TSOP叠层芯片封装介绍
叠层TSOP封装的开发的开题报告
叠层TSOP封装的开发的开题报告题目：基于叠层TSOP封装的IC集成技术研究与开发一、研究背景自1980年代以来，集成电路技术已经取得了长足的进步。
新的集成技术的出现使得集成芯片的尺寸和整体封装尺寸不断缩小，同时提高了集成度和工作性能。
为了满足市场需求，IC集成技术在不断地更新换代，叠层TSOP封装技术是其中一种较为成熟的技术，可以在较小的面积上放置更多的器件。
二、研究内容本文旨在研究叠层TSOP封装的IC集成技术。
具体研究内容包括：1. 叠层TSOP封装的基本原理和设计方案的研究2. 叠层TSOP封装的制造流程和工艺参数的探讨3. 应用叠层TSOP封装技术设计和制造一款典型IC芯片，并对其性能指标进行测试和分析三、研究方法本研究将采用实验研究和文献调研相结合的方法。
首先通过文献和资料的调研和总结，建立起叠层TSOP封装的基本原理和设计方案，了解其在国内外的应用现状；其次，根据叠层TSOP封装的制造流程和工艺参数的探究，进行相关实验的研究，并通过对实验数据的分析进行结论；最后，应用叠层TSOP封装技术设计和制造一款典型IC芯片，并对其性能指标进行测试和分析。
四、研究意义本研究的结果对于推进集成电路技术的发展，提高芯片封装密度，减小器件体积，提高器件集成度和整体性能具有一定的实用价值和理论意义。
同时，也有助于提升我国集成电路产业在全球市场中的竞争力和地位。
五、研究进度安排1. 第一周：调研叠层TSOP封装的基本原理和设计方案2. 第二周：探究叠层TSOP封装的制造流程和工艺参数3. 第三周：进行相关实验的研究，并对实验数据进行分析4. 第四周：应用叠层TSOP封装技术设计和制造一款典型IC芯片5. 第五周：对设计的典型IC芯片进行性能测试和分析6. 第六周：进一步完善和总结论文，撰写开题报告等相关文献。
六、预期成果1. 在该领域开创性地研究和应用叠层TSOP封装技术，掌握该技术的基本原理和制造流程。
几种封装形式(配图)
一直对IC贴片封装的具体名字搞不清楚，就知道是贴片的，再问我具体的，我就傻眼了。
今天决定，彻底扫盲一下。
(1)SOP(2)LQFP(现在低频最常见的一种了吧)(3)PLCC(4)QFN(5)BGA一、SOPSOP也是一种很常见的元件封装形式，始于70年代末期。
sop封装示意图由1980 年代以前的通孔插装(PTH)型态，主流产品为DIP(Dual In-Line Package)，进展至1980 年代以SMT(Surface Mount Technology)技术衍生出的SOP(Small Out-Line Package)、SOJ(Small Out-LineJ-Lead)、PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、QFP(Quad Flat Package)封装方式，在IC 功能及I/O 脚数逐渐增加后，1997 年Intel 率先由QFP 封装方式更新为BGA(Ball Grid Array，球脚数组矩阵)封装方式，除此之外，近期主流的封装方式有CSP(Chip Scale Package 芯片级封装)及Flip Chip(覆晶)。
SOP封装的应用范围很广，而且以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等在集成电路中都起到了举足轻重的作用。
像主板的频率发生器就是采用的SOP 封装。
二、LQFP(现在低频最常见的一种了吧)LQFP也就是薄型QFP（Low-profile Quad Flat Package）指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
下面介绍下QFP封装：这种技术的中文含义叫方型扁平式封装技术（Plastic Quad Flat Package），该技术实现的CPU芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。
芯片叠层结构
芯片叠层结构
3. 硅互连层：硅互连层是芯片叠层结构的关键部分，用于实现芯片之间的电气连接。硅互 连层通常使用TSV（Through-Silicon Via）技术，在芯片表面打孔，然后通过金属填充孔， 实现芯片之间的电连接。
3. 低功耗：芯片叠层结构可以减少信号传输功耗，提供更低的功耗。
芯片叠层结构
4. 灵活性：芯片叠层结构可以根据需要选择不同的芯片组合，实现定制化的功能和性能。
芯片叠层结构在集成电路和微电子领域得到广泛应用，尤其在移动设备、高性能计算和物 联网等领域具有重要意义。
4. 封装材料：封装材料用于固定芯片和硅互连层，并提供机械支撑和保护。常见的封装材 料包括环氧树脂、有机玻璃等。
芯片叠层结构
芯片叠层结构的优点包括：
1. 高集成度：通过将多个芯片堆叠在一起，可以实现更高的集成度，将多个功能模块集成到 一个封装中，减小整体尺寸。
2. 高性能：芯片叠层结构可以实现更短的互连长度，减小信号传输延迟，提供更高的性能。
芯片叠层结构
芯片叠层结构是一种将多个芯片垂直堆叠在一起的封装技术，以实现更高的集成度和性能 。这种结构可以将多个功能模块或器件集成到一个封装中，使得整体尺寸更小、功耗更低， 并提供更高的性能和功能。
芯片叠层结构通常包括以下几个层：
1. 芯片层：每个芯每个芯片 都有自己的电路和引脚。
sd card的芯片封装方式
sd card的芯片封装方式SD卡的芯片封装方式SD卡是一种常见的存储设备，其芯片封装方式对于其性能和使用寿命有着重要的影响。
下面将介绍SD卡的芯片封装方式及其特点。
1. BGA封装（Ball Grid Array）BGA封装是一种常见的封装方式，它采用球形焊盘连接芯片与PCB 板。
BGA封装具有高密度、良好的热性能和电气性能优势，可以在较小的空间中集成更多的功能，适用于高性能和高容量的SD卡。
2. QFP封装（Quad Flat Package）QFP封装是一种常见的封装方式，它采用四个平面引脚连接芯片和PCB板。
QFP封装具有较高的可靠性和良好的电气性能，适用于中等性能和中等容量的SD卡。
3. TSOP封装（Thin Small Outline Package）TSOP封装是一种常见的封装方式，它采用薄型封装，节省空间。
TSOP封装具有较高的集成度和良好的电气性能，适用于低功耗和小容量的SD卡。
4. CSP封装（Chip Scale Package）CSP封装是一种高度集成的封装方式，它将芯片直接封装在最小尺寸的外壳中，减少了封装大小和重量。
CSP封装具有较高的集成度和良好的电气性能，适用于超小容量和高度集成的SD卡。
这些封装方式各有特点，可以根据SD卡的需求选择合适的封装方式。
无论是高性能的BGA封装、中等性能的QFP封装，还是低功耗的TSOP封装和超小容量的CSP封装，都能满足不同应用场景下的需求。
总结起来，SD卡的芯片封装方式多种多样，每种封装方式都有其自身的优势和适用范围。
选择合适的芯片封装方式可以提升SD卡的性能和可靠性，满足不同用户的需求。
低成本高可靠堆叠芯片封装技术
低成本高可靠堆叠芯片封装技术杨建生;谢炳轩【摘要】In an attempt to provide a high density memory solution, especially for workstation and PC server, a stack chips package(referred to as \"SCP\"are as follows: SCP contains a plurality of both memory chips and lead frames within a molded plastic package, chip selection is made through the wire bonding option, resulting in the package with a memory capacity twice or four times that of monolithic chip; plural lead frames are electrically interconnected all at once, using metal solders electroplated on the lead frame surface, and SCP is found reliable and cost competitive when compared to other stack packages because it basically adopts the molded plastic packaging technology as well as the metal solder interconnection method. As electrical interconnection methods, both fluxless soldering joint of Ag/Sn and high pressure mechanical joint of Ag were evaluated extensively and they successfully provided a reliable electrical conduction path without any signal degradation. Temperature cycle test and pressure cooker test were proved not to produce any micro cracks across the joint.%为了提供高密度存储解决方案,特别是工作站和PC服务器,研讨了堆叠芯片封装(SCP)技术.SCP封装技术的主要特点为:在模塑塑料封装内部SCP包含多个双存储芯片和引线框架;芯片挑选通过丝焊技术选择完成,形成单个芯片存储容量2倍或4倍的封装;采用在引线框架表面电镀金属焊料的方法,使多个引线框架与整体实现电连接;与别的堆叠封装相比,SCP封装既可靠又有成本竞争力,原因在于SCP封装主要采用了模塑塑料封装技术以及金属焊料互连方法.作为电互连方法,广泛地评定Ag/Sn无钎剂钎焊点和Ag高压机械焊点,并成功地提供可靠的电传导路径而无任何信号衰减.温度循环试验和高压蒸煮试验证明,沿焊点不会产生任何微裂纹.【期刊名称】《电子工业专用设备》【年(卷),期】2018(000)006【总页数】6页(P23-28)【关键词】无钎剂钎焊点;存储器件;可靠性;堆叠封装【作者】杨建生;谢炳轩【作者单位】天水华天科技股份有限公司, 甘肃天水 741000;天水华天科技股份有限公司, 甘肃天水 741000【正文语种】中文【中图分类】TN403随着电子系统微型化或便携化趋势的不断推进，能够实现高密度产品的封装技术越来越得到系统制造者的关注。
ssd 芯片的封装方式
SSD（固态硬盘）芯片的封装方式主要有以下几种：1. **BGA (Ball Grid Array)**：这是一种非常常见的封装方式，特别是在高性能的SSD 中。
BGA封装可以提供更好的电气性能和散热性能。
它通过焊球作为外部连接，通常焊接在印刷电路板（PCB）上。
2. **LGA (Land Grid Array)**：这种封装方式与BGA类似，但是使用的是接触垫（land pads）而不是焊球来进行连接。
LGA封装易于安装和升级，因为它不需要焊接到PCB上。
3. **TSOP (Thin Small-Outline Package)**：这是一种较早的封装形式，用于较低容量和较慢速度的SSD。
TSOP封装体积小，但由于其引脚数量限制，通常不适用于大容量或高速率传输的应用。
4. **CSP (Chip-Scale Package) 或者 µBGA (Micro Ball Grid Array)**：这种封装方式尺寸更小，几乎与芯片本身大小相同，适用于空间受限的应用场景。
5. **M.2 (NGFF - Next Generation Form Factor)**：虽然严格来说M.2不是一种芯片封装方式，但它是一种SSD形状规范，它定义了SSD的尺寸、接口和连接方式。
M.2 SSD通常采用BGA封装的NAND闪存。
6. **U.2 (SFF-8639)**：同样，U.2也不是芯片封装方式，而是一种SSD接口规范，主要用于企业级SSD，支持2.5英寸或3.5英寸的驱动器尺寸。
7. **eMMC (embedded MultiMediaCard)**：这是一种集成的存储解决方案，通常用于手机、平板电脑等便携式设备中。
eMMC将NAND闪存和控制器集成在一个小型BGA封装中。
8. **NVMe (Non-Volatile Memory Express)**：这也不是一种封装方式，而是一种基于PCI Express (PCIe) 接口的存储协议，用于访问高速存储介质如SSD。
TSOP叠层芯片封装的介绍
TSOP叠层芯片封装的介绍第六图书馆叠层芯片封装技术,简称3D,是指在不改变封装体外型尺寸的前提下,在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上的芯片的封装技术,它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。
叠层芯片封装技术具有大容量、多功能、小尺寸、低成本的特点,2006年以来3D技术逐渐成为主流。
随着NAND快闪存储器市场的高速增长及3D技术的兴起,加之TSOP封装成本低、柔韧性强,所以TSOP封装得以重新焕发生机。
叠层芯片封装技术,简称3D,是指在不改变封装体外型尺寸的前提下,在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上的芯片的封装技术,它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。
叠层芯片封装技术具有大容量、多功能、小尺寸、低成本的特点,2006年以来3D技术逐渐成为主流。
随着NAND快闪存储器市场的高速增长及3D技术的兴起,加之TSOP封装成本低、柔韧性强,所以TSOP封装得以重新焕发生机。
叠层芯片封装技术 3D 快闪存储器 TSOP叠层芯片封装 环氧树脂薄膜半导体行业张德洪星科金朋上海有限公司LDP技术部2007第六图书馆第六图书馆TSOP叠层芯片封装的介绍张德洪星科金朋上海有限公司L D P技术部摘要:叠层芯片封装技术，简称3D，是指在不改变封装体外型尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上的芯片的封装技术，它起源于快闪存储器（NOR/NAND）及SD RAM的叠层封装。
叠层芯片封装技术具有大容量、多功能、小尺寸、低成本的特点，2006年以来3D技术逐渐成为主流。
随着NA ND快闪存储器市场的高速增长及3D技术的兴起，加之TSOP封装成本低、柔韧性强，所以T SOP封装得以重新焕发生机。
关键词:叠层芯片封装技术；3D；快闪存储器；TS OP叠层芯片封装；环氧树脂薄膜前言近年来，叠层芯片封装逐渐成为技术发展的主流。
叠层芯片封装技术，简称3D，是指在不改变封装体的尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上的芯片的封装技术，它起源于快闪存储器（NOR/NAND）及SDRAM的叠层封装。
集成电路芯片封装的概念
集成电路芯片封装的概念集成电路芯片封装的概念1. 引言集成电路芯片封装是现代电子技术中非常重要的一环。
它是将微小的芯片封装在保护性外壳中，以便保护芯片免受损坏，并提供电气连接和散热功能。
本文将深入探讨集成电路芯片封装的概念，从封装形式、封装材料、封装技术以及封装的发展趋势等多个方面展开，帮助读者更全面、深刻地了解这一关键电子技术。
2. 集成电路芯片封装的形式集成电路芯片封装有多种形式，每种形式都有不同的特点和适用范围。
常见的封装形式包括：2.1 芯片级封装（Chip-scale Package，CSP）：CSP封装将芯片直接封装在微小的外壳中，尺寸比传统封装更小。
它适用于高密度集成电路和轻薄移动设备等应用。
2.2 简单封装（Dual in-line Package，DIP）：DIP封装是最早的一种封装形式。
芯片被封装在具有导脚的塑料外壳中，易于插拔和焊接。
但该封装形式占用空间较大，适用于较低密度的应用。
2.3 小型封装（Small Outline Package，SOP）：SOP封装是一种相对较小的封装形式，兼具DIP封装的插拔性和CSP封装的高密度特点。
2.4 超薄封装（Thin Small Outline Package，TSOP）：TSOP封装比SOP封装更薄，适用于具有高密度布局的应用。
2.5 高温封装（High-Temperature Package，HTP）：HTP封装在高温环境下依然能够保持电性能，适用于高温工作环境中的电子设备。
3. 集成电路芯片封装的材料3.1 塑料封装材料塑料封装材料是集成电路芯片封装中最常见的材料之一。
它具有廉价、轻便、隔热、防潮的特点，适用于大规模生产。
常见的塑料封装材料有聚酰亚胺（Polyimides）、环氧树脂（Epoxy Resin）等。
3.2 陶瓷封装材料陶瓷封装材料的热导率较高，能够较好地散热，适用于高性能和高功率的集成电路芯片。
常见的陶瓷封装材料有氧化铝（Alumina）和氮化铝（Aluminium Nitrite）等。
集成电路的封装辨认
集成电路的封装辨认1. 概述集成电路是现代电子设备中不可或缺的核心组成部分。
封装辨认是对集成电路封装形式进行鉴别和分析的过程，对于电子产品的维修和设计非常重要。
本文将介绍集成电路封装的基本概念，常见的封装类型以及封装的辨认方法。
2. 集成电路封装的基本概念集成电路封装是将芯片（Integrated Circuit, IC）封装在特定材料中，以保护芯片并便于安装和连接。
不同的封装形式具有不同的物理特性和应用环境。
常见的封装形式有DIP(Dual In-line Package)、SOP(Small Outline Package)、QFP(Quad Flat Package)、BGA(Ball Grid Array)等。
3. 常见的集成电路封装类型3.1 DIP封装DIP封装是最早应用于集成电路的一种封装形式。
它使用两排引脚平行排列，具有较大的尺寸和较高的耐热能力。
DIP封装常用于开发板、测试板和一些老旧的电子设备中。
3.2 SOP封装SOP封装是目前应用最广泛的一种封装形式之一。
它使用表面贴装工艺制作，尺寸较小，适用于高密度集成电路的应用。
SOP封装可以分为SOIC(Small Outline Integrated Circuit)和TSOP(Thin Small Outline Package)等不同子类型。
3.3 QFP封装QFP封装是一种方形封装形式，具有较高的引脚密度和较好的散热性能。
QFP 封装适用于高性能的集成电路，如处理器、图形芯片等。
3.4 BGA封装BGA封装是一种低剖面、高密度封装形式。
它采用球格阵列连接技术，将引脚连接在芯片的底部，并通过焊球与电路板连接。
BGA封装具有较高的集成度、更好的散热性能和较低的电磁干扰，适用于高性能计算机和通信设备。
4. 集成电路封装的辨认方法4.1 外观辨认通过观察集成电路封装的外观特征，可以初步判断封装类型。
例如，DIP封装具有两排引脚，BGA封装具有底部焊球等。
显卡GPU封装形式
显卡上GPU图形芯片的具体封装形式TSOP (Thin Small Out－Line Package) 薄型小尺寸封装QFP (Quad Flat Package) 小型方块平面封装MicroBGA (Micro Ball Grid Array) 微型球闸阵列封装，又称FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array)目前的主流显卡基本上是用TSOP和MBGA封装，其中又以TSOP封装居多.制造工艺制造工艺指得是在生产GPU过程中，要进行加工各种电路和电子元件，制造导线连接各个元器件。
通常其生产的精度以um(微米)来表示，未来有向nm(纳米)发展的趋势（1mm=1000um 1um=1000nm），精度越高，生产工艺越先进。
在同样的材料中可以制造更多的电子元件，连接线也越细，提高芯片的集成度，芯片的功耗也越小。
制造工艺的微米是指IC内电路与电路之间的距离。
制造工艺的趋势是向密集度愈高的方向发展。
密度愈高的IC电路设计，意味着在同样大小面积的IC中，可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。
微电子技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进，使得器件的特征尺寸不断缩小，从而集成度不断提高，功耗降低，器件性能得到提高。
芯片制造工艺在1995年以后，从0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米，再到目前主流的 90 纳米(0.09纳米) 、65 纳米等。
核心频率显卡的核心频率是指显示核心的工作频率，其工作频率在一定程度上可以反映出显示核心的性能，但显卡的性能是由核心频率、显存、像素管线、像素填充率等等多方面的情况所决定的，因此在显示核心不同的情况下，核心频率高并不代表此显卡性能强劲。
比如9600PRO 的核心频率达到了400MHz，要比9800PRO的380MHz高，但在性能上9800PRO绝对要强于9600PRO。
在同样级别的芯片中，核心频率高的则性能要强一些，提高核心频率就是显卡超频的方法之一。
TSOP叠层芯片封装的研究
上海交通大学硕士学位论文TSOP叠层芯片封装的研究姓名：张德洪申请学位级别：硕士专业：电子与通信工程指导教师：陈佳品20071201TSOP叠层芯片封装的研究摘要叠层芯片封装技术，简称3D，是指在不改变封装体外型尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上的芯片的封装技术，它起源于快闪存储器（NOR/NAND）及SDRAM的叠层封装。
由于叠层芯片封装技术具有大容量、多功能、小尺寸、低成本的特点，2005年以来3D 技术研究逐渐成为主流。
TSOP封装因其具有低成本、后期加工的柔韧而在快闪存储器领域得到广泛应用，因此，基于TSOP的3D封装研究显得非常重要。
由于TSOP 3D封装技术的实用性极强，研究方法主要以实验为主。
在具体实验的基础上，成功地掌握了TSOP叠层封装技术，并且找到了三种不同流程的TSOP叠层芯片封装的工艺。
另外，还通过大量的实验研究，成功地解决了叠层芯片封装中的关键问题。
目前，TSOP叠层芯片技术已经用于生产实践并且带来了良好的经济效益。
在实现TSOP的3D封存装技术的创新中，最重要的两项创新技术是对材料的改进对引线键合工艺的改进。
材料改进方面，采用固态环氧树脂薄膜替代了传统的液态环氧树脂芯片粘合济,该新材料的引入，大大简1化了TSOP叠层芯片封装的贴片工艺，使得成品率、生产周期几乎和传统的单芯片封装相当。
SSB反打焊接方法的引入，成功地突破了原有引线键合工艺线弧太高的局限，解决了叠层芯片的引线键合的技术难题。
这些技术上的突破，为叠层芯片封装密度的进一步提升打下了良好基础、提供了解决方案。
关键词:叠层芯片封装技术，快闪存储器，NAND，TSOP叠层芯片封装，环氧树脂薄膜，SSB2TSOP STACK DIE SOLUTION STUDYABSTRACTStack die package, 3D, is a technology, which stacks multiple dice vertically in the same package. Stack die technology offers you packages, which are multiple functionality, better performance, higher density and lower cost. Stacked die package is the ideal solution for system in package applications such as wireless product, portable product, and memory card.TSOP is major NAND package. NAND market is booming in recent years. As TSOP package is more cost effective than PBGA and more flexible than SIP, it is a very popular package since 2006.Firstly, author introduces the single die package process in this article. Then，author describes 3 different TSOP stack die package assembly process solution. Further more, author summarizes characteristics and application of the 3 different processes.In this article, author gave out the most important technology solution to3stack die technology. The most important evolution of TSOP stack die technology is that the epoxy film which was used to replace the liquid Silver Epoxy glue and imported gold wire SSB looping technology. The epoxy film allows the stack die package technology is even simpler than single die. SSB wire bonding technology allows us to stack more wire layers in same space successfully. It is also indicated the solution of further high-density package technology through these new technologies.KEY WORDS: s tack die, 3D, NAND, TSOP stack die, epoxy film, SSB4上海交通大学学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文补查阅和借阅。
各种芯片封装形式
TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。
PQFP
PQFP：
(Plastic Quad Flat Package，塑料方块平面封装)一种芯片封装形式。
SMD
它是Surface Mounted Devices的缩写，意为：表面贴装器件，它是SMT(Surface Mount Technology 中文:表面黏著技术）元器件中的一种。
“在电子线路板生产的初级阶段，过孔装配完全由人工来完成。首批自动化机器推出后，它们可放置一些简单的引脚元件，但是复杂的元件仍需要手工放置方可进行波峰焊。 表面贴装元件在大约二十年前推出，并就此开创了一个新纪元。从无源元件到有源元件和集成电路，最终都变成了表面贴装器件(SMD)并可通过拾放设备进行装配。在很长一段时间内人们都认为所有的引脚元件最终都可采用SMD封装。除SMD外还有：
MCM
MCM(multi-chip module)多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装技术。CM是在混合集成电路技术基础上发展起来的一项微电子技术，其与混合集成电路产品并没有本质的区别，只不过MCM具有更高的性能、更多的功能和更小的体积，可以说MCM属于高级混合集成电路产品。
DIP还是拨码开关的简称，其电气特性为
1.电器寿命:每个开关在电压24VDC与电流25mA之下测试,可来回拨动2000次 ；
2.开关不常切换的额定电流:100mA,耐压50VDC ；
3.开关经常切换的额定电流:25mA,耐压24VDC ；
4.接触阻抗:(a)初始值最大50mΩ；(b)测试后最大值100mΩ；
芯片封装类型图解精选全文完整版
可编辑修改精选全文完整版芯片封装类型图解本文介绍了常见的集成电路封装形式，包括BGA、CPGA、FBGA、JLCC、LDCC、LQFP100L、PCDIP、PLCC、PPGA、PQFP、TQFP100L、TSBGA217L、TSOP、CSP、SIP、ZIP、S-DIP、SK-DIP、PGA、SOP、MSP和QFP等。
SIP是单列直插式封装，引脚在芯片单侧排列，与DIP基本相同。
ZIP是Z型引脚直插式封装，引脚比SIP粗短些，节距等特征也与DIP基本相同。
S-DIP是收缩双列直插式封装，引脚在芯片两侧排列，引脚节距为1.778mm，芯片集成度高于DIP。
SK-DIP是窄型双列直插式封装，除了芯片的宽度是DIP的1/2以外，其它特征与DIP相同。
PGA是针栅阵列插入式封装，封装底面垂直阵列布置引脚插脚，插脚节距为2.54mm或1.27mm，插脚数可多达数百脚，用于高速的且大规模和超大规模集成电路。
SOP是小外型封装，表面贴装型封装的一种，引脚端子从封装的两个侧面引出，字母L状，引脚节距为1.27mm。
MSP是微方型封装，表面贴装型封装的一种，又叫QFI等，引脚端子从封装的四个侧面引出，呈I字形向下方延伸，没有向外突出的部分，实装占用面积小，引脚节距为1.27mm。
QFP是四方扁平封装，表面贴装型封装的一种，引脚端子从封装的两个侧面引出，呈L字形，引脚节距为1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm，引脚可达300脚以上。
SVP是一种表面安装型垂直封装，其引脚端子从封装的一个侧面引出，中间部位弯成直角并与PCB键合，适用于垂直安装，实装占有面积很小。
其引脚节距为0.65mm和0.5mm。
LCCC是一种无引线陶瓷封装载体，其四个侧面都设有电极焊盘而无引脚，适用于高速、高频集成电路封装。
PLCC是一种无引线塑料封装载体，适用于高速、高频集成电路封装，是一种塑料封装的LCC。
SOJ是一种小外形J引脚封装，其引脚端子从封装的两个侧面引出，呈J字形，引脚节距为1.27mm。
sd card的芯片封装方式 -回复
sd card的芯片封装方式-回复SD卡芯片封装方式是指将SD卡内部的电子芯片封装在特定的外壳中，以保护芯片并提供连接接口的一种技术。
根据SD卡技术标准的不同，SD 卡有多种封装方式。
本文将详细介绍SD卡的封装方式，并逐步解释每一种封装方式的特点和用途。
1. SD卡的封装方式简介SD卡是一种非易失性存储设备，用于存储和传输数据。
它通常由控制器、内存芯片和其他电子元件组成，这些元件通过封装方式保护在一起，并提供与设备连接的接口。
根据SD卡技术标准的不同，SD卡有以下几种封装方式。
2. SD卡的BGA封装方式BGA（Ball Grid Array）是一种常见的封装方式，其中芯片焊接在一块包含球网格的基板上。
BGA封装具有较高的密度和可靠性，能够在相对较小的尺寸内容纳更多的芯片和接触点。
SD卡的BGA封装方式广泛应用于高性能和高容量的SD卡产品中。
3. SD卡的TSOP封装方式TSOP（Thin Small Outline Package）是一种表面贴装封装方式，它具有较小的尺寸和相对较少的引脚。
TSOP封装适用于占据空间较小的设备，如手机、相机等。
SD卡的TSOP封装适用于低容量和低成本的应用场景。
4. SD卡的QFN封装方式QFN（Quad Flat No-leads）是一种无引脚封装方式，其引脚位于芯片底部。
QFN封装具有较小的尺寸、较低的成本和较好的散热性能。
SD 卡的QFN封装广泛应用于小型电子设备和嵌入式系统中。
5. SD卡的COB封装方式COB（Chip on Board）是一种将芯片直接焊接在电路板上的封装方式。
COB封装具有较小的尺寸和较低的成本，能够实现更高级别的集成和性能。
SD卡的COB封装方式通常用于高端的专业应用场景。
6. SD卡封装方式的选择依据选择合适的SD卡封装方式需要考虑以下几个因素：- 性能要求：BGA封装通常适用于高性能的SD卡，而TSOP和QFN封装适用于低容量和低成本的应用。
芯片常用封装及尺寸说明
A、常用芯片封装介绍来源：互联网作者：关键字：芯片封装1、BGA 封装(ball grid array)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配 LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200，是多引脚 LSI 用的一种封装。
封装本体也可做得比 QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚 QFP 为40mm 见方。
而且 BGA 不用担心 QFP 那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。
最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为225。
现在也有一些 LSI 厂家正在开发500 引脚的 BGA。
BGA 的问题是回流焊后的外观检查。
现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。
有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。
美国 Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为 OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见 OMPAC 和 GPAC)。
2、BQFP 封装(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。
QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
美国半导体厂家主要在微处理器和 ASIC 等电路中采用此封装。
引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见 QFP)。
3、碰焊PGA 封装(butt joint pin grid array)表面贴装型 PGA 的别称(见表面贴装型 PGA)。
4、C-(ceramic) 封装表示陶瓷封装的记号。
例如，CDIP 表示的是陶瓷 DIP。
28种芯片封装技术的详细介绍
28种芯片封装技术的详细介绍芯片封装技术是针对集成电路芯片的外包装及连接引脚的处理技术，它将裸片或已经封装好的芯片通过一系列工艺步骤引脚，并封装在特定的材料中，保护芯片免受机械和环境的损害。
在芯片封装技术中，有许多不同的封装方式和方法，下面将详细介绍28种常见的芯片封装技术。
1. DIP封装（Dual In-line Package）：为最早、最简单的封装方式，多用于代工生产，具有通用性和成本效益。
2. SOJ封装（Small Outline J-lead）：是DIP封装的改进版，主要用于大规模集成电路。
3. SOP封装（Small Outline Package）：是SOJ封装的互补形式，适用于SMD（Surface Mount Device）工艺的封装。
4. QFP封装（Quad Flat Package）：引脚数多达数百个，广泛应用于高密度、高性能的微处理器和大规模集成电路。
5. BGA封装（Ball Grid Array）：芯片的引脚通过小球焊接在底座上，具有较好的热性能和电气性能。
6. CSP封装（Chip Scale Package）：将芯片封装在极小的尺寸内，适用于移动设备等对尺寸要求极高的应用。
7. LGA封装（Land Grid Array）：通过焊接引脚在底座上，适用于大功率、高频率的应用。
8. QFN封装（Quad Flat No-leads）：相对于QFP封装减少了引脚长度，适合于高频率应用。
9. TSOP封装（Thin Small Outline Package）：为SOJ封装的一种改进版本，用于闪存存储器和DRAM等应用。
10. PLCC封装（Plastic Leaded Chip Carrier）：芯片通过引脚焊接在塑料封装上，适用于多种集成电路。
11. PLGA封装（Pin Grid Array）：引脚排列成矩阵状，适用于计算机和通信技术。
12. PGA封装（Pin Grid Array）：引脚排列成网格状，适用于高频、高功率的应用。
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年来，叠层芯片封装逐渐成为技术发展的主流。
叠层芯片封装技术，简称3D封装，是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。
叠层芯片封装技术对于无线通讯器件、便携器件及存储卡来讲是最理想的系统解决方案。
近年来，手机、PDA、电脑、通讯、数码等消费产品的技术发展非常快，此行业的迅猛发展需要大容量、多功能、小尺寸、低成本的存储器、DSP、ASIC、RF、MEMS等各种半导体器件，叠层芯片技术因此也得到了蓬勃发展。
3D封装技术的主要特点包括：多功能、高效能；大容量高密度，单位体积上的功能及应用成倍提升以及低成本。
在NAND的封装形式上，虽然发展最快的是SIP，但是TSOP仍然是大容量NAND封装的一个主要解决方案。
和SIP相比，TSOP更具有柔韧性，因为TSOP可以通过SMD制作成SD卡、MiniSD卡、CF卡或是集成到MP3/MP4、移动存储器等不同的终端产品中，而SIP一旦完成组装，它就是成品了，不能再根据市场需求来进行调整。
和另一种同样可以通过SMD组装的PBGA封装形式相比，TSOP具有非常明显的成本优势。
TSOP叠层芯片封装技术单芯片TSOP生产工艺流程比较简单，只需要经过一次贴片、一次烘烤、一次引线键合就可以了，流程如图1：我们可以根据封装名称来识别叠层芯片封装中有多少个芯片。
比如，“TSOP2+1”就是指一个TSOP封装体内有两个活性芯片(ActiveDie)、一个空白芯片(Spacer)，如果我们说“TSOP3+0”，那就是说一个TSOP封装体内有三个活性芯片、没有空白芯片，以此类推。
图2是最典型的TSOP2+1的封装形式剖面和俯视图，上下两层是真正起作用的芯片（ActiveDie），中间一层是为了要给底层芯片留出焊接空间而加入的空白芯片（Spacer）。
空白芯片(Spacer)由硅片制成，里面没有电路。
我们以最简单的二芯片叠层封装（TSOP2+X）为例查看其工艺流程：方法一，仍然沿用单芯片封装的液态环氧树脂作为芯片粘合剂、多次重复单芯片的工艺，其工艺流程如下：方法二，使用环氧树脂薄膜作为芯片贴合剂。
这种方法需要改变原材料，用环氧树脂薄膜胶带替代传统的蓝膜（如SPV224）。
下图是使用环氧树脂薄膜胶替代蓝膜后装片工序的情形，装片完成后，环氧树脂薄膜就已经和芯片粘在了一起，在贴片工序时我们只需要将芯片贴到引线框架上，不再需要在引线框架涂一层液态环氧树脂，这就大大简化了工艺。
工艺流程如下：采用上述两种方法来实现TSOP2+1封装都是可行的。
对比以上两种工艺，我们可以发现第二种工艺流程少了两次烘烤，方法二生产工艺简单、生产周期更短，而且，由于多次烘烤会造成引线框架氧化及芯片粘污，烘烤次数减少对提高成品率和减少可靠性失效也很有好处。
将方法二简化，于是就得到了另一种实现两层芯片叠层封装的方法，即TSOP2+0，采用环氧树脂薄膜作为芯片贴合剂，将两个芯片错开一点位置留出焊区域，仅一端有焊线。
方法三，如果我们使用的设备可以同时完成多次贴片，那么实际的贴片工序就更加简单，即只有一次，这样它的生产工艺甚至比单芯片封装还简单。
但是这种方法需要改变晶圆的生产工艺，将焊盘都放置在芯片的一端。
上述三种叠层芯片的封装工艺，方法一使用环氧树脂银浆，成本低，但是工艺难度很高、成品率低，即使是最简单的TSOP2+1其成品率能达到99.5%就几乎不可能再提升了，由于其工艺性差，目前不能使用在更高密度的封装中。
方法二中虽然环氧树脂薄膜成本高，但是由于环氧树脂薄膜是在装片(W/M)的时候粘贴到芯片背面，不必考虑液态环氧树脂工艺的复杂性，所以工艺简单、成品率可达99.9%。
方法三由于只有两次贴片(D/A)、一次引线键合(W/B)，所以不仅工艺简单、成品率高，可以稳定在99.90%以上，而且成本相对也比较低。
如果我们将成品率与成本相结合，最好的方法显然是第三种，成本最低、工艺最简单。
但是，这种工艺有其局限性，需要改变芯片的制作布局，将焊盘布置在芯片的一端，如果晶圆的布线无法做到，则无法实现。
第二、第三种方法都可以用于更高密度的封装中，TSOP4+0、TSOP5+0、TSOP4+3等都是在TSOP2+X基础上发展起来的。
多芯片封装与单芯片封装的主要区别单芯片和叠层芯片封装的主要区别可以简单归纳为：1.由于我们需要将多个芯片叠加在一起，所以传统的单芯片的封装必须进行改进以适应叠层芯片封装，需要重复贴片(D/A)以引线键合(W/B)。
2.由于封装体的外形尺寸没有变化，为了实现多芯片叠加，芯片的厚度就需要减薄，通常其厚度是单芯片的1/n(n是指堆叠层数)。
3.叠层芯片的晶圆尺寸通常都在200mm以上，为了降低芯片生产成本，目前几乎都采用300mm工艺，由于晶圆尺寸大、芯片的厚度又很薄，引进更先进的设备就成为了必需。
4.由于需要多次的贴片(D/A)及引线键合(W/B)，所以贴片(D/A)及引线键合(W/B)的工艺比以往要复杂。
5.最后，为了要适应多芯片封装的复杂性，另一个关键点是某些封装材料需要变更、或是引入新材料（表2）。
多芯片封装所使用的设备和单芯片封装所使用的设备几乎完全不同。
在磨片工序，由于DFG850不能处理300mm晶圆、并且其最小磨削厚度只能达到0.15mm，已经完全不能适应叠层芯片封装的需求。
同样，传统的贴片机如ESEC2007/2008HS和ASMAD889等，由于不能容纳300mm芯片、不能加工环氧树脂薄膜，所以只能被ESEC2008XP、ASMAD8912、ShinkawaSPA300等新一代设备取代。
引线键合工序，由于键合精度要求较高以及需要有SSB焊接能力，所以，UTC1000/UTC2000及K&SMaxumPlus/Ultra的使用就成为必然。
TSOP叠层芯片封装需要注意的问题毫无疑问，第一个难点就是采用液态环氧树脂作为贴片粘合剂时会出现特别严重芯片破裂（DieCrack）。
在单芯片封装中，因为芯片厚度较大，我们不会面对这个问题。
但是对于叠层芯片封装，就算是最简单的TSOP2+1，其芯片的厚度也只有0.1mm左右，非常容易破裂。
通常我们在单芯片封装中看到大多都是一条或几条横向或纵向的裂纹，而且是在贴片(D/A)出现。
但是叠层芯片封装的芯片破裂出现在塑封(MOLD)以后，而且是网状破裂。
在塑封(MOLD)结束后，应用X-Ray、超声波探伤扫描等都不能发现此类缺陷，唯一的办法就是进行有损检查（即开盖）。
就算是我们进行有限的开盖检查，我们也只能看到上层芯片，对于下层芯片我们照样很难看到，也就很难解决这个问题。
首先我们来分析这种芯片破裂(DieCrack)发生的机理。
在叠层芯片封装中，由于液态环氧树脂的流动性强、芯片的尺寸非常大，通常难以保证环氧树脂能够完全充满两层芯片之间的空隙，如上图所示。
注塑工序所使用的环氧树脂含有大量50-125um的颗粒，通常贴片(D/A)的液态环氧树脂层的厚度介于12-38um。
如果芯片间有空隙，只有少量小颗粒的环氧树脂混合物才可以进入这层空间，显然，注塑环氧树脂中的大量大颗粒只能在外围，无法进入芯片间的空隙。
于是，在强大的注塑压力的作用下（通常压强在10MPa左右），由于中间的空隙不能被塑封料填充，于是芯片被压碎了。
这就是使用液态环氧树脂作为芯片粘合剂时为什么会在注塑工序完成后会有网状的芯片破裂(DieCrack)的原因（图6）。
要很好地解决这一问题，我们首先需要找到一种有效的探测方法。
通常我们采用超声波扫描的反射模式只能得到一个比较清晰的层面。
第二种方法是使用超声波扫描穿透模式，这种方法仍然不能告诉我们有没有芯片破裂(DieCrack)，但是，它也有很大用处，有阴影的地方就是可疑点，我们作为预警方法使用。
更好的方法是TAMI（TomographicAcousticMicroImaging）（图9），它是一种逐层超声波扫描法，即一个用逐层超声波扫描法（TAMI）扫描的样图，我们可以明显看出有网状的芯片破裂(DieCrack)：我们已经知道了出现这种芯片破裂(DieCrack)是因为我们的环氧树脂芯片粘合剂有空洞造成的，那么，最基本的方法就是优化工艺方法以控制液态环氧树脂，避免出现空洞。
在这一点上，最重要的是要优化环氧树脂喷涂图案(Pattern)。
目前有几种优化的图案(Pattern)可以选择，具体哪一种最好，要结合引线框架、设备能力、芯片尺寸等相关因素，不能一概而论。
不过，我们推荐使用“米”字型（图10）。
好的环氧树脂图案(Pattern)是不出现空洞的基础，经验告诉我们，芯片底部的环氧树脂覆盖率达到95%以上时，出现芯片破裂(DieCrack)的机率几乎为0。
综上所述，解决芯片破裂(DieCrack)问题的技术是：用TAMI作为无损检查方法、优化环氧树脂图案(Pattern)、控制环氧树脂覆盖率(Coverage)达到95%以上。
既然液态环氧树脂工艺复杂、容易出现芯片破裂(DieCrack)，另一种最有效的解决方法就是更换材料，使用环氧树脂薄膜。
环氧树脂薄膜的引入，不仅轻松减少了芯片破裂(DieCrack)问题，而且工艺简单、成品率大大提高。
对于叠层芯片技术而言，采用环氧树脂膜薄是必然趋势。
在采用环氧树脂膜薄后，芯片破裂虽然大大减少，成品率高，但是也有一些问题需要注意。
首先膜薄粘附在芯片上（FilmonDie），解决这个问题需要对划片工序的主轴转度、进刀量、以及刀片本身进行优化。
从本质上讲，要想成功建立TSOP叠层芯片生产线，就需要对设备水平进行大幅提升。
高密度的TSOP封装叠层芯片封装是封装技术发展的主流，因为它符合了封装技术发展的趋势即：大容量、高密度、多功能、低成本。
和过去单芯片封装技术相比，它打破了单纯以封装类型的更替来实现大容量、高密度、多功能、低成本的限制，而且，由于叠层技术的出现，它让一些似乎已经过时的封装类型重新焕发生机。
2006年对于TSOP封装来讲是非常重要的一年。
由于TSOP封装的容积率和运行速度不及BGA封装，这种曾经广泛应用于DRAM的封装类型在DDR/DDRII中已经消失。
但是随着数码产品的大量普及，人们对大容量、高密度、低成本的存储卡的需求激增，它已经成了仅次于SIP的NAND存储器的封装类型。
展望2007年，TSOP依然会主导市场，并且，这种趋势会持续到2008年。
在TSOP的封装技术发展方面，目前主要为TSOP2+0、TSOP2+1、TSOP3+0，由于其技术已经非常成熟、成品率高，依然会是2007年的主流。
但是，2007年将会有很多突破，TSOP4+0、TSOP5+0、TSOP4+3等更高密度的封装将会相继投产，并且在2008年得到大量应用，取代目前的TSOP2+0、TSOP2+1。