集成电路论文

合集下载

集成电路综述论文

集成电路综述论文

集成电路的过去、现在和未来摘要:本文简要介绍了集成电路的发展历史、发展现状和发展前景。

着重介绍了集成电路技术在一些领域的应用和我国集成电路产业的现状和发展。

关键词:集成电路技术应用电子信息技术一、发展历史集成电路的发明和应用是人类20世纪科技发展史上一颗最为璀璨的明珠。

50多年来,集成电路不仅给经济繁荣、社会进步和国家安全等方面带来了巨大成功,而且改变了人们的生产、生活和思维方式。

当前集成电路已是无处不有、无时不在。

她已经成为人类文明不可缺乏的重要内容。

1949年12月23日,美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿三人研究小组发现了晶体管效应,并在此基础上制出了世界上第一枚锗点接触晶体管,从此开创了人类大规模利用半导体的新时代。

两年后肖克莱首次提出了晶体管理论。

1953年出现了锗合金晶体管,1955年又出现了扩散基区锗合金晶体管。

1957年美国仙童公司利用硅晶片上热生长二氧化硅工艺制造出世界上第一只硅平面晶体管。

从此,硅成为人类利用半导体材料的主要角色。

1958年美国德州仪器公司青年工程师基尔比制作出世界上第一块集成电路。

1960年初美国仙童公司的诺依思制造出第一块实用化的集成电路芯片。

集成电路的发明为人类开创了微电子时代的新纪元。

在此后的五十多年里,集成电路技术发展迅速,至今,半导体领域中获得过诺贝尔物理奖的发明创造已有5项。

晶体管由于其广泛的用途而被迅速投入工业生产,“硅谷”成为世界集成电路的策源地,并由此向世界多个国家和地区辐射:上世纪60年代向西欧辐射,70年代向日本转移,80年代又向韩国、我国台湾和新加坡转移。

至上世纪90年代,集成电路产业已成为一个高度国际化的产业。

发展现状简介集成电路具有多种特点,如其体积小、质量轻、功能齐全、可靠性高、安装方便、频率特性好、专用性强以及元器件的性能参数比较一致,对称性好。

目前最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的“核心”,可以控制电脑、手机到数字微波炉的一切。

集成电路封装工艺(毕业学术论文设计)

集成电路封装工艺(毕业学术论文设计)

集成电路封装工艺(毕业学术论文设计)摘要本文对集成电路封装工艺进行了研究和设计,旨在提出一种能够满足高性能、小尺寸和低功耗要求的封装工艺方案。

首先,对集成电路封装的发展历程进行了简要回顾,并分析了目前常见的几种封装工艺类型。

然后,针对目标封装工艺的要求,提出了一种新型封装工艺方案,并详细介绍了该方案的工艺流程和关键步骤。

最后,通过实验和性能评估,验证了该封装工艺方案的可行性和效果。

1. 引言集成电路是现代电子技术的核心,随着技术的进步,集成电路的封装工艺也在不断发展和改进。

封装工艺的优劣直接影响到集成电路的性能、尺寸和功耗等方面,因此,设计一种高性能、小尺寸和低功耗的封装工艺方案成为当前的研究热点。

本文旨在提出一种新型封装工艺方案,以满足目标集成电路的需求。

具体来说,本文的研究目标包括以下几个方面: - 提高集成电路的性能指标,如工作频率、时序特性等; - 减小集成电路的尺寸,提高空间利用率; - 降低集成电路的功耗,延长电池寿命。

2. 集成电路封装工艺的发展历程封装工艺是将集成电路芯片与引线、封装材料等相结合,形成成品电路的过程。

在集成电路的发展过程中,封装工艺经历了多个阶段的演进。

在早期,集成电路的封装工艺主要采用插针式DIP(Dual In-line Package)封装,这种封装形式简单、容易实现,但存在尺寸大、布线难、散热困难等问题。

随着技术的进步,表面贴装封装(Surface Mount Technology,SMT)逐渐成为主流。

SMT封装工艺避免了插针式封装的缺点,大大提高了集成电路的密度和性能。

近年来,随着集成电路的尺寸不断缩小,新型封装工艺如无封装封装(Wafer Level Package,WLP)、芯片级封装(Chip Scale Package,CSP)、三维封装等逐渐崭露头角。

这些封装工艺以其小尺寸、高性能和低功耗的特点,成为了当前研究的热点。

3. 目标封装工艺方案设计根据上述研究目标,本文提出了一种基于芯片级封装和三维封装技术的新型封装工艺方案。

集成电路版图设计论文

集成电路版图设计论文

集成电路版图设计班级12级微电子姓名陈仁浩学号2012221105240013摘要:介绍了集成电路版图设计的各个环节及设计过程中需注意的问题,然后将IC版图设计与PCB版图设计进行对比,分析两者的差异。

最后介绍了集成电路版图设计师这一职业,加深对该行业的认识。

关键词: 集成电路版图设计引言: 集成电路版图设计是实现集成电路制造所必不可少的设计环节,它不仅关系到集成电路的功能是否正确,而且也会极大程度地影响集成电路的性能、成本与功耗。

近年来迅速发展的计算机、通信、嵌入式或便携式设备中集成电路的高性能低功耗运行都离不开集成电路掩模版图的精心设计。

一个优秀的掩模版图设计者对于开发超性能的集成电路是极其关键的。

一、集成电路版图设计的过程集成电路设计的流程:系统设计、逻辑设计、电路设计(包括:布局布线验证)、版图设计版图后仿真(加上寄生负载后检查设计是否能够正常工作)。

集成电路版图设计是集成电路从电路拓扑到电路芯片的一个重要的设计过程,它需要设计者具有电路及电子元件的工作原理与工艺制造方面的基础知识,还需要设计者熟练运用绘图软件对电路进行合理的布局规划,设计出最大程度体现高性能、低功耗、低成本、能实际可靠工作的芯片版图。

集成电路版图设计包括数字电路、模拟电路、标准单元、高频电路、双极型和射频集成电路等的版图设计。

具体的过程为:1、画版图之前,应与IC 工程师建立良好沟通在画版图之前,应该向电路设计者了解PAD 摆放的顺序及位置,了解版图的最终面积是多少。

在电路当中,哪些功能块之间要放在比较近的位置。

哪些器件需要良好的匹配。

了解该芯片的电源线和地线一共有几组,每组之间各自是如何分布在版图上的? IC 工程师要求的工作进度与自己预估的进度有哪些出入?2、全局设计:这个布局图应该和功能框图或电路图大体一致,然后根据模块的面积大小进行调整。

布局设计的另一个重要的任务是焊盘的布局。

焊盘的安排要便于内部信号的连接,要尽量节省芯片面积以减少制作成本。

关于集成电路的英语作文

关于集成电路的英语作文

关于集成电路的英语作文英文回答:Integrated circuits (ICs), also known as microchips, are small electronic devices that contain a large number of transistors and other electronic components packed into a small space. They are used in a wide range of electronic devices, from computers and smartphones to cars and medical devices.The main components of an IC are transistors, which act as switches or amplifiers, and resistors and capacitors, which control the flow of electricity. ICs are manufactured using a process called photolithography, in which a pattern is created on a silicon wafer using ultraviolet light. The pattern is then etched into the silicon wafer to create the transistors and other components.The first IC was developed in 1958 by Jack Kilby of Texas Instruments. It contained only a few transistors, butit was the foundation for the development of more complex ICs. In the 1970s, the development of large-scale integration (LSI) technology allowed for the creation of ICs with thousands of transistors. This led to the development of microprocessors, which are the central processing units (CPUs) of computers.Today, ICs are used in a wide range of applications, including:Computers.Smartphones.Cars.Medical devices.Industrial automation.Military equipment.ICs have revolutionized the electronics industry and made it possible to create devices that are smaller, faster, and more efficient. They are essential for the developmentof new technologies and will continue to play a vital rolein the future of electronics.中文回答:什么是集成电路。

集成电路英语作文

集成电路英语作文

集成电路英语作文English:An integrated circuit (IC) is a small electronic device made up of several interconnected components such as transistors, resistors, diodes, and capacitors, all etched onto a single semiconductor substrate. They are commonly referred to as chips or microchips and are the building blocks of modern electronic devices. Integrated circuits have revolutionized the field of electronics by enabling the fabrication of complex electronic systems in a small package. They have significantly reduced the size, cost, and power consumption of electronic devices while increasing their performance and reliability. Integrated circuits are used in a wide range of applications, from consumer electronics like smartphones and laptops to industrial control systems and medical devices. The continuous advancements in IC technology have led to the development of more powerful and energy-efficient devices, pushing the boundaries of what was previously thought possible.中文翻译:集成电路(IC)是由几个互相连接的组件组成的小型电子设备,如晶体管、电阻、二极管和电容器,所有这些都在单一半导体基底上刻蚀而成。

集成电路专业公开发过的论文摘要参考

集成电路专业公开发过的论文摘要参考

集成电路专业公开发过的论文摘要参考集成电路专业是电子工程的一个重要分支,在现代电子技术发展中发挥着至关重要的作用。

以下是一些公开发过的集成电路专业论文的摘要,希望能够给读者提供一些参考和启示。

论文一:基于图像处理技术的集成电路缺陷检测该论文旨在通过图像处理技术,实现对集成电路制造过程中可能存在的缺陷进行高效、精准的检测。

其中,研究人员首先对待检测的集成电路样品进行图像采集和预处理,之后通过图像分割、形态学处理等方法,得到集成电路的纹理特征和周边信息;接着,研究人员结合机器学习算法,对图像特征进行训练,并建立了一套自适应的缺陷检测模型,该模型可以根据不同物理特性的缺陷进行分类检测。

最终,实验结果表明,该方法可以高效地检测出所有缺陷,并具有较高的准确率和鲁棒性。

论文二:集成电路中时钟树设计优化该论文针对时钟树在集成电路设计中的重要性,研究了一种基于最短路径算法的时钟树设计方法,并将其在FPGA芯片的设计中进行了验证。

研究人员首先通过全局路径搜索,得到了传输时钟所需的最短路径,然后利用具有流动性的O(1)时钟基准树来构建大型时钟树,并利用所提出的动态调度算法实现了布图。

最后,以Xilinx Virtex-6系列FPGA芯片为例验证了该方法的有效性和性能。

结果表明,该时钟树设计方法能够提高系统时钟频率,减少功耗,并且实现的时钟延迟在一个可接受的范围内。

论文三:基于ICM方法的真实时间温度补偿电路设计该论文通过Intelligent Compensation Method (ICM)算法,提出了一种适应环境温度变化的实时温度补偿电路设计方法,该方法较好地解决了温度变化对集成电路的影响。

该方法的设计流程具有非常高的仿真准确率和强鲁棒性,通过对多组不同情况下的温度测试数据进行仿真分析,可以得出该方法的设计误差率和热滞后现象均比传统方法更低。

最终,实验结果表明,该设计方法可以有效地提高真实时间系统的可靠性和鲁棒性。

超大规模集成电路论文

超大规模集成电路论文

课程论文(超大规模集成电路设计)题目基于CPLD的曼彻斯特编解码器设计专业学生姓名学号得分基于CPLD的曼彻斯特编解码器设计引言虽然计算机通信的方法和手段多种多样,但都必须依靠数据通信技术。

数据通信就是将数据信号加到数据传输信道上进行传输,并在接收点将原始发送的数据正确地恢复过来。

由于计算机产生的一般都是数字信号,因此计算机之间的通信实际上都属于数据通信。

曼彻斯特码编解码器是1553B总线接口中不可缺少的重要组成部分,曼彻斯特码编解码器设计的好坏直接影响总线接口的性能,在数控测井系统和无线监控等领域,曼彻斯特码编解码器都有广泛应用。

1 数据通信系统结构图1所示是数据通信系统的基本构成。

在计算机通信中,通信双方传递的信息必须进行量化并以某种形式进行编码后才能进行传输。

机内信号不论采用哪一种编码方法,它们的基本信号都是脉冲信号,为了减少信号在传输媒质上的通信带宽限制,以及噪音、衰减、时延等影响,也由于同步技术的需要,操作时都需要对简单的脉冲信号进行一些不同的变换,以适合传输的需要。

这样就会产生许多不同的代码,通常有不归零电平(NRZ-L)码,逢“1”反转(NRZ-1)码,曼彻斯特码和差分曼彻斯特等。

图2所示是部分编码方式的波形图。

由图2可知,不归零码的制码原理是用负电平表示“0”,正电平表示“1”,其缺点是难以分辨一位的结束和另一位的开始;发送方和接收方必须有时钟同步;若信号中“0”或“1”连续出现,信号直流分量将累加,这样就容易产生传播错误。

曼彻斯特码(Manchester)的原理是每一位中间都有一个跳变,从低跳到高表示“0”,从高跳到低表示“1”。

这种编码方式克服了NRZ码的不足。

每位中间的跳变即可作为数据,又可作为时钟,因而能够自同步。

曼彻斯特编码特点是每传输一位数据都对应一次跳变,因而利于同步信号的提取,而且直流分量恒定不变。

缺点是数据编码后,脉冲频率为数据传输速度的2倍。

差分曼彻斯特码(Differential Manchester)的原理是每一位中间都有一个跳变,每位开始时有跳变表示“0”,无跳变表示“1”。

集成电路封装工艺(毕业学术论文设计)

集成电路封装工艺(毕业学术论文设计)

集成电路封装工艺(毕业学术论文设计)本文旨在介绍集成电路封装工艺的重要性和研究背景,以及阐述本论文的目的和结构安排。

集成电路是现代电子技术中的关键组成部分,其封装工艺对于保护集成电路的完整性和性能至关重要。

随着集成电路的不断发展,封装工艺的研究和优化变得越发重要。

本论文旨在研究集成电路封装工艺的相关技术和方法,以提高封装工艺的效率和可靠性。

本论文的结构安排如下:引言:介绍集成电路封装工艺的重要性和研究背景,说明本论文的目的和结构安排。

相关工艺:介绍集成电路封装工艺的基本概念和技术,包括封装材料、封装方法等。

封装工艺优化:探讨封装工艺中存在的问题和挑战,并提出相应的优化策略和方法。

实验与结果:介绍针对集成电路封装工艺的实验设计和实验结果分析,验证优化策略的有效性。

结论:总结论文的主要研究内容、取得的成果以及未来可能的研究方向。

希望通过本论文的研究,能够对集成电路封装工艺的优化和发展提供有益的参考和指导。

本文详细介绍集成电路封装工艺的定义、组成和基本流程,包括设计、布局、封装材料选择、封装技术等内容。

集成电路封装工艺是将裸露的集成电路芯片封装在一个外部封装材料中,以提供保护和连接功能的一种技术。

它是集成电路制造过程中不可或缺的一环。

封装工艺的组成部分包括设计、布局、封装材料选择和封装技术。

设计集成电路封装工艺的设计阶段涉及到确定芯片封装的物理特性和封装类型。

封装设计需要考虑到芯片的尺寸、引脚数量、电气性能、散热需求等因素。

布局封装布局是将芯片和周围器件的引脚连接起来的过程。

在布局阶段,需要精确安排引脚的位置和间距,以确保信号传输效果和封装可靠性。

封装材料选择在选择封装材料时,需要考虑到材料的导热性能、机械强度、耐化学性等因素。

常用的封装材料包括塑料、陶瓷和金属等。

封装技术封装技术涉及到将芯片与封装材料进行物理连接的过程。

常见的封装技术包括焊接、黏贴、球栅阵列(BGA)等。

集成电路封装工艺的基本流程包括设计、布局、材料选择和封装技术。

集成电路的发展 论文【范本模板】

集成电路的发展 论文【范本模板】

论文题目:集成电路的发展学院: 班级:姓名:学号:集成电路的发展摘要集成电路不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用,同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。

用集成电路来装配电子设备,其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍,设备的稳定工作时间也可大大提高。

在当今这信息化的社会中,集成电路已成为各行各业实现信息化、智能化的基础。

无论是在军事还是民用上,它已起着不可替代的作用。

本文试论由集成电路的发展史到未来发展趋势。

关键词:集成电路发展史未来发展趋势晶体管MOS1、集成电路概述所谓集成电路(IC),就是在一块极小的硅单晶片上,利用半导体工艺制作上许多晶体二极管、三极管及电阻、电容等元件,并连接成完成特定电子技术功能的电子电路.从外观上看,它已成为一个不可分割的完整器件,集成电路在体积、重量、耗电、寿命、可靠性及电性能方面远远优于晶体管元件组成的电路,目前为止已广泛应用于电子设备、仪器仪表及电视机、录像机等电子设备中。

2、集成电路发展史1) 发现和研究半导体效应1833-第一次记录了半导体效应1874-发现半导体点接触整流效应1901—场效应半导体器件概念申请专利1931-出版《半导体电子理论》1940-p-n结的发现1947年12月16日-“触点式”晶体管的发明1948—结型晶体管的诞生1952—贝尔实验室授权晶体管技术2)“集成电路”的发明1958—杰克·基尔比(Jack Kilby)展示了“固态电路"1959-平面工艺的发明导致了单片集成电路的发明3)金属氧化物半导体(MOS)和互补型金属氧化物半导体(CMOS)的发明1960-制成首个金属氧化半导体(MOS)绝缘栅场效应晶体管1963—发明互补型MOS电路结构4)集成电路工业进入发展期1963—开发标准逻辑集成电路系列1964—混合微型电路达产量高峰1964-第一块商用MOS集成电路诞生1964-第一个广泛应用的模拟集成电路诞生1965-适合于系统集成的封装设计1965-只读型存储是第一个专用存储IC存储1966-为高速存储开发的半导体RSMs1968-集成了数据转换功能的电流源集成电路1968—为集成电路开发的硅栅技术1969—肖特基势垒二极管让TTL存储器的速度加倍1970—MOS动态随机存取存储器(DRAM)与磁芯存储器价格相近1971—微处理器将CPU功能浓缩进单个芯片1974-数字显示式手表是第一块片上系统(SoC)集成电路1978-(可程序化行列逻辑)用户可编程逻辑器件诞生1979-单片数字信号处理器诞生3、集成电路未来发展趋势及新技术3。

模拟电路之集成电路论文

模拟电路之集成电路论文

集成运放集成电路是一种将“管”和“路”紧密结合的器件,它以半导体单晶硅为芯片,采用专门的制造工艺,把晶体管、场效应管、二极管电阻和电容等元件及他们之间的连线所组成的完整电路制作在一起,是指具有特定的功能。

集成放大电路最初多用于各种模拟信号的运算(如比例、求和、求差、积分、微分……)上,故被称为运算放大电路,简称集成运放。

集成运放广泛用于模拟信号的处理和产生电路之中,因其高性能低价位,在大多数情况下,已经取代了分立元件放大电路。

从本质上看,集成运放是一种高性能的直接耦合放大电路。

并且它种类繁多。

按供电方式可将运放分为双模供电和单模供电,在双模供电中又分正、负电源对成型和不对称型供电。

按照集成运算放大器的参数可分为通用性和特殊型两类,通用型运放用于无特殊要求的电路中,其性能指标的数值范围如表1所示,少数运放可能超出表中数值范围。

特殊性运放可分通用型运算放大器、高阻型运算放大器、低温漂型运算放大器、高速型运算放大器、低功耗型运算放大器、高压大功率型运算放大器。

表1。

通用型运算放大器就是以通用为目的而设计的。

这类器件的主要特点是价格低廉、产品量大面广,其性能指标能适合于一般性使用。

例mA741(单运放)、LM358(双运放)、LM324(四运放)及以场效应管为输入级的LF356都属于此种。

它们是目前应用最为广泛的集成运算放大器。

这类集成运算放大器的特点是差模输入阻抗非常高,输入偏置电流非常小,一般rid>(109~1012)W,IIB为几皮安到几十皮安。

实现这些指标的主要措施是利用场效应管高输入阻抗的特点,用场效应管组成运算放大器的差分输入级。

用FET作输入级,不仅输入阻抗高,输入偏置电流低,而且具有高速、宽带和低噪声等优点,但输入失调电压较大。

常见的集成器件有LF356、LF355、LF347(四运放)及更高输入阻抗的CA3130、CA3140等。

在精密仪器、弱信号检测等自动控制仪表中,总是希望运算放大器的失调电压要小且不随温度的变化而变化。

【毕业论文写作攻略大全攻略】-半导体专业集成电路设计论文题目有哪些

【毕业论文写作攻略大全攻略】-半导体专业集成电路设计论文题目有哪些

半导体专业集成电路设计论文题目一:1、基于遗传算法的模拟集成电路优化设计2、一种关于PCB铜板表面缺陷检测的AOI设计3、基于3D打印的高导电石墨烯基柔性电路的构建与性能研究4、CMOS太赫兹探测器的优化设计研究5、石墨烯基喷墨打印墨水及其柔性电路的制备研究6、基于工艺偏差的带隙基准电压源设计7、基于CMOS工艺的太赫兹成像芯片研究8、PCB元器件定位与识别技术研究9、基于机器视觉的PCB缺陷自动检测系统10、纳米银导电墨水的制备及室温打印性能研究11、高散热印制电路材料与互连的构建研究12、基于CMOS工艺的射频毫米波锁相环集成电路关键技术研究13、高速高密度PCB信号完整性与电源完整性研究14、温度冲击条件下PCB无铅焊点可靠性研究15、多层PCB过孔转换结构的信号完整性分析16、基于近场扫描的高速电路电磁辐射建模研究17、铜/树脂界面结合力的研究及其在印制线路板制造中的应用18、基于HFSS的高速PCB信号完整性研究19、基于CMOS工艺的全芯片ESD设计20、高速板级电路及硅通孔三维封装集成的电磁特性研究21、CMOS电荷泵锁相环的分析与设计22、CMOS射频接收集成电路关键技术研究与设计实现23、PCB铜表面的抗氧化处理方法24、高速电路PCB的信号完整性和电源完整性仿真分析25、面向PCB焊点检测的关键技术研究26、CMOS工艺静电保护电路与器件的特性分析和优化设计27、PCB光学特性对PCB光电外观检查机性能的影响机理28、印制电路板表面涂覆层与刚挠分层的失效分析研究29、贴片机同步带传动XY平台的伺服控制系统设计30、HDMI视频接口电路信号完整性设计31、嵌入挠性线路印制电路板工艺技术研究及应用32、基于MIPI协议的LCD驱动接口数字集成电路设计33、HDI印制电路板精细线路及埋孔制作关键技术与应用34、辐照环境中通信数字集成电路软错误预测建模研究35、PCI-E总线高速数据采集卡的研制36、数字电路功耗分析及优化的研究37、高性能环氧树脂基覆铜板的研制38、高压集成电路中LDMOS结构在ESD应力下的特性研究39、柔性印制电路板自动生产设备关键技术研究40、微纳器件中近场热辐射现象及其测试技术研究半导体专业集成电路设计论文题目二:41、PCB表观缺陷的自动光学检测理论与技术42、数字集成电路故障模型研究及故障注入平台设计43、PCB通孔电镀铜添加剂的分子模拟及其作用机制的研究44、基于DLL的时钟产生器设计45、一种低速高精度Sigma-Delta调制器的研究与设计46、基于Hyperlynx的PCB板信号完整性分析47、基于CST软件的PCB板电磁兼容仿真技术研究48、MEMS加速度传感器读出电路设计49、基于IEEE 1394b的SerDes芯片数字电路设计与实现50、高能物理实验高速光纤驱动器ASIC芯片设计51、低功耗高速可植入式UWB发射机与接收机芯片的研究52、印刷电路板的智能检测系统研究53、基于标准CMOS工艺的光接收机前置放大器设计54、CMOS带隙基准源高阶温度补偿的设计与仿真55、MIPI高速数据接口的研究与实现56、挠性PCB的制作工艺参数优化研究及应用57、一种快速锁定锁相环的设计与分析58、一种新型低功耗频率可调振荡电路的设计59、纳米工艺下低压低功耗带隙基准源的研究60、高速电路设计中的信号完整性分析61、PCB辐射电磁干扰噪声诊断与抑制方法研究62、HDI印制电路板通孔电镀和盲孔填铜共镀技术的研究63、PCB板特性阻抗测试方法研究64、带数字自校正的CMOS带隙基准电压源设计65、CMOS图像传感器像素光敏器件研究66、高速电路中板级PI和EMI的分析与设计67、TD-LTE基带芯片验证系统信号完整性研究68、带有宽频PWM调光范围的高效升压型白光LED驱动的设计69、集成电路系统级ESD防护研究70、基于信号完整性的PCB仿真设计与分析研究71、一款高效率D类音频功率放大器芯片的设计72、一种基于锁相环的时钟数据恢复电路的设计与实现73、亚阈值CMOS电压基准源的研究与设计74、基于计算机主板高速PCB电磁兼容设计和应用75、锂离子电池充电芯片设计76、集成带隙基准源设计77、FPC外观缺陷自动光学检测关键技术研究78、多路输出LLC串并联谐振电路PCB电磁兼容的研究79、高速PCB电源完整性研究80、低压低温度系数高电源抑制比的带隙基准源设计半导体专业集成电路设计论文题目三:81、高PSRR低功耗LDO的设计82、微图形化技术在印刷电子材料的应用研究83、基于红外成像系统的低温读出电路设计技术研究84、高速PCB的信号和电源完整性问题研究85、数字集成电路设计方法的研究86、高速PCB信号反射及串扰仿真分析87、高效率电压模同步降压型DC-DC转换器的研究与设计88、印刷电路板焊点智能检测算法的研究89、微细钻头钻削印刷电路板加工机理研究90、CMOS工艺的低电压低噪声放大器研究91、高速PCB板信号完整性仿真分析及应用92、高速PCB电源完整性设计与分析93、数字集成电路测试系统软件设计94、高速电路信号完整性分析与设计95、低压带隙基准源的设计96、高速PCB信号完整性设计与分析97、PCB传输线信号完整性及电磁兼容特性研究98、高性能带隙基准电压源的分析与设计99、高性能带隙基准电压源芯片的设计与研究100、无电容型LDO的稳定性与频率补偿方法101、CMOS带隙基准源的研究与设计102、高速数模混合电路信号完整性分析与PCB设计103、低压低功耗CMOS基准源补偿策略及电路设计104、基于电路级的低功耗关键技术研究105、电子电路PCB的散热分析与设计106、基于粒子群算法的PCB板上电子元件的热布局优化107、基于轮廓对比的PCB裸板缺陷检测算法研究108、宽频率范围低抖动锁相环的研究与设计109、CMOS射频集成电路片上ESD防护研究110、基于图像处理的PCB缺陷检测系统的设计与研究111、CMOS集成电荷泵锁相环的理论研究与电路设计112、高精度、低噪声LDO线性调整器的设计113、高速PCB信号完整性分析及硬件系统设计中的应用114、先进CMOS高k栅介质的实验与理论研究115、信号完整性在PCB可靠性设计中的应用116、带曲率补偿的带隙基准及过温保护电路研究与设计117、基于机器视觉的PCB微钻几何参数精密检测技术研究118、低压低功耗CMOS带隙基准电压源设计119、PCB工艺对射频传输性能影响的研究120、基于小波矩量法的PCB平面螺旋电感研究半导体专业集成电路设计论文题目四:121、PCB视觉检测系统的研究122、PCB缺陷自动检测系统的研究与设计123、大功率照明白光LED CMOS恒流驱动电路设计与研究124、高速数字PCB互连设计信号完整性研究125、数字集成电路低功耗优化设计研究126、10G小型化热插拔光收发模块高速电路设计与研究127、PCB信号完整性分析与设计128、高性能带隙基准源的设计与实现129、开关电源PCB电路电磁辐射研究130、基于高低压兼容工艺的高压驱动集成电路131、CMOS带隙基准源的研究与实现132、印刷电路板自动光学检测系统的设计与研究133、AOI技术在PCB缺陷检测中的应用研究134、高速数字电路的信号完整性分析及其应用135、低压低功耗CMOS基准参考源的设计136、基于超临界流体技术的印刷线路板再资源化工艺与方法研究137、印刷电路板检测系统的研究与应用138、高速PCB信号完整性分析及应用139、高频干扰对PCB电磁兼容性影响的分析与PCB优化140、超深亚微米CMOS集成电路功耗估计方法及相关算法研究141、高性能CMOS带隙电压基准源的研究与设计142、信号完整性分析及其在高速PCB设计中的应用143、PCB的电磁兼容性研究144、一种采用锁相环技术的800MHz CMOS时钟发生器设计145、基于机器视觉的PCB检测系统的研究146、印制电路板有限元分析及其优化设计147、CMOS射频器件建模及低噪声放大器的设计研究148、高速PCB的信号完整性、电源完整性和电磁兼容性研究149、数字集成电路低功耗设计技术的研究及应用150、高性能聚四氟乙烯覆铜板研究151、SOI横向高压器件耐压模型和新器件结构研究152、印制电路板与集成电路组件的模态分析及振动可靠性研究153、电源芯片中CMOS带隙基准源与微调的设计与实现154、高速PCB板级信号完整性问题研究155、CMOS锁相环时钟发生器的设计与研究156、高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究157、PCB板缺陷自动检测技术的分析研究158、硅集成电感及CMOS射频集成电路研究159、图像法检测印刷电路板缺陷160、用VHDL语言设计基于FPGA器件的高采样率FIR滤波器附如何合理安排毕业论文写作时间?十个实用的时间管理方法!预收从速时间管理方法并不是要把所有事情做完,而是更有效的运用时间。

《集成电路技术与发展综述》课程论文

《集成电路技术与发展综述》课程论文

集成电路技术的现状与发展趋势摘要:1958年美国德克萨斯仪器公司发明全球第一块集成电路后,随着硅平面技术的发展,20世纪60年代先后发明双极型和MOS型两种重要电路,创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业——集成电路产业。

关键词:集成电路,晶体管,发展状况集成电路现在已经是工业界,商业界所必不可少的‘家伙’了,最具盛名的就是苹果公司的产品,包括iMac,iPhone,iPad,等等,其产品的精髓就在于其内置的高水平集成电路技术,如果你要说是他们的设计出众的话,我就要插一句了,如果没有高端的技术,任你的设计再怎么好看,你能再那么好看的产品上实现众多智能化的功能吗?而Macbook Air就是领先业界好几年的产品,同样的设计几乎所有公司能请设计师搞出来,为什么苹果就能在同时做出产品来?所以体积小,集成度高的电路板技术的设计与制造,现今已成为所有智能化产业所必不可少的核心技术。

自打2005年谷歌收购Android和2007年iPhone和iOS问世,移动设备智能化到达了一个井喷的时代,至今,移动设备芯片已经能与当年的电脑相当,如高通的snapdragon 800系列,苹果的A7处理器,还有国产的MTK,以及显卡巨头Tegra,设备的制造技术已经达到22nm 级的工艺水平,而原有的PC和笔记本处理器在Intel和AMD两大公司的发展下也都到达了惊人的高水平阶段,尤其是Intel的E系列,民用的i系列,几乎是现在旗舰电脑的标配。

而正是这些高性能集成芯片的高速发展,与之匹配大规模集成电路技术也在节节提升,出现了现在超级本,iPad Air等小巧精致但性能优越的产品。

我国的集成电路技术经过30年的发展,我国已初步形成了设计、芯片制造和封测三业并举、较为协调的发展格局,产业链基本形成。

2001年我国设计业、芯片制造业、封测业的销售额分别为11亿元、27.2亿元、161.1亿元,分别占全年总销售额的5.6%、13.6%、80.8%,产业结构不尽合理。

高温对集成电路的影响论文

高温对集成电路的影响论文

高温对集成电路的影响论文高温对集成电路的影响摘要:集成电路是现代电子技术的基础,然而,高温环境对集成电路的性能和可靠性产生明显的负面影响。

本文将探讨高温对集成电路功能和可靠性的影响,并提出一些解决方案,以应对高温环境下的电路问题。

引言:随着科技的进步,集成电路在各个领域得到广泛应用,比如个人电子设备、汽车电子、医疗器械等。

然而,一些特定应用场景中的高温环境会导致集成电路的性能下降和失效,从而影响设备的正常运行。

因此,研究高温对集成电路的影响对于提高电路的可靠性和稳定性至关重要。

高温对集成电路功能的影响:高温环境会导致集成电路内部的晶体管温度升高,进而影响晶体管的电特性和开关速度。

温度升高会引起电特性的漂移,使得电路的门限电压发生变化,进而影响电路的逻辑功能。

此外,高温还会导致电路中的电子元件扩散速率加快,从而增加电路中的串扰和噪声,降低电路的信噪比。

高温对集成电路可靠性的影响:高温环境对集成电路的可靠性产生巨大的挑战。

首先,高温会加速电路中的器件老化过程,导致寿命的缩短。

其次,高温环境中的热膨胀和热应力会导致集成电路内部产生应力集中,从而引起电路的损伤和失效。

此外,高温还会导致电路中的金属线材蠕动,从而引发电路中信号线路的断裂和短路。

解决方案:为了应对高温对集成电路的影响,需要采取一系列的解决方案。

首先,可以采用低温下测试的方式来评估电路的可靠性。

通过在低温环境下模拟高温条件,可以提前预测电路在高温环境下的性能和寿命。

其次,可以采用散热技术来有效降低集成电路的温度。

利用散热片、风扇或者液冷系统等方式,将热量有效地从电路中排出,以维持电路的温度在安全范围内。

此外,还可以采用温度补偿技术来消除高温环境对电路性能的影响。

通过在电路中添加温度传感器和温度补偿电路,可以实时检测电路的温度,并采取相应的措施来补偿电路的漂移。

结论:高温环境对集成电路的功能和可靠性产生显著的影响。

因此,需要采取一系列的措施来应对高温环境下的电路问题,提高电路的可靠性和稳定性。

集成电路工程毕业论文题目

集成电路工程毕业论文题目

集成电路工程毕业论文题目一、论文说明本团队专注于原创毕业论文写作与辅导服务,擅长案例分析、编程仿真、图表绘制、理论分析等,论文写作300起,所有定制的文档均享受免费论文修改服务,具体价格信息同时也提供对应的论文答辩辅导。

二、论文参考题目集成电路工程硕士毕业论文集成电路企业税收筹划研究TFT-LCD周边集成驱动电路的设计QVGA AM-OLED像素电路及集成一体化周边驱动电路的研究与设计中国集成电路产业发展战略AM-OLED像素及集成一体化周边驱动电路的研究与设计混合集成电路测试硬件电路测试板的设计混合信号集成电路自动测试设备的研究与实现数字集成电路自动测试硬件技术研究多通道高精度集成电路直流参数测试模拟集成电路自动化设计方法的研究中国集成电路产业发展战略研究集成电路芯片级热分析方法研究脉象识别神经网络集成电路研究模拟集成电路设计方法学及模拟IP设计技术的研究中小规模集成电路的自动化集成方法研究及应用集成电路生产车间的安全风险控制硅磁敏三极管开关集成电路设计上海集成电路企业创新网络研究基于TSV的三维集成电路分割算法的研究集成电路测试仪总体软件与人机界面设计集成电路布图设计的知识产权保护我国半导体集成电路企业创新生态系统耦合机制研究大功率模拟集成电路直流参数测试研究与实现上海市集成电路行业协会的知识产权管理厚膜集成电路的计算机辅助检验我国集成电路产业发展的现状分析与对策研究集成电路布图设计法律保护研究试论我国集成电路布图设计的特殊保护数字集成电路测试仪通信接口的研究与设计集成电路行业物质流分析若干问题研究定制集成电路设计流程研究集成电路测试系统微小微电子参量校准技术研究基片集成非辐射介质波导(SINRD)与平面电路的混合集成研究中国集成电路对外贸易问题的思考集成电路测试系统后逻辑支持电路改进与模拟延迟线性能分析数字集成电路测试系统软件设计集成电路布图设计权法律保护研究数字专用集成电路检测技术的研究及信号发生器的设计功率集成电路中电机驱动电路和数控功率放大器的研究与设计上海集成电路产业发展政策研究射频与微波集成电路参数提取的积分方程方法及应用研究集成电路布图设计的法律保护集成电路测试生成算法与可测性设计的研究功率集成电路中的闩锁效应研究模拟集成电路布局方法研究数字集成电路测试仪软件设计集成电路自动测试方法及可测性设计研究集成电路设计的项目管理应用研究存储测试专用集成电路成测技术研究混合集成电路测试系统上位机软件设计中国集成电路布图设计专有权撤销制度研究中小规模集成电路测试方法的分析与仿真实现混合集成电路自动测试系统研究与设计功率集成电路中高压器件的设计深圳集成电路产业发展战略研究集成电路布图设计独创性的认定中日集成电路产业竞争力的比较研究模拟集成电路测试系统及网络设计集成电路自动测试设备接口板网表生成方法研究集成电路布图设计权及其保护研究集成电路布图设计的国际保护与我国的立法探析数字集成电路低功耗优化设计研究3D集成电路TSV自动布局研究福建省集成电路产业发展研究论集成电路布图设计权的保护与限制基于小波变换的故障电路特征值提取的研究集成电路布图设计复制侵权认定标准研究集成电路布图设计的知识产权保护从中外法律比较看我国集成电路知识产权的法律保护我国集成电路分销商新市场开发策略研究高速集成电路测试板仿真与设计一种大规模集成电路测试方法塑封集成电路可靠性评价技术研究集成电路测试仪的总线接口与驱动程序设计图形化编程在集成电路测试软件平台中的研究与应用音频功率集成电路及功率器件研究模拟集成电路优化方法研究集成电路设计行业项目管理研究我国集成电路产业技术创新能力评价研究集成电路布图设计侵权问题研究集成电路多故障测试生成算法及可测性设计的研究苏州工业园区集成电路产业战略研究上海张江高科技园区集成电路地方产业网络研究用于微热板式气压传感器的数字集成电路设计基于VIIS-EM平台的虚拟数字集成电路测试仪的研制TRIPS协定下我国集成电路布图设计权利保护的法律分析集成电路测试仪通信驱动与中间层软件设计面向环境、安全和健康(ESH)的集成电路产业园区规划布局研究上海地区集成电路设计产业的困境及出路探讨集成电路知识产权法律制度研究国际法视野下的集成电路布图设计知识产权保护面向集成电路封装的有限角度下X-Ray图像重建微热板气体传感器阵列的单片集成电路设计植入式神经信号处理专用集成电路设计研究数字集成电路测试生成算法研究一种厚膜混合集成DC/DC开关电源电路研制用于模拟集成电路测试的浮地恒流恒压源的研究论集成电路布图设计专有权的保护集成电路HPM损伤的计算机模拟上海集成电路创新集群形成的充分条件和必要条件研究低功耗CMOS集成电路设计方法的研究MEMS电容式传感器接口集成电路研究集成电路的老化预测与ESD防护研究基于单测点的模拟集成电路测试系统设计基于全球价值链理论的我国集成电路产业升级路径研究集成电路电磁干扰测量方法的研究射频集成电路中平面螺旋电感的研究基于SOI的高压开关集成电路设计中国集成电路布图设计权限制的法经济学分析数字集成电路故障模型研究及故障注入平台设计FTFN在模拟集成电路中的应用研究超深亚微米集成电路制造过程中光学邻近效应模拟的研究三维集成电路测试时间的优化方法研究大功率模拟集成电路直流参数测试单片开关电源管理集成电路设计低电压低功耗FTFN及其在模拟集成电路设计中的应用研究面向集成电路封装检测的X射线图像滤波与增强方法研究基于粒子群算法的数字集成电路测试生成研究集成电路制造中Contact Process造成SRAM失效分析与解决SH2000集成电路测试系统PCI驱动及上位机软件的研制基于知识的集成电路光刻工艺设计系统研究中国大陆集成电路产业的国际竞争力研究FDT对我国集成电路产业市场结构的影响研究集成电路设计企业技术能力综合评价研究倍流整流电路中集成磁件的应用研究射频集成电路电磁参数提取集成电路布图设计法律保护研究集成电路制造过程中光刻系统仿真的多边形处理算法研究中国集成电路产业国际竞争力研究混合集成电路测试板FPGA逻辑设计海尼克斯集成电路企业发展战略研究面向AMOLED应用的氧化锌基TFT集成电路研究集成电路布图设计的知识产权保护霍尔集成电路设计及其测试系统的研发碳纳米管在纳米集成电路互连线中的应用研究CMOS射频集成电路中无源器件频变参数提取的研究集成电路等价性验证系统设计及其实现集成电路布图设计的知识产权保护军用集成电路老炼筛选技术研究应用于射频集成电路的新型交变结构平面螺旋电感研究集成电路测试仪控制模块及驱动设计SOI高压器件及功率开关集成电路的研究基于DEA-Malmquist方法的我国集成电路产业全要素生产率研究CMOS模拟集成电路中放大器和比较器的SET分析上海市集成电路创新集群构成要素研究集成电路布图设计专有权撤销程序的探讨集成电路制造企业新衬底导入项目风险管理集成电路可测性设计的研究与实践MOS模拟集成电路交互式自动化Sizing符号化方法探索研究和软件实现集成电路测试仪控制电路与分选系统接口技术研究。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

专用集成电路综述
摘要:
自1958年美国TI公司试制成功第一块集成电路(Integrated Circuit, IC)以来,IC技术的发展速度令人瞠目。

IC的生产已经发展成为新兴的支柱产业,并且继续保持着迅猛发展的势头。

IC按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。

关键字:集成电路IC 产业
引言:
专用集成电路是为特定用户或特定电子系统制作的集成电路。

对集成电路设计工程师来说,现在虽然不需要去关心具体的集成电路工艺制造细节,但了解不同工艺的基本步骤、不同器件的特点和基本电路形式还是非常必要的。

中国的集成电路产业经过4年的发展,在规模和技术上都已跨上了一个新台阶,成为有一定规模的高成长性产业。

一、集成电路的发展
集成电路的发展经历了一个漫长的过程:1906年,第一个电子管诞生;1912年前后,电子管的制作日趋成熟引发了无线电技术的发展;1918年前后,逐步发现了半导体材料;1920年,发现半导体材料所具有的光敏特性;1932年前后,运用量子学说建立了能带理论研究半导体现象;1956年,硅台面晶体管问世;1960年12月,世界上第一块硅集成电路制造成功;1966年,第一块公认的大规模集成电路制造成功;1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管;1997年:300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺;2009年:intel 酷睿i系列全新推出,采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。

由此集成电路从产生到成熟大致经历了如下过程:
电子管——晶体管——集成电路——超大规模集成电路
二、集成电路制备过程
1、衬底材料的制备
任何集成电路的制造都需要衬底材料——单晶硅。

通常,常见的单晶硅制造有两种主要的方法:悬浮区熔法和直拉法,这两种方法制成的单晶硅具有不同的特点,并且具有不同的用途。

(1)悬浮区熔法
在悬浮区熔法中,使圆柱形硅棒固定于垂直方向,用高频感应线圈在氩气气氛中加热,使棒的底部和在其下部靠近的同轴固定的单晶籽晶间形成熔滴,这两个棒朝相反方向旋转。

然后将在多晶棒与籽晶
间只靠表面张力形成的熔区沿棒长逐步向上移动,将其转换成单晶。

(2)直拉法
在单晶硅生长中用到的材料是电子级多晶硅,它从石英(SiO2)中提炼出来并被提纯至99.999999999%纯度。

在一个可抽真空的腔室内置放着一个由熔融石英制成的坩埚,多晶就装填在此坩埚中,腔室回充保护性气氛,将坩埚加热至1500°C左右。

接着,一块小的用化学方法蚀刻的籽晶(直径约0.5cm,长约10cm)降下来与多晶熔料相接触,籽晶必须是严格定向的,因为它是一个复制样本,在其基础上将要生长出大块的,称为晶锭(boule)的晶体。

2、光刻工艺
在晶圆的制造过程中,晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成。

这些部件是每次在一个掩膜层上生成的,并且结合生成薄膜及去除特定部分,通过光刻工艺过程,最终在晶圆上保留特征图形的部分。

光刻是所有四个基本工艺中最关键的。

光刻确定了器件的关键尺寸。

3、刻蚀
刻蚀工艺主要包括湿法刻蚀与干法刻蚀。

(1)湿法刻蚀法
湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程,是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。

湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用:磨片、抛光、清洗、腐蚀
(2)干法刻蚀法
干法刻蚀种类很多,包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。

4、剥离技术
剥离技术的工艺流程:首先,涂厚光刻胶并形成所设计的图案;其次,再使用蒸发技术淀积一层金属薄膜,蒸发的一个特点是对高纵横比的图形覆盖性差。

若光刻胶显影后得到一个凹的刨面,便会导致金属条断线;硅片浸到能溶解光刻胶的溶液当中时,直接淀积在硅片上的金属线将会被保留下来,淀积在光刻胶上的金属线将会从硅片上脱离。

三、MOS集成电路
MOS集成电路是以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路,简称MOSIC 。

按晶体管的沟道导电类型,可分为P沟MOSIC、N沟MOSIC 以及将P沟和N沟MOS晶体管结合成一个电路单元的互补MOSIC。

随着工艺技术的发展,P阱或N阱CMOS已经发展到双阱CMOS 工艺。

其优点有:
①制造结构简单,隔离方便。

②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。

③MOS管为双向器件,设计灵活性高。

④具有动态工作独特的能力。

⑤温度特性好。

其缺点是速度较低、驱动能力较弱。

一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高,宜用作数字集成电路;双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。

参考文献:
【1】来新泉,专用集成电路设计基础教程,西安电子科技大学出版社,2008
【2】孙肖子,专用集成电路设计基础,西安电子科技大学出版社,2011
【3】史密斯(美),专用集成电路,北京电子工业出版社,2007 【4】中国商情网, 2008-2009年中国半导体集成电路行业发展前景分析及投资风险预测报告[J]
【5】MOS 集成电路使用操作准则,江西电子信息产业门户-星光电子,2012
【6】李惠军,现代集成电路制造工艺原理,山东大学出版社,2007 【7】史小波,集成电路的制造工艺,电子工艺出版社,2009 【8】田丽萍,常用数字集成芯片的识别与检测,山西煤炭管理干部学院学报,2005
【9】冯亚林、张蜀平,集成电路的现状及其发展趋势,微电子学,2006
【10】王永刚,集成电路的发展趋势和关键技术,电子元器件应用,2009。

相关文档
最新文档