Cu基TP电子薄膜Roll To Roll 加工制程工艺设备技术
塑料薄膜生产工艺流程及设备-0415之欧阳学创编
塑料薄膜资料一、PVC薄膜生产工艺及设备1.1工艺流程:原料→捏合→冷拌和→挤出吹塑→PVC玻璃纸基膜→抗静电、热封涂覆处理→分切→检验→包装→成品。
本工艺流程采用粉料直接挤出吹塑成型,制成玻璃纸基膜后,亦可直接作为制品,而不经抗静电、热封涂覆处理。
1.2主要设备全自动聚乙烯薄膜造粒生产线(粉碎强制喂料,水环刮粒)一、减速机:国标225型,一套;1、齿轮材料:合金钢2、齿轮主要工艺:齿面高频淬火,硬齿面经磨齿机精磨;3、齿轮箱轮滑方式:强制油循环润滑;4、齿轮箱冷却方式:强制水循环冷却油温二、挤出机筒螺杆1、螺杆直径:125mm2、螺杆长径比:1:203、螺杆机筒材质:38CRMOALA4、螺杆结构:屏蔽混炼,排气5、加工工艺:锻造,调质,氮化处理HV≥920:Ra≤0.04三、主要配置1,主机电机:30KW (上海力超)2,自动控温:9区3,智能数显表:常州江邦4,配电箱主要电气:正泰5,加热方式:陶瓷/不锈钢加热圈6,主机进料口:高斗7,主电机:变频调速。
8,不锈钢冷却水槽:4000mm9,冷却槽结构:来回旋环冷却装置。
四.不停机换网模头:(1)左右换网面积:200mm*200mm*2;(2)左右换网出料:手动分配器;(3)左右过滤板式:液压不停机换网;(4)机头出料切粒方式:360°高速旋转刀刮粒;(5)切粒方式:水环磨面切粒(6)切粒电机:2.2KW(7)切粒速度:变频控制(8)迷宫式水环材质:不锈钢#202,厚度3mm五:高速粒子脱水机:(1)高速粒子脱水机:300kg/h(2)传动电机:3.7KW(3)传动方式:直立式(4)迷宫式水环材质:不锈钢,304厚度,底板8mm,内板2.5m,封板2mm六.配套辅机:1 500型强力粉碎机2 11KW电动机3 2.2KW粉碎机转换送料机4 300kg不锈钢储料桶5 粒子送料机1.1KW二、PE吹塑薄膜生产工艺及设备2.1生产工艺流程料斗上料一物料塑化挤出→吹胀牵引→风环冷却→人字夹板→牵引辊牵引→电晕处理→薄膜收卷但是,值得指出的是,吹塑薄膜的性能跟生产工艺参数有着很大的关系,因此,在吹膜过程中,必须要加强对工艺参数的控制,规范工艺操作,保证生产的顺利进行,并获得高质量的薄膜产品。
薄膜晶体管技术的制备方法及流程
薄膜晶体管技术的制备方法及流程下载提示:该文档是本店铺精心编制而成的,希望大家下载后,能够帮助大家解决实际问题。
文档下载后可定制修改,请根据实际需要进行调整和使用,谢谢!本店铺为大家提供各种类型的实用资料,如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等,想了解不同资料格式和写法,敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by this editor. I hope that after you download it, it can help you solve practical problems. The document can be customized and modified after downloading, please adjust and use it according to actual needs, thank you! In addition, this shop provides you with various types of practical materials, such as educational essays, diary appreciation, sentence excerpts, ancient poems, classic articles, topic composition, work summary, word parsing, copy excerpts, other materials and so on, want to know different data formats and writing methods, please pay attention!引言:薄膜晶体管技术是一种关键的电子器件制备技术,广泛应用于各种电子产品中。
cu掺杂ti薄膜的制备与表征
cu掺杂ti薄膜的制备与表征
cu掺杂ti薄膜的制备和表征主要有以下几个步骤:
1. 制备:采用气相沉积法制备Cu-Ti薄膜,具体流程如下:首先,将Ti及Cu原料分别放入不同的真空容器中,使之在真空状态下进行化学气相沉积,随后将所沉积的表面涂覆在基片上。
最后,通过对薄膜进行适当的加热,使其在固态中固定。
2. 检测:对所制备出的Cu-Ti薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等表征技术,以检测其形貌及晶体结构特性,确定薄膜的晶体结构及成分,并分析其表面形貌。
3. 测试:利用不同的测试方法,如电化学测试、机械性能测试等,对Cu-Ti薄膜进行详细的性能测试,以确定其在不同工况下的性能表现。
薄膜电阻生产工艺流程
薄膜电阻生产工艺流程薄膜电阻是一种用于电子元器件中的电阻器件,具有高精度、稳定性和耐高温的特点。
其生产工艺流程通常分为以下几个步骤:基板准备、薄膜材料沉积、光刻、蚀刻、清洗、测试和包装。
1.基板准备:选择适当的基板材料,通常为石英、硅片或陶瓷材料。
基板需要经过表面处理,如清洗和去除氧化物。
2.薄膜材料沉积:将所需的薄膜材料沉积在基板上。
常用的沉积方法包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和溅射沉积。
其中,溅射沉积是最常用的方法之一、在溅射沉积过程中,将靶材(薄膜材料)置于真空室中,用高能量粒子轰击,使其原子或分子脱离靶材并沉积在基板上形成薄膜。
3.光刻:使用光刻技术将所需的电阻器型图案转移到薄膜层上。
首先,在薄膜层上涂覆一层光刻胶,然后将光刻胶暴露在光刻机上的紫外线下,通过掩膜投影将图案转移到光刻胶上。
然后,利用化学处理将未曝光的光刻胶去掉,形成所需的图案。
4.蚀刻:通过蚀刻技术将未被光刻胶所保护的薄膜材料腐蚀掉,形成所需电阻器的结构。
蚀刻方法通常有湿蚀刻和干蚀刻两种。
湿蚀刻是利用化学溶液将未被光刻胶保护的薄膜材料溶解掉,干蚀刻则是通过离子轰击或高能量化学反应将薄膜材料除去。
5.清洗:将薄膜电阻器进行清洗,去除悬浮的杂质和表面残留的化学物质。
常用的清洗方法有超声波清洗和化学清洗。
6.测试:对薄膜电阻器进行电性能测试,包括电阻值、电流容量等参数的检测。
可以使用万用表或专用的测试设备进行测试。
7.包装:将测试合格的薄膜电阻器进行封装,以保护其结构和性能。
常见的封装方式有贴片封装和球栅封装等。
以上是薄膜电阻生产工艺的基本步骤,不同的生产厂家和产品类型可能会有微小的差异。
随着技术的发展,工艺流程也在不断改进和完善,以满足更高的品质和性能要求。
柔性电子器件制备有了新技术
柔性电子器件制备有了新技术
作者:吴长锋
来源:《科学导报》2022年第04期
近日,从中国科学技术大学(以下简称中国科大)获悉,该校信息学院赵刚课题组提出了一种结合纳米纤维静电纺丝和液态金属模板印刷的新型柔性电子器件制备技术。
相关研究成果日前发表于国际期刊《ACS纳米》上。
目前,材料和制造技术仍然是制约柔性电子发展和商业化的主要因素,因为在柔性电子设备的制造过程中,研究人员不仅要考虑其物理、化学和功能特性,还要考虑用户的舒适度和安全性等。
通过传统材料和制造工艺获得的柔性电子器件往往不能同时兼顾上述性能,并且制造过程通常需要昂貴的设备、复杂的步骤、高标准的操作环境和指定的材料特性。
受限于这些因素,柔性电子的大规模集成和封装以及多层柔性电子器件的制造仍然是一个棘手的问题。
针对上述挑战,中国科大信息学院赵刚课题组提出了一种简单、快速、绿色化的柔性电子器件制备技术。
通过静电纺丝技术获得热塑性聚氨酯(TPU)纳米纤维膜作为柔性基底,然后利用模板印刷在基底膜上构造液态金属(LM)图案化电路。
此外,可以通过逐层组装的策略来参数化制备柔性电路、电阻器、电容器、电感器及它们的复合器件。
该方案制备的柔性电子器件具有优异的可拉伸性、透气性和稳定性,同时它们是多层和可重构的。
铜基石墨烯薄膜
铜基石墨烯薄膜铜基石墨烯薄膜是一种新型的二维材料,具有很多优异的性质和应用前景。
本文将从以下几个方面对铜基石墨烯薄膜进行详细介绍。
一、铜基石墨烯薄膜的制备方法目前,制备铜基石墨烯薄膜的方法主要有化学气相沉积法、化学还原法、机械剥离法、氧化还原法等。
其中,化学气相沉积法是最常用的方法之一。
该方法通过在高温下将气态前驱体分解成碳源和金属源,并在衬底上生长出单层或多层石墨烯。
而化学还原法则是通过还原剂将氧化石墨烯还原成还原态的石墨烯。
机械剥离法则是通过机械力将大块的天然或合成的三维晶体材料剥离成单层或少层厚度的二维材料。
二、铜基石墨烯薄膜的结构和性质铜基石墨烯薄膜具有典型的二维结构,由碳原子构成六角形的晶格,每个碳原子与周围三个碳原子形成sp2杂化轨道,共享三对电子,形成强的共价键。
此外,在铜基石墨烯薄膜中,铜原子与石墨烯层之间存在一定的相互作用力,可以增强铜基石墨烯薄膜的稳定性和机械强度。
铜基石墨烯薄膜具有很多优异的性质。
首先,它具有极高的导电性和导热性。
其次,铜基石墨烯薄膜具有极高的比表面积和吸附能力,可以用于制备高效的催化剂、传感器等。
此外,铜基石墨烯薄膜还具有良好的光学和机械性能,在透明电极、柔性电路等领域也有广泛应用前景。
三、铜基石墨烯薄膜在催化剂领域中的应用由于其高比表面积、导电性和吸附能力等优异性质,铜基石墨烯薄膜在催化剂领域中有着广泛的应用。
例如,铜基石墨烯薄膜可以用于制备高效的氢化催化剂、还原催化剂等。
此外,铜基石墨烯薄膜还可以用于制备高效的电催化剂,在燃料电池、电解水等领域具有重要的应用前景。
四、铜基石墨烯薄膜在传感器领域中的应用铜基石墨烯薄膜具有极高的比表面积和吸附能力,可以将其应用于传感器领域。
例如,铜基石墨烯薄膜可以用于制备高灵敏度的气敏传感器、光学传感器等。
此外,铜基石墨烯薄膜还可以用于制备生物传感器,在医学诊断、环境监测等领域具有广泛应用前景。
五、铜基石墨烯薄膜在透明电极和柔性电路中的应用由于其良好的导电性和机械性能,铜基石墨烯薄膜可以用于制备高透明度的透明电极和柔性电路。
LCP薄膜热处理深加工生产线装置及工艺[发明专利]
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010768143.2(22)申请日 2020.08.03(71)申请人 上海联净电子科技有限公司地址 201100 上海市闵行区兴梅路485号703室(72)发明人 文元庆 贾奎 邹斌 杨胜贤 刘志海 陈振 (51)Int.Cl.B32B 37/06(2006.01)B32B 37/10(2006.01)(54)发明名称LCP薄膜热处理深加工生产线装置及工艺(57)摘要本发明提供了一种LCP薄膜热处理装置及生产工艺,所述装置包括:两个铝箔放卷机构,用于传动铝箔放卷;一个薄膜放卷机构,用于传动LCP 薄膜放卷;一个预热辊组,包括两个热辊,分别对铝箔进行预加热,至少一热压辊组,每一热压辊组包含相对设置的两个热压辊;让铝箔与膜进行热压复合,形成层叠体,使铝箔在加热辊对压中实现对膜表面的保护;至少一个热膨胀系数调整辊组,一个热膨胀系数调整辊组包括六个加热辊;一个铝箔收卷机构,用于LCP薄膜热膨胀系数调整好后,铝箔剥离收卷;至少一个去应力辊组,一个去应力辊组包括六个加热辊;以及一成品收卷机构,用于传动热处理后的LCP薄膜收卷;本发明生产速度快、温度均匀,产品一致性良好,能耗低。
权利要求书2页 说明书5页 附图3页CN 111941989 A 2020.11.17C N 111941989A1.一种LCP薄膜热处理深加工生产线装置,其特征在于,沿着材料的传动方向,所述装置包括:两个支撑体铝箔放卷机构,用于传动支撑体铝箔放卷;一个薄膜放卷机构,用于传动LCP薄膜放卷;至少一预热辊组,每一所述预热辊组包含相对设置的两个预热辊,所述每一预热辊组包含的两支预热辊并排对称放置;所述一预热辊组的两支预热辊上均有所述支撑体铝箔放卷机构放出的铝箔;至少一热压辊组,每一所述热压辊组包含对称设置的两支热压辊;所述每一热压辊组包含的两支热压辊并排对称放置;所述一热压辊组的两支热压辊上均有所述预热辊组放出的铝箔;所述薄膜放卷机构将LCP薄膜放出至并排的所述对称热压辊组之间的铝箔上;所述热压辊组在传动机构带动下,将所述LCP薄膜与所述支撑体铝箔压合,形成层叠体;至少一个热膨胀系数调整辊组,每一所述热膨胀系数调整辊组包括六支加热辊;所述每一热膨胀系数调整辊组对LCP薄膜热膨胀系数进行调整,确保调整后的LCP薄膜与铜箔热膨胀系数(CTE)相接近;所述每一热膨胀系数调整辊组包含的六支加热辊并排水平依次放置;所述LCP薄膜与所述支撑体铝箔的层叠体成S型通过所述每一热膨胀系数调整辊组;一个支撑体铝箔收卷机构,用于LCP薄膜热膨胀系数调整好后,所述支撑体铝箔剥离收卷;至少一个去应力辊组,每一所述去应力辊组包括六支加热辊;所述每一去应力辊组消除LCP薄膜微观歪斜产生的内应力,避免表观出现微皱纹和边部卷起的质量缺欠,LCP薄膜的塑性和加工成型性达到理想状态;所述每一去应力辊组包含的六支加热辊并排水平依次放置;LCP薄膜成S型通过所述每一去应力辊组;以及一成品收卷机构,用于传动热处理后的LCP薄膜收卷。
薄膜的制备工艺ppt课件
④很容易大面积地在各种不同形状(平板状、圆棒状、圆 管内壁、球状及纤维状等)、不同材料(如金属、玻璃、 陶瓷、高分子等)的基底上制备薄膜,甚至可以在粉体材 料表面制备一层包覆膜,这是其它的传统工艺难以实现的;
在干燥过程中薄膜的横向(平行于基片)收缩完
全被限制,而只能发生沿基片平面法线方向的纵
向收缩。
33
⑤焙烧 通过聚合反应得到的凝胶是晶态的,含有H2O、
⑤制备纳米结构薄膜材料; ⑥用料省,成本较低。
24
2.3.2溶胶-凝胶方法制备薄膜工艺
有机途径
通过有机金属醇盐的水解与缩聚而形成溶 胶。在该工艺过程中,因涉及水和有机物, 所以通过这种途径制备的薄膜在干燥过程 中容易龟裂(由大量溶剂蒸发而产生的残 余应力所引起)。客观上限制了制备薄膜 的厚度。
15
2.2化学气相沉积 (chemical vapor deposition )
化学气相沉积:一定化学配比的反应气体, 在特定激活条件下(一般是利用加热、等离 子体和紫外线等各种能源激活气态物质), 通过气相化学反应生成新的膜层材料沉积 到基片上制取膜层的一种方法。
16
化学气相沉积,包括低压化学气相沉积(low pressure CVD,LPCVD)、离子增强型气相沉积 (plasma-enhanced CVD,PECVD)常压化学气相 沉积(atmosphere pressure CVD,APCVD)、金属 有机物气相沉积(MOCVD)和微波电子回旋共 振化学气相沉积(Microwave Electron cyclotron resonance chemical vapor deposition, MW-ECRCVD)等。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
二次曝光 掩膜间隙: 15um
其它同覆膜前清洗
工艺条件
压力尽可能小
药液和滤芯要每 天更换一次 脱模长度:3米
Cu基电子薄膜卷对卷加工各工艺槽的工艺条件
工序 覆干膜前清洗 一次显影 作业内容 清洗基材表面 干膜显影 溶液性质 1%浓度碱液 1%浓度碱液 溶液温度 29°C+/-0.5°C 29°C+/-0.5°C 速度 2-3米/分 2-3米/分 长度 1米 2米 槽段数 1 1 作业时间 15秒 60秒 工艺要求 表面清洗 显影 每班更换 备注
湿制程技术
蚀刻精细控制
药液浓度在线补偿精细控制 高精度缓变微喷多段蚀刻 连续换卷与在线监测 非接触式多段干燥 节能环保 实现连续在线监测与换卷 控制干燥速度和温度曲线、加热方式 蚀刻液的密闭、回收与处理
Cu基电子薄膜Roll To Roll湿制程工艺流程与工艺条件
工序 覆膜前清洗 温度:29°C+/-0.5°C 工艺条件 速度:2-3米/分 药液与显影液相同 长度:0.5米 工序 二次蚀刻 (ITO) 药液:HCL+缓释剂 比例:60%:40% 温度:48°C 工艺条件 蚀刻液喷淋压力为 1KG/平方厘米 长度:2米/段 X 2段 工序 三次蚀刻(Cu) 与一次蚀刻工艺同 蚀刻可视区边线 蚀刻区长度:2米 一次覆干膜 厚度7-15um 温度:80-90°C 压力尽可能小 脱干模清洗 滤芯:20um 温度:34°C 压力尽可能小 药液和滤芯要每 天更换一次 药液: 0.5%NaOH 脱模长度:3米 脱干模清洗 滤芯:20um 温度:34°C 覆保护膜 覆50umPE保护膜 收卷 二次覆干膜 厚度:15um 温度:80-90°C 压力尽可能小 一次曝光 掩膜间隙:15um 偏差:+/-1um 一次显影 0.5%NaCO2 其它同覆膜前 清洗 一次蚀刻(Cu) 温度:32°-34°C 速度:1.5米/分 长度:2米 二次显影 1%NaOH
Cu基电子薄膜Roll To Roll加工的曝光机设备技术要求
台面有效尺寸
550 X 650mm
有效曝光尺寸
550 X550mm
曝光方式
双面曝光
铬版GAP
15um
平行半角
<1.5度
最大曝光精度
10um+10um 6” X 27.2K PCS/天
曝光速度
20-30秒/帧
干膜厚度
7um - 20um
卷芯:6”
电子薄膜的发展趋势——产品技术
单面多层 结构复杂化 单层双面
基底材料薄型化
薄型化 电子薄膜 细线宽 层间覆合复杂化 自动化 覆合材料薄型化 10um+10um 层间覆合力减弱 在线换卷与大卷长
电子薄膜卷对卷加工技术
驱动技术
变频无级调速
可调速范围扩展 卷取技术 低张力和变张力收放卷取 EPC纠偏与膜缓存(5米)控制 膜走行技术 膜镀层保护技术
东莞市友辉光电科技有限公司
谢 谢!
卷长:150-200米
覆膜机速度
1.6倍曝光机
设计产能:
1、 使用20um厚度的干膜,可以加工30um +30um的线宽产品图案; 2、 使用15um厚度的干膜,可以加工15um + 25um 线宽的产品图案;
说明
3、 使用7um厚度的干膜,可以加工10um+10um线宽的产品图案;
4、生产能力测算: 18膜/帧 X 2帧/分 X 60分/小时 X 20小时/天 X 70%稼动率 X 90%良品率 = 27216 PCS/Day
Cu基Touch Panel电子薄膜
Roll To Roll加工制程工艺设备技术
2018 – 03 - 15
市场背景
• 日本市调机构富士经济(Fuji Keizai)2018年3月13 日公布调
查报告指出,因三星 Galaxy S8 系列、Note 8 以及苹果
(Apple)iPhone X 采用可挠式(Flexible)OLED 面板,提振
4、由于刻蚀ITO膜层的HCL会在18°C出现结晶,并且会应为HCL的挥发性降低Cu蚀刻液的使用功效,因此显影槽可以和
Cu蚀刻槽连线布置,但不可以和ITO 蚀刻槽连线布置,因此ITO膜线路蚀刻槽需要单独布线设置。
5、 在上述作业工序中,只要进行收卷作业,都应该在收卷作业前安排进行覆保护膜作业,以防止Cu材氧化 6、 Cu 蚀刻液为台湾冠阳公司的蚀刻液,使用比重计进行浓度检测,可以稳定补液连续使用,性能稳定,但会受HCL中和影响劣化; 7、 ITO 线路蚀刻液为60%HCL(无色分析纯):40%缓释剂兑制溶剂;要在线补液调整浓度,每班更换一次,因为干膜会造成污染不 良
估 2022 年全球可挠式触控面板市场规模将成长至 5,100 亿日
圆,将较 2017 年跳增 2.1 倍(成长 209%)。
电ED、 依托技术 电子薄膜 2017年约为1.8亿片; 市场潜力 2022年预测为5.4-5.5亿 片(富士经济) LTPS面板3D曲面手机应 用
一次蚀刻
二次蚀刻 脱干膜清洗 二次显影 三次蚀刻
蚀刻Cu膜
蚀刻ITO膜 脱干膜 干膜显影 蚀刻Cu膜
蚀刻酸液
蚀刻HCL酸液 0.5%NaOH 1%浓度碱液 蚀刻酸液
32-34°C
48°C 48°C 29°C+/-0.5°C 32-34°C
1.5米/分
1.5米/分 1.5米/分 2-3米/分 1.5米/分
2米
4米 3米 2米 2米
1
2 1 1 1
40秒
90秒 120秒 60秒 40秒
蚀刻Cu线路
蚀刻ITO线路 清洗干膜 显影 蚀刻可视区Cu
补液,稳定使用
每班补液 每班更换 每班更换 补液,稳定使用
1、 所有显影和脱干膜清洗等各槽溶液使用20um棉滤芯过滤循环使用 2、脱干膜槽出水后不能完全风干,要保持表面雾状水膜,防止出现显影碱斑造成图形不良; 3、第三次蚀刻后可以不安排进行脱干膜清洗作业,直接覆保护膜; 说明
2017 年使用于可挠式面板的静电容量式触控面板(以下称可挠
式触控面板)市场规模扩增至 1,650 亿日圆(约 1.8 亿片),
达 2016 年的 3.4 倍。
• 富士经济指出,因京东方(BOE)等中国面板厂将在 2018-2019
年期间开始供应可挠式 OLED 面板,智慧手机将以旗舰机种为中
心扩大采用,提振可挠式触控面板市场今后将呈现大幅扩大,预