电力电子技术试题02昆明理工大学电力电子试卷

电力电子技术试题02昆明理工大学电力电子试卷
电力电子技术试题02昆明理工大学电力电子试卷

2011年7月23日星期六

一、填空题

1.造成晶闸管在工作时发热的原因是_______,决定发热的因素是流过该管的电流_______。

2.门极可关断晶闸管(GTO),在导通后处于________状态。为使它关断,所需加的反向门极电流要达到阳极电流的________。

3.在实际应用中,双向晶闸管常采用________和________两种触发方式。

4.单相全控桥整流电路,其输出电压的脉动频率是________,三相零式可控整流电路,其输出电压的脉动频率为________。

5.在单相半控桥整流电路中,两个晶闸管在加________时换流,而两个硅整流二极管在________时自然换流。

6.为了得到十二相电源,在三相变压器的副边绕组中,一组接成_______,另一组接成________。

7.常用的直流可逆拖动系统的工作方式有________和________。

8.变压器漏感L B的存在,使得可控整流输出的直流平均电压________,对有源逆变电路,它将使逆变输出电压________。

9.起重提升机在放下重物时的速度必须能够控制。改变________的大小就可以改变重物下降的速度,当________时,重物下降速度减小。

10.在无源逆变器中,为使晶闸管可靠关断,常采用________和________两种。

11.晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的有螺栓式与。

12.晶闸管象二极管一样,具有可控特性。

13.为了保证晶闸管可靠与迅速地关断,通常在管子阳极电压下降为零之后,加一段时间的________电压。

14.选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大________倍,使其有一定的电压裕量。15.选用晶闸管的额定电流时,根据实际最大电流计算后至少还要乘以_______。16.在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是________极。

17.单相半波可控整流电路,当电感性负载接续流二极管时,控制角的移相范围为________。18.在反电动势负载时,只有________的瞬时值大于负载的反电动势,整流桥路中的晶闸管才能随受正压而触发导通。

19.把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为________。

20.________可控整流电路,是三相可控整流电路最基本的组成形式。

21.三相半波可控整流电路,带大电感负载时的移相范围为________。

22.采用晶闸管共阳极接法的缺点是:要求三个触发电路的输出线圈________。

23.触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲冲触发两种方法,目前采用较多的是________触发方法。24.由于电路中共阴极与共阳极组换流点相隔60°,所以每隔60°有一次________。25.三相桥式整流电路控制角α的起算点,如α=30。,在对应的线电压波形上脉冲距波形原点为________。

26.双窄脉冲触发是在触发某一号晶闸管时,触发电路同时给________一号晶闸管补发一个脉冲。27.在三相可控整流电路中,α=0°的地方(自然换相点)为相邻线电压的交点,它距对应线电压波形的原点为________。

28.在三相半波可控整流电路中,电阻性负载,当控制角________时,电流连续。

29.在三相半波可控整流电路中,电感性负载,当控制角________时,输出电压波形出现负值,因而常加续流二级管。

30.三相桥式全控整流电路,电阻性负载,当控制角________时,电流连续。

31.三相桥式可控整流电路适宜在________电压而电流不太大的场合使用。

32.带平衡电抗器的双反星形可控整流电路是由两组三相半波可控整流电路________组成。33.考虑变压器漏抗的可控整流电路中,在换相过程期间,两个相邻的晶闸管同时导通,对应的电角度称为________。

34.考虑变压器漏抗的可控整流电路中,如与不考虑漏坑的相比,则使输出电压平均值________。35.设计选用整流变压器的基本技术参数为变压器容量与________。

36.快速熔断器接法有多种,从要求过电流保护可靠性好来说,合适的快熔接法是________。

37.晶闸管元件并联时,要保证每一路元件所分担的电流________。

38.将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接________的过程称为无源逆变。39.在晶闸管有源逆变电路中,绝对不允许两个电源势________相连。

40.双向晶闸管,其核心部分是________的半导体结构。

41.在无源逆变与直接斩波电路中,都必须设置换流________,强迫导通的晶闸管可靠关断。

42.晶闸管反向重复峰值电压等于反向不重复峰值电压的___________。

43.普通逆阻型晶闸管的管芯是一种大功率___________层结构的半导体元件。

44.可关断晶闸管(GTO)的电流关断增益βoff的定义式为βoff=___________。

45.单相全控桥式整流大电感负载电路中,晶闸管的导通角θ=___________。

46.将直流电能转换为交流电能,并把交流电能直接提供给交流用电负载的逆变电路称为___________逆变器。

47.有源逆变产生的条件之一是:变流电路输出的直流平均电压Ud的极性必须与整流时输出的极性___________,且满足|Ud|<|Ed|。

48.在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中,若使变流器工作于整流状态时,需使

控制角α___________。

49.确定最小逆变角βmin要考虑的三个因素是晶闸管关断时间toff所对应的电角度δ,换相重叠角γ

和___________。

50.接有续流二极管的单相半波可控变流电路,可在第___________象限工作。

51.大型同步发电机励磁系统处于励磁运行状态时,系统母线提供的交流电能经变流器变换为___________,供给发电机励磁绕组。

52.斩波电路的直流调压和直流调功原理,均可通过调节___________实现。

53.同步相控横向控制触发电路由同步变压器,同步信号发生器,移相控制电路,6倍频脉冲信号发

生器、___________、脉冲整形与功放电路构成。

54.DC/DC变换的两种主要形式为逆变整流型和___________。

55.固定脉宽的晶闸管斩波电路一般采用___________换流。

56.在大电感负载三相全控桥式整流电路中,当α>60°时,在自然换相点之前整流输出u d为正值,

交流电源___________,电感储能。

57.晶闸管是三端器件,三个引出电极分别是,阳极、门极和__________极。

58.单相半波可控整流电路中,控制角α的最大移相范围是__________。

59.晶闸管额定通态平均电流I VEAR是在规定条件下定义的,是晶闸管允许连续通过__________正弦

半波电流的最大平均值。

60.单相半波可控整流电路中,从晶闸管开始导通到关断之间的角度称为__________。

61.在电感性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大正向电压为__________。

62.三相全控桥的共阳极组各器件的导通顺序依次为V12,V14,V16,其中V12对应于__________相。

63.在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下,三相可控整流电路与单相可控整流电路比

较,三相可控整流电路可获得__________的输出电压。

64.直流斩波电路是将__________电能转换成直流电能的电路。

65.逆变器分为有源逆变器和__________逆变器两大类型。

66.有源逆变产生的条件之一是:变流电路输出平均电压U d的极性必须保证与直流电势E d的极性成

同极性相连,且满足__________。

67.同步相控横向控制电路由同步变压器、同步信号发生器、__________、6倍频脉冲信号发生器、

环形分配器和译码器、脉冲整形与功放电路构成。

68.大型同步发电机励磁系统处于灭磁运行时,三相全控桥式变流器工作于__________状态。

69.斩波器的时间比控制方式分为__________、定频调宽、调宽调频三种方式。

70.DC/DC变换的两种主要形式为斩波电路控制型和__________。

71.多重化抑制就是以多个逆变电路在输出端叠加,各个逆变器用相同的频率不同的相位工作,使输

出的多个矩形波组合叠加起来,达到减少输出__________的目的。

73.晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为______。

74.晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较______的规化值。

75.普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定,双向晶闸管的额定电流用_____标定。

76.有源逆变电路中,晶闸管大部分时间承受______电压。

77.在单相反并联(双重)全控桥式整流电路中,在环路中加接电抗器,可限制______。

78.晶闸管串联时,给每只晶闸管并联RC电路是______措施。

79.当采用金属氧化物压敏电阻对三相全控桥式整流电路的交流侧进行过电压保护时,可以将压敏电阻接成______。

80.在过电流保护中可用作最终保护手段的电器是______。

81.当电网质量不好时,为防止晶闸管的误触发,可采用______为同步信号的触发电路。

82.脉冲宽度调制逆变电路可以实现调压和______。

83.当要求大幅度改变斩波电路的输出电压时,可采用______控制方式。

84.对功率晶体管设置______,可防止过电压和减小功率晶体管两端的du/dt。

85.普通晶闸管属于______器件,在整流电路中,门极的触发信号控制晶闸管的开通,晶闸管的关断

由交流电源电压实现。

86.IGBT的功率模块由IGBT和______芯片集成而成。

87.换相重叠角γ与控制角α、变压器漏抗和______有关。

88.对于同一个晶闸管,其维持电流I H____________擎住电流I L。

89.可用于斩波和高频逆变电路,关断时间为数十微秒的晶闸管派生器件是____________。

90.具有大电感负载和续流二极管的单相半波整流电路的移相范围为____________。

91.整流电路输出电压的脉波数愈少,其谐波含量愈____________。

92.三相全控桥整流电路中,晶闸管的触发方式有宽脉冲触发和____________脉冲触发。

93.在三相半波可控整流电路中,由于变压器漏抗的影响,使得整流输出平均值比理想情况____________。

94.当变流器直流侧具有与晶闸管导电方向一致的电势E d,且变流电路控制角α>π/2,满足|U d|<|E d|,此时变流器工作在____________状态。

95.单相反并联(双重)全控桥式整流电路,采用α1=π-α2配合有环流的控制方式,当变流器I工作在待逆变状态时,变流器Ⅱ工作在____________状态。

96.反馈控制过流保护动作速度比常用的过流继电器____________。

97.电压型逆变器,其中间直流环节以____________贮能,具有稳定直流侧电压的作用。

98.PWM斩波器中,比较器反相输入端加____________。

99.为了使电力晶体管安全、可靠地运行,驱动电路和主电路可以采用磁耦合隔离和____________。100.当要求斩波电路输出电流比较____________时,可采用瞬时值控制方式。

101.脉冲宽度调制(PWM)电路的载波比K愈高,输出电压的谐波含量愈____________。

102.利用控制电压和____________控制触发脉冲的相位的电路称为移相控制电路。

103.晶闸管是三端器件,三个引出电极分别为:阳极、阴极和______极。

104.处于阻断状态的晶闸管,只有在阳极承受正向电压,且______时,才能使其开通。

105.晶闸管额定通态平均电流I VEAR是在规定条件下定义的,条件要求环境温度为______。

106.在晶闸管单相半波可控整流电路中,从晶闸管开始承受正向电压算起,到触发脉冲到来时刻为止,这段时间的电角度称为______。

107.在电感性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为______。

108.三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔,依次在______半周触发共阴极组的各晶闸管。

109.在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下,三相可控整流电路比单相可控整流电路可获得______的输出电压。

110.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回______的逆变电路。

111.逆变器可分为无源逆变器和______逆变器两大类。

112.有源逆变产生的条件之一是:变流电路输出的直流平均电压U d的极性必须保证与直流电源电势

E d的极性成______相连,且满足|U d|<|E d|。

113.三相桥式全控变流电路的同步相控触发电路,分为______和横向控制二种方式。

114.SPWM有两种调制方式:单极性和______调制。

115.斩波器的时间比控制方式分为定宽调频、定频调宽、______三种方式。

116.载波比(又称频率比)K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为f r,三角波的频率为f c,则载波比表达式为K=______。

117.DC/DC变换的两种主要形式为逆变整流型和______。

二、选择题

1.在型号KP10-12G中,数字10表示()

A.额定电压10V

B.额定电流10A

C.额定电压1000V

D.额定电流100A 2.在晶闸管整流电路中,变压器二次侧所供给的有功功率P=()。

A.I2d R d

B.I2R d

C.UI d

D.U2I d

3.在单相桥式半控整流电路中,电阻性负载,流过每个晶闸管的有效电流IT=()

A.I B. 0.5I C.(1/√2)*I D.(√2)*I

4.三相半波可控整流电路,电阻性负载,当控制角α为()时,整流输出电压与电流波形断续。A.0°<α≤30°B.30°<α≤150°C.60°<α<180°D.90°<α<180°

5.三相桥式全控整流电路,大电感负载,当α=()时整流平均电压Ud=0。

A.30°B.60°C.90°D.120°

6.三相桥式全控整流电路,电阻性负载时的移相范围为()。

A.0~180°

B.0~150°

C.0~120°

D.0~90°

7.在晶闸管可控整流电路电流断续时的机械特性中,当α()时,所有不同控制角的特性曲线实际空载转速均相同。

A.≤30°B.≤60°C.≤90°D.≤120°

8.快速熔断器熔体额定电流的选择是电流的()。

A.平均值

B.有效值

C.最大值

D.瞬时值

9.在输出电流连续的临界电感时的计算公式L1=K1*(U2/Idmin)中,如可控整流电路为三相桥式,则电路系数K1为()。

A.0.577 B.0.693 C.0.816 D.1.46

10.当正弦波同步触发电路采用NPN晶体管时,要求同步电压比被触发晶闸管的阳极电压滞后()。A.30°B.60°C.90°D.120°

11.为了防止逆变失败,最小逆变角限制为()。

A.10°~15°

B.20°~25°

C.30°~35°

D.40°~45°

12.双向晶闸的额定通态电流是用()表示。

A.流过晶闸管的平均电流

B.直流输出平均电流

C.整流输出电流有效值

D.交流有效值

13.处于阻断状态的晶闸管,只有在阳极与阴极间加正向电压,且在门极与阴极间作何处理才能使其

开通()

A.并联一电容

B.串联一电感

C.加正向触发电压

D.加反向触发电压

14.晶闸管工作过程中,管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以( ) A.阳极电流 B.门极电流 C.阳极电流与门极电流之差 D.阳极电流与门极电流之和 15.功率晶体管(GTR )的安全工作区由几条曲线所限定( ) A.3条 B.2条 C.5条 D.4条

16.单相半控桥式整流大电感负载电路中,为了避免出现一个晶闸管一直导通,另两个整流二极管交替换相导通的失控现象发生,采取的措施是在负载两端并联一个( ) A.电容 B.电感 C.电阻 D.二极管

17.三相半波可控整流电阻性负载电路的控制角α为何值时,输出电流波形会出现零点。(注意是出现一个零点,而不是一段为零的区域)( ) A.15° B.30° C.45° D.60°

18.整流变压器次级为星形接法的三相桥式不控整流电路,A 、B 、C 三相分别接共阴极组的二极管V21、V23、V25,还分别接共阳极组的二极管V24、V26、V22。在这样的接线方式下,二极管换相顺序为( )

A.共阴A 相→共阳C 相→共阴B 相→共阳B 相→共阴C 相→共阳A 相→共阴A 相

B.共阴A 相→共阳B 相→共阴B 相→共阳A 相→共阴C 相→共阳C 相→共阴A 相

C.共阴A 相→共阳C 相→共阴B 相→共阳A 相→共阴C相→共阳B 相→共阴A 相

D.共阴A 相→共阳C 相→共阴C 相→共阳A 相→共阴B 相→共阳B 相→共阴A 相

19.已知三相桥式不控整流电路交流侧线电压u AB 的表达式为u AB=)6

t sin(U 62π+ω,则u CA 的表达

式为( )

A.)65t sin(U 6u 2CA π+ω=

B.)65t sin(U 3u 2CA π

+ω=

C.)32t sin(U 6u 2CA π-ω=

D.)6

5t sin(U 6u 2CA π

-ω=

20.三相全控桥式整流电路中晶闸管可能承受的最大反向电压峰值为( ) A.2U 3

B.2U 6

C.2U 32

D.2U 22

21.大电感负载三相全控桥式整流电路输出电流平均值表达式为( ) A.απ=cos U R

6

2I 2d

B.απ=

cos U R

6

I 2d C.απ=

cos U R 63I 2d D.απ=cos U R

3

3I 2d 22.三相全控桥式整流电路在宽脉冲触发方式下一个周期内所需要的触发脉冲共有六个,它们在相位上依次相差( ) A.60° B.120° C.90° D.180°

23.电阻性负载三相半波可控整流电路,相电压的有效值为U 2,当控制角α=0°时,整流输出电压平均值等于( ) A.1.41U 2 B.2.18U 2 C.1.73U 2

D.1.17U 2 24.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位互差( )

A.150°

B.60°

C.120°

D.90° 25.逆变电路是( ) A.AC/DC 变换器 B.DC/AC 变换器 C.AC/AC 变换器 D.DC/DC 变换器

26.将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是( ) A.有源逆变器 B.A/D 变换器 C.D/A 变换器 D.无源逆变器

27.全控桥式变流器直流电动机卷扬机拖动系统中,当提升重物时,控制角为( )

A.20π<α<

B.2π

C.2π>α

D.π=α2

3

28.全控桥式变流器直流电动机卷扬机拖动系统中,当提升重物时,Ud 与Ed 的关系为( ) A.UdEd C.Ud=Ed D.Ud=Ed=0

29.全控桥式变流器直流电动机卷扬机拖动系统中,当降下重物时,输出电压平均值为( ) A.Ud=0 B.Ud<0 C.Ud>0 D.Ud ≥0

30.全控桥式变流器直流电动机卷扬机拖动系统中,若使重物在某一高度停住时,则变流器的工作状态是( ) A.有源逆变 B.无源逆变

C.整流

D.2

π

=α临界状态

31.三相全控桥式有源逆变电路,在考虑谐波影响时,输出负载电流的有效值为( ) A.2I d

B.d I 3

2 C.

d I 3

1

D.

2N 1

N 2d

I I ∑

=+

32.在三相全控桥式有源逆变电路中,晶闸管可能承受最大正向电压的峰值为( ) A.U 2

B.2U 3

C.2U 6

D.2U 2

33.晶闸管过电压保护的元器件是( ) A.快速熔断器 B.RC 电路 C.快速开关 D.电抗器

34.晶闸管触发电路除包括同步信号发生器、脉冲整形与功放外,还包括( ) A.驱动电路 B.逆变器 C.移相控制电路 D.整流电路

35.同步相控触发电路的二种控制方式,对各组电路的电气性能同一性要求较高的是( ) A.横向控制 B.垂直控制 C.单脉冲方式 D.时间比方式

36.若增大SPWM 逆变器的输出电压,可采用的控制方法是( ) A.增大三角波频率 B.增大三角波幅度 C.增大正弦控制电压频率 D.增大正弦控制电压幅值

37.升压斩波电路中,已知电源电压Ud=12V ,导通比Kt=1/3,则负载电压U 0=( ) A.4V B.18V C.36V D.48V

37.造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素,一是阳极的电压上升率du/dt 太快,二是( )

A.阳极电流上升太快

B.阳极电流过大

C.阳极电压过高

D.电阻过大 38.在I VEAR 定义条件下的波形系数k fe 为( )

A.π

B.2

π

C. 2

3π D.2π

39.晶闸管的额定电压是这样规定的,即取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个,并经如下处理( )

A.乘以1.5倍

B.乘以2倍

C.加100

D.规化为标准电压等级 40.晶闸管不具有自关断能力,常称为( )

A.全控型器件

B.半控型器件

C.触发型器件

D.自然型器件

41.单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时,晶闸管承受反向电压的最大值是( ) A.2U 22

1 B.2U

2 C.22U 2 D.2U 6

42.在大电感负载三相全控桥中,当α=90°时,整流电路的输出是( ) A.U 2 B.0 C.1.414U 2

D.1.732U 2

43.在大电感负载三相全控桥中,当α>60°时,在自然换相点之前整流输出U d 为正值,交流电源提

供能量,电感( )

A.释放能量

B.既不释放能量也不储能

C.储能

D.电流突变 44.逆变电路的功能是将直流电能转换为( )

A.直流电能

B.交流电能

C.磁场能

D.化学能 45.全控桥式变流器直流电动机卷扬机拖动系统中,当降下重物时,U d 与E d 的关系为( )

A.|U d |<|E d |

B.|U d |>|E d |

C.|U d |=|E d |

D.|U d |=|E d |=0

46.三相全控桥式有源逆变电路,变压器二次电流的有效值为( )

A.d I 31

B.

d I 31 C.

d I 3

2 D.I d

47.三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态,逆变角的变化范围为( ) A.0°~120° B.0°~90° C.90°~180° D.0°~150°

48.大电感负载,接有续流二极管的单相半波可控变流电路设控制角为α,则续流二极管的导通角为

( )

A.2π+α

B.2π-α

C.π-α

D.π+α 49.当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,晶闸管都将工作在( )

A.导通状态

B.不定

C.饱和状态

D.关断状态 50.晶闸管变流器主电路要求触发电路的触发脉冲前沿要求( )

A.应缓慢上升

B.不要太大

C.尽可能陡

D.有较大负电流 51.垂直控制原理触发系统、双脉冲触发方式,脉冲宽度应为( )

A.0°

B.0°

C.60°

D.90°

D.系统响应慢 53.降压斩波电路中,电源电压U d 与负载电压U 之间的关系为( )

A.d off on U T T U =

B.d off U T T

U =

C.d on

U T

T U =

D.d on

U T T

U =

54.为实现功率晶体管的低导通损耗,驱动电流的哪一部分应使功率晶体管处于饱和状态( ) A.前沿 B.峰值 C.后沿 D.稳态值 55.驱动电路是电力电子器件构成的何种电路与控制电路之间的接口( )

A.主电路

B.保护电路

C.触发电路

D.相控电路 56.功率晶体管的安全工作区范围由几条曲线限定( )

A.4条

B.3条

C.5条

D.2条 57.由门极控制导通的晶闸管导通后,门极信号( )。 A.失去作用 B.需维持原值 C.需降低 D.需提高

58.逆导晶闸管是一种集成功率器件,将逆阻型晶闸管和( )反并联在一个管芯上的。 A.二极管 B.晶闸管

C.晶体管

D.场效应管 59.GTO 的电流关断增益βof =( )。

A.|I |I min G A -

B.|I |I GT A

- C.|I |I GD A - D.|

I |I GFM A

- 60.带电感性负载的单相半控桥式整流电路,晶闸管α的移相范围为( )。 A.0°~90° B.0°~180° C.0°~120° D.0°~150°

61.单相全控桥,带大电感负载,晶闸管所承受的最大反向电压为( )。 A.

2

2U 2 B.22U 2

C.2U 2

D.2U 2

62.串联平波电抗器的反电动势负载的单相全控桥,负载电流连续时,晶闸管导通角 θ为( )。 A.π-α-δ B.π C.π-2α D.π-2δ

63.三相半波可控整流电路,带大电感性负载,则变压器二次相电流的有效值为( )。

A.3

1I d B.31I d

C.3

2I d D.I d

64.带电感性负载的三相全控整流电路,控制角α的移相范围为( )。 A.0°~90° B.0°~180° C.0°~120° D.0°~150° 65.单相反并联全控桥式变流电路能在( )象限内运行。 A.1 B.2 C.3 D.4

66.三相桥式全控整流电路的同步相控触发电路,有两种控制方式( )。 A.垂直控制和横向控制 B.180°控制和120°控制 C.时间比控制和瞬时值控制 D.单极性控制和双极性控制

67.若用集成触发电路KC04触发三相全控桥,KC04的引脚1接至v11管的门极,则引脚15接至( )。 A.v12 B.v13 C.v14 D.v16

68.电流型三相桥式逆变电路,120°导通方式,每个晶闸管的导通时间为( ) A.180° B.120° C.60° D.240°

69.电压型三相桥式逆变电路,有两种工作方式( )。 A.垂直和横向 B.180°和120° C.时间比和瞬时值 D.单极性和双极性

70.若要增大SPWM 逆变器的输出电压基波幅值,可增大( )。 A.三角波幅值 B.三角波频率 C.正弦调制波的幅值 D.正弦调制波的频率

71.通常可用两种方法抑制逆变器的输出谐波:多重化方法和( )方法。

A.波形调制

B.电压调制

C.电流调制

D.频率调制 72.能在Ⅰ、Ⅳ象限工作的电路为( )。 A.带续流二极管的单相全控桥式电路 B.三相半波电路

C.带续流管的单相半波整流电路

D.带续流管的单相半控桥式电路

73.降压斩波电路中,已知电源电压U=20V ,负载电压U=10V ,管子开通时间为2ms ,则斩波周期为( )。 A.1ms B.2ms C.3ms D.4ms

74.高压直流输电中,若要使功率从1组向2组传输,则U d1和U d2的关系为( )。 A.U d1>U d2>0 B.U d10 D.U d1>0,U d2<0

75.为防晶闸管误触发,可在晶闸管的控制极和阴极间加( )。 A.反压 B.正压 C.脉冲 D.不加

76.在晶体管的恒流驱动电路中加入加速电容,主要是为了( )。 A.减小基极电流 B.增大集电极电流 C.减小存储时间 D.加快晶体管的开通过程 77.晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为( )。 A.维持电流 B.擎住电流 C.浪涌电流 D.额定电流 78.与普通晶闸管不同,双向晶闸管的额定电流的标定用( )。

A.平均电流值

B.通态平均电流值

C.有效值

D.最大电流值

79.双极型功率晶体管和MOSFET 的复合器件是( )。

A.GTO

B.IGBT

C.GTR

D.MCT 80.单相半控桥,带电感性负载,晶闸管的导通角为( )。

A.90°

B.180°

C.120°

D.150°

81.单相全控桥,大电感负载,若负载平均电流为I d ,则流过变压器二次电流的有效值为( )。

A.22I d

B. 31I d

C. 2

1

I d D.I d

82.串联半波电抗器的反电动势负载的单相全控桥式整流电路,晶闸管的最大移相范围是( )。 A.0~90°

B.0~180°

C.0~120°

D.0~150°

83.带电阻性负载的三相半波可控整流电路,晶闸管承受的最大正向电压为( )。 A.

2

2

U 2

B.22U 2

C.2U 2

D. 6U 2

84.带电感性负载的三相全控桥,晶闸管承受的最大反向电压为( )。 A.

22U 2 B.22U 2 C. 2U 2

D.

6U 2

85.三相桥逆变电路中,晶闸管换相间隔为( )。 A.60° B.120° C.90° D.120° 86.采用三相全控桥的大型同步发电机励磁系统,运行在励磁模式中,变流器工作在( )状态。

A.整流

B.逆变

C.待整流

D.待逆变 87.AC/DC 电路中,为抑制交流侧的过电压,可选用( ) A.电容

B.电感

C.压敏电阻

D.电阻

88.锯齿波为同步信号的触发电路中,若控制电压保持不变,同步信号的周期也不变,则改变同步电压的( ),即能实现移相。 A.幅值 B.后沿 C.斜率

D.前沿

89.用集成触发电路KC04触发三相全控桥,若KC04的引脚1接至v13管的门极,则引脚15接至( )。 A.v12 B.v15 C.v14

D.v16 90.为防止晶闸管误触发,应使干扰信号不超过( )。 A.安全区

B.不触发区

C.可靠触发区

D.可触发区

91.电流型三相桥式逆变电路,120°导通方式,每个晶闸管的开通时间为( )。

A.180°

B.120°

C.60°

D.240° 92.能一次实现调压、调频的逆变电路是( )。 A.交流调压不控整流 B.可控整流调压 C.斩波调压

D.脉冲宽度调制 93.斩波电路的控制方式有( )。 A.垂直控制和横向控制

B.180°控制和120°控制

C.时间比控制和瞬时值控制

D.单极性控制和双极性控制

94.功率晶体管驱动电路中的抗饱和电路,用来减少晶体管的( )。

A.存储时间

B.du/dt

C.di/dt

D.基极电流

95.换相重叠角γ最大发生在( )。

A.α=0

B.α=30

C.α=60

D.α=90

96.平波电抗器的选择原则是:保证电流连续,在( )。 A.最小的负载电流时

B.最大的负载电流时

C.最小的负载电阻时

D.最小的控制角时 97.晶闸管的伏安特性是指( ) A.阳极电压与门极电流的关系 B.门极电压与门极电流的关系 C.阳极电压与阳极电流的关系 D.门极电压与阳极电流的关系 98.晶闸管电流的波形系数定义为( )

A.VAR V f I I K =

B.V

VAR f I I

K =

C.K f =I VAR ·I V

D.K f =I VAR -I V

99.取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个,并规化为标准电压等级后,定为该晶闸管的( ) A.转折电压 B.反向击穿电压 C.阈值电压 D.额定电压 100.具有自关断能力的电力半导体器件称为( ) A.全控型器件 B.半控型器件 C.不控型器件 D.触发型器件

101.单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时,晶闸管承受正向电压的最大值为( )

A.2U 22

1 B.2U

2 C.2U 22 D.2U 6

102.在三相桥式不控整流电路中,整流输出电压的平均值为( ) A.22U 34.2U 6

3≈π

或 B.

22U 17.1U 26

3≈π

或 C.

22U 56.1U 62≈π或 D.22U 78.0U 6

≈π或 103.在大电感负载三相全控桥中,当α>60°时,在过了自然换相点之后和下一个晶闸管被触发之前,整流输出u d 为负值,交流电源接受回馈的能量,电感( ) A.释放储能 B.既不释放能量也不储能 C.吸收能量 D.以储能为主 104.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( ) A.有源逆变器 B.A/D 变换器 C.D/A 变换器 D.无源逆变器

105.全控桥式变流器直流电动机卷扬机拖动系统中,当降下重物时,U d 与E d 的比值为( )

A.

1E U d

d

> B.

1E U d d < C.1E U

d

d = D.

0E U d

d

=

106.三相全控桥式有源逆变电路,晶闸管电流的有效值I V1为( )

A.d I 31

B.

d I 31 C.

d I 3

2 D.I d 107.三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是( )

A.3π=

α B.2π<α C.4π=α D.2

π>α

108.接有续流二极管的单相半控桥式变流电路可运行的工作象限是( ) A.第二象限 B.第三象限 C.第四象限 D.第一象限

109.可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是( ) A.功率晶体管GTR B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管 110.触发电路中的触发信号应具有( ) A.足够大的触发功率 B.足够小的触发功率 C.尽可能缓的前沿 D.尽可能窄的宽度

111.垂直控制原理触发系统,单脉冲触发方式,脉冲宽度应为( ) A.0°

112.180°导电型电压型三相桥式逆变电路,其换相是在如下哪种情形的上、下二个开关之间进行( ) A.同一相 B.不同相 C.固定相 D.不确定相

113.降压斩波电路中,已知电源电压U d =16V ,导通比4

3

K t =,则负载电压U 0=( )

A.64V

B.12V

C.21V

D.4V

114.对于功率晶体管的基极驱动电路,驱动电流的后沿应是一个较大的负电流,以利于功率晶体管的( ) A.导通 B.寿命 C.关断 D.饱和

115.驱动电路是电力电子器件主电路与哪种电路之间的接口( ) A.缓冲电路 B.保护电路 C.控制电路 D.滤波电路

116.功率晶体管的驱动电路一般有两种类型,即恒流驱动和( ) A.变流驱动 B.变压驱动

C.比例驱动

D.补偿驱动

三、简答题 1.在有源逆变电路中,最小逆变角βmin 是如何确定的?

2.晶闸管主电路对触发电路的基本要求是什么?

3.在晶闸管可控整流电路的直流拖动中,当电流断续时电动机的机械特性有哪些特点?

4.在三相全控桥式整流电路中,如共阴极组的一只晶闸管短路,则电路会发生什么现象?应如何保护晶闸管?

5.已知三相半波可控整流电路,采用PNP管的正弦波同步角发电路,整流变压器为Y /Y-12接法,试求同步变压器接法与其矢量图。[注]适合本题的同步变压器一次绕组为Y接法

6.导致逆变失败的原因是什么?

7.双向晶闸管额定电流的定义和普通晶闸管额定电流的定义有什么不同?额定电流为100A的两只普通晶闸管反并联可用额定电流多大的双向晶闸管代替?

8.驱动电路为什么采取隔离措施?常用的驱动电路隔离方法有哪些?

9.基于定频调宽控制模式的直流脉宽调制(PWM)技术中,调制信号和载波信号各为什么信号?如何调节输出脉冲宽度?

10.指出造成逆变失败的几种主要原因。

11.简述有源逆变产生的条件。

12.变压变频逆变器的输出电压,有哪几种控制方式?其中哪一种的调压、调频由逆变电

路一次完成?

13.高压直流输电系统原理如图所示,若使功率从右向左传输,试简述调整方法。

14.在三相全控桥式有源逆变电路中,以连接于B相的共阴极组晶闸管V13为例,说明

其在一个周期中,导通及关断期间两端承受电压波形的规律。

15.晶闸管的导通条件是什么?怎样使晶闸管由导通变为关断?

16.什么是晶闸管的维持电流?指出晶闸管擎住电流与维持电流的关系。

17.驱动电路应具有哪些基本的特征?

18.简述高压直流输电的功率传输过程。

19.三相半波电路,若α>π/2,试说明连接于A相的V11管一周期两端受电压的情况。

20.简述同步发电机励磁系统变流器运行时的工作状态和能量流向。

21.带电阻性负载的三相半波全控桥,试写出α≤30°时整流输出电压平均值U d的表达式和晶闸管的移相范围。

22.试说明功率晶体管(GTR)的安全工作区SOA由哪几条曲线所限定?

23.什么是整流?它是利用半导体二极管和晶闸管的哪些特性来实现的?

24.在三相全控桥式有源逆变电路中,以连接于A相的共阳极组晶闸管V14为例说明,

在一个周期中,其导通及关断期间两端承受电压波形的规律。

四、分析题

1.试画出三相全控桥变流装置电路,要求电源变压器采用Y/Y-12,同时若同步变压器分别采用Y/Y-4和Y/Y-10,来满足同步电压u T的相量滞后于晶闸管上所加主电压120°,需分别标明同步电压,电源主电压和晶闸管之间的对应关系

2.试分析右图所示串联逆变电路的工作原理,并讨论此电路适合哪种工作情况(指触发脉冲频率f1与RLC串联电路的固有谐振频率f0之间的关系)?

五、计算与画图题

1.设流过晶闸管的电流波形如下图所示,其最大值均为I m,试求各波形的电流平均值I d,电流有效值I和波形系数K F的值。并求在采用额定电流为100A的晶闸管,当不考虑安全余量时,所能送出的平均电流各为多少?

2.用带续流二极管VD的单相半波可控整流电路给电感性负载供电,已知L=0.3H,负载电阻R=3Ω,U2=220V,要求整流输出直流电压U d=60V,试计算晶闸管的控制角α,导通角θ和续流二极管的导通角各为何值。

3.三相零式整流电路带电感电阻性负载,变压器副边绕组相电压有效值U2=220V,控制角α=90°,但因负载电感不够大,使晶闸管在相电压过零后只能再导通30°,试画出这时的整流输出电压u d的波形和整流输出电流i d的波形,并求出整流输出电压平均值U d的大小。

4.单相半波可控整流电路,电阻性负载,要求输出直流平均电压Ud=75V,平均电流Id=40A,直接由220V电网供电,试选择晶闸管规格型号并计算电路的功率因数。2.三相半波可控整流电路对直流电动机供电,当α=60°时理想空载转速n。=1000rpm,试求α=30°与120°时的理想空载转速各为多少?

3.串联Ld的带电动机负载的三相全控桥整流电路,已知:电动机额定电压、电流、转速分别为220V,150A,1000rpm;变压器二次相电压为100V;变压器每相绕组漏感和电阻折合到二次侧分别为100μH和0.02Ω;负载电流为150A,电动机电枢电阻为0.03Ω。试求:(A)由于漏抗引起的换相压降;(B)该压降所对应的整流器等效内阻;(C)写出α=0°负载电流连续时的n=f(Id)。

4.单相桥式全控电路,已知:U2=150V,EM=110V,电动机额定电流IN=25A,Ld 足够大,RΣ=1Ω,Idmin=1.5A时电流仍连续,最大制动电流Idmin=2IN。试求逆变角β变化范围。

5.三相桥式不控整流大电感负载电路如下图所示。R=4Ω、变压器二次相电压U2=220V。试计算整流输出电压平均值U d和负载平均电流I d,计算晶闸管电流的平均值I V1AR、晶闸管电流的有效值I V1。

6.单相全控桥式变流电路如下图所示,工作于有源逆变状态,β=60°,U2=220V,Ed=-150V,R=1Ω,L足够大,可使负载电流连续,试按要求完成下列各项:

(1)画出输出电压ud的波形;

(2)画出晶闸管V11的电流波形i v11;

(3)计算U d、I d。

7.三相全控桥式有源逆变电路如下图所示,变压器二次相电压效值U2=220V,回路总电

=0.5Ω,平波电抗器L足够大,可使负载电流连续,若β=60°,Ed=-280V,试阻R

回答下列问题:

(1)画出输出电压Ud的波形;

(2)画出晶闸管V12的电流波形其i V12;

(3)计算U d、I d。

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

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第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV,则其额定电压应为60V。(不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。) 2、功率开关管的损耗包括两方面,一方面是导通损耗;另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中,常设置缓冲电路,其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流,过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。(√) 2、某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压为700V,则该晶闸管的额定电压是700V。(×) 3、晶闸管导通后,流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。(×) 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。(√) 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后,去掉门极触发信号,晶闸管级能维护导通。(×) 6、在GTR 的驱动电路设计中,为了使GTR 快速导通,应尽可能使其基极极驱动电流大些。(×) 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管;而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。(√) 8、IGBT 相比MOSFET,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大。(×) 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。(×) 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。(√) 三、选择题 1、下列元器件中,( BH )属于不控型,( DEFIJKLM)属于全控型,( ACG )属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中,( c )最适合用在小功率,高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有( ad ) A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么? 答:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流或脉冲(uak>0且ugk>0)。

电力电子技术试题及答案(B)

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区,也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断, 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解:a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解:额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35, I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益 1α和2α, 由普通晶阐管的分析可得, 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21>αα+两个等效晶体管过饱和而导通;

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力

电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷 一.填空(共15分,1分/空) 1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U ,忽略主电路 2 各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有()触发和()触发两种,常用的是()触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为()组和()组两种。 6.在特定场合下,同一套整流电路即可工作在()状态,又可工作在()状态,故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为()。 二.单选(共10分,2分/题) 1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2.晶闸管属于()。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()。 A.180O B.90O C.120O 4.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。 A.60 B. 180 C. 120 5.把交流电变成直流电的是()。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三.多选(共10分,2分/题) 1.电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器 2.下列电路中,不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3.使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4.逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5.变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四.判断(共5分,1分/题) 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。() 2.晶闸管是一种四层三端器件。()

《电力电子技术》题库含答案

一、填空题(每空1分,共50分) 1、对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为,U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____,设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比,可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为:___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定,双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是:晶闸管_________________和阴极间施加正向电压,并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。 19、温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而__________,正反向漏电流随温度升高而__________,维持电流I H会____________________,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。 导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定,负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有: ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有: (1)_________________________________________,(2)______________________________________,(3)_________________________________________,(4)_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能,而将直流转换为交流电能称为__________________________,它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。

王兆安版电力电子技术试卷及答案

20××-20××学年第一学期期末考试 《电力电子技术》试卷(A) (时间90分钟 满分100分) (适用于 ××学院 ××级 ××专业学生) 一、 填空题(30分,每空1分)。 1.如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是________,属于半控型器件的是________,属于全控型器件的是________;属于单极型电力电子器件的有________,属于双极型器件的有________,属于复合型电力电子器件得有 ________;在可控的器件中,容量最大的是________,工作频率最高的是________,属于电压驱动的是________,属于电流驱动的是________。(只写简称) 2.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为 _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 ;带阻感负载时,α角移相范围为 ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 。 3.直流斩波电路中最基本的两种电路是 和 。 4.升降压斩波电路呈现升压状态时,占空比取值范围是__ _。 5.与CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有 、 和 。 6.当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz 时,单相交交变频电路的输出上限频率约为 。 7.三相交交变频电路主要有两种接线方式,即 _和 。 8.矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是 ;控制方式是 。 9.逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为 型逆变器和 型逆变器。 10.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为 。 二、简答题(18分,每题6分)。 1.逆变电路多重化的目的是什么?如何实现?串联多重和并联多重逆变电路各应用于什么场合? 2.交流调压电路和交流调功电路有什么异同? 3.功率因数校正电路的作用是什么?有哪些校正方法?其基本原理是什么? 三、计算题(40分,1题20分,2题10分,3题10分)。 1.一单相交流调压器,电源为工频220V ,阻感串联作为负载,其中R=0.5Ω,L=2mH 。 试求:①开通角α的变化范围;②负载电流的最大有效值;③最大输出功率及此时电源侧的功率因数;④当2πα=时,晶闸管电流有效值,晶闸管导通角和电源侧功率因数。 2..三相桥式电压型逆变电路,工作在180°导电方式,U d =200V 。试求输出相电压的基波幅值U UN1m 和有效值U UN1、输出线电压的基波幅值U UV1m 和有效值U UV1、输出线电压中7次谐波的有效值U UV7。 3 .如图所示降压斩波电路E=100V ,L 值极大,R=0.5Ω,E m =10V ,采用脉宽调制控制方式,T=20μs ,当t on =5μs 时,计算输出电压平均值U o ,输出电流平均值

(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案

电 力 电 子 复 习 姓名:杨少航

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可

最新电力电子技术试题及答案(1)

德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 一、选择(每题1.5分,共60分) 1、 晶闸管内部有( )个PN 结。 A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压( )越好。 A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定 3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( )来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有( )个电极。 A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT 器件电路符号的是( ) 6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( ) A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO 11、逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用( ) A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET 适于在( )条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应( ) A 、在栅极加正电压 B 、在集电极加正电压 C 、在栅极加负电压 D 、

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ; 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ; 带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;

电力电子技术试题

1. 什么是电力电子技术? 答:应用于电力领域的、使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。是一门与电子、控制和电力紧密相关的边缘学科。 2. 说“电力电子技术的核心技术是变流技术”对吗? 答:对。 3. 模拟电子技术和数字电子技术也是电力电子技术吗? 答:不是。 4. 举几例日常生活中应用电力电子技术的装置。 答:电动自行车的充电器,手机充电器,电警棍等。 5. 简答“开关电源”和“线性电源”的主要优缺点。 答: 开关电源: 优点:体积小、重量轻、效率高、自身抗干扰性强、输入和输出的电压范围宽、可模块化。 缺点:由于开关工作模式和高频工作状态,对周围设备有一定的干扰。需要良好的屏蔽及接地。 线性电源: 优点:电源技术很成熟,可以达到很高的稳定度,波纹也很小,而且没有开关电源具有的噪声干扰。 缺点:是需要庞大而笨重的变压器,所需的滤波电容的体积和重量也相当大,效率低。 将逐步被开关电源所取代。 6. 解释:不可控器件(说明导通和关断的条件)、半控型器件、全控型器件,并举出代表 性器件的名称。 答: 不可控器件:不用控制信号来控制其通、断。导通和关断取决于其在主电路中承受电压的方向和大小。典型器件:电力二极管 导通条件:正向偏置,即承受正向电压,且正向电压>阀值电压。 关断条件:反向偏置,即承受反向电压。 半控型器件:用控制信号来控制其导通,一旦导通门极就失去控制作用。关断取决于其

在主电路中承受的电压、电流的方向和大小。典型器件:晶闸管 全控型器件:导通和关断均由电路的触发控制信号驱动(驱动状态需保持)。 典型器件:GTR、IGBT、POWER MOSFET。 7. 如图示的二极管伏安特性曲线,示意性地在坐标曲线上标注二极管的参数“反向击穿 电压UB”、“门槛电压UTO”、“正向导通电流IF”及其对应的“正向压降UF”、“反向 漏电流”。 答:

电力电子技术试题及答案(3)

考试试卷 一、填空题(本题共17小题,每空1分,共20分) 1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的外形有与。 2、选用晶闸管的额定电流时,根据实际最大电流计算后至少还要乘以。 3、晶闸管的导通条件是。 4、晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为U DSM U BO。 5、从晶闸管的伏安特性曲线可知,晶闸管具有的特性。 6、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为。 7、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法,目前采用较多的是 触发方法。 8、可控整流电路,是三相可控整流电路最基本的组成形式。 9、在三相半波可控整流电路中,电感性负载,当控制角时,输出电压波形出现负值,因而常加续流二极管。 10、三相桥式整流电路中,当控制角α=300时,则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为。 11、考虑变压器漏抗的可控整流电路中,如与不考虑漏抗的相比,则使输出电压平均值。 12、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回的逆变电路。 13、有源逆变产生的条件之一是:变流电路输出的直流平均电压U d的极性必 须保证与直流电源电势E d的极性成相连,且满足|U d|<|E d|。 14、为了防止因逆变角β过小而造成逆变失败,一般βmin应取,以保 证逆变时能正常换相。 15、载波比(又称频率比)K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为f r,三 角波的频率为f c,则载波比表达式为K= 。 16、抑制过电压的方法之一是用吸收可能产生过电压的能量,并用 电阻将其消耗。 17、斩波器的时间比控制方式分为、、三种方式。 二、选择题(本题共10小题,每题1分,共10分) 1、晶闸管的伏安特性是指( ) A、阳极电压与门极电流的关系 B、门极电压与门极电流的关系 C、阳极电压与阳极电流的关系 D、门极电压与阳极电流的关系

电力电子技术复习试题与答案

电力电子技术复习2011 一、选择题(每小题10分,共20分) 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°, B、60°, c、360°, D、120° 2、α为C度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。 A,0度, B,60度, C,30度, D,120度, 3、晶闸管触发电路中,若改变 B 的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。 A、同步电压, B、控制电压, C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路, B、三相半控桥整流桥电路, C、单相全控桥接续流二极管电路, D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o, B、10o-15o, C、0o-10o, D、0o。 6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电 路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中,逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o, B、=35o∽90o, C、 =0o∽90o, 8、晶闸管整流装置在换相时刻(例如:从U相换到V相时)的输出电压等于C。

A、U相换相时刻电压u U , B、V相换相时刻电 压u V , C、等于u U +u V 的一半即: 9、三相全控整流桥电路,如采用双窄脉冲触发晶闸管时,下图中哪一种双窄脉 冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中,若使控制电压U C =0,改变C的大小,可使 直流电动机负载电压U d =0,使触发角α=90o。达到调定移相控制围,实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压, B、控制电压, C、偏移 调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能(C) A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点; B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处; C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°; D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V, 则该晶闸管的额定电压应为(B) A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相围是( D )

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