硅片不良的解决方案
单晶硅片表面脏污原因分析及解决措施 程志峰
单晶硅片表面脏污原因分析及解决措施程志峰发表时间：2019-10-24T14:27:07.307Z 来源：《电力设备》2019年第12期作者：程志峰张晓俊赵洪军[导读] 摘要：单晶硅片表面脏污是金刚线切片行业中常见的不良。
总结了单晶硅片清洗过程后出现表面脏污的几种类型，分析其产生产生机理，通过实验验证，提出了解决办法。
（黄河上游水电开发有限责任公司青海西宁 810008）摘要：单晶硅片表面脏污是金刚线切片行业中常见的不良。
总结了单晶硅片清洗过程后出现表面脏污的几种类型，分析其产生产生机理，通过实验验证，提出了解决办法。
关键词：单晶硅片；表面脏污；预清洗；清洗；硅粉1.引言太阳能是一个行之有效的取之不尽的清洁能源，是发展低碳经济不可缺少的重要手段【1】，单晶硅片作为制作光伏电池和集成电路的基础，清洗效果直接影响光伏电池和集成电路最终性能、效率和稳定性。
单晶硅片切割过程，硅片表面的多层晶格处于被破坏的状态，布满了活性较高不饱和的悬挂键，易吸附外界杂质粒子，导致硅片表面被污染且性能变差。
清洗硅片不仅要除去硅片表面的杂质而且要使硅片表面钝化，从而减小硅片表面的吸附能力。
目前，由于硅片清洗技术的缺陷，大规模集成电路中因为硅材的洁净度不够而产生问题甚至失效的比例达到50%，因此提高单晶硅片清洗质量极其重要。
2.金刚线切片技术最主要的优势金刚线切单晶硅片切割技术中，以生产量高，硅片直径适用范围广，翘曲值低，表面损伤浅，表面光洁度低等多项优势被广泛应用。
随着国内金刚线制造和应用技术的不断成熟，加之市场需求的快速增长不断的刺激金刚线制造技术向细线化、薄片化方向发展。
使用金刚线切片技术后，由于刀缝损失的减小，能够带来单位耗硅量的减少，从而较大程度地减少了硅片的硅成本和折旧等，这也是金刚线切片最重要的驱动因素。
为了追求更高的效益，使用更细的金刚线切割薄硅片已成为行业趋势，但在提高公斤出片数以及单刀产能的同时，如何保证单晶硅片清洗质量成行业内共同攻克的技术难题，本文以生产工艺及原辅材料为基础，研究单晶硅片清洗过程中产生的表面脏污，并通过实验验证提出了解决方法。
硅片线痕分析
硅片线痕分析分类：线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。
各种线痕产生的原因如下：1、杂质线痕：由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。
表现形式：（1）线痕上有可见黑点，即杂质点。
（2）无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。
（3）以上两种特征都有。
（4）一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。
改善方法：（1）改善原材料或铸锭工艺，改善IPQC检测手段。
（2）改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。
其它相关：硅锭杂质除会产生杂质线痕外，还会导致切片过程中出现“切不动”现象。
如未及时发现处理，可导致断线而产生更大的损失。
2、划伤线痕：由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。
切割过程中，SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间，无法溢出，造成线痕。
表现形式：包括整条线痕和半截线痕，内凹，线痕发亮，较其它线痕更加窄细。
改善方法：（1）针对大颗粒SIC（2.5~3D50），加强IQC检测；使用部门对同一批次SIC先进行试用，然后再进行正常使用。
（2）导致砂浆结块的原因有：砂浆搅拌时间不够；SIC水分含量超标，砂浆配制前没有进行烘烤；PEG水分含量超标（重量百分比<0.5%）；SIC成分中游离C（<0.03%）以及<2μm微粉超标。
其它相关：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韧性等，各项性能对于切片都有很大的影响。
3、密布线痕（密集型线痕）：由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕区域。
表现形式：（1）硅片整面密集线痕。
（2）硅片出线口端半片面积密集线痕。
（3）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。
（4）部分不规则区域密集线痕。
（5）硅块头部区域密布线痕。
改善方法：（1）硅片整面密集线痕，原因为砂浆本身切割能力严重不足引起，包括SIC颗粒度太小、砂浆搅拌时间不够、砂浆更换量不够等，可针对性解决。
切片岗位硅片不良分析大全
硅片在切割中是有钢线在悬浮液带
碳化硅颗粒滚动成穴，不断随钢线移动，使硅块分开
但由于是硬碰硬，在高速冲击下，碳化硅颗粒会有部
颗粒，因此存在理论上的硅片厚度变化为：以上图
因此判断硅片方向：首先根据测量图示5点厚度，以
再根据上述推理可知硅片方向
确定硅片切割情况：14入刀口砂浆帘12厚度变厚趋
势1
3厚度变厚趋势14
厚度变厚趋
势
钢线在悬浮液带砂子快速摩擦硅块，同时工作台下压产生正压力的作用下，穴，不断随钢线移动，使硅块分开。
在此过程中，理论是碳化硅硬于硅在高速冲击下，碳化硅颗粒会有部分颗粒相互碰撞而破裂，大颗粒变小论上的硅片厚度变化为：以上图
：首先根据测量图示5点厚度，以及线痕玻璃板
2
35
晶棒
出刀口砂浆
帘。
5W2H分析法又叫七何分析法
5W2H分析法又叫七何分析法，是二战中美国陆军兵器修理部首创，简单、方便，易于理解、使用，富有启发意义，广泛用于企业管理和技术活动，对于决策和执行性的活动措施也非常有帮助，也有助于弥补考虑问题的疏漏。
发明者用五个以W开头的英语单词和两个以H开头的英语单词进行设问。
发现解决问题的线索，寻找出创新和发明新项目的思路，更进一步进行设计构思，从而搞出新的发明项目，这就叫做5W2H法。
（1）WHY——为什么？为什么要这么做？理由何在？原因是什么？（2）WHAT——是什么？目的是什么？做什么工作？（3）WHERE——何处？在哪里做？从哪里入手？（4）WHEN——何时？什么时间完成？什么时机最适宜？（5）WHO——谁？由谁来承担？谁来完成？谁负责？（6）HOW ——怎么做？如何提高效率？如何实施？方法怎样？（7）HOW MUCH——多少？做到什么程度？数量如何？质量水平如何？费用产出如何？提出问题的重要性提出疑问对于发现问题和解决问题是极其重要的。
创造力高的人，都具有善于提问题的能力，众所周知，提出一个好的问题，就意味着问题解决了一半。
提问题的技巧高，可以发挥人的想象力。
相反，有些问题提出来，反而挫伤我们的想象力。
发明者在设计新产品时，常常会提出：为什么（Why）；做什么（What）；何人做（Who）；何时（When）；何地（Where）；如何（How ）；多少（How much）。
这就构成了5W2H法的总框架。
如果提问题中常有“假如……”、“如果……”、“是否……”这样的虚构，就是一种设问，设问需要更高的想象力。
在发明和设计中，对问题不敏感，看不出毛病是与平时不善于提问有密切关系的。
对一个问题追根刨底，才有可能发现新的知识和新的疑问。
所以从根本上说，学会发明首先要学会提问，善于提问。
阻碍提问的因素：一是怕提问多，被别人看成什么也不懂的傻瓜。
二是随着年龄和知识的增长，提问欲望渐渐淡薄。
如果提问得不到答复和鼓励，反而遭人讥讽，结果在人的潜意识中就形成了这种看法：好提问、好挑毛病的人是扰乱别人的讨厌鬼，最好紧闭嘴唇，不看、不闻、不问，但是这恰恰阻碍了人的创造性的发挥。
PECVD不良返工流程
C2 PECVD不良返工流程1主题内容C2 PECVD不良返工流程。
2适用范围本规定适用于C2 PECVD 产生的镀膜不良片的处理。
3内容3.1 不良片的定义：在PECVD工序产生的镀膜不良硅片。
3.2 操作流程3.2.1 不良片的分类A 膜厚在70-80纳米，B 膜厚在70纳米以下C 膜厚在90纳米以上3.2.2 A类不良片的处理3.2.2.1 A类不良片产生后，先向后工序流出10片，10片产生的总的效率在15.8%以上，此次事故片可以正常流出，10片产生的总的效率在15.8%以下时，此次事故片不可以正常流出。
3.2.2.2 如果此批不良片不能正常流出，进行插片，浸泡，清洗，烘干，浸泡时间为30分钟。
3.2.3 B类不良片的处理3.2.3.1.B类不良片产生后进行插片，浸泡，清洗，烘干，浸泡时间为30分钟。
3.2.4 C类不良片的处理3.2.4 B类不良片产生进行插片，浸泡，清洗，烘干，浸泡时间为40分钟。
3.3 插片，浸泡，清洗，烘干的具体操作3.3.1配液在一厂二车间手动清洗槽配液：20L盐酸，20L氢氟酸，140L去离子水。
3.3.2 插片将PECVD产生的不良片插入多晶大花篮，插好压条。
3.3.3 浸泡将大花篮浸泡入已配好液的槽中，A类需返工片与B类返工片加鼓泡浸泡30分钟。
C类返工鼓泡浸泡40分钟3.3.4 清洗浸泡完成后，将大花篮取出再放入水槽中清洗10分钟。
3.3.5 烘干将大花篮放入制绒机烘干区烘干。
3.5 清洗后的处理清洗后的硅片在原先的制绒面进行重新制绒，扩散，刻蚀，镀膜。
各工序均按照正常工艺。
3.6 仪器/工具/材料仪器：手动清洗槽（一厂），制绒机（一厂）工具：无尘布、酒精、盐酸、氢氟酸、多晶大花篮、镊子材料：PECVD不良片3.7 注意事项3.5.2 整个过程严禁未带手套接触硅片。
3.5.2 严格按照返工操作流程。
制绒不良现象、原因分析及改进
无绒面
现象：表面有流星雨现象 发生
原因：来料
解决方法：加大碱液用量
Trina Solar Energy Co,Ltd
绒面不均
现象:部分区域绒面良好 ，部分绒面表现为较难 刻蚀
原因：来料原因
解决方法：加大碱液与 IPA的用量通常可以解 决，具体加入量依据实 际情况而定
Trina Solar Energy Co,Ltd
表面污染
现象：在同一批片子中 相同位置有类似于油污 的污渍
原因：来料问题，可能 在硅片包装时引入
解决方法：与硅片车间 协商解决
Trina Solar Energy Co,Ltd
表面污染
现象：表面有污渍 原因：在制绒后反应残留物 解决方法：重新清洗
Trina Solar Energy Co,Ltd
硅片表面发白
现象:表面发白
原因：刻蚀时间不够
解决方法：通常延长刻蚀 时间可以解决
Trina Solar Energy Co,Ltd
硅片表面发亮
现象：表面发沙
原因：KOH过量或者是 Solar Energy Co,Ltd
表面刻蚀不均
表面污染
现象：表面有指纹残留
原因：在包装时人为的接触 硅片
解决方法：IPA可以起到一 定效果，但是不能杜绝，需 要硅片车间配合
Trina Solar Energy Co,Ltd
表面污染
现象：硅片表面有大量的药 液残留
原因：IPA加入过多
解决方法：重新清洗
Trina Solar Energy Co,Ltd
现象：硅片表面部分区 域发白，有慧星现象发 生
原因：IPA偏少
解决方法:适当增加IPA 的用量
制绒段常见不良及常规解决方法-文档资料29页
片源异常及解决方法
脱胶不良解决方法： 脱胶不良在轻微时，脱胶不良区域硅片仍可正常出绒，但其绒面相对较小而较其余区域颜色浅而显发白，
仅对B1类有所贡献，不会造成B2片。对该情况，可维持正常生产，同时，做好不良硅片数目的大致统 计及实例照片的拍摄。 脱胶不良在严重时，脱胶不良区将难以出绒而导致该区域明显发白。此时，脱胶不良将对B2片产生贡献。 对该种情况，对制绒后的硅片可按正常返工工艺进行返工处理；对后续待制绒硅片，可以通过适当增 加氢氧化钠浓度的方式来加快硅片的腐蚀速率，从而减小脱胶不良带来的负面影响。对该情况，也同 样需要做好不良硅片数目的大致统计及实例照片的拍摄。
设备异常及解决办法
设备引起的制绒异常主要有如下几个特征：
1、独立性。由于设备的损坏，尤其是制绒设备的损坏，并不会同时产生，因此，因 设备引起的异常往往仅表现为某一个槽或某一条线；
2、异常硅片的规律性。设备异常，如鼓泡管堵塞，加热器损坏，其制绒出来的硅片 往往呈现一致的特征，并且在位置方面也有规律性。
解决方法：当出现硅片切割后未及时清洗或硅片表面脏污残留（有机洗剂残留）时，硅片的制绒将难 以持续。正常解决流程为：先申请停线，同时，开始进行在线调整，制绒：可通过加大氢氧化钠浓 度，提高制绒温度等方法来加快制绒过程的硅片反应速率；预清洗：采取可去有机的溶液配制进行 硅片表面清洗；若上述方向的调整没有明显改善，可直接停线等待，并与供应商进行积极沟通。
表现形式：指纹或划伤经制绒后均清晰显现， 制绒后，指纹或划伤区的颜色较正常区 域浅，从而显得该区域略显发白；
各种不良硅片的表现形式及改善方法
各种不良硅片的表现形式及改善方法各种不良硅片的表现形式及改善方法一、线痕分类：线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。
各种线痕产生的原因如下：1、杂质线痕：由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。
表现形式：（1）线痕上有可见黑点，即杂质点。
（2）无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。
（3）以上两种特征都有。
（4）一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。
改善方法：（1）改善原材料或铸锭工艺，改善IPQC检测手段。
（2）改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。
其它相关：硅锭杂质除会产生杂质线痕外，还会导致切片过程中出现"切不动"现象。
如未及时发现处理，可导致断线而产生更大的损失。
2、划伤线痕：由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。
切割过程中，SIC 颗粒"卡"在钢线与硅片之间，无法溢出，造成线痕。
表现形式：包括整条线痕和半截线痕，内凹，线痕发亮，较其它线痕更加窄细。
改善方法：（1）针对大颗粒SIC（2.5~3D50），加强IQC检测；使用部门对同一批次SIC先进行试用，然后再进行正常使用。
（2）导致砂浆结块的原因有：砂浆搅拌时间不够；SIC水分含量超标，砂浆配制前没有进行烘烤；PEG水分含量超标（重量百分比<0.5%）；SIC成分中游离C（<0.03%）以及<2μm微粉超标。
其它相关：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韧性等，各项性能对于切片都有很大的影响。
3、密布线痕（密集型线痕）：由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕区域。
表现形式：（1）硅片整面密集线痕。
（2）硅片出线口端半片面积密集线痕。
（3）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。
（4）部分不规则区域密集线痕。
（5）硅块头部区域密布线痕。
硅片色差产生的原因
硅片色差产生的原因一、引言在半导体产业中，硅片作为基础的制造材料，其质量对最终产品的性能有着至关重要的影响。
其中，硅片色差是一个常见的问题，它可能导致生产效率下降、产品合格率降低等问题。
本文将详细探讨硅片色差产生的原因，以便更好地理解和解决这一问题。
二、硅片色差定义及影响硅片色差，指的是硅片表面颜色不均匀的现象。
这种色差可能是由于多种因素引起的，它不仅影响硅片的外观质量，还可能对硅片的性能和使用寿命产生负面影响。
例如，色差可能导致硅片在制造过程中的光吸收和反射不均，进而影响集成电路的性能和可靠性。
三、硅片色差产生的原因原材料质量：硅片的原材料是多晶硅，其质量直接影响到硅片的质量。
如果多晶硅中含有杂质或晶体结构不均匀，就会导致硅片表面出现色差。
制造工艺：硅片的制造过程中涉及多个环节，如熔炼、拉晶、切片等。
如果这些环节中的任何一个环节出现偏差，都可能导致硅片出现色差。
例如，切割硅片时，如果切割速度、切割液浓度等参数控制不当，就可能导致硅片表面粗糙度不一，从而产生色差。
热处理：硅片在制造过程中需要进行多次热处理，以改变其晶体结构和电学性能。
如果热处理温度过高或过低，或者保温时间不足，都可能导致硅片表面出现色差。
表面处理：硅片表面通常会进行化学处理或抛光处理，以提高其表面质量和电学性能。
如果处理不当，如化学试剂浓度过高或过低、抛光压力不足等，都可能导致硅片表面出现色差。
四、解决方案要解决硅片色差问题，需要从原材料、制造工艺、热处理、表面处理等多个方面入手。
首先，要选择高质量的原材料，确保多晶硅的纯度和晶体结构均匀性。
其次，要优化制造工艺，严格控制切割、热处理、表面处理等环节的参数和操作。
此外，还可以通过引入先进的检测设备和技术，对硅片进行全面的质量检测和评估，及时发现并解决问题。
五、结论硅片色差是一个复杂的问题，它涉及到多个因素和环节。
要解决这一问题，需要全面考虑原材料、制造工艺、热处理、表面处理等多个方面，并采取有效的措施进行优化和改进。
硅片不合格品处置管理办法试题
硅片不合格品处置管理办法试题一、单选题1.（）负责协助常规不合格品的判定，制定不合格品处置方案。
[单选题]A:研发部B:工艺部(正确答案)C:质量部D:设备设施部2.（）对制程不合格品确认、标识，发起晶棒不合格损失转嫁流程。
[单选题] A:IPQC(正确答案)B:OQCC:FQCD:经理3.发生棒长不一致的处置方案:差异小于（），不记录正常流转;差异大于（1mm），生产部在流程单备注实际长度后流转。
[单选题]A:1、1(正确答案)B:2、2C:3、3D:4、44.发生晶棒信息不符的处理方案:（）隔离晶棒，（质量部）张贴 NG 标识，反馈供应商排查，根据排查结果，质量部组织生产、工艺讨论出具处置方案，生产部根据处置方案执行。
[单选题]A:生产部、工艺部B:生产部、质量部(正确答案)C:质量部、工艺部D:工艺部、设备设施部5.发生两棒夹缝异常的处置流程:（）人员流程单备注异常信息后流转，切片工序根据夹缝大小修正分线网距离切割（标准范围内）。
[单选题]A:沾棒工序(正确答案)B:切片工序C:脱胶工序D:清洗工序6.触感划痕的处置方案:线痕未磨出以及划痕长度小于（）长度处理大于等于（5mm），生产部统计信息反馈质量部，质量部组织退返供应商。
[单选题] A:3mm、3mmB:4mm、4mmC:5mm、5mm(正确答案)D:6mm、6mm7.矩形棒方向错误处置方案:生产部重新标识方向并统计不良信息，由（）反馈供应商排查整改，并要求供应商提供 4D 整改报告。
[单选题]A:质量部(正确答案)B:工艺部C:生产部D:设备设施部8.掉片处置方案:切片人员应通知（）确认掉片情况及损失，切片人员流程单备注损失后流转，掉片碎片作为回收料入库。
[单选题]A:IPQC(正确答案)B:OQCC:FQCD:经理9.脏污、可磨、双片处置方案:由（）开具返工单，清洗返工后重新过分选机分选。
[单选题]A:质量部B:工艺部C:生产部D:分选车间(正确答案)10.标识不良，当（）发现标识不符合要求，分选车间对当托标识全数检查。
光刻机曝光过程中的常见问题与解决方案
光刻机曝光过程中的常见问题与解决方案光刻机是半导体制造中一种重要的设备，用于将芯片上的电路图案转移到硅片上。
在光刻机的曝光过程中，常会遇到一些问题，这些问题可能会影响芯片的质量和产能。
因此，了解并解决这些常见问题是非常重要的。
以下是光刻机曝光过程中几个常见问题以及解决方案：问题一：光刻胶均匀度不佳当光刻胶在硅片上涂布不均匀时，会导致曝光图案的失真和不良。
造成光刻胶均匀度不佳的原因很多，可能是由于光刻胶的质量问题、硅片表面不洁净、涂布速度过快等。
解决方案：1. 检查光刻胶的质量，确保其符合生产要求。
2. 清洗硅片表面，去除可能的污染物，确保表面干净。
3. 调整光刻胶的涂布速度，使其均匀涂布在硅片上。
问题二：曝光图案中的尺寸偏差曝光机在从掩膜上转移图案到硅片上时，可能会导致图案尺寸的偏差。
这可能是由于曝光机的机械精度问题、掩膜制备的问题或者光源强度不稳定等原因造成的。
解决方案：1. 定期检查和维护曝光机，确保其工作精度和稳定性。
2. 检查掩膜的制备过程，确保其质量和精度。
3. 检查光源系统，保证光源强度的稳定性。
问题三：曝光图案中的残留物曝光过程中，有时会出现曝光图案中残留物的问题，这可能会导致芯片的故障或不良品率的提高。
残留物主要包括残留的光刻胶、异物等。
解决方案：1. 定期清洗光刻机，去除可能的残留物。
2. 加强对光刻胶的质量控制，确保其不会在曝光过程中残留。
3. 检查和消除工作环境中可能的异物，防止其进入曝光系统。
问题四：曝光时间不准确曝光时间的不准确可能会导致图案的失真或者芯片的性能不稳定。
曝光时间不准确可能是由于光源强度变化、掩膜透光率不均匀等原因造成的。
解决方案：1. 定期校准光源强度，确保其稳定性。
2. 检查掩膜的透光率均匀性，确保曝光过程中的光强均匀。
3. 使用自动曝光时间控制系统，提高曝光时间的精确度。
问题五：曝光图案中的缺陷曝光图案中的缺陷可能会对芯片的性能产生不良影响。
这些缺陷可能是由于曝光机的精度问题、光刻胶的质量问题、掩膜制备的问题等造成的。
硅片问题——精选推荐
硅⽚问题扩散⼯艺常见质量问题有硅⽚表⾯不良、漏电流⼤、薄层电阻偏差及器件特性异常等。
⼀、硅⽚表⾯不良 1．表⾯合⾦点 形成表⾯合⾦点的主要原因是表⾯浓度过⾼。
通常是由下述原因引起的。
（1）预淀积时携带源的⽓体流量过⼤。
如预淀积时源的浓度过⾼，液态源通的⽓体流量过⼤或在通⽓时发⽣⽓体流量过冲。
（2）源温度过⾼，使扩散源的蒸汽压过⼤。
（3）源的纯度不⾼，含有杂质或⽔分。
（4）预淀积时扩散温度过⾼，时间太长。
为了改善⾼浓度扩散的表⾯，常在浓度较⾼的预淀积⽓氛中加⼀点氯⽓，防⽌合⾦点产⽣。
2．表⾯⿊点或⽩雾 这是扩散⼯艺中经常出现的问题。
⼀般在显微镜下观察是密布的⼩⿊点，在聚光灯下看是或浓或淡的⽩雾。
产⽣的原因主要有以下⼏种： （1）硅⽚表⾯清晰不良，有残留的酸性⽔汽。
（2）纯⽔或化学试剂过滤孔径过⼤，使纯⽔或化学试剂中含有⼤量的悬浮⼩颗粒（⾁眼观察不出）。
（3）预淀积⽓体中含有⽔分。
（4）扩散N2中含有⽔分。
（5）硅⽚在扩散前暴露在空⽓中时间过长，表⾯吸附酸性⽓体。
3．表⾯凸起物 主要是由较⼤粒径的颗粒污染经过⾼温处理后形成的。
如灰尘、头屑、纤维等落在硅⽚表⾯；或⽯英管内的粉尘、硅屑等在进、出溅到硅⽚表⾯。
表⾯凸起物⼀般在⽇光灯下⽤⾁眼可以看到。
4．表⾯氧化层颜⾊不⼀致 通常是预淀积时氧化层厚度不均匀，有时也可能是扩散时⽓体管路泄露引起⽓流紊乱或⽓体含有杂质，使扩散过程中⽣长的氧化层不均匀，造成氧化层表⾯发花。
5．硅⽚表⾯滑移线或硅⽚弯曲 这是由硅⽚在⾼温下的热效应引起的。
⼀般是由于进、出⾈速度过快，硅⽚间隔太⼩或⽯英⾈开槽不合适等引起的。
6．硅⽚表⾯划伤、边缘缺损或硅⽚开裂 通常是由于操作不当造成的，也有⽯英⾈制作不良的因素，放⽚⼦的槽不在同⼀平⾯上或槽开得太窄、卡⽚⼦等。
⼆、漏电流⼤ 漏电流⼤在器件失效的诸因素中通常占据⾸位。
造成器件漏电流⼤的原因涉及所有的⼯序。
主要有以下⼏⽅⾯。
光伏组件的加工工艺及不良分析
光伏组件的加工工艺及不良分析光伏组件是利用光电效应将太阳能转化为电能的一种装置。
其制造过程经历了多个工艺环节，包括硅片加工、电池片制作、封装及组装等。
首先，光伏组件的加工工艺始于硅片加工。
硅片是光伏电池的基础材料，通常使用单晶硅或多晶硅制造。
首先，通过切割硅单晶或熔化多晶硅汤液浇铸成硅片坯料，再通过切割、切边、抛光等工艺步骤得到合适尺寸的硅片。
接着，硅片经过光伏电池片制作工序，即将硅片转化为可以产生电能的光伏电池片。
首先，在硅片表面涂覆抗反射涂料，以提高光吸收效率。
然后，在光伏电池片表面加工p-n结，形成光伏电池的电场。
最后，通过电极连接，将光伏电池片组成成串联或并联的电池组。
之后，光伏电池片需要进行封装和组装，形成光伏组件。
封装可以保护光伏电池片，防止灰尘、湿气及外力损害，并提供良好的气密性和机械强度。
组装则是将光伏电池片按照一定的排列方式固定在支架上，并与电缆连接器相连。
同时，也需要进行焊接、灌胶、插片、加盖及测试等工序。
在光伏组件加工的过程中，可能会出现一些不良现象，影响光伏组件的质量和性能。
常见的不良现象包括：1.硅片缺陷：硅片在加工过程中可能出现裂纹、瑕疵、孔洞等缺陷，这些缺陷会影响电池片的效能和耐久度。
2.粘结不良：在光伏电池片制作过程中，电池片与电极、背板、玻璃等材料的粘结质量可能不良，导致电池片组装不紧密，容易出现断裂或脱落。
3.导线焊接不良：在组装过程中，导线与电池片的焊接不良可能导致电池组件内部电流流动不畅，降低了光伏组件的整体效能。
4.封装不完备：封装工艺不良可能导致光伏组件的气密性降低、湿气及灰尘进入，从而影响电池片的工作性能和寿命。
为了解决这些不良现象，可以通过以下方法进行分析和改进：1.高精度检测和筛选硅片，降低硅片的缺陷率。
2.优化粘结工艺，确保粘结质量可靠，提高组装的稳定性和耐久度。
3.加强焊接工艺控制，优化焊接参数，提高焊接质量。
4.完善封装工艺，控制封装胶剂的均匀涂布和固化过程，提高封装质量。
缺口效应 硅片加工中的缺口效应
缺口效应硅片加工中的缺口效应下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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一．断线：如何让预防断线；断线后如何处理（M&B。
NTC HCT）把损失降低到最少二．硅片崩边。
线式崩边点式崩边倒角崩边
三．厚薄不均：一个角偏薄，厚薄不均
四．线痕：密集线痕亮线线痕
五．花污片：脱胶造成的花污片清洗造成的花污片
具体是什么参数比如0.10钢线要求瞬间破断力多少？1200# 1500# 2000#碳化硅的颗粒圆形度粒径大小要求黏度张力要求多少等我在这里就不提供了大家去按照这个方向去找对策做计划（P），做好可量化的点检表（D），主管亲自抓班长去督导（C），总结检查的结果进行处理，成功的经验加以肯定并适当推广、标准化；失败的教训加以总结，以免重现，未解决的问题放到下一个PDCA循环（A）。
断线善后处理
首先做好断线记录（断线时间、机台号、部位、切深）留好线头
1.
查明断线原因及断线情况.
2.
急时上报，未经同意，不得私自处理。
3.
处理流程：1.在出线端断线,宽度不超过10毫米的直接拉线切割.
2.切深≦60mm中部或进线端断线，以30mm/min直接升起，迅速布线，8000流量砂浆冲洗，冲片时在线网上铺上无尘纸，
冲开粘在一起的片子后，迅速把晶棒降到距线网2mm处，然后
以10mm/min的进给认真仔细的“认刀”。
3.中部或进线端断线，切深在50mm---80mm之间的，以10mm/min的速度升料到距进刀处30--40毫米,，停止。
线速调到2m/s，以2%走线
1cm，以调平线网，停止。
打开砂浆8000流量均匀冲片子。
把晶棒两侧的线网小心的剪掉（剪时要用手捏着）,留出3-4厘米的线头,另一端不剪.(进线端有线网的一定要保留该部分线网,以便重新布线.剪两侧线网时一定要用手或其他夹紧物,夹紧预留的线网头.)布线网,重新切割。
4进线端或中部断线切深超过80mm的视情况能认刀的就认刀否则就反切或直接拉线正向切割。
4.进线端断线，第一次断线，切深在80mm.1换掉放线轮，用一个空的收线轮来代替。
以低于原2N（左19和右21）的张力，切割线方向改为:右，其他参数不变,手动2m/s的线速走1m,不要开砂浆。
2把晶棒提升至30---40mm处，重新对接焊线，焊线时要焊接均匀，焊接点的点径要和线径相同。
经15N的线速走线300——400米，改张力为自动切割的张力，每秒1米，不开沙浆，走到出线端5米时，把张力改为15N，待线头在收线轮上绕2——3圈，改回原来的张力。
把晶棒压到断线位置误差在0.05mm，打开砂浆。
以1m/s速度的20%，走上1m，经班长确认无误后进行切割。
5.经上环节中必须处理好线网（其中包括，碎片、胶条、沙浆颗粒）在升晶棒前，把胶条去掉，上升速度为每分钟10mm,上升过程中如夹线，不可用手去摸，只能用手动轻微探摁一下，把线网走平。
6.认线前5m/s的速度走线100m，在不松开张力的情况下，停止走线，然后以10mm/min 认刀，要一次性认进。
7.反向切割设置修改：进给降低1个百分点，线速降低1M/S，流量增加300KG/H。
8.线头编号方法:年+月+日+机台号+第几次断线数.例如:080501-20-01
9.请工序稽查人员按照此标准做巡检
崩边问题
问题点：粘胶面崩边
异常现象：脱胶后，在方棒两头的硅片粘胶面呈现边沿发亮，
硅层呈线式脱落崩边, 及距粘胶面0.1mm处线式崩边。
脱胶和清洗
时观察不到崩边，检验时能发现崩边。
原因分析：
一.开方进给不稳，外圆刀锯转速不稳，刀锯金刚砂层质量不好，造成刀痕过重，方棒表面刀纹不平，凹凸起伏，隐型损伤（指的是锯开方）线开方损伤可忽略
二.方棒温度低，胶在凝固时的高温反应热，破坏了粘胶面的硅层结构
三.硅片预冲洗水温低于XX度，脱胶水温低于XX度，胶层未完全软化时员工就用手把硅片用力作倒。
四.由于采用的是小槽距大线径，不可避免会在出刀时造成硅片向阻力小的一方的倾斜，方棒两头的硅片受到的阻力最
小，造成两个棒
子四个头部近32毫米长度内的硅片出现崩边。
五.粘接剂太硬（不便说出硬度系数），在钢线出硅棒粘胶面的瞬间，破坏了硅层。
预防措施：
一.脱胶，经过控制脱胶的规范操作，即使前道工序已经对方棒表面产生不良影响，经过优
化粘胶方式和手法，也要把损失降低到最
低点。
在目前的设备配置前提下，严格要求脱胶工“45~50度温水，浸泡25分钟”
联系设备部，做硅片隔条，降低硅片倒伏时的倾度。
二.严格控制方棒超声池的水温在40度，超声到粘胶的时间间隔控制在2小时内，粘胶房的温度控制在25度，湿度不超过50%。
三.对开方机进行一次进给和转速校正，开方后的方棒经打磨后再滚圆。
并请设备部做出设备三级维护计划书。
做定期维护保养
四.“分线网”硅片切割：方棒两头各留出2mm不切割，减少切割过程中硅片向两侧“分叉”另外一种办法：做一个可调试挡板系统，挡住
方棒两头，防止硅片“分叉”崩边。
五，采用线开方和磨面机，有条件的最好腐蚀一下。
更换粘接力强但硬度适中的粘接剂
善后处理：磨砂玻璃和1700#碳化硅按一定的水分比例选择某种手势，力度，角度磨掉在边长要求范围内的崩边（标准作业指导书）
硅片厚薄不均预防措施
一.TV偏大或偏小：根据客户要求片厚，计算出最佳成本/质量的槽距，钢线，碳化硅，砂浆密度。
二.TTV》15mm的硅片占比超过0.62%，属于异常。
对于一次切割的单位，应增加导向条（部位不提供），两次切割的单位最好把导轮（主辊）槽距改一下或第二次切割时砂浆流量增大500公斤/小时（5l/min）或多更换20公斤砂浆。
三.硅片的进刀处的进线端（角）偏薄或偏厚，应修改进刀时的砂浆流量
四：同一个硅片的厚度呈大-小-大-小分布的，应调整切割工艺程序。
进给，线速，流量应均匀同步变化。
五，跳线引起的某刀硅片厚度异常，同一个片
的厚度异常，不同片子的厚度偏差等，因通过加过滤网/过滤袋/振荡过滤器和切割前仔细过滤，没有跳线来消除。