400A以上的大功率可控硅如何检测好坏

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万用表检查判断可控硅的好坏及极性方法

万用表检查判断可控硅的好坏及极性方法

万用表检查判断可控硅的好坏及极性方法可控硅极性和好坏可以用指针万用表或数字万用表进行推断,下面电工学习网我分别介绍这两种万用表在可控硅极性和好坏测量过程中的使用方法。

1、使用指针万用表检查可控硅极性和好坏方法依据PN结原理,可控硅三个极之间的电阻值,可用欧姆挡“R×10”或“R×100”挡测量来判别好坏。

可控硅的掌握极G与阴极K之间是一个PN结,在正常状况下,它的正向电阻在几十欧到几百欧之间,一般反向电阻比正向电阻要大。

有时测得掌握极反向电阻较小,不肯定说明掌握极特性差,主要应看其是否符合PN结的特点。

2、使用数字万用表检查可控硅极性和好坏方法推断可控硅的电极数字万用表拨至二极管挡,红表笔接某一电极,黑表笔分别接触另外两个电极。

假如其中有一次显示电压为零点几伏,则此时红表笔接的是掌握极G,黑表笔接的是阴极K,余下的则是阳极A。

假如两次都显示溢出,说明红表笔接的不是掌握极,需更换电极重测。

测试可控硅的触发力量数字万用表拨至PNP挡,此时hFE插口上的两个E孔带正电,C孔带负电,电压为2.8V。

可控硅的三个电极各用一根导线引出,阳极A、阴极K引线分别插人E孔和C孔,掌握极G悬空。

此时可控硅关断,阳极电流为零,将显示000。

把掌握极G插人另一个E孔。

显示值将从000开头快速增加,直到显示溢出符号后,马上又变成000,然后再次从000变到溢出,这样周而复始。

采纳此法可确定可控硅的触发是否牢靠。

但这样的测试由于电流较大,应尽量缩短测试时间。

必要时也可在可控硅的阳极上串一只几百欧的爱护电阻。

假如使用NPN挡,可控硅阳极A应接C孔,阴极K接E孔,以保证所加的是正向电压。

检查触发力量时,掌握极不要插人B孔,因B 孔的电压较低,可控硅无法导通。

可控硅好坏的判断

可控硅好坏的判断
检修:调整线圈与工件的间隙,清理氧化皮
B.感应线圈部分,电容部分,主回路各连接铜排螺丝松动打火
检修:紧固螺丝
C.逆变可控硅有一只(两只)损坏
逆变可控硅损坏一只(两只)后从表头观察角度(逆变引前角)大于或等于2,直流电流和直流电压的比值比正常大很多
检修:更换可控硅
D逆变引前角调节过大
检修:重新调整逆变引前角,应该为( 1.5 )
A将正在运行的电源关机后(需关掉电源内部的总空开),用手触摸(有可能烫手)逆变阻容吸收的无感电阻,温度是基本一致的,若发现:
A.1有无感电阻温度比其它无感电阻温度高很多,则说明:和该无感电阻相串联的电容漏电
A.2有无感电阻温度很低或不热,则说明:a和该电阻相串联的电容容量减小或开路.b电阻,电容,可控硅三者之间的接线开路或可控硅损坏(指串硅)
E逆变阻容吸收部分故障,参阅第8项逆变阻容吸收的检查
4 OC(过流)灯亮
原因:
A感应器部分,电容部分及其连接铜排有短路
B逆变可控硅有两只(4只)损坏
C逆变硅质量不高
5 OV/OC同时灯亮
原因:
检修时以过压现象为主
6 LV(主控板欠压)灯亮
原因:
A 17V电源变压器损坏
B主控板上的滤电容漏电或失效
6.3逆变阻容吸收的检查
2.定期检查水管接头扎结是否牢固,使用自来水井水作为装置的冷却水源时,易积存水垢,影响冷却效果在塑料水管老化产生裂纹时,应及时更换装置在夏天运行时采用自来水井水冷却往往容易发生凝露现象应该考虑使用循环水系统,凝露严重时应该停止运行
3.定期对装置进行检修,对装置各部的螺栓螺母压接进行检查和紧固接触器继电器的触头有松动或接触不良,均应及时修理更换,不要免强使用,防止引起更大事故

检查可控硅的好坏方法

检查可控硅的好坏方法

检查双向晶闸管(可控硅)的好坏方法:(六祖故乡人编)一、双向晶闸管作电子开关使用,能控制交流负载(例如白炽灯)的通断,根据白炽灯的亮灭情况,可判断双向晶闸管的好坏。

电路如图1所示。

将220V交流电源的任意一端接T2,另一端经过220V、100W白炽灯接T1。

触发电路由开关S和门极限流电阻R组成。

S选用耐压220VAC的小型钮子开关或拉线开关。

R的阻值取100~330Ω,R值取得过大,会减小导通角。

下面个绍检查步骤:第一步,先将S断开,此时双向晶闸管关断,灯泡应熄灭。

若灯泡正常发光,则说明双向晶闸管T1- T2极间短路,管子报废;如果灯泡轻微发光,表明T1-T2漏电流太大,管子的性能很差。

出现上述两种情况,应停止试验。

第二步:闭合S,因为门极上有触发信号,所以只需经过几微秒的时间,双向晶闸管即导通通,白炽灯上有交流电流通过而正常发光。

具体工作过程分析如下:在交流电的正半周,设Ua>Ub,则T2为正,T1为负,G相对于T2也为负,双向晶闸管按照T2-T1的方向导通。

在交流电的负半周,设Ua<Ub,则T2为负,T1为正,G相对于T2也为正,双向晶闸管沿着T1→T2的方向导通。

综上所述,仅当S闭合时灯泡才能正常发光,说明双向晶闸管质量良好。

如果闭合时灯泡仍不发光,证明门极已损坏。

(六祖故乡人编)注意事项:(1)本方法只能检查耐压在400V以下的双向晶闸管。

对于耐压值为100V、200V的双向晶闸管,需借助自耦调压器把220V交流电压降到器件耐压值以下。

(2)T1和T2的位置不得接反,否则不能触发双向晶闸管。

(3)具体到Ua、Ub中的哪一端接火线(相线),哪端接零线,可任选。

(4)利用双向晶闸管作电子开关比机械开关更加优越。

因为只需很低的控制功率,就能控制相当大的电流,它不存在触点抖动问题,动作速度极快,在关断时也不会出现电弧现象。

实际应用时,图5.9.14中的开关S可用固态继电器、干簧继电器、光电继电器等代替。

大功率可控硅怎样鉴别断路和软击穿

大功率可控硅怎样鉴别断路和软击穿
大功率可控硅怎样鉴别断路和软击穿
不知道你的设备与中频感应加热的电源柜是否相似,就是两个KP的可控硅并联作为一组,共三组组成一个桥式整流电路。
检查断路的方法的方法本人认为有以下几种:
1,用万用表,因为可控硅的阴极和阳极之间是有电阻的,假如断路了两极之间的阻值就为无穷大了。
2,打开控制电路(主电路不要打开,一定要注意安全)用万用表测可控硅的脉冲信号,如果断路的可控硅会没有脉冲信号。
不知会导通,那么就会缺项。
检查软击穿有以下方法:
软击穿一般都不会直接表现出来,功率过大的时候才会表现出来。
1,可以在工作的时候用一个红红外线测温枪,检测工作的每组可控硅的温度,如果有软击穿的可控硅,它的温差会很大,就是所谓的电力不平衡。
2,有时功率开大了,就直接却一路信号,这就要在小功率状态,用万用表测均压,如果一组的两个可控硅都是好的,那两个均压相等,否则,压降很大,也是电力不平衡。那么另外一只负载就很大,很容易烧坏。

可控硅好坏如何测量

可控硅好坏如何测量

可控硅好坏如何测量 Pleasure Group Office【T985AB-B866SYT-B182C-BS682T-STT18】一、可控硅的特性可控硅分单向可控硅、双向可控硅。

单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。

双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。

只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。

此时A、K间呈低阻导通状态,阳极 A与阴极K间压降约1V。

单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。

只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。

单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G 和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。

单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。

双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极 A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。

此时A1、A2间压降也约为1V。

双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。

只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。

二、可控硅的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法:先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极。

再将万用表置于R*10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑表笔接阳极,红表笔接剩下的一脚,如表针向右摆动,说明红表笔所接为阴极,不摆动则为控制极。

三、单向可控硅的检测万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。

怎么测试可控硅整流器的好坏

怎么测试可控硅整流器的好坏

怎么测试可控硅整流器的好坏?悬赏分:0 |解决时间:2011-3-22 14:07 |提问者:jingzhen214最佳答案快速鉴别可控硅三个极也就是引脚的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。

控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。

可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。

另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。

若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明该元件已损坏。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。

单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。

双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。

即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。

1、单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。

若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅。

且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。

若正、反向测批示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。

再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。

2、性能的差别:将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低(或触发电流小)。

用数字万用表测可控硅的好坏

用数字万用表测可控硅的好坏

用数字万用表测可控硅的好坏、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分,有的可从外形封装加以判别,如外壳就为阳极,阴极引线比控制极引线长。

从外形无法判断的可控硅,可用万用表R X100或R X1K挡,测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻,当万用表指示低阻值(几百欧至几千欧的范围)时,黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。

二、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。

第一是三个PN 结应完好;第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断,不导通;第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通;第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉,仍处于导通状态。

用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对前三个方面的好坏进行判断。

具体方法是:用R X k或R X0k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。

电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。

如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了用RX1k或R X IOk挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。

用R X1k 或R X1OO 挡,测控制极和阴极之间的PN 结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN 结已经损坏。

反向阻值应很大,但不能为无穷大。

正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。

万用表选电阻R X1 挡,将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。

红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为1O 欧姆左右。

如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。

四、可控硅的使用注意事项选用可控硅的额定电压时,应参考实际工作条件下的峰值电压的大小,并留出一定的余量。

可控硅测量方法

可控硅测量方法

可控硅测量方法可控硅的测量方法可控硅(SCR)国际通用名称为Thyyistoy,中文简称晶闸管。

它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。

一、可控硅的特性可控硅分单向可控硅、双向可控硅。

单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。

双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。

只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。

此时A、K间呈低阻导通状态,阳极 A与阴极K间压降约1V。

单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。

只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。

单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K 间有重新加上正向触发电压方可导通。

单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。

双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极 A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。

此时A1、A2间压降也约为1V。

双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。

只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。

二、可控硅的管脚判别。

晶闸管管脚的判别可用下述方法:先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极。

再将万用表置于R*10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑表笔接阳极,红表笔接剩下的一脚,如表针向右摆动,说明红表笔所接为阴极,不摆动则为控制极。

用数字万用表测可控硅的好坏

用数字万用表测可控硅的好坏

用数字万用表测可控硅的好坏、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分,有的可从外形封装加以判别,如外壳就为阳极,阴极引线比控制极引线长。

从外形无法判断的可控硅,可用万用表R X100或R X1K挡,测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻,当万用表指示低阻值(几百欧至几千欧的范围)时,黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。

二、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。

第一是三个PN 结应完好;第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断,不导通;第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通;第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉,仍处于导通状态。

用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对前三个方面的好坏进行判断。

具体方法是:用R X k或R X0k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。

电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。

如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了用RX1k或R X IOk挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。

用R X1k 或R X1OO 挡,测控制极和阴极之间的PN 结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN 结已经损坏。

反向阻值应很大,但不能为无穷大。

正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。

万用表选电阻R X1 挡,将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。

红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为1O 欧姆左右。

如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。

四、可控硅的使用注意事项选用可控硅的额定电压时,应参考实际工作条件下的峰值电压的大小,并留出一定的余量。

如何用万用表判断可控硅的好坏

如何用万用表判断可控硅的好坏

如何用万用表判断晶闸管的好坏一、晶闸管的特性晶闸管有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。

只有当晶闸管阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。

此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A 与阴极K间压降约1V。

晶闸管导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,晶闸管继续处于低阻导通状态。

只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,晶闸管才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。

晶闸管一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。

晶闸管的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。

二、晶闸管的管脚判别鉴别晶闸管三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

晶闸管管脚的判别可用下述方法:1. 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极。

2. 再将万用表置于R*10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑表笔接阳极,红表笔接剩下的一脚,如表针向右摆动,说明红表笔所接为阴极,不摆动则为控制极。

三、晶闸管的检测用万用表判断晶闸管的好坏可用下述方法:1. 万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。

2. 将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。

此时万用表指针应不动。

用短线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。

如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该晶闸管已击穿损坏。

阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。

可控硅好坏简易判断方法

可控硅好坏简易判断方法

可控硅好坏简易判断方法可控硅是一种具有开关功能的半导体器件,广泛应用于电子电路中。

它的好坏直接影响到电路的性能和稳定性。

那么,如何判断可控硅的好坏呢?本文将介绍一些简易的判断方法。

我们可以通过外观来初步判断可控硅的好坏。

正常的可控硅外观应该无明显的损坏、变形或烧焦现象。

若外观存在明显的损坏,如裂缝、破损等,很可能已经失效,需要更换。

可以使用万用表来测试可控硅的导通性。

首先,将万用表的测试笔分别连接到可控硅的控制极和主极上,然后将测试笔的选择档位调到电阻档位。

如果万用表显示的电阻值为无穷大,即开路状态,那么可控硅很可能已经损坏。

而如果显示的电阻值接近于零,即短路状态,也说明可控硅存在问题。

可以通过观察可控硅的发热情况来初步判断其好坏。

正常工作的可控硅在通电过程中会有一定的发热现象,但不应过热。

如果可控硅在工作过程中过热,可能是由于负载过大、环境温度过高或可控硅本身存在问题等原因。

这时需要进行进一步检查和调试。

可以通过可控硅的正常工作状态来判断其好坏。

可控硅在正常工作时应能够准确地控制电路的导通与断开。

可以通过输入控制信号来观察可控硅的工作情况。

如果可控硅无法正常地开启或关闭,或者控制信号无法准确地控制可控硅的导通与断开,很可能是可控硅出现了问题。

可以使用专业的测试设备来进一步判断可控硅的好坏。

例如,使用特定的测试仪器可以对可控硅进行静态和动态特性测试,来检测其各项参数是否符合规格要求。

这种方法需要一定的专业知识和设备,适用于对可控硅的详细评估和性能分析。

通过外观检查、导通性测试、发热情况观察、工作状态检查以及专业测试等方法,我们可以初步判断可控硅的好坏。

当然,对于一些特殊场合和要求更高的应用,可能需要更加专业的检测手段和设备,以确保可控硅的性能和可靠性。

因此,在实际应用中,我们应根据具体情况选择合适的方法和工具来判断可控硅的好坏,以保证电路的正常运行和稳定性。

如何测量可控硅的好坏

如何测量可控硅的好坏
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其他回答
一、若为单向可控硅:1、用万用表的两只表笔分别连接可控硅的任意两脚,当交换前后均无指示的情况下,稍微扭动与第三只管脚相邻的表笔,使其与第三脚有轻微的接触后迅速断离,若此时连接的两脚间有指示,断定此可控硅可用;若仍保持断路状态,可断定此可控硅报废。2、若不论连接任何两脚,都处于导通状态也可断定报废。二、若为双向可控硅:1、进行一、1、步骤后,交换一下表笔,重复触碰第三只管脚,按一、1、作出判断。2、同一、2、。3、双·1···向可控硅一般双向同时损坏,偶有单向损坏者,但已不能用在双向开关电路中了。
2. 双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后,再仔细测量A1、G极间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转,阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负的触发电压,A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持在10欧姆左右。符合以上规律,说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。

检测晶闸管(可控硅)好坏的简单方法

检测晶闸管(可控硅)好坏的简单方法

检测晶闸管(可控硅)好坏的简单方法【原创】晶闸管(SCR)是一种可改变输出电压大小的可控电子半导体器件。

常用于对交直流执行元件调压、调速;直流转换交流的逆变等;以及可作为可控无触点的开关,使用于数控系统、PLC控制器的输出模块等高端电子产品领域。

晶闸管是双PN结硅材料制成(单相晶闸管)其外部共三个电极。

阳极(A或A1)、阴极(K或A2)、控制极(G),它的内部结构图和电子符号如下:怎样检测晶闸管(可控硅)的好坏,现以机械式指针万用表及单相晶闸管为例介绍检测方法。

1,判断控制极(G)与阴极(K或A2)性能根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×10;大功率选择×100。

短接两表笔较表,较对万用表指针在“0”的位置。

控制极(G)与阴极(K或A2)实际是二极管特性,因此有单向导通性能。

将万用表-黑表笔(实际是内部电池的“+” 极)搭接在控制极上。

+红表笔搭接在阴极上,万用表指针向右偏移(“0”的方向)较小位置。

一般在几欧~十几欧。

调换黑、红表笔,再次测量控制极与阴极,万用表指针因在左边的“∝”不动(微动)或向右偏移较少(一般在几千欧~几十千欧)如检测结果与上不符,说明控制极(G)与阴极(K或A2)间已损坏。

2,判断阳极(A或A1)与阴极(K或A2)性能同样根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×1K;大功率选择×10K。

再次较表。

短接两表笔,较对万用表指针在“0”的位置。

由于晶闸管在制造时,两PN结在结构上是串接。

当晶闸管在截止状态下时,阳极与阴极之间就像常开开关一样处于断开状态。

因此在黑表笔搭接阳极、红表笔搭接阴极,还是黑表笔搭接阴极、红表笔搭接阳极,万用表的指针应始终处于“∝”位置。

如检测结果与上不符,即万用表的指针向右偏移,说明晶闸管的一个或两个PN极性能变差或已击穿。

3,检测在控制极上加上触发电压后,阳极与阴极是否导通黑表笔搭接阳极、红表笔搭接阴极。

怎么检测和判断可控硅晶闸管的好坏

怎么检测和判断可控硅晶闸管的好坏

怎么检测和判断可控硅晶闸管的好坏硅分单向可控硅、双向可控硅。

单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。

双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。

只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。

此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。

单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。

只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。

单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。

单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。

双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。

此时A1、A2间压降也约为1V。

双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。

只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。

判断可控硅晶闸管好坏的检测方法单向可控硅的检测万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。

此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。

此时万用表指针应不动。

用短线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。

如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。

四个方法帮你轻松判断可控硅质量好坏

四个方法帮你轻松判断可控硅质量好坏

四个方法帮你轻松判断可控硅质量好坏可控硅作为一种在电路设计中最经常用到的基础元件,其质量的优劣直接关系到整个系统的运行安全,因此需要工程师在进行设计之前便对可控硅的性能质量进行判断。

本文将会介绍四个判断可控硅质量优劣的方法,一起来看看这四个方法都有哪些吧。

判断一个可控硅元件是否完好,工程师需要从四个方面进行检查,首先是判断该元件的三个PN结应完好,其次是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断不导通,第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通,第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉后仍处于导通状态。

满足以上四个条件的可控硅元件,才是符合设计使用要求的。

想要看一个可控硅元件是否符合以上要求,其实非常简单,只需要用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对前三个方面的好坏进行判断。

具体的操作方法是:用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。

电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。

如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了。

接下来需要检测的是控制极与阴极之间的PN结是否损坏。

我们可以用万用表的R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。

用R×1k或R×100挡,测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。

反向阻值应很大,但不能为无穷大。

正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。

如果想要判断可控硅是否已经被击穿损坏,工程师可以使用万用表选电阻R×1挡,然后将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。

红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。

可控硅好坏简易判断方法

可控硅好坏简易判断方法

可控硅好坏简易判断方法可控硅(SCR)是一种半导体器件,广泛应用于电力电子领域。

它具有可控性和放大性能,可以实现电流的控制和放大。

那么如何判断一个可控硅的好坏呢?本文将从以下几个方面进行简单介绍。

一个好的可控硅应具有稳定的电特性。

在正向导通和反向截止两种状态下,电流和电压的关系应符合规定的特性曲线。

通过测试可控硅的伏安特性曲线,可以判断其工作状态是否正常。

如果曲线偏离理想情况,说明可控硅存在问题。

可控硅的触发特性也是判断其好坏的重要指标。

触发电压和触发电流是影响可控硅正常工作的重要参数。

触发电压是指在正向电压作用下,可控硅从截止状态转变为导通状态所需的电压。

触发电流是指在正向电流作用下,可控硅从截止状态转变为导通状态所需的电流。

这两个参数应符合设备规格书中的要求。

可控硅的耐压能力也是判断其好坏的重要指标。

耐压能力是指可控硅能够承受的最大反向电压。

如果可控硅在正常工作电压下出现击穿或损坏,说明其耐压能力不足,不能满足实际应用需求。

可控硅的温度特性也需要考虑。

温度对可控硅的导通特性和触发特性有一定影响。

正常工作温度范围内,可控硅应能够保持稳定的电特性。

因此,对可控硅进行温度特性测试,可以判断其是否能在不同温度条件下正常工作。

可控硅的寿命也是判断其好坏的重要指标。

寿命是指可控硅在一定条件下能够保持正常工作的时间。

通过对可控硅进行寿命测试,可以判断其使用寿命是否符合要求。

可控硅的封装和焊接质量也需要考虑。

封装质量直接影响可控硅的散热性能和耐温能力。

焊接质量影响可控硅与其他元器件的连接可靠性。

因此,在选择可控硅时,需要注意其封装和焊接质量是否符合要求。

判断一个可控硅的好坏可以从电特性、触发特性、耐压能力、温度特性、寿命以及封装和焊接质量等方面进行综合评估。

只有在这些方面都符合要求的情况下,才能认定可控硅是好的。

当然,对于不同的应用场景,对可控硅的要求也会有所不同。

因此,在实际应用中,还需要根据具体需求来选择合适的可控硅。

可控硅好坏如何测量

可控硅好坏如何测量

一、可控硅的特性可控硅分单向可控硅、双向可控硅;单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚;双向可控硅有第一阳极A1T1,第二阳极A2T2、控制极G三个引出脚;只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通;此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V;单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态;只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变交流过零时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态;单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通;单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关;双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态;此时A1、A2间压降也约为1V;双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态;只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通;二、可控硅的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法:先用万用表R1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极;再将万用表置于R10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑表笔接阳极,红表笔接剩下的一脚,如表针向右摆动,说明红表笔所接为阴极,不摆动则为控制极;三、单向可控硅的检测万用表选电阻R1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A;此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K;此时万用表指针应不动;用短线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右;如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏;四、双向可控硅的检测用万用表电阻R1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大;若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2;确定A1、G极后,再仔细测量A1、G极间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G;将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转,阻值为无穷大;再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约10欧姆左右;随后断开A2、G间短接线,万用表读数应保持10欧姆左右;互换红、黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1;同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大;用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负的触发电压,A1、A2间的阻值也是10欧姆左右;随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持在10欧姆左右;符合以上规律,说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确;检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节干电池,以提高触发电压;。

如何判断可控硅模块的好坏?

如何判断可控硅模块的好坏?

如何判断可控硅模块的好坏?如何判断可控硅模块的好坏?答;可控硅有两种叫法,精准一点叫晶闸管。

常用的电力半导体器件有;普通可控硅(SCR)、门极(GTO)关断可控硅、电力可控硅(GTR)、电力MoS场效应晶体管(MosFET)、绝缘栅双极型晶体管、(lGBT)、Mos栅控可控硅等等。

可控硅模块;是根据不同的用途与技术要求,将单向可控进行组合。

两只单向可控硅的串联(一只的阳极A与另一只的阴极K相接)这样就组成了一个可控硅模块。

常用于大功率三相桥式、单相桥式整流电路之中。

两只单相可控硅反向并联(就是一只的阳极A与另一只的阴极K 联接,另一端点一只阴极k与一只阳极A相接)组成一只双向可控硅模块。

常用于大功率三相或单相交流调压电路中。

例如软启动器中改变电压控制电动机启动的电路中。

无论是什么结构,它们的控制端都是由阴极K与门极G有二根线引出来控制的。

下面简述一下GT0门极可关断可控硅的组成。

见下面图门极可关断晶闸管简称可关断晶闸管,用GTO表示。

它是一种耐高电压大电流全控器件。

它属全控型三端器件。

GT0可控硅的基本结构与普通可控硅ScR类似,它的三个极也是阳极A、阴极k、门极G。

其内部结构及符号如上图所示。

其阳极伏安特性如下图所示。

当阳极加有正电压、阴极加有负电压时,在门极G上加以正电压或正脉冲信号,则GT0导通;当门极上信号消失后,GTO仍然保持导通状态,这与普通SCR性能完全一样。

这时如在门极与阴极之间加入反向电压或较强的反向脉冲信号,可使GTO关断。

GTO在门极加负脉冲关断信号时,有一个反向偏置工作安全区问题。

就是指一定条件下GT0能可靠关断的阳极电流和阳极电压的轨迹。

以上图可控硅模块来说,怎么判断可控硅模块如下1、这种模块已经标注有详细的图,在门极上部也清楚标注有希拉数字4、5、6、7。

也就是说可控硅模块无需极性判别。

简单的判别,可用数字万用表的电阻挡位200Ω,测量一下k1=4、G1=5、k2=7、G2=6,是否一一对应。

.400A以上的大功率可控硅如何检测好坏2

.400A以上的大功率可控硅如何检测好坏2

400A以上的大功率可控硅如何检测好坏?〔注:平板型〕可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。

单向可控硅有阴极〔K〕、阳极〔A〕、控制极〔G〕。

双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。

即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T1极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下那么为控制极〔G〕。

1、单、双向可控硅的判别:先任测两个极,假设正、反测指针均不动〔R×1挡〕,可能是A、K或G、A极〔对单向可控硅〕也可能是T2、T1或T2、G极〔对双向可控硅〕。

假设其中有一次测量指示为几十至几百欧,那么必为单向可控硅。

且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。

假设正、反向测指示均为几十至几百欧,那么必为双向可控硅。

再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,那么稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。

2、性能的差异:将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低〔或触发电流小〕。

然后瞬时断开A极再接通,指针应退回∞位置,那么说明可控硅良好。

对于1~6A双向可控硅,红笔接T1极,黑笔同时接G、T2极,在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极,指针应指示为几十至一百多欧〔视可控硅电流大小、厂家不同而异〕。

然后将两笔对调,重复上述步骤测一次,指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧,那么说明可控硅良好,且触发电压〔或电流〕小。

假设保持接通A极或T2极时断开G极,指针立即退回∞位置,那么说明可控硅触发电流太大或损坏。

提问者评价谢谢朋友,我就用MF47型万用表测量元件的各种方式跟你说,你逐一看看,如果不懂,那么在提出啊。

二极管的测量判断二极管的管脚极性:用万用表R×100档或者R×1k 档,测量二极管的正反向电阻。

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400A以上的大功率可控硅如何检测好坏?(注:平板型)
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。

单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。

双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。

即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T1极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。

1、单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T
2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。

若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅。

且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。

若正、反向测指示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。

再将旋钮拨至R ×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。

2、性能的差别:将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低(或触发电流小)。

然后瞬时断开A极再接通,指针应退回∞位置,则表明可控硅良好。

对于1~6A双向可控硅,红笔接T1极,黑笔同时接G、T2极,在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极,指针应指示为几十至一百多欧(视可控硅电流大小、厂家不同而异)。

然后将两笔对调,重复上述步骤测一次,指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧,则表明可控硅良好,且触发电压(或电流)小。

若保持接通A极或T2极时断开G极,指针立即退回∞位置,则说明可控硅触发电流太大或损坏。

提问者评价谢谢
朋友,我就用MF47型万用表测量元件的各种方式跟你说,你逐一看看,如果不懂,那么在提出啊。

二极管的测量判断二极管的管脚极性:用万用表R×100档或者R×1k 档,测量二极管的正反向电阻。

如果二极管是好的,总会测得一大一小两个阻值。

由于万用表的红表笔接表内电池负极,黑表笔接表内电池正极,而二极管正向偏置时,阻值较小,所以,当测得阻值较小时,黑表笔所接的是二极管的正极,红表笔所接的是二极管的负极。

反过来,当测得的阻值很大时,红表笔所接是二极管的正极,而黑表笔所接是二极管的负极。

判断二极管的好坏:用万用表测二极管的正反向电阻,如果正向电阻几十到几百欧姆,反向电阻200千欧姆以上,可以认为二极管是好的,如果正反向电阻无穷大,是管子内部断路,如果反向电阻很小,是管子内部短路,如果反向电阻比正向电阻大得不多,则是管子质量不好,使用起来效率较低。

实际使用万用表各档测量二极管时,获得的阻值是不一样的,因为PN结的阻值是随外加电压变化的,而万用表测电阻时,各档的表笔端电压不一样,所以万用表不同电阻档从同一个管子测得的阻值读书就不一样。

此外,测量小功率二极管时,不宜用电流较大的R×1档或者电压较高的R×10K档,以免烧坏管子。

三极管的测量三极管管脚极性的识别多数小功率三极管的管脚是等腰三角形排列,其顶点是基极,左边是发射极,右边是集电
极。

有的是从管底看,由管帽突出处顺时针排列为发射极,基极,集电极。

有的管型用管帽色点或者管脚塑料护套颜色来标明极性的,红色为集电极,绿色为发射极,白色是基极。

有的管型管脚是一字形排列,用集电极管脚较短,或者集电极与其它极距离最远来区别电极,中间是基极,另一个脚是发射极。

大功率管一般直接用外壳做集电极引出端。

有的在较高频率工作的三极管,为了屏蔽高频电磁干扰,管壳用一支脚引出,以准备接地或者接零,符合为d,从管底看,由管壳边凸出处顺时针依次是发射极,基极,集电极,管壳引线。

大部分国产硅酮塑封三极管,从正对截角或剖去平面的方向看,从左到右依次是发射极,基极,集电极。

超小型三极管将截角的管脚焊片定为发射极,对面是脚是基极,垂直的第三个脚是集电极。

另外一种半球形超小型三极管,将球面朝上,从左到右,依次是基极,集电极,发射极。

三极管用万用表测量管脚极性用万用表R×100或者R×1K档分别测量各管脚间电阻,必有一只脚对其它两脚电阻值相似,那么这只脚是基极,如果红表笔(正表笔)接基极,测得与其它两脚电阻都小,那么这只管子是PNP管。

如果测得电阻很大,那么这个管子是NPN管。

找到基极后,分别测基极对其余两脚的正向电阻,其中阻值稍小的那个是集电极,另外一个是发射极,这是因为集电结较大,正偏导通电流也较大,所以电阻稍小一点。

三极管好坏大致判断利用三极管内PN结的单向导电性,检查各极间PN结的正反向电阻,如果相差较大说明管子是好的,如果正反向电阻都大,说明管子内部有断路或者PN结性能不好。

如果正反向电阻都小,说明管子极间短路或者击穿了。

三极管穿透电流测量判断用万用表检查管子的穿透电流Iceo,是通过测量集电极与发射极之间的反向阻值来估计的,如果穿透电流大,阻值就较小。

测PNP小功率锗管时,万用表R×100档正表笔接集电极,负表笔接发射极,相当于测三极管集电结承受反向电压时的阻值,高频管读数应在50千欧姆以上,低频管读数应在几千欧姆到几十千欧姆范围内,测NPN锗管时,表笔极性相反。

测NPN小功率硅管时,万用表R×1K档负表笔接集电极,正表笔接发射极,由于硅管的穿透电流很小,阻值应在几百千欧姆以上,一般表针不动或者微动。

测大功率三极管时,由于PN结大,一般穿透电流值较大,用万用表R×10档测量集电极与发射极间反向电阻,应在几百欧姆以上。

如果测得阻值偏小,说明管子穿透电流过大。

如果测试过程中表针缓缓向低阻方向摆动,说明管子工作不稳定。

如果用手捏管壳,阻值减小很多,说明管子热稳定性很差。

三极管放大系数β的测量估计:按测量三极管穿透电流的方法,再用手指同时捏住管子的集电极与基极,表针会迅速向低阻端摆动,摆动范围越大说明三极管放大系数β值越大。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。

单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。

双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。

即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T1极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。

1、单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T
2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。

若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅。

且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。

若正、反向测指示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。

再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有
一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。

2、性能的差别:将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低(或触发电流小)。

然后瞬时断开A极再接通,指针应退回∞位置,则表明可控硅良好。

对于1~6A双向可控硅,红笔接T1极,黑笔同时接G、T2极,在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极,指针应指示为几十至一百多欧(视可控硅电流大小、厂家不同而异)。

然后将两笔对调,重复上述步骤测一次,指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧,则表明可控硅良好,且触发电压(或电流)小。

若保持接通A极或T2极时断开G极,指针立即退回∞位置,则说明可控硅触发电流太大或损坏。

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