所50所微波技术研究所51所微波设备研究所52所计算机外部设备研究所53所东北电子技术研究所54所通信测控技术研究所55所电子器件研究所58所微电子研究所（微电子科研中心）信息化工程总体研究中心中电科技国际贸易中电华通通信中电科投资开发中电科技电子信息系统中电科卫星导航系统中电科技旅游产业发展中电科技德清华莹电子长江数据通讯股份中华通信系统有限责任公司科控微电子工程公司1、电子科学研究院.caeitedu./index.asp地址：石景山八大处科技园区双园路10号1984年在创建的国家级研究机构，是中国电子科技集团的中央研究院，是国家电子信息系统顶层设计、系统总体研究开发和系统集成以及组织重大科技项目实施的总体研究院。
电子科学研究院院部和主要的科研基地在石景山高科技开发区，它毗邻风光秀丽的西山风景区，拥有科研、试验、办公、学术报告、专家公寓、教育培训设施及各类配套生活和服务设施。
HE-480C 半导体清洁过程中的导电度计说明书
Mass
Approx. 400g
Conforming standards
CE Marking, FCC Part15
Compatible sensor
ESH –series conductivity GC sensor, cell constant : 0.1/cm
(Sensor)
Model
ESH-01-L-GC5 ESH-01-L-GC6
For Semiconductor Cleaning Processes
Conductivity Meter Low Concentration Type
HE-480C
Perfect for Chemical Solution Measurement and Recycle of Pure Water in Semiconductor Wet Processes
Measurement method
2-electrode method
Sensor input
1-channel
Cell constant
Approx. 0.1/cm
Temperature sensor specifications Platinum resistance 1000Њ/0ˆ
Mnction
Conductivity : Based on the specified compensation coefficient for the cell constant
(parameter input)
Temperature : Calibrated by comparing with the reference thermometer
Power supply
常用电子元器件筛选方法概述
60│INTELLIGENT SENSING│智能传感常用电子元器件筛选方法概述A Survey of Screening Methods for Common Electronic Components•江苏自动化研究所 蒋勇Jiang Yong摘 要：电子元器件作为电子系统和设备最基本的单元，其可靠性直接影响系统及设备的可靠性与稳定性，因此二次筛选是电子元器件在装机使用前可靠性的重要保障过程。
为了使工程技术人员更加方便的开展电子元器件的筛选，本文系统地阐述了常用电子元器件二次筛选的基本概念、常用电子元器件的分类、筛选目的，并对筛选流程、试验方法等进行了详细的梳理和总结。
关键词：电子元器件；筛选；检测方法；失效Abstract: As the most basic unit of electronic system and equipment, the reliability of electroniccomponents play an important role of the reliability and stability of the entire system andequipment. Secondary screening becomes an ubiquitous scheme to ensure the reliability ofelectronic components before installation and usage. The paper highlights the basic conceptsofsecondary screening of common electronic components, the catogories of common electroniccomponents, screening procedures, test methods, screening purposes, etc.Key words: Electronic components; Screening; Screen methods;Invalid【中图分类号】TN61 【文献标识码】B 文章编号1606-5123（2020）09-0060-03引言电子元器件是构成电子产品最基本的部件，也是制造过程较为常见的物料。
半导体专业术语
1.a c c e p t a n c e t e s t i n g(W A T:w a f e r a c c e p t a n c e t e s t i n g)2.acceptor:受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.Acid：酸4.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非线性，可以对信号放大）5.Alignmark(key)：对位标记6.Alloy：合金7.Aluminum：铝8.Ammonia：氨水9.Ammoniumfluoride：NH4F10.Ammoniumhydroxide：NH4OH11.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12.Analog：模拟的13.Angstrom：A（1E-10m）埃14.Anisotropic：各向异性（如POLYETCH）15.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17.Argon(Ar)氩18.Arsenic(As)砷19.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher：去胶机22.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24.Backend：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25.Baseline：标准流程26.Benchmark：基准27.Bipolar：双极28.Boat：扩散用（石英）舟29.CD：（CriticalDimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。
半导体常用词汇汇总
1. accepta nce testing (WAT: wafer accepta nce testing)2. accepto r: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Enginee ring Data Analysi s）系统4. Acid：酸5. Activedevice：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminu m：铝9. Ammonia：氨水10. Ammoniu m fluorid e：NH4F11. Ammoniu m hydroxi de：NH4OH12. Amorpho us silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstro m：A（1E-10m）埃15. Anisotr opic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Accepta nce Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antiref lectiv e coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimon y(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxid e(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodop ing：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baselin e：标准流程28. Benchma rk：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critica l Dimensi on）临界（关键）尺寸。
第三讲 氧化
Oxidation
8
氧化膜的应用
杂质扩散掩蔽膜 器件表面保护或钝化膜 电料
9
Application of Oxidation
ÆDiffusion Masking Layer ÆSurface Passivation "Screen oxide, pad oxide, barrier oxide ÆIsolation "Field oxide and LOCOS ÆGate oxide
Si + O2 →SiO2 热（二）氧化硅
Æ热生长氧化层的温度：750～1100ºc Æ二氧化硅具有熔点温度1732ºc的本征 （纯）玻璃体，不导电，良好的介质特性 Æ自然氧化膜：
"硅片在空气中暴露，就会在其表面形成几个 原子层的自然氧化膜。厚度：40埃
6
二氧化硅的特性
Æ密度：2.20g/cm3,密度大表示致密程度高 Æ折射率：薄膜光学性质，较大 Æ电阻率：1016Ω⋅cm Æ介电强度：击穿电压参数，106～107V/cm Æ介电常数：电容性能，相对介电常数3.9 Æ腐蚀：化学性能稳定，只与氢氟酸反应； 与强碱溶液发生极慢的反应
16
Blanket Field Oxide Isolation
17
LOCOS Process
18
LOCOS
ÆCompare with blanket field oxide "Better isolation "Lower step height "Less steep sidewall ÆDisadvantage "rough surface topography "Bird’s beak ÆReplacing by shallow trench isolation (STI)
HMDS预处理系统
·新设备与新技术·
电 子 工 业 专 用 设备
中图分类号： ＴＮ３０５
文献标识码： Ｂ
文章编号： １００４－４５０７（２００６）１０－００７０－０３
ＨＭＤＳ Ｐｒ ｅ－ ｐｒ ｏｃｅｓｓ Ｓｙｓｔｅｍ
ＰＡＮＧ Ｋｅ－ｊｉａｎ
（ Ｔｈｅ １３ｔｈ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ ＣＥＴＣ， ＳｈｉＪｉａｚｈｕａｎｇ ２０５００５１）
Ａｂｓｔｒ ａｃｔ ： Ｄｅｓｃｒｉｂｅｓ ｔｈｅ ｃｏｕｒｓｅ ｏｆ ＨＭＤＳ ｐｒｅ－ｐｒｏｃｅｓｓ ， ｔｈｅ ａｄｖａｎｔａｇｅ ｏｆ ＨＭＤＳ ｐｒｅ－ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｙｓｔｅｍ， ｄｅｓｃｒｉｂｅｓ ｔｈｅ ｗｏｒｋｉｎｇ ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ ｓｙｓｔｅｍ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ｔｈｉｓ ｓｙｓｔｅｍ． Ｋｅｙｗｏｒ ｄｓ： Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ； Ｒｅｓｉｓｔ ｃｏａｔｉｎｇ； Ｐｒｅ－ｐｒｏｃｅｓｓ； Ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ
最初，人们用液态的 ＨＭＤＳ 直接涂到晶片上， 然后借着晶片的高速旋转在晶片表面形成一层
收 稿 日 期 ： ２００６－０９－１０ 作者简介： 庞克俭（１９７１）男，ＣＥＴＣ 十三所工程师，现主要从事半导体专用非标设备的研制开发与生产，曾主持开发了等离子
去胶机，电镀系统，快速合金炉，退火炉，ＨＭＤＳ 预处理系统等一系列设备。
在参数设置窗口中设置运行中所需的几个参 数，如重复充气次数，加药时间，保持时间等。
晶圆刻蚀设备的制作方法
晶圆刻蚀设备的制作方法晶圆刻蚀设备是半导体制造过程中必需的一种设备，它可以将晶圆表面的材料刻蚀掉，从而制造出半导体器件。
晶圆刻蚀设备采用了化学反应的原理，在高温高压的环境下进行刻蚀处理。
下面我们将介绍晶圆刻蚀设备的制作方法。
一、设备的外部结构晶圆刻蚀设备的外部是由钢架、玻璃门、观察窗、电子控制屏幕和排风管道组成的，比较简单，可以按照图纸进行制作。
二、设备的内部结构晶圆刻蚀设备的内部结构较为复杂，主要由反应室、氟化氢发生器、气体控制系统、氦气贮存罐、温度控制系统、泵及阀门组成。
1、反应室反应室是晶圆刻蚀设备最重要的部分，它采用了三角形的构造，选择这样的构造是为了更好地利用化学反应进行刻蚀处理。
反应室的材质一般采用聚四氟乙烯(PTFE)或石英玻璃制成。
反应室中间有一个钨丝加热器，可以调节温度。
2、氟化氢发生器氟化氢发生器是晶圆刻蚀设备的核心部分之一，主要负责产生氟化氢气体，氟化氢通过管道送入反应室，与晶圆表面的材料发生化学反应从而进行刻蚀。
氟化氢发生器采用了电石灰法产生氢氟酸的方式来制造氟化氢。
3、气体控制系统气体控制系统包括了气缸、气体流量计、阀门和电磁阀等组成，主要负责将氟化氢、氢气、氦气等气体送入反应室，并控制其流量。
4、氦气贮存罐氦气贮存罐主要用于贮存氦气，并在反应室中起到冷却作用。
氦气可以有效地降低反应室内的温度，从而提高反应的效果。
5、温度控制系统温度控制系统主要用于控制反应室的温度，调节反应的速率。
反应室内的温度可以通过钨丝加热器来调节。
6、泵及阀门泵及阀门主要负责将残余的气体、液体和固体物质排出，从而避免对设备和操作者的危害。
以上就是晶圆刻蚀设备的制作方法，相信大家看完后对晶圆刻蚀设备的制作有了一定的了解。
三、设备的工作原理晶圆刻蚀设备的工作原理是将氟化氢和晶圆表面材料进行化学反应，从而使晶圆表面的材料被刻蚀掉。
氟化氢和晶圆表面的材料反应后，会生成气体或固体物质，这些物质需要通过泵和阀门流出反应室，以避免对设备和操作者的危害。
功率半导体分立器件产业及标准化白皮书
本白皮书编写专家来自功率半导体器件产业链上下游各个环节 相关企事业单位，并面向全行业进行了广泛的征求意见。但由于编者
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水平有限，疏漏和不足之处，欢迎读者批评指正，编制组将根据技术 发展和行业意见进行持续修订完善。
2
2 功率半导体分立器件概述 2.1 功率半导体分立器件的概念
功率半导体器件（Power Electronic Device）又称为电力电子 器件和功率电子器件，是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电 能的变换或控制的电子器件，其作用主要分为功率转换、功率放大、 功率开关、线路保护和整流等。功率半导体大致可分为功率半导体分 立器件（Power Discrete）(包括功率模块)和功率半导体集成电路 （Power IC）两大类，在半导体产业中的结构关系如图 1 所示。其中， 功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能，并且本身在功能 上不能再细分的半导体器件。
版权声明 本白皮书版权属于中国电子技术标准化研究院，并受法律保护。 转载、摘编或利用其它方式使用本白皮书文字或观点的，请注明：“来 源：中国电子技术标准化研究院”。违反上述声明者，本院将追求其 相关法律责任。
目录 1 前言........................................................................................................1 2 功率半导体分立器件概述................................................................... 3
半导体设备行业专题报告
半导体设备行业专题报告1.薄膜沉积是半导体工艺三大核心步骤之一晶圆制造包括氧化扩散、光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、清洗与抛光、金属化七大流程。
半导体设备是半导体生产流程的基础，半导体设备先进程度直接决定了半导体生产的质量和效率。
其中薄膜沉积设备制造技术难度大，门槛极高，是半导体制造工艺中的三大核心设备之一（另外两者为光刻设备和刻蚀设备）。
薄膜沉积设备作为晶圆制造的核心设备之一，在晶圆制造环节设备投资占比仅次于光刻机，约占25%。
根据SEMI和MaximizeMarketResearch的统计，2020年全球半导体设备市场规模达到712亿美元，其中薄膜沉积设备市场规模约172亿美元。
根据工作原理的不同，集成电路薄膜沉积可分为物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和其他。
薄膜沉积工艺不断发展，根据不同的应用演化出了PECVD、溅射PVD、ALD、LPCVD等不同的设备用于晶圆制造的不同工艺。
目前，全球薄膜沉积设备中CVD类设备占比最高，2020年占比64%，溅射PVD设备占比21%。
CVD设备中，PECVD是主流的设备类型，2020年在CVD设备中占比53%，其次为ALD设备，占比20%。
2.多因素驱动国产薄膜沉积设备需求国内产线建设极大拉动国产设备需求。
半导体设备市场主要由美国、日本厂商主导，贸易摩擦背景下，半导体设备国产化诉求增强，长江存储、上海积塔、中芯国际、华虹、士兰微、合肥晶合等国内晶圆厂在新增产能建设过程中积极导入国产设备，极大拉动国内半导体设备需求。
芯片工艺进步及结构复杂化拉动高性能薄膜设备需求。
随着集成电路的持续发展，晶圆制造工艺不断走向精密化，芯片结构的复杂度也不断提高，需要在更微小的线宽上制造，制造商要求制备的薄膜品种随之增加，最终用户对薄膜性能的要求也日益提高。
这一趋势对薄膜沉积设备产生了更高的技术要求，市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加。
以CVD设备演进为例，相比传统的APCVD、LPCVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，已成为芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类，未来HDPCVD、FCVD应用有望增加。
半导体制造行业专业术语
半导体词汇1. ac cepta nce t estin g (WA T: wa fer a ccept ancetesti ng) 2. ac cepto r: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.ACCES S：一个E DA（En ginee ringDataAnaly sis）系统4. Acid：酸5. Act ive d evice：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Ali gn ma rk(ke y)：对位标记7. All oy：合金8.Alumi num：铝9.Ammon ia：氨水10. Ammo niumfluor ide：N H4F 11. A mmoni um hy droxi de：NH4OH 12. A morph ous s ilico n：α-S i，非晶硅（不是多晶硅）13. An alog：模拟的14. A ngstr om：A（1E-10m）埃15. A nisot ropic：各向异性（如POL Y ETC H）16. AQ L(Acc eptan ce Qu ality Leve l)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17.ARC(A ntire flect ive c oatin g)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Ant imony(Sb)锑19. Argo n(Ar)氩20. Ars enic(As)砷21.Arsen ic tr ioxid e(As2O3)三氧化二砷22. A rsine(AsH3)23. Ash er：去胶机24. Asp ect r ation：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. A utodo ping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Bac k end：后段（C ONTAC T以后、P CM测试前）27. Bas eline：标准流程28. Benc hmark：基准29. B ipola r：双极30.Boat：扩散用（石英）舟31. C D：（C ritic al Di mensi on）临界（关键）尺寸。
晶圆制造工艺-ETCH
晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。
（1）常压CVD (Normal Pressure CVD)（2）低压CVD (Low Pressure CVD)（3）热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)（4）电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD)（5）MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy)（6）外延生长法(LPE)4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘(pre bake)（3）曝光（4）显影（5）后烘(post bake)（6）腐蚀(etching)（7）光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底，形成P 型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子，形成N 型阱9、退火处理，然后用HF 去除SiO2 层10、干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2 层，形成PN 之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。
14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2 保护层。
15、表面涂敷光阻，去除P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成NMOS 的源漏极。
用同样的方法，在N 阱区，注入B 离子形成PMOS 的源漏极。
16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
17、沉积掺杂硼磷的氧化层18、濺镀第一层金属（1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um 。
中国电子科技集团公司(CETC)成员单位
中国电子科技集团公司(CETC)成员单位一览表电科院北京电子科学研究院2所太原西北电子装备技术研究所3所北京电视电声研究所7所广州广州通信研究所8所淮南安徽光纤光缆传输技术研究所9所绵阳西南应用磁学研究所10所成都西南电子技术研究所11所北京华北光电技术研究所12所北京北京真空电子技术研究所13所石家庄河北半导体研究所14所南京南京电子技术研究所15所北京华北计算技术研究所16所合肥合肥低温电子研究所18所天津天津电源研究所20所西安西安导航技术研究所21所上海上海微电机研究所22所新乡中国电波传播研究所23所上海上海传输线研究所24所重庆四川固体电路研究所26所重庆四川压电与声光技术研究所27所郑州中原电子技术研究所28所南京南京电子工程研究所29所成都西南电子设备研究所30所成都西南通信研究所32所上海华东计算技术研究所33所太原太原磁记录技术研究所34所桂林桂林激光通信研究所36所嘉兴江南电子通信研究所38所合肥华东电子工程研究所39所西安西北电子设备研究所40所蚌埠蚌埠接插件继电器研究所41所蚌埠华东电子测量仪器研究所43所合肥华东微电子技术研究所44所重庆重庆光电技术研究所45所平凉平凉半导体专用设备研究所46所天津天津电子材料研究所47所沈阳东北微电子研究所48所长沙长沙半导体工艺设备研究所49所哈尔滨东北传感技术研究所50所上海上海微波技术研究所51所上海上海微波设备研究所52所杭州杭州计算机外部设备研究所53所锦州东北电子技术研究所54所石家庄石家庄通信测控技术研究所55所南京南京电子器件研究所58所无锡无锡微电子研究所（无锡微电子科研中心）信息化工程总体研究中心中电科技国际贸易有限公司中电华通通信有限公司中电科投资开发有限公司中电科技电子信息系统有限公司北京中电科卫星导航系统有限公司中电科技旅游产业发展有限公司中电科技德清华莹电子有限公司长江数据通讯股份有限公司中华通信系统有限责任公司北京科控微电子工程公司1、电子科学研究院/index.asp地址：北京石景山八大处科技园区双园路10号1984年在北京创建的国家级研究机构，是中国电子科技集团的中央研究院，是国家电子信息系统顶层设计、系统总体研究开发和系统集成以及组织重大科技项目实施的总体研究院。
高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
第 39 卷第 4 期2024 年 4 月Vol.39 No.4Apr. 2024液晶与显示Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展李强，葛春桥*，陈露，钟威平，梁齐莹，柳春锡，丁金铎（中山智隆新材料科技有限公司，广东中山 528459）摘要：基于金属氧化物半导体（MOS）的薄膜晶体管（TFT）由于较高的场效应迁移率（μFE）、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点，已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。
经过30余年的研究，非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）率先替代非晶硅（a-Si）在TFT中得到推广应用。
然而，为了同时满足显示产业对更高生产效益、更佳显示性能（如高分辨率、高刷新率等）和更低功耗等多元升级要求，需要迁移率更高的MOS TFTs技术。
本文从固体物理学的角度，系统综述了MOS TFTs通过多元MOS材料实现高迁移率特性的研究进展，并讨论了迁移率与器件稳定性之间的关系。
最后，总结展望了MOS TFTs的现状和发展趋势。
关键词：金属氧化物半导体；薄膜晶体管；场效应迁移率；偏压稳定性中图分类号：TN321+.5 文献标识码：A doi：10.37188/CJLCD.2024-0032Research progress of high mobility metal oxide semiconductorthin film transistorsLI Qiang，GE Chunqiao*，CHEN Lu，ZHONG Weiping，LIANG Qiying，LIU Chunxi，DING Jinduo （Zhongshan Zhilong New Material Technology Co. Ltd.， Zhongshan 528459， China）Abstract：Thin-film transistor （TFT）based on metal oxide semiconductor （MOS）has become a key technology to boost the development of the flat panel display or flexible display industry due to their high field-effect mobility （μFE）， extremely low cut-off leakage current and good large-area electrical uniformity. After more than 30 years of research，amorphous indium gallium zinc oxide （a-IGZO）is the first to be popularized in TFT by replacing the amorphous silicon （a-Si）. However， in order to simultaneously meet the multiple upgrade requirements of the display industry for higher productivity，better display performance （such as high resolution， high refresh rate，etc.） and lower power consumption， MOS TFTs technology with higher mobility is required.From the perspective of solid-state physics，this paper reviews the research progress of MOS TFTs to achieve high mobility characteristics through multi-component MOS materials， and discusses the relationship between mobility and device stability. Finally， the status quo and development trend of MOS TFTs are summarized and prospected.文章编号：1007-2780（2024）04-0447-19收稿日期：2024-01-23；修订日期：2024-02-14.基金项目：中山市科技计划（No.LJ2021006，No.CXTD2022005，No.2022A1009）Supported by Zhongshan Science and Technology Development Plan（No.LJ2021006，No.CXTD2022005，No.2022A1009）*通信联系人，E-mail：gechunqiao@zhilong.pro第 39 卷液晶与显示Key words： metal oxide semiconductor； thin-film transistor； field-effect mobility； bias stability1 引言在各类消费电子和工业设备显示中，薄膜晶体管（TFT）驱动背板是保障显示屏幕稳定运行的核心部件。
涂胶曝光显影一体化设备研究
收稿日期:2020-11-17涂胶曝光显影一体化设备研究吕磊1,郑如意1,周文静2(1.中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京100176;2.济南蓝动激光技术有限公司,山东济南250101)摘要:以光刻工艺为核心,介绍了匀胶曝光显影一体化设备,对设备的特点进行了分析,同时对设备的运行流程、结构布局、工作效率和电控及软件的实现进行了介绍,并提出了该设备今后优化的方向。
关键词:光刻;涂胶;曝光;显影中图分类号:TN305文献标志码:A文章编号:1004-4507(2020)06-0031-06Technology of Integrated Equipment of Coater &Exposure &DeveloperLV Lei 1,ZHENG Ruyi 1,ZHOU Wenjing 2(1.The 45th Research Institute of CETC ,Beijing 100176,China ;2.Jinan Landong Laser Technology Co.,Ltd.,Jinan 250101,China )Abstract:Taking the photolithography process as the core in this paper ，introduces the integrated equipment of coater and exposure and developer ，analyzes the characteristics of the equipment ，and introduces the operation process ，structural layout ，work efficiency and electric control realization of the equipment at the same time ，and puts forward the future direction of equipment optimization.Key words:Lithography ；Coater ；Exposure ；Developer光刻工艺是半导体制备过程中关键的步骤之一，其本质就是把掩模版上的电路结构复制到要进行刻蚀和离子注入的基片上，光刻工艺线条分辨率直接体现了芯片制造的水平。
电子束直写曝光机的原理与常见问题分析
收稿日期:2020-03-10电子束直写曝光机的原理与常见问题分析郝晓亮，赵英伟，王秀海，曹健(中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051)摘要:介绍了电子束曝光的分类和特点,阐述了电子束直写曝光的核心部分-电子光柱体的结构、原理以及工作方式;并且介绍了电子束的产生、偏转、曝光过程以及电子束的束斑类型以及扫描方式;分析了影响电子束曝光分辨率的关键参数以及邻近效应对工艺的影响。
关键词:电子束直写曝光;邻近效应;光刻工艺中图分类号:TN305.7文献标识码:B文章编号:1004-4507(2020)02-0048-05The Principle of Electron Beam Direct Writing Lithography and Analysis of Normal QuestionsHAO Xiaoliang ，ZHAO Yingwei ，WANG Xiuhai ，CAO Jian (The 13th Research Institute of CETC ，Shijiazhuang 050051，China )Abstract:The classification and characteristics of electron beam lithography are introduced ；The structure ，principle and working mode of electron beam column-the core part of electron beam direct writing lithography are described in detail.The process of electron beam generation ，deflection and lithography ，beam spot type and scanning mode of electron beam are also introduced in this paper.The key parameters affecting the resolution of electron beam lithography are analyzed.The proximity effect and its influence on the process are introduced.Key words:Electron beam direct writing lithography ；Proximity effect ；Photolithography process在半导体制造领域，光刻工艺是最核心的工艺，光刻工艺直接决定着半导体工艺的发展水平。
半导体材料ppt课件
H2O→H+ +OH阴极 6H+ 6e→3H2↑ 阳极 6OH-- 6e→3H2O 3[O]
2M 3[O] →M2O3 阳极氧化膜的生长过程是在膜的增厚和溶解这一矛盾过程中展开的。 通电瞬间，由于氧和M的亲和力特别强，在M表面迅速生成一层致密 无孔的氧化膜，它具有很高的绝缘电阻，称之为阻挡层。由于在形 成氧化M时体积要膨胀，使得阻挡层变得凹凸不平，在膜层较薄的 地方，氧化膜首先被电解液溶解并形成空穴，接着电解液变通过空 穴到达M基体表面，使电化学反应能够继续进行，孔隙越来越深， 阻挡层便逐渐向M基体方向扩展，即得到了多孔状的氧化膜。
TMAl TEAl TMGa TEGa TMIn TEIn DEZn Cp2Mg
P at 298 K
(torr) 14.2 0.041 238 4.79 1.75 0.31 8.53 0.05
A
B Melt point
(oC)
2780 3625 1825 2530 2830 2815 2190 3556
Metal-organic reaction MOCVD
(CH3)3Ga(g) ＋AsH3(g) GaAs(s) ＋3CH4(g)
Advantages:
基于BCB键合的MEMS加速度计圆片级封装工艺
基于BCB键合的MEMS加速度计圆片级封装工艺刘磊;展明浩;李苏苏;陈博【摘要】对基于BCB的圆片级封装工艺进行了研究，该工艺代表了MEMS加速度计传感器封装的发展趋势，是MEMS加速度计产业化的关键。
选用3000系列BCB材料进行MENS传感器的粘结键合工艺试验，解决了圆片级封装问题，在低温250℃和适当压力辅助下≤2．5bar（1bar=100kPa）实现了加速度计的圆片级封装，并对相关的旋涂、键合、气氛、压力等诸多工艺参数进行了优化。
%The wafer-level adhesive bonding based on BCB is studied. It is the packaging trend for the MEM5 accelerometer and is essential to the industrialization of the MEMS accelerometer. A novel MEMS wafer level packa-ging method is achieved by the BCB bonding technique with the BCB 3000 as a bonding material. The wafer level packaging at low temperature （250℃） and proper pressure（≤2. 5 bar） is realized. The related process parameters of spin coating, bonding, atmosphere, and bonding pressure and etc. are optimized.【期刊名称】《电子科技》【年(卷),期】2012(025)009【总页数】4页(P9-12)【关键词】MEMS加速度计;圆片级封装;苯并环丁烯（BCB）【作者】刘磊;展明浩;李苏苏;陈博【作者单位】合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥230009;中国兵器工业集团214研究所工艺1部,安徽蚌埠233042;中国兵器工业集团214研究所工艺1部,安徽蚌埠233042;中国兵器工业集团214研究所工艺1部,安徽蚌埠233042【正文语种】中文【中图分类】TN305.94圆片级封装是指以硅圆片为单位进行封装操作，即芯片封装之间的连接等所有封装工序全部都以硅圆片为单位进行操作。