半导体FAB里基本的常识简介
半导体FAB里基本的常识简介
半导体FAB里基本的常识简介CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
常用的半导体材料为何答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa)何谓VLSI答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺答：介电质(Dielectric)薄膜区机台主要的功能为何答：沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种?答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?答：良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何?答：做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)答：金属层间介电质层。
何谓USG?答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)何谓FSG?答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)何谓BPSG?答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)何谓TEOS?答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅TEOS在常温时是以何种形态存在?答：液体二氧化硅其K值为3.9表示何义答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍氟在CVD的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体简述Endpoint detector之作用原理.答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.机台使用的管件材料主要有那些?答：有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?答：告知所有的人勿操作机台，避免危险机台维修至少两人配合，有何目的?答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作?答：用氦气测漏机来做测漏维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什幺?答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760T orr,低于760T orr压力的环境称为真空.真空Pump的作用？答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力何谓内部连锁(Interlock)答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.机台设定许多interlock有何作用?答：机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.Wafer Scrubber的功能为何?答：移除芯片表面的污染粒子ETCH何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
半导体FAB知识100问
半导体FAB知识100问影响工厂成本的主要因素有哪些？答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material间接材料，例如气体… Labor人力 Fixed Manufacturing机器折旧，维修，研究费用……等 ProducTIon Support其它相关单位所花费的费用在FAB内，间接物料指哪些？答：Gas 气体 Chemical 酸，碱化学液 PHOTO Chemical 光阻，显影液 Slurry 研磨液 Target 靶材 Quartz 石英材料 Pad ＆ Disk 研磨垫 Container 晶舟盒（用来放蕊片） Control Wafer 控片 Test Wafe r测试，实验用的蕊片什幺是变动成本（Variable Cost）？答：成本随生产量之增减而增减．例如：直接材料，间接材料什幺是固定成本（Fixed Cost）？答：此种成本与产量无关，而与每一期间保持一固定数额．例如：设备租金，房屋折旧及檵器折旧Yield（良率）会影响成本吗？如何影响？答：Fab yield＝若无报废产生，投入完全等于产出，则成本耗费最小CP Yield：CP Yield 指测试一片芯片上所得到的有效的IC数目。
当产出芯片上的有效IC数目越多，即表示用相同制造时间所得到的效益愈大．生产周期（Cycle TIme）对成本（Cost）的影响是什幺？答：生产周期愈短，则工厂制造成本愈低。
正面效益如下：（1）积存在生产线上的在制品愈少（2）生产材料积存愈少（3）节省管理成本（4）产品交期短，赢得客户信赖，建立公司信誉FAC根据工艺需求排气分几个系统？答：分为一般排气（General）、酸性排气（Scrubbers）、碱性排气（Ammonia）和有机排气（Solvent）四个系统。
高架地板分有孔和无孔作用？答：使循环空气能流通，不起尘，保证洁净房内的洁净度；防静电；便于HOOK－UP。
半导体FAB里基本的常识简介-精华版
1.晶圆制造厂非常昂贵得原因之一,就是需要一个无尘室,为何需要无尘室ﻫ答:由于微小得粒子就能引起电子组件与电路得缺陷2.何谓半导体?答：半导体材料得电传特性介于良导体如金属(铜、铝,以及钨等)与绝缘与橡胶、塑料与干木头之间。
最常用得半导体材料就是硅及锗。
半导体最重要得性质之一就就是能够藉由一种叫做掺杂得步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
3.常用得半导体材料为何？答:硅(Ｓi)、锗(Ge)与砷化镓(AsGa)4.何谓VLSＩ？答：ＶLSI（Veｒy LａrgｅScale Integｒａｔiｏn）超大规模集成电路5.在半导体工业中,作为绝缘层材料通常称什么?ﻫ答:介电质（Dieleｃｔriｃ)、6.薄膜区机台主要得功能为何?ﻫ答：沉积介电质层及金属层7.何谓CVD(CｈemicaｌVapor Dｅp、)答:CVＤ就是一种利用气态得化学源材料在晶圆表面产生化学沉积得制程8.CVD分那几种?ﻫ答:PE-CＶＤ（电浆增强型)及Theｒmaｌ-CＶD(热耦式)9.为什么要用铝铜(Al-Ｃu)合金作导线?ﻫ答:良好得导体仅次于铜10.介电材料得作用为何? ﻫ答:做为金属层之间得隔离11.何谓ＰＭＤ(Ｐre-Metal Diｅleｃtric）答:称为金属沉积前得介电质层,其界于多晶硅与第一个金属层得介电质12.何谓IＭD（Inｔer-Metal Dielｅctric）ﻫ答：金属层间介电质层。
13.何谓USG？答:未掺杂得硅玻璃(Uｎdopｅd Siｌicate Ｇlａss)14.何谓FSＧ? ﻫ答:掺杂氟得硅玻璃(Fｌｕorinａtｅd SiｌｉcａteＧｌass)15.何谓ＢPSＧ? ﻫ答:掺杂硼磷得硅玻璃(Boro phosｐhｏsiｌicate ｇlａｓｓ）16.何谓ＴEＯＳ? ﻫ答:Tetｒａ-eｔhoｘy－silａnｅ四乙氧基硅烷，正硅酸四乙酯, 用途为沉积二氧化硅17.TEＯS在常温时就是以何种形态存在?答:液体18.二氧化硅其Ｋ值为3、9表示何义答:表示二氧化硅得介电质常数为真空得３、9倍19.氟在CVD得工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Ｃhambeｒ)用之化学气体20.简述Endpｏinｔdetector之作用原理答:cｌeａn制程时,利用生成物或反应物浓度得变化,因其特定波长光线被detectoｒ侦测到强度变强或变弱，当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpｏinｔ、21.机台使用得管件材料主要有那些?答：有不锈钢制（Stａinleｓs Steａl），黄铜制（Ｂｒａｓs）,塑胶制（PＶC),特氟隆制（Teflon）四种、22.机器维修时要放置停机维修告示牌目得为何?ﻫ答:告知所有得人勿操作机台，避免危险23.机台维修至少两人配合，有何目得?答:帮忙拆卸重物,并随时警戒可能得意外发生24.更换过任何气体管路上得零件之后,一定要做何动作?ﻫ答:用氦气测漏机来做测漏、25.维修尚未降至室温之反应室（Chａmbｅr）,应配带何种手套答:石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作26.何为真空(Vａcuｕm)?半导体业常用真空单位就是什么？答:半导体业通常用Torｒ作为真空得压力单位,一大气压相当76０Toｒr，低于7６0Ｔｏrr压力得环境称为真空、27.真空Pumｐ得作用?答:降低反应室(Ｃｈamｂeｒ）内得气体密度与压力28.何谓内部连锁(Intｅrlｏcｋ)ﻫ答:机台上intｅrlｏｃk有些属于保护操作人员得安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台、29.机台设定许多interlock有何作用?ﻫ答:机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作、30.ＷafeｒＳcｒｕbber得功能为何?答:移除芯片表面得污染粒子,Scｒｕbber（Wafｅr cｌean)机台就是水清洗waｆer表面,去除wafer表面外来得微尘颗粒(partｉcle)、31.何谓蚀刻(Ｅtｃｈ)？ﻫ答:将形成在晶圆表面上得薄膜全部,或特定处所去除至必要厚度得制程。
半导体制造、Fab以及Silicon Processing的基本知识
1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA 会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK 存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体FAB里基本的常识简介-精华版
1.晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷2.何谓半导体?答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
3.常用的半导体材料为何？答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(AsGa)4.何谓VLSI？答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路5.在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什么？答：介电质(Dielectric).6.薄膜区机台主要的功能为何？答：沉积介电质层及金属层7.何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程8.CVD分那几种?答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)9.为什么要用铝铜(Al-Cu)合金作导线?答：良好的导体仅次于铜10.介电材料的作用为何?答：做为金属层之间的隔离11.何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质12.何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)答：金属层间介电质层。
13.何谓USG?答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)14.何谓FSG?答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)15.何谓BPSG?答：掺杂硼磷的硅玻璃(Boro phospho silicate glass)16.何谓TEOS?答：Tetra-ethoxy-silane四乙氧基硅烷, 正硅酸四乙酯, 用途为沉积二氧化硅17.TEOS在常温时是以何种形态存在?答：液体18.二氧化硅其K值为3.9表示何义答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍19.氟在CVD的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体20.简述Endpoint detector之作用原理答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.21.机台使用的管件材料主要有那些?答：有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种. 22.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?答：告知所有的人勿操作机台，避免危险23.机台维修至少两人配合，有何目的?答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生24.更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作?答：用氦气测漏机来做测漏.25.维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作26.何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什么?答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760T orr,低于760Torr压力的环境称为真空.27.真空Pump的作用？答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力28.何谓内部连锁(Interlock)答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.29.机台设定许多interlock有何作用?答：机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.30.Wafer Scrubber的功能为何?答：移除芯片表面的污染粒子,Scrubber(Wafer clean)机台是水清洗wafer表面，去除wafer表面外来的微尘颗粒(particle).31.何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
半导体FAB百问知识汇总
半导体FAB百问知识汇总半导体FAB（半导体制造工厂）是半导体行业中的核心生产单元，用于制造集成电路和其他半导体器件。
在FAB中，通过一系列工序，从半导体晶圆开始生产，并最终制造出完整的芯片产品。
以下是一些关于半导体FAB的常见问题及其解答。
1.FAB是什么意思？FAB是英文“Fabrication（制造）”的简称，指的是半导体制造工厂。
2.FAB的主要工序有哪些？FAB的工序包括晶圆清洗、光刻、薄膜沉积、离子注入、扩散、退火、化学机械抛光等。
这些工序用来制造芯片上的不同层次。
3.FAB中常用的制造技术有哪些？FAB中常用的制造技术有MOS（金属-氧化物-半导体）、CMOS（互补金属-氧化物-半导体）和BiCMOS（双极性互补金属-氧化物-半导体）等。
4.半导体FAB中的晶圆是什么？晶圆是从硅单晶体中切割成的圆盘状薄片，作为芯片的基板。
晶圆是半导体制造的重要材料之一5.FAB中的光刻是什么工序？光刻是一种制造芯片的关键工序，通过使用光刻机，将芯片设计图案传输到光刻胶层上，然后将其转移到晶圆上制造细微的纹理。
6.FAB中的薄膜沉积是什么工序？薄膜沉积是一种将薄膜材料沉积到晶圆上的过程，用于制造芯片的不同层次。
常用的薄膜沉积方法包括化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等。
7.FAB中的离子注入是做什么用的？离子注入是将离子加速并注入晶圆表面以改变其电学特性的过程。
通过离子注入，可以实现芯片部件的区域掺杂和控制。
8.FAB中的扩散是什么工序？扩散是一种将杂质原子掺入晶圆中的工序，以改变其导电性能。
这可用于制造晶体管的源、漏区域。
9.FAB中的退火是什么工序？退火是一种通过暴露晶圆于高温环境中，以改变晶圆中晶格结构和杂质分布的过程。
退火有助于消除杂质缺陷和提高晶圆的电学特性。
10.FAB中的化学机械抛光是做什么用的？化学机械抛光是用于平坦化制造过程中的表面的一种技术，以获得更加光滑和平坦的表面。
Fab基本情况介绍
Fab基本情况介绍晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
常用的半导体材料为何答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa)何谓VLSI答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺答：介电质(Dielectric)薄膜区机台主要的功能为何答：沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种?答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?答：良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何?答：做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)答：金属层间介电质层。
何谓USG?答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)何谓FSG?答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)何谓BPSG?答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)何谓TEOS?答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅TEOS在常温时是以何种形态存在?答：液体二氧化硅其K值为3.9表示何义答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍氟在CVD的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体简述Endpoint detector之作用原理.答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.机台使用的管件材料主要有那些?答：有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?答：告知所有的人勿操作机台，避免危险机台维修至少两人配合，有何目的?答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作?答：用氦气测漏机来做测漏维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什幺?答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.真空Pump的作用？答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力何谓内部连锁(Interlock)答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.机台设定许多interlock有何作用?答：机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.Wafer Scrubber的功能为何?答：移除芯片表面的污染粒子ETCH何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
半导体FAB里基本的常识简介
半导体FAB里基本的常识简介半导体FAB，即半导体制造工厂，是生产半导体芯片的重要场所。
在半导体行业中，FAB的运作对于芯片的质量和效率有着至关重要的影响。
本文将对半导体FAB的基本常识进行简要介绍。
一、半导体FAB的定义和作用半导体FAB是半导体芯片的生产工厂，其主要任务是将半导体材料制造成最终的集成电路芯片。
FAB是一个复杂的工程体系，包含了多个工艺步骤和设备，通过一系列的加工工艺将半导体基片转化为可用的半导体芯片。
FAB的运作对于提高芯片的质量、降低成本以及增加生产效率至关重要。
二、半导体FAB的工艺步骤半导体芯片的生产过程是一个多工艺步骤的流水线操作。
下面将简要介绍半导体FAB的几个基本工艺步骤：1. 半导体晶圆清洗：在制造芯片之前，需要将半导体晶圆进行彻底清洗，以去除上面可能存在的污染物。
2. 晶圆切割：将大型的硅片切割成若干个薄片，即晶圆。
切割过程需要使用切割盘进行精确切割。
3. 晶圆薄化：为了减小芯片的体积，需要对晶圆进行薄化处理，使其达到所需的厚度。
4. 沉积工艺：在晶圆表面上沉积各种材料，如绝缘层、金属层等，用于形成芯片的不同层次。
5. 电子束曝光：使用电子束曝光机器将芯片的图案曝光到光敏剂上，以形成芯片的电路结构。
6. 蚀刻工艺：通过蚀刻将多余的材料去除，形成芯片上所需的电路结构。
7. 掩模工艺：使用掩膜和光刻机对芯片进行二次曝光，并进行最终的处理，使芯片上的电路结构更加完善。
8. 清洗和测试：在所有工艺步骤完成之后，需要对芯片进行清洗和测试，以确保其质量和性能。
三、半导体FAB的设备和技术半导体FAB使用了大量的设备和技术来实现芯片的制造过程。
以下是一些常见的设备和技术：1. 清洗设备：用于清洗晶圆上的污染物，以确保芯片的质量。
2. 激光切割机：用于将硅片切割成晶圆。
3. 沉积设备：用于在晶圆表面上沉积材料。
4. 电子束曝光机：用于将芯片的图案曝光到光敏剂上。
5. 蚀刻设备：用于蚀刻多余的材料，形成芯片上的电路结构。
半导体里基本的常识简介
CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
常用的半导体材料为何答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa)何谓VLSI答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺答：介电质(Dielectric)薄膜区机台主要的功能为何答：沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线答：良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何答：做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)答：金属层间介电质层。
何谓USG答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)何谓FSG答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)何谓BPSG答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)何谓TEOS答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅TEOS在常温时是以何种形态存在答：液体二氧化硅其K值为3.9表示何义答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍氟在CVD的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体简述Endpoint detector之作用原理.答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.机台使用的管件材料主要有那些答：有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何答：告知所有的人勿操作机台，避免危险机台维修至少两人配合，有何目的答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作答：用氦气测漏机来做测漏维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作何为真空(Vacuum)半导体业常用真空单位是什幺答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.真空Pump的作用？答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力何谓内部连锁(Interlock)答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.机台设定许多interlock有何作用答：机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.Wafer Scrubber的功能为何答：移除芯片表面的污染粒子ETCH何谓蚀刻(Etch)答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
半导体FAB厂气体相关知识
半导体FAB厂气体相关知识何谓半导体?答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
常用的半导体材料为何？答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa)何谓VLSI？答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什么？答：介电质(Dielectric)薄膜区机台主要的功能为何？答：沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)？答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程介电材料的作用为何?答：做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质。
何谓TEOS?答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅TEOS在常温时是以何种形态存在?答：液体二氧化硅其K值为3.9表示何义？答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍。
氟在CVD的工艺上，有何应用？答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体在FAB内，间接物料指哪些？答：Gas气体， Chemical 酸、碱化学液，PHOTO Chemical 光阻、显影液，Slurry 研磨液，Target 靶材， Quartz 石英材料，Pad ＆ Disk 研磨垫， Container 晶舟盒（用来放芯片）， Control Wafer 控片，Test Wafer测试、实验用的芯片。
Yield（良率）会影响成本吗？如何影响？答：Fab yield＝若无报废产生，投入完全等于产出，则成本耗费最小CP Yield：CP Yield 指测试一片芯片上所得到的有效的IC数目。
在FAB混的必须知道的名词
在FAB混的必须知道的名词，列一些在下面：1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体FAB里基本的常识简介
半导体FAB里基本的常识简介什么是半导体FAB？半导体FAB是指半导体制造厂的大型工厂和生产线。
FAB通常由设备、设施和人员组成，用于生产半导体芯片和产品。
FAB必须遵循非常严格和复杂的工艺流程，以确保生产出高质量、功能稳定的芯片。
FAB的主要流程在FAB中，有一些关键流程步骤需要严格控制，以确保芯片的一致性和质量。
主要的生产流程包括：晶圆制备晶圆制备是制造芯片的第一步。
制造晶圆 requires involves 一系列的机械和化学步骤，包括锯片、研磨、清洗和涂覆等一些处理。
晶圆清洗和去除杂质在晶圆制备后，需要对晶圆进行详细的清洗和去除杂质. 。
FAB将使用一些特殊的化学物质和处理技术，以确保晶圆的完全清洁，并消除任何可能影响芯片性能的杂质。
光罩制备光罩是制造芯片的关键部分，用于定义芯片上的芯片和线路。
在制造光罩时，FAB需要使用精密的图形布局技术，以确保所有芯片的一致性和精度。
光刻一经制作完成的光罩将放置于光刻机中，该机器将使用光来照射芯片表面以进行清晰的定义和芯片图形绘制。
薄膜制备在制造芯片过程中，需要沉积许多不同形状和材质的薄膜。
在制造过程中，芯片需要以不同的方式做出来，而不同的薄膜对不同芯片的形状和电子特性也有影响。
电子束热压制造电子束热压制造(EBM)是制造芯片的较新方法。
在EBM制造过程中，需要使一个线上材料易于加热和冷却。
这使FAB可以用更精密的方法制造芯片，尤其是对于小型化芯片来说非常关键。
常见问题FAB中遇到的问题在FAB中，许多问题会影响芯片的品质和生产效率。
例如，设备失效、设备运行不稳定、工艺流程问题、环境因素等. 。
FAB必须及时识别和解决这些问题，以确保产品质量，并减少生产成本。
SEMI标准SEMI标准是半导体行业中普遍使用的行业标准，用于支持并保证半导体生产中的各种过程。
这些标准涵盖了许多方面，包括设备接口、生产流程、控制体系和设备数据集成等。
FAB是制造芯片的重要环节，要维护高质量和高效率的制造效果，需要投入大量的资金和精力。
fab晶圆厂常用半导体术语
fab晶圆厂常用半导体术语【最新版】目录1.晶圆厂与半导体的关系2.常用半导体术语概述3.详细解释常用半导体术语正文晶圆厂是半导体制造中的一个重要环节，它负责将设计好的半导体芯片生产出来。
半导体行业有很多专业术语，对于非专业人士来说可能比较难以理解。
这里，我们将详细介绍一些常用的半导体术语，以便大家更好地了解半导体制造过程。
首先，让我们了解一下晶圆厂与半导体的关系。
晶圆厂的主要任务是将半导体材料制成芯片，而半导体材料具有特殊的电导率特性，可以实现电子器件的微型化。
因此，半导体是晶圆厂生产的芯片的主要成分。
在半导体制造过程中，有很多专业术语，下面我们将详细解释一些常用的半导体术语。
1.晶圆（Wafer）：晶圆是半导体制造的基本单位，通常由硅单晶制成。
晶圆的表面被清洗干净，以便在上面制造半导体器件。
晶圆在半导体制造过程中具有非常重要的地位，因为所有的半导体器件都是在晶圆上制造的。
2.光刻（Lithography）：光刻是半导体制造中的一种重要工艺，它通过将光敏树脂涂在晶圆上，然后将其暴露在特定波长的光下，从而在晶圆上形成所需的图案。
这个过程可以重复多次，以制造出复杂的半导体结构。
3.刻蚀（Etching）：刻蚀是半导体制造中另一种重要的工艺，它通过化学或物理方法将晶圆表面的材料去除，以形成所需的形状和结构。
刻蚀通常与光刻结合使用，以制造出复杂的半导体器件。
4.掺杂（Doping）：掺杂是半导体制造中的一种工艺，通过向半导体材料中添加特定的杂质元素，可以改变半导体的电导率。
掺杂分为 n 型掺杂和 p 型掺杂，分别用于制造 n 型半导体和 p 型半导体。
5.氧化（Oxidation）：氧化是半导体制造中的一种工艺，通过在半导体表面形成一层氧化物，可以提高半导体的稳定性和可靠性。
氧化层通常用于制造 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）等半导体器件。
6.金属化（Metallization）：金属化是半导体制造中的一种工艺，通过在半导体表面形成一层金属导电层，可以实现半导体器件的电连接。
半导体FAB里基本的常识简介
CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步介电材料的作用为何?答：做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-MetalDielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-MetalDielectric)答：金属层间介电质层。
何谓USG?答：未掺杂的硅玻璃(UndopedSilicateGlass)何谓FSG?答：掺杂氟的硅玻璃(FluorinatedSilicateGlass)何谓BPSG?答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicateglass)答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作?答：用氦气测漏机来做测漏维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什幺?答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.真空Pump的作用？答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力何谓内部连锁(Interlock)答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)何谓dielectric蚀刻(介电质蚀刻)?答：Oxideetchandnitrideetch半导体中一般介电质材质为何?答：氧化硅/氮化硅何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除何谓电浆Plasma?答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.何谓干式蚀刻?何谓SpinDryer答：利用离心力将晶圆表面的水份去除何谓MaragoniDryer答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除何谓IPAVaporDryer答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除测Particle时,使用何种测量仪器?答：TencorSurfscan测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?答：膜厚计,测量膜厚差值何谓AEI答：Cl2,BCl3用于W金属蚀刻的主要气体为答：SF6何种气体为oxidevai/contactETCH主要使用气体?答：C4F8,C5F8,C4F6硫酸槽的化学成份为:答：H2SO4/H2O2AMP槽的化学成份为:答：NH4OH/H2O2/H2OUVcuring是什幺用途?答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度答：BufferedOxideEtcher。
半导体器件重要知识点总结
半导体器件重要知识点总结一、半导体基础知识1. 半导体的概念及特性：半导体是指导电性介于导体和绝缘体之间的一类材料。
由于半导体材料的导电性能受温度、光照等外部条件的影响比较大，它可以在不同的条件下表现出不同的导电特性。
半导体材料常见的有硅、锗等。
2. P型半导体和N型半导体：P型半导体是指在半导体材料中掺入了3价元素，如硼、铝等，使其成为带正电荷的空穴主导的半导体材料。
N型半导体是指在半导体材料中掺入了5价元素，如磷、砷等，使其成为自由电子主导的半导体材料。
3. 掺杂：半导体器件在制造过程中一般都要进行掺杂，以改变其导电性能。
掺杂分为N型掺杂和P型掺杂，通过掺杂可以使半导体材料的导电性能得到调控，从而获得所需要的电子特性。
4. pn结：pn结是指将P型半导体和N型半导体直接连接而成的结构，它是构成各类半导体器件的基础之一。
pn结具有整流、发光、光电转换等特性，在各类器件中得到了广泛的应用。
二、半导体器件的基本知识1. 二极管（Diode）：二极管是一种基本的半导体器件，它采用pn结的结构，在正向偏置时可以导通，而在反向偏置时则将电流阻断。
二极管在各类电子电路中具有整流、电压稳定、信号检测等重要作用。
2. 晶体管（Transistor）：晶体管是一种由半导体材料制成的三电极器件，它采用多个pn结的结构，其主要功能是放大信号、开关电路和稳定电路等。
晶体管在各类电子器件中扮演着至关重要的作用，是现代电子技术的重要组成部分。
3. 集成电路（IC）：集成电路是将大量的半导体器件集成在一块半导体芯片上的器件，它可以实现各种功能，如存储、计算、通信等。
集成电路在现代电子技术中已成为了各类电子产品不可或缺的一部分，是现代电子产品的核心之一。
4. MOS场效应管（MOSFET）：MOSFET是一种基于金属-氧化物-半导体的结构的场效应晶体管，它在功率控制、开关电路、放大器等方面有着重要的应用。
MOSFET在各类电源、电动机控制等领域得到了广泛的应用。
半导体FAB厂PIE入门技术知识解读(2024)
引入新技术和新方法
关注行业发展趋势，及时引入新技术和新方法，提升企业的技术水 平和竞争力。
26
THANKS
感谢观看
2024/1/26
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采用化学或物理方法，去除晶圆表面未被保护的薄膜部 分，形成所需图形。
掺杂与退火
通过离子注入或扩散等方法，将杂质元素掺入晶圆，改 变其导电性能；随后进行退火处理，消除晶格缺陷。
检测与封装
对制造完成的晶圆进行电学、光学等检测，确保产品质 量；最后进行切割、封装等工序，得到成品芯片。
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关键设备与技术原理
2024/1/26
金属材料
用于制作电极、互联线等导电结构。常用金属材料包括铝 、铜等，具有低电阻率、良好可焊性等特点。
高分子材料
用于制作封装材料、粘合剂等。高分子材料具有多样性、 易加工性等特点，在半导体制造中起到重要作用。
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03
CATALOGUE
工艺整合基本概念及实践
2024/1/26
11
工艺整合目标与方法论
半导体FAB厂 PIE入门技术知 识解读
2024/1/26
1
目 录
2024/1/26
• PIE概述与职责 • 半导体制造基础知识 • 工艺整合基本概念及实践 • 设备故障排查与维护保养技巧 • 生产过程中的异常处理与改进措施 • 质量管理与持续改进方向探讨
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2024/1/26
01
CATALOGUE
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20
针对性解决方案设计和实施
解决方案设计
针对不同类型的异常，制定相应的解决方案。例如，对于设备故障，可以采取 维修、更换部件等措施；对于工艺异常，可以调整工艺参数、优化工艺流程等 。
半导体FAB百问知识汇总
半导体FAB百问知识汇总
半导体FAB厂FAQ100问
影响工厂成本的主要因素有哪些？
答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片Indirect Material间接材料，例如气体Labor 人力Fixed Manufacturing机器折旧，维修，研究费用等ProducTIon Support其它相关单位所花费的费用
在FAB内，间接物料指哪些？
答：Gas 气体Chemical 酸，碱化学液PHOTO Chemical 光阻，显影液Slurry 研磨液Target 靶材Quartz 石英材料Pad ＆Disk 研磨垫Container 晶舟盒（用来放蕊片）Control Wafer 控片Test Wafe r测试，实验用的蕊片
什幺是变动成本（Variable Cost）？
答：成本随生产量之增减而增减．例如：直接材料，间接材料
什幺是固定成本（Fixed Cost）？
答：此种成本与产量无关，而与每一期间保持一固定数额．例如：设备租金，房屋折旧及檵器折旧
Yield（良率）会影响成本吗？如何影响？
答：Fab yield＝若无报废产生，投入完全等于产出，则成本耗费最小CP Yield：CP Yield 指测试一片芯片上所得到的有效的IC数目。
当产出芯片上的有效IC数目越多，即表示用相同制造时间所得到的效益愈大．
生产周期（Cycle TIme）对成本（Cost）的影响是什幺？
答：生产周期愈短，则工厂制造成本愈低。
正面效益如下：（1）积存在生产线上的在制品愈少（2）生产材料积存愈少（3）节省管理成本（4）产品交期短，赢得客户信赖，建立公司信誉
FAC。
半导体制造、Fab以及Silicon Processing的基本知识(想入此行当的朋友请先)
半导体制造、Fab以及Silicon Processing的基本知识(想入此行当的朋友请先)最近天涯有不少的弟兄谈到半导体行业，以及SMIC、Grace等企业的相关信息。
在许多弟兄迈进或者想要迈进这个行业之前，我想有许多知识和信息还是需要了解的。
正在半导体制造业刚刚全面兴起的时候，我加入了SMIC，在它的Fab里做了四年多。
历经SMIC生产线建立的全部过程，认识了许许多多的朋友，也和许许多多不同类型的客户打过交道。
也算有一些小小的经验。
就着工作的间隙，把这些东西慢慢的写出来和大家共享。
如果有什么错误和不当的地方，请大家留贴指正。
从什么地方开始讲呢？就从产业链开始吧。
有需求就有生产就有市场。
市场需求（或者潜在的市场需求）的变化是非常快的，尤其是消费类电子产品这类产品不同于DRAM，在市场上总是会有大量的需求。
也正是这种变化多端的市场需求，催生了两个种特别的半导体行业——Fab和Fab Less Design House。
我这一系列的帖子主要会讲Fab，但是在一开头会让大家对Fab周围的东西有个基本的了解。
像Intel、Toshiba这样的公司，它既有Design的部分，也有生产的部分。
这样的庞然大物在半导体界拥有极强的实力。
同样，像英飞凌这样专注于DRAM的公司，活得也很滋润。
至于韩国三星那是个什么都搞的怪物。
这些公司，他们通常都有自己的设计部门，自己生产自己的产品。
有些业界人士把这一类的企业称之为IDM。
但是随着技术的发展，要把更多的晶体管集成到更小的Chip上去，Silicon Process的前期投资变得非常的大。
一条8英寸的生产线，需要投资7~8亿美金；而一条12英寸的生产线，需要的投资达12~15亿美金。
能够负担这样投资的全世界来看也没有几家企业，这样一来就限制了芯片行业的发展。
准入的高门槛，使许多试图进入设计行业的人望洋兴叹。
这个时候台湾半导体教父张忠谋开创了一个新的行业——foundry。
fab晶圆厂常用半导体术语
fab晶圆厂常用半导体术语半导体技术是现代电子产业的基石，而晶圆厂作为半导体制造的核心环节，扮演着重要的角色。
在晶圆厂中，有许多常用的半导体术语，下面就来介绍一些生动、全面、有指导意义的术语。
1. 晶圆（Wafer）：指的是半导体的基础材料，一般由硅单晶片制成，具有圆形的形状。
晶圆在半导体制造过程中承载着电子元件的制造和集成。
2. 工艺流程（Process Flow）：是指半导体制造过程中的一系列工序，包括沉积、蚀刻、光刻、扩散、离子注入等。
不同的工艺流程能够实现不同的电子元件功能。
3. 晶圆复用（Wafer Reclaim）：指的是将已经使用过的晶圆进行清洗、抛光，去除表面污染和损伤，以便重新利用的过程。
晶圆复用可以节省成本和资源。
4. 掩膜（Mask）：用于光刻工艺中的模板，上面有电子元件的结构图案。
通过光刻，将掩膜上的图案转移到晶圆上，形成电路和器件。
5. 纯化（Purification）：指的是制造高纯度硅晶圆的过程。
高纯度硅晶圆的纯度要求非常高，能够确保半导体元件的性能和可靠性。
6. 掺杂（Doping）：是向半导体材料中加入杂质原子的过程，目的是改变材料的电导性质。
通过掺杂，可以形成p型和n型半导体，实现电子元件的特定功能。
7. 脱膜（Etching）：是指在蚀刻工艺过程中，将晶圆上特定区域的材料蚀刻掉，形成所需的结构图案。
脱膜可以通过化学液体或物理力量实现。
8. 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）：是一种常用的沉积工艺，通过在加热的晶圆表面，使气体中的化学物质反应并沉积在晶圆上。
CVD可以用来制造薄膜材料和气体反应器。
9. 电测（Electrical Testing）：是指对晶圆上制造的电子元件进行功能和性能测试的过程。
通过电测，可以判断半导体元件是否符合规格要求。
10. 包装封装（Packaging）：对制造好的半导体芯片进行包装和封装，以保护芯片并提供外部连接。
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CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属( 铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
常用的半导体材料为何答：硅(Si) 、锗(Ge)和砷化家(AsGa)何谓VLSI答：VLSI(Very Large Scale Integration) 超大规模集成电路在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺答：介电质(Dielectric) 薄膜区机台主要的功能为何答：沉积介电质层及金属层(Undoped Silicate Glass)何谓FSG?(Fluorinated Silicate Glass)答：Tetraethoxysilane 用途为沉积二氧化硅TEOS 在常温时是以何种形态存在?答：液体二氧化硅其K 值为 3.9 表示何义答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的 3.9 倍氟在CVD 的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber) 用之化学气体简述Endpoint detector 之作用原理.答：clean 制程时,利用生成物或反应物浓度的变化, 因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时, 即定义制程结束而该点为endpoint.机台使用的管件材料主要有那些?答：有不锈钢制(Stainless Steal), 黄铜制(Brass), 塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon) 四种.(Interlock)答：机台上interlock 有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.机台设定许多interlock 有何作用?答：机台上interlock 主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.Wafer Scrubber 的功能为何? 答：移除芯片表面的污染粒子ETCH 何谓蚀刻(Etch)? 答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
答：氧化硅/ 氮化硅何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂; 将不要的薄膜去除何谓电浆Plasma?答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.何谓干式蚀刻?晶圆答：利用 plasma 将不要的薄膜去除 何谓 Under-etching( 蚀刻不足 )? 答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留 何谓 Over-etching( 过蚀刻 ) 答：蚀刻过多造成底层被破坏 何谓 Etch rate( 蚀刻速率 ) 答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度 何谓Seasoning( 陈化处理 ) 答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真( dummy ) 进行数次的蚀刻循环。
Asher 的主要用途 :答：光阻去除Wet bench dryer 功用为何 ? 答：将晶圆表面的水份去除 列举目前 Wet bench dry 方法 : 答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry 何谓 Spin Dryer 答：利用离心力将晶圆表面的水份去除答：利用 IPA(异丙醇 )和水共溶原理将晶圆表面的水份去除 测 Particle 时 ,使用何种测量仪器 ?答：膜厚计 , 测量膜厚差值 何谓 AEI 答： After Etching Inspection 蚀刻后的检查AEI 目检 Wafer 须检查哪些项目 :答：(1) 正面颜色是否异常及刮伤 (2) 有无缺角及 Particle (3) 刻号是否正确 金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理 ?答：清机防止金属污染问题 金属蚀刻机台 Asher 的功用为何 ? 答：去光阻及防止腐蚀金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?答：因为金属线会溶于硫酸中"Hot Plate" 机台是什幺用途 ?答：烘烤Hot Plate 烘烤温度为何 ?答： 90~120 度 C何种气体为 Poly ETCH 主要使用气体 ? 答： Cl2, HBr, HCl用于 Al 金属蚀刻的主要气体为答： Cl2, BCl3用于 W 金属蚀刻的主要气体为 答： SF6何种气体为 oxide vai/contact ETCH 主要使用气体 ? 答： C4F8, C5F8, C4F6硫酸槽的化学成份为 : 答： H2SO4/H2O2AMP 槽的化学成份为 :答：NH4OH/H2O2/H2OUV curing 是什幺用途?答：利用 UV 光对光阻进行预处理以加强光阻的强度"UV curing" 用于何种层次 ? 答：金属层 何谓 EMO?答：机台紧急开关EMO 作用为何 ? 答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制 ,可紧急按下湿式蚀刻门上贴有那些警示标示 ?答：(1) 警告 .内部有严重危险 .严禁打开此门 (2) 机械手臂危险 .严禁打开此门 (3) 化 遇 IPA 槽着火时应如何处置 ?? 答：立即关闭 IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组 BOE 槽之主成份为何 ? 答： HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵 ).BOE 为那三个英文字缩写 ? 答： Buffered Oxide Etcher 。
有毒气体之阀柜 (VMB) 功用为何 ?答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走 ,并防止有毒气体漏出 电浆的频率一般 13.56 MHz, 为何不用其它频率 ?答 ：为避免影 响通讯 品质 ,目 前只开 放特 定频率,作为产 生电浆之用 ,如380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz 等 何谓 ESC(electrical static chuck) 答：利用静电吸附的原理 , 将Wafer 固定在极板 (Substrate) 上 Asher 主要气体为答：O2Asher 机台进行蚀刻最关键之参数为何ORIENTER 之用途为何？ 答：搜寻 notch 边 ,使芯片进反应腔的位置都固定 ,可追踪问题 简述 EPD 之功用 答：侦测蚀刻终点 ;End point detector 利用波长侦测蚀刻终点 何谓 MFC ？ 答： mass flow controler 气体流量控制器 ; 用于控制 反应气体的流量 GDP 为何 ? 答：气体分配盘 (gas distribution plate)GDP 有何作用？ 答：均匀地将气体分布于芯片上方 何谓 isotropic etch? 答：等向性蚀刻 ; 侧壁侧向蚀刻的机率均等 何谓 anisotropic etch?答：非等向性蚀刻 ; 侧壁侧向蚀刻的机率少 何谓 etch 选择比 ? 答：不同材质之蚀刻率比值何谓 AEI CD? 答：蚀刻后特定图形尺寸之大小 ,特征尺寸 (Critical Dimension) 何谓 CD bias?答：蚀刻CD 减蚀刻前黄光CD 简述何谓田口式实验计划法? 答：利用混合变因安排辅以统计归纳分析何谓反射功率?答：蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反射掉, 此反射之量,称为反射功率Load Lock 之功能为何?答：Wafers 经由loadlock 后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响.厂务供气系统中何谓Bulk Gas ? 答：Bulk Gas 为大气中普遍存在之制程气体, 如N2, O2, Ar 等. 厂务供气系统中何谓Inert Gas?机台维修时, 异常告示排及机台控制权应如何处理? 答：将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作冷却器的冷却液为何功用?答：传导热Etch 之废气有经何种方式处理? 答：利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽何谓RPM?答：即Remote Power Module, 系统总电源箱. 火灾异常处理程序答：(1) 立即警告周围人员. (2) 尝试 3 秒钟灭火. (3) 按下EMO停止机台. (4) 关闭VMB Valve 并通知厂务. (5) 撤离. 一氧化碳(CO) 侦测器警报异常处理程序答：(1) 警告周围人员.(2) 按Pause 键,暂止Run 货. (3) 立即关闭VMB 阀,并通知厂务. (4) 进行测漏.高压电击异常处理程序答：(1) 确认安全无虑下,按EMO键(2) 确认受伤原因(误触电源,漏水等)(3) 处理受伤人员T/C ( 传送Transfer Chamber) 之功能为何?(3)答：(1) 首先确立chamber parts 组装完整(2) 以dry pump 作第一阶段的真空建立(3) 当圧力到达100mT Ｄ寺再以turbo pump 抽真空至1mT 以下真空计的功能为何?答：侦测chamber 的压力,确保wafer 在一定的压力下processTransfer module 之robot 功用为何?答：将wafer 传进chamber 与传出chamber 之用何谓MTBC? (mean time between clean)为何需要注意dry pump exhaust presure (pump 出口端的气压)?答：因为气压若太大会造成pump 负荷过大;造成pump 跳掉,影响chamber 的压力, 直接影响到run 货品质为何要做漏率测试? (Leak rate )答：(1) 在PM 后PUMP Down 1~2 小时后;为确保chamber Run 货时,无大气进入chamble 影响chamber GAS 成份(2) 在日常测试时, 为确保chamber 内来自大气的泄漏源故需测漏机台发生Alarm 时应如何处理?答：(1) 若为火警,立即圧下EMO(紧急按钮),并灭火且通知相关人员与主管(2) 若是一般异常,请先检查alarm 讯息再判定异常原因,进而解决问题, 若未能处理应立即通知主要负责人蚀刻机台废气排放分为那几类? 答：一般无毒性废气/ 有毒酸性废气排放蚀刻机台使用的电源为多少伏特(v)?答：208V 三相干式蚀刻机台分为那几个部份?答：(1) Load/Unload 端(2) transfer module (3) Chamber process module (4) 真空系统(5) GAS system (6) RF systemPHOTOPHOTO 流程?答：上光阻→曝光→显影→显影後检查→ CD 量测→ Overlay 量测何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist( 光阻). 是一种感光的物质，其作用是将Pattern 从光罩(Reticle) 上传递到Wafer 上的一种介质。