可控硅选型方法晶闸管选型方法

晶闸管中频电源逆变可控硅的选定

晶闸管中频电源逆变可控硅的选定。

1)根据中频电源的工作频率段选定；
频率在100HZ--- 500HZ的选定关断时间在20us-45us的KK型可控硅。

频率在500HZ--- 1000HZ的选定关断时间在18us-25us的KK型可控硅。

频率在1000HZ---2500HZ的选定关断时间在12us-18us的KK型可控硅。

频率在2500HZ---4000HZ的选定关断时间在10us-14us的KKG型可控硅。

频率在4000HZ---8000HZ的选定关断时间在6us—-9us的KA型可控硅。

2)根据中频电源的输出功率选定；
根据并联桥式逆变线路的理论计算,流过每个可控硅的电流是总电流的0.455倍,考虑留有足够的裕量,通常都选定和额定电流同样大小的可控硅。

功率在50KW----100KW 的选定电流300A/1400V的可控硅。

(380V进相电压)
功率在100KW—-250KW 的选定电流500A/1400V的可控硅。

(380V进相电压)
功率在350KW—-400KW 的选定电流800A/1600V的可控硅。

(380V进相电压)
功率在500KW—-750KW的选定电流1500A/1600V的可控硅。

(380V进相电压)
功率在800KW—1000KW的选定电流1500A/2500V的可控硅。

(660V进相电压)
功率在1200KW-1600KW的选定电流2000A/2500V的可控硅。

(660V进相电压)
功率在1800KW-2500KW的选定电流2500A/3000V的可控硅。

(1250V进相电压)。

浅析晶闸管参数选择

浅析晶闸管参数选择
晶闸管（SCR）是一种常用的半导体器件，它可以将直流电转换为交流电，并且可以通过控制管子的触发电压和电流来调节输出电压和电流。

晶闸管的参数选择对于电路的稳定性、可靠性和效率起着至关重要的作用。

本文将简要介绍晶闸管的参数选择。

1. 阻断电压（VDRM）
阻断电压是指在正向通电状态下，晶闸管能够保持稳定导通的最大电压。

在选择晶闸管时，必须确保所选晶闸管的阻断电压不低于电路的最大工作电压，以确保晶闸管在正常工作时不会烧毁。

承受电流是指在阻断状态下，晶闸管可以承受的最大反向电流。

在实际应用中，由于一些不确定的因素（如温度变化、线路噪声等），晶闸管可能会受到过高的反向电流，因此必须确保所选晶闸管的承受电流不低于电路的最大反向电流。

3. 推导电流（IT）
推导电流是指在触发晶闸管后，晶闸管准备从关断状态转换到导通状态时需要的最小电流。

选择晶闸管时，必须考虑电路中所用触发电流的情况，并选择具有可靠触发特性的晶闸管。

4. 触发电压（VGT）
触发电压是指在晶闸管被触发并导通时，晶闸管的门极电压。

由于晶闸管的导通是由触发电流决定的，因此选择晶闸管时必须确保所选晶闸管的触发电压小于触发电路提供的电压，否则无法实现导通。

综上，晶闸管参数选择需要根据所选电路的具体情况和要求进行选择，应综合考虑电压、电流、触发特性等因素，并根据实际情况进行合理选择。

只有选择合适的晶闸管才能保证电路的稳定性和可靠性。

可控硅电路选型分析

一、可控硅半导体结构及其工作原理：以单向可控硅为例晶闸管(Thyristor)又叫可控硅T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。

晶闸管的工作条件：1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受和种电压，晶闸管都处于关短状态。

2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。

3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。

4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。

晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。

图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。

因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。

设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。

当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。

可控硅选型方法晶闸管选型方法

可控硅选型方法晶闸管选型方法
1．选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。

若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。

若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。

若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。

若用于锯齿波生发器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用 BTG 晶闸管。

若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。

若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管 2．选择晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。

所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流 1.5~2 倍。

晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极的控制电路）的各顶要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。

可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算(修正)

可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算为什么要在晶闸管两端并联阻容网络一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。

我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。

它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。

若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。

即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。

因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。

在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。

当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。

如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。

因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。

为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。

同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。

由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。

RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56选择10欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2Pfv=2u(1.5-2.0)u=三相电压的有效值阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。

浅析晶闸管参数选择

浅析晶闸管参数选择晶闸管是一种半导体器件，具有开关功率和控制信号的功能。

在实际的电路设计和应用中，晶闸管的参数选择对于电路的性能和稳定性至关重要。

本文将从晶闸管的工作原理、参数及选择等方面进行浅析，以帮助读者更好地理解晶闸管的选择和应用。

一、晶闸管工作原理晶闸管是一种四层PNPN结构的半导体器件，其工作原理是基于PNP或NPN晶体管的耦合和反馈原理。

当晶闸管的控制端施加一个触发信号时，PNP-NPN结构内部会形成正反馈，导致晶闸管进入导通状态；当控制信号消失时，晶闸管会自动关闭。

这一特性使得晶闸管成为一种可以控制电流的开关器件，广泛应用于电力电子、变频调速、电磁启动、逆变器等领域。

二、晶闸管参数1. 最大反向电压（VRRM）：晶闸管能够承受的最大反向电压，决定了晶闸管的安全工作范围。

2. 最大正向电流（ITAV）：晶闸管可以持续工作的最大正向电流，直接关系到晶闸管的载流能力和散热能力。

3. 触发电流（IGT）：晶闸管进入导通状态所需的最小控制电流，是控制晶闸管导通的关键参数。

4. 阻断能力（di/dt、dv/dt）：晶闸管在承受高压和高电流冲击时的性能，涉及到晶闸管的抗干扰和稳定性。

5. 吸收时间（tq）：晶闸管在关闭状态转换为导通状态所需的时间，决定了晶闸管的开关速度。

1. 根据实际需求确定VRRM和ITAV：根据具体的电路工作电压和电流要求，选择晶闸管的VRRM和ITAV参数，使其能够稳定工作在所需的工作环境中。

2. 考虑IGT和触发方式：根据控制信号的特点和控制电路的设计要求，选择适合的IGT和触发方式，保证晶闸管可以可靠地控制。

3. 注意di/dt、dv/dt和tq：在高频开关电路中，需要特别注意晶闸管的阻断能力和吸收时间，以降低电压和电流冲击造成的损坏。

四、举例分析以一款控制电机的变频调速器为例，其输出电流为20A，工作电压为220V，控制系统为数字信号控制。

根据上述参数选择原则，我们可以选择VRRM为400V的晶闸管，ITAV为30A，IGT为20mA，di/dt、dv/dt和tq都要能够适应变频调速器的工作条件。

晶闸管可控硅阻容吸收元件的选择

晶闸管可控硅阻容吸收元件的选择TPMK standardization office【 TPMK5AB- TPMK08- TPMK2C- TPMK18】一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。

我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。

它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。

若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。

即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。

因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。

在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。

当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。

如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。

因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。

为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。

同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。

由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。

RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算（修正）

可控硅并联‎阻容吸收电‎路的选型与‎计算为什么要在‎晶闸管两端‎并联阻容网‎络一、在实际晶闸‎管电路中，常在其两端‎并联RC串‎联网络，该网络常称‎为RC阻容‎吸收电路。

我们知道，晶闸管有一‎个重要特性‎参数－断态电压临‎界上升率d‎l v/dlt。

它表明晶闸‎管在额定结‎温和门极断‎路条件下，使晶闸管从‎断态转入通‎态的最低电‎压上升率。

若电压上升‎率过大，超过了晶闸‎管的电压上‎升率的值，则会在无门‎极信号的情‎况下开通。

即使此时加‎于晶闸管的‎正向电压低‎于其阳极峰‎值电压，也可能发生‎这种情况。

因为晶闸管‎可以看作是‎由三个PN‎结组成。

在晶闸管处‎于阻断状态‎下，因各层相距‎很近，其J2结结‎面相当于一‎个电容C0‎。

当晶闸管阳‎极电压变化‎时，便会有充电‎电流流过电‎容C0，并通过J3‎结，这个电流起‎了门极触发‎电流作用。

如果晶闸管‎在关断时，阳极电压上‎升速度太快‎，则C0的充‎电电流越大‎，就有可能造‎成门极在没‎有触发信号‎的情况下，晶闸管误导‎通现象，即常说的硬‎开通，这是不允许‎的。

因此，对加到晶闸‎管上的阳极‎电压上升率‎应有一定的‎限制。

为了限制电‎路电压上升‎率过大，确保晶闸管‎安全运行，常在晶闸管‎两端并联R‎C阻容吸收‎网络，利用电容两‎端电压不能‎突变的特性‎来限制电压‎上升率。

因为电路总‎是存在电感‎的(变压器漏感‎或负载电感‎)，所以与电容‎C串联电阻‎R可起阻尼‎作用，它可以防止‎R、L、C电路在过‎渡过程中，因振荡在电‎容器两端出‎现的过电压‎损坏晶闸管‎。

同时，避免电容器‎通过晶闸管‎放电电流过‎大，造成过电流‎而损坏晶闸‎管。

由于晶闸管‎过流过压能‎力很差，如果不采取‎可靠的保护‎措施是不能‎正常工作的‎。

RC阻容吸‎收网络就是‎常用的保护‎方法之一。

二、整流晶闸管‎(可控硅)阻容吸收元‎件的选择电容的选择‎C=(2.5-5)×10的负8‎次方×IfIf=0.367Id‎Id-直流电流值‎如果整流侧‎采用500‎A的晶闸管‎(可控硅)可以计算C‎=(2.5-5)×10的负8‎次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择‎：R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56选择10欧‎PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负1‎2次方×R)2Pfv=2u(1.5-2.0)u=三相电压的‎有效值阻容吸收回‎路在实际应‎用中，RC的时间‎常数一般情‎况下取1~10毫秒。

浅析晶闸管参数选择

浅析晶闸管参数选择
1. 主要参数：
（1）额定电流（ID）：晶闸管的额定电流是指在正常工作条件下，晶闸管可以承受的最大电流。

在选择晶闸管时，应根据电路中的最大负载电流选择晶闸管的额定电流。

（2）导通压降（VTO）：晶闸管导通时的压降，通常指的是正向电压下的导通压降。

在选择晶闸管时，应根据电路要求和功率损耗来确定导通压降是否满足要求。

（3）关断电流（IH）：晶闸管的关断电流是指晶闸管在关断状态下通过的最小电流。

较小的关断电流可以减小晶闸管的功耗。

2. 参数选择方法：
（2）根据功率损耗确定导通压降：根据电路要求和功率损耗来确定晶闸管的导通压降。

一般来说，导通压降越小，功耗越小。

（4）根据电路控制信号确定触发电压：根据电路控制信号的要求来确定晶闸管的触发电压。

触发电压应满足电路控制信号的幅值和频率要求。

晶闸管参数的选择应综合考虑电路要求、功耗和可靠性等因素。

根据电路中的负载电流、功率损耗、关断电流和触发电压等要求，选择合适的晶闸管参数，以确保电路的性能
和稳定性。

可控硅选型手册

1500 2.35
1000 2.19
1500 1.44
1500 1.41
1000 1.90
1500 1.18
1500 1.92
1500 2.37
1500 1.35
3000 2.51
1500 1.20
1500 1.73
1500 2.13
3000 1.94
1500 1.07
1500 1.90
3000 2.11
1500 1.52
3000 1.50
3000 1.71
6000 3.62
3000 1.85
VTO @ TVJM V 0.93 1.20 1.20 0.85 1.04 1.15 0.94 0.98 1.03 0.87 0.92 0.87 0.80 0.93 1.15 1.22 0.87 0.90 1.12 0.86 1.08 1.20 0.96 1.15 0.92 1.10 1.18 1.05 0.86 1.30 1.15 1.02 0.96 1.00 1.40 1.26
型号
TYPE
××=VRRM/100
IT (AV) @TC=70℃
A
VDR M VRR M
V
ITSM @TVJM &10ms
kA
KP300-xx
300
1200-1600
4.3
KP300-xx
300
4400-5200
5.5
KP300-xx
300
4800-6500
4.8
KP400-××
400
600-1200
1800-2200
7.1
KP700-xx
700
400-1200

晶闸管选用方法

晶闸管选用方法
晶闸管是一种电子元器件，它广泛应用于电力电子控制领域。

晶闸管的选用方法非常重要，直接影响设备的性能和可靠性。

以下是一些晶闸管选用方法的建议：
1. 根据电路的功率和电压要求选择晶闸管的额定电压和电流。

晶闸管的额定电压和电流必须能够满足电路的要求，否则会引起设备故障或损坏。

2. 考虑晶闸管的开关速度。

晶闸管的开关速度越快，设备的效率和响应速度就越高。

但是，开关速度过快也会增加设备的噪声和EMI（电磁干扰）。

3. 考虑晶闸管的耐压和耐电流能力。

晶闸管的耐压和耐电流能力越高，设备的可靠性就越高。

4. 考虑晶闸管的温度容限。

晶闸管的温度容限必须能够适应设备的工作环境和负载要求，否则会引起设备故障。

5. 考虑晶闸管的价格和可获得性。

晶闸管的价格和可获得性必须符合设备的预算和生产计划。

综上所述，晶闸管的选用方法需要综合考虑电路要求、开关速度、耐压和耐电流能力、温度容限、价格和可获得性等因素，才能选出最适合设备的晶闸管。

- 1 -。

如何选择晶闸管,写出公式说明

如何选择晶闸管,写出公式说明
1：相关定义说明
晶闸管在环境温度为40(C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。

使用时应按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管，正弦半波电流平均值IT (AV)、电流有效值IT 和电流最大值Im三者的关系为：
各种有直流分量的电流波形，其电流波形的有效值I与平均值Id之比，称为这个电流的波形系数，用K f 表示。

因此，在正弦半波情况下电流波形系数为：
所以，晶闸管在流过任意波形电流并考虑了安全裕量情况下的额定电流IT(AV) 的计算公式为：
在使用中还应注意，当晶闸管散热条件不满足规定要求时，则元件的额定电流应立即降低使用，否则元件会由于结温超过允许值而损坏。

2.原则说明：
a：满负载下，电流波形连续，也就是单管导通120度
b:系统是稳定工作下，电容的平均电流为0，所以整流后的平均电流与负载产生关系。

假设最恶劣工作条件为最低电压下，负载为额定负载2倍。

故处理是理想下的近似处理
c:波形系数计算如下（即在实际波形下计算通态平均电流和有效值的比值关系）
Id=
I1=
3.首先计算负载的平均电流值，然后得到通过每个整流管的平均值，由比值系数得到相应的有效值，这个有效值可以等效成为晶闸管的有效值。

再由定义的比值系数得到额定电流值。

三相晶闸管选择方法

三相晶闸管选择方法
在选择三相晶闸管时，需要考虑以下几个关键因素：
1. 额定电压：选择额定电压大于或等于实际应用中可能出现的最高电压的晶闸管。

2. 额定电流：选择额定电流大于或等于实际应用中可能出现的最大电流的晶闸管。

3. 开关速度：根据实际应用中对晶闸管开关速度的要求进行选择。

4. 热性能：考虑晶闸管在工作时的散热性能，选择具有良好热性能的产品。

5. 触发灵敏度：选择具有合适触发灵敏度的晶闸管，以确保其触发稳定可靠。

6. 品牌和质量：选择知名品牌的晶闸管，并考虑其售后服务和技术支持等方面。

此外，根据实际应用场景，可能还需要考虑其他因素，如晶闸管的封装形式、耐久性、可靠性等。

在选择三相晶闸管时，建议参考制造商提供的技术规格书和使用指南，以确保选择适合应用的晶闸管。

晶闸管参数应该如何选择

嘿儿哈 2015/07/09 文章来自网络转载晶闸管也就是可控硅，国外简称为SCR元件，是硅整流装置中最主要的器件，它的参数选择是否合理直接影响着设备运动性能。

合理地选用可控硅可提高运行的可靠性和使用寿命，保证生产和降低设备检修成本费用。

在一般情况下，装置生产厂图纸提供的可控硅的参数最主要两项：即额定电流(A)和额定电压(V)，使用部门提出的器件参数要求也只是这两项，在变频装置上的快速或中频可控硅多一个换向关断时间(tg)参数，在一般情况下也是可以的。

但是从提高设备运行性能和使用寿命的角度出发，我们在选用可控硅器件时可根据设备的特点对可控硅的某一些参数也作一些挑选。

根据可控硅的静态特性，对可控硅器件参数的选择提出如下几点讨论。

1 选择正反向电压可控硅在门极无信号，控制电流Ig为0时，在阳(A)一一阴(K)极之间加(J2)处于反向偏置，所以，器件呈高阻抗状态，称为正向阻断状态，若增大UAK而达到一定值VBO，可控硅由阻断突然转为导通，这个VBO值称为正向转折电压，这种导通是非正常导通，会减短器件的寿命。

所以必须选择足够正向重复阻断峰值电压(VDRM)。

在阳一一阴极之间加上反向电压时，器件的第一和第三PN结(J1和J3)处于反向偏置，呈阻断状态。

当加大反向电压达到一定值VRB时可控硅的反向从阻断突然转变为导通状态，此时是反向击穿，器件会被损坏。

而且V BO和V RB值随电压的重复施加而变小。

在感性负载的情况下，如磁选设备的整流装置。

在关断的时候会产生很高的电压( ∈=-Ldi/dt)，如果电路上未有良好的吸收回路，此电压将会损坏可控硅器件。

因此，器件也必须有足够的反向耐压VRRM。

可控硅在变流器(如电机车)中工作时，必须能够以电源频率重复地经受一定的过电压而不影响其工作，所以正反向峰值电压参数VDRM、VRRM应保证在正常使用电压峰值的2-3倍以上，考虑到一些可能会出现的浪涌电压因素，在选择代用参数的时候,只能向高一档的参数选取。

可控硅元件选型与使用

仪元公司可提供 SS 水冷系列和 SF 风冷系列以及各类非标及组件散热器为元件配套
使用
根据元件通态额定平均电流推荐配置的标准型散热器型号见下表
元件通态额定平均电流
100A-200A 300A 400A 500A-600A 800A 1000A
推荐散热器型号
水冷
风冷
SS11
SF12
SS12
SF13 SF13 SF14
SS12 SS13
SF15
SS13
SF16
SS14
SF17
1000A-3000A
SS14
其中 SF 系列风冷散热器是指在强迫风冷(风速 6m/s)条件下的推荐配置用户在使用
时应根据实际散热条件并考虑可靠性要求进行选择对于 1000A 以上元件一般不推荐使用
风冷散热器若使用风冷散热器则元件额定电流需降额使用
m 平整度小于或等于 30 m 安装时元件台面与散热器台面应保持清洁干净无油污等脏物 3 安装时要保证元件台面与散热器的台面完全平行同心安装过程中要求通过元件中心线施加压力以使压力均匀分布在整个接触区域用户手工安装时建议使用扭矩扳手对所有紧固螺母交替均匀用力压力的大小要达到数据表中的要求 4 在重复使用水冷散热器时应特别注意检查其台面是否光洁平整水腔内是否有水垢和堵塞尤其注意台面是否出现下陷情况若出现了上述情况应予以更换
器直流输入电压为 Ud 功率因数为 cos 则
VDRM/RRM= 1.5-2 Ud / 2cos 2 元件的额定通态电流 IT AV
考虑到元件在较高频率下工作时其开关损耗非常显著
元件的额定通态电流应按实
际流过其有效值 I 的 2-3 倍来考虑即

三相晶闸管选择方法 -回复

三相晶闸管选择方法-回复关于三相晶闸管选择方法的文章。

第一步：了解基本知识在选择三相晶闸管之前，我们需要了解一些基本知识。

首先是晶闸管的工作原理。

晶闸管是一种电子开关，可用于控制大功率电路的导通和截止。

它由控制电极（即门极）、阳极和阴极组成。

通过控制电极的信号，可以打开或关闭晶闸管。

我们还需要了解三相电源的特性。

三相电是指由三个相位的电压组成的电源。

在三相电中，电压波形之间存在120度的相位差。

这种电源通常用于供电给大功率设备。

第二步：确定应用需求在选择三相晶闸管时，我们需要考虑应用的需求。

这包括电源电压、电流负载、开关频率等因素。

首先，确定需要控制的电源电压范围。

然后，确定电流负载的范围。

最后，确定需要的开关频率。

第三步：确定晶闸管参数根据应用需求，我们需要确定晶闸管的参数。

这些参数包括最大可控电压（VDRM）、最大可控电流（IDRM）、最大耗散功率（Pd）等。

这些参数可以通过查询晶闸管的规格表来获取。

第四步：选择合适的晶闸管根据应用需求和晶闸管参数，我们可以从市场上选择合适的三相晶闸管。

在选择时，我们可以考虑以下几点：1. 电压和电流容量：选择符合应用需求的电压和电流容量的晶闸管。

如果应用中有过流或过压的情况，应考虑选择较高容量的晶闸管。

2. 温度和环境：考虑应用环境的温度和环境条件，选择适用于这些条件的晶闸管。

温度越高，晶闸管的耗散功率越大，所以在高温环境下需要选择具有较高耐高温能力的晶闸管。

3. 可控性能：根据应用需要选择具有合适的最大可控电压和最大可控电流的晶闸管。

第五步：验证和测试在选择三相晶闸管后，我们需要进行验证和测试，以确保其符合应用需求。

这包括测试晶闸管的导通和截止性能，以及承载高电压和电流的能力。

总结：选择合适的三相晶闸管涉及了对基本知识的了解，确定应用需求，选择合适的参数和合适的晶闸管等多个步骤。

通过仔细考虑这些因素，我们可以选择到适用于特定应用的三相晶闸管，以确保电路的正常运行。

可控硅元件选型与使用

可控硅元件选型与使用首先，在选型可控硅元件时需要考虑其电气参数。

主要包括额定电流（IR），额定电压（VR），触发电流（IH），阻断电压（VDRM/VRRM）和耐冲击电流（ITSM）等。

这些电气参数决定了可控硅元件能承受的电流和电压范围。

根据实际电路的要求，选择合适的电气参数，避免超过可控硅元件的额定工作范围。

其次，需要考虑可控硅元件的封装类型。

常见的封装类型有TO-220、TO-247、TO-126等。

不同的封装类型具有不同的散热能力和安装方式。

在设计电路时，需要根据可控硅元件的功率损耗和散热要求来选择合适的封装类型，以确保可控硅元件能在正常工作温度下运行。

此外，还要考虑可控硅元件的响应速度和触发方式。

可控硅元件触发方式有电压触发和电流触发两种。

根据具体需求，选择合适的触发方式，并确保可控硅元件的响应速度能满足电路的要求。

如果需要快速切断电流，可以选择具有高响应速度的可控硅元件。

在使用可控硅元件时，还需要注意以下几点。

首先，要合理布置电路，避免可控硅元件直接暴露在高温环境或有害环境中，以防止可控硅元件过热或受到损坏。

其次，要防止可控硅元件在超过其额定电流或电压的情况下工作，以避免引起元件的热击穿或击穿，造成设备事故或故障。

同时，要注意可控硅元件的散热，合理选择散热器，确保可控硅元件能够在正常工作温度下运行。

可控硅元件的工作温度过高会导致其损坏或寿命缩短。

此外，还要注意可控硅元件的触发信号的保护。

在触发可控硅元件时，要确保触发信号的电压和电流不超过其额定值，以防止元件受到损坏。

最后，要定期检查和维护可控硅元件，及时更换老化或损坏的元件，以确保电路的正常工作和稳定性。

综上所述，可控硅元件的选型和使用需要考虑其电气参数、封装类型、响应速度和触发方式等因素。

同时，还要注意电路的布局、额定电流和电压、散热、触发信号的保护以及定期检查和维护等问题。

只有正确选型和使用可控硅元件，才能保证电路的正常工作和可靠性。

可控硅选型原理

SCR可控硅（晶闸管）：半控型，只可在正向电压时触发，不能控制关断，只能在电压反相时关断，所以开关频率低，不知道是否可以满足目前开关设计方案的需求。

同时报告中指出晶闸管需要强制切换电路关断晶闸管，不知道是否所有的晶闸管都是这样，这会给装置设计带来多大的难度。

但其稳定性高，价格便宜，控制方案简单。

近十几年来，由于自关断器件的飞速发展，晶闸管的应用领域有所缩小，但是，由于它的高电压、大电流特性，它在HVDC、静止无功补偿（SVC）、大功率直流电源及超大功率和高压变频调速应用方面仍占有十分重要的地位。

预计在今后若干年内，晶闸管仍将在高电压、大电流应用场合得到继续发展。

GTO：大功耗，门极可关断晶闸管，实现全控，导通功耗低。

但门极关断缓冲电路复杂，驱动功耗大，开关频率低，典型值为200-500Hz。

在未来的功率器件发展趋势中，GTO将会被淘汰，取而代之的是IGCT。

IGCT：大功耗，全控晶闸管，是GTO的改进，降低了门极驱动功耗问题，提高了开关频率。

今后的发展趋势是大功耗使用IGCT，低功耗使用IGBT。

但IGCT属于新技术，应用不成熟，就国内来讲没有成熟的产品应用。

高的复杂度和高成本限制了其应用范围。

IGBT：属于低功耗，较为成熟的产品，开关频率高，但其导通功耗较高。

IGBT正在向大功耗方向发展，但成本仍然是一个问题。

对于我们目前研发的10KV开关，是否必须使用IGBT 来实现滞环电流控制，以限制电流，实现开关功能。

可控硅的挑选方法

一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极A与阴极B间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。

以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。

另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。

可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。

二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。

从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。

三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。

第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。

用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。

具体方法是：用R×1k或R×10k 挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。

电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。

如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。

用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。

用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。

反向阻值应很大，但不能为无穷大。

晶闸管选型

国产晶闸管的型号命名方法
国产晶闸管的型号命名（JB1144-75部颁发标准）主要由四部分组成，
各部分的含义见下表。

第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管。

第二部分用字母表示晶闸管的类别。

第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值。

第四部分用数字表示重复峰值电压级数。

例如：
国产电子管的型号命名由部分组成，各部分的含义见下表。

第一部分用数字表示灯丝电压值。

第二部分用字母表示电子管的类型（结构与用途）。

第三部分用数字表示电子管的序号及性能。

第四部分用字母表示电子管的材料和外形。