《传感器与检测技术》试题及答案(已做)
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《传感器与检测技术》试题
一、填空:(20分)
1测量系统的静态特性指标主要有线性度、迟滞、重复性、分辨力、 稳定性、温度稳定性、各种抗干扰稳定性等。 (2分)
2■霍尔元件灵敏度的物理意义是表示在单位磁感应强度相单位控制 电流时的霍尔电
势大小。
4■热电偶所产生的热电势是两种导体的接触电势和单一导体的温差 电势组成的,其表达式为Eab (T,To )= k
(T —T 。)"叫+叮% -别山。
e N B
在热电偶温度补偿中补偿导线法(即冷端延长线法)是在连接导线和 热电偶之间,接入延长线,它的作用是将热电偶的参考端移至离热源 较远并且环境温度较稳定的地方,以减小冷端温度变化的影响。
5压磁式传感器的工作原理是:某些铁磁物质在外界机械力作用下, 其内部产生机械
压力,从而引起极化现象,这种现象称为正压电效应。 相反,某些铁磁物质在外界磁场的作用下会产生机械变形, 这种现象 称为负压电效应。(2分)
6. 变气隙式自感传感器,当街铁移动靠近铁芯时,铁芯上的线圈电 感量(①增加②减小③不变)(2分)
7. 仪表的精度等级是用仪表的(① 相对误差 ② 误差)来表示的(2分)
8. 电容传感器的输入被测量与输出被测量间的关系, 型②变极距型③变介电常数型)外是线性的。 1、变面积式自感传感器,当衔铁移动使磁路中空气缝隙的面积
增大时,铁心上线圈的电感量(①增大,②减小,③不变)。
2、在平行极板电容传感器的输入被测量与输出电容值之间的关 系中,(①变面积型,②变极距型,③变介电常数型)是线性的关系。
3、在变压器式传感器中,原方和副方互感M 的大小与原方线圈
的匝数成(①正比,②反比,③不成比例),与副方线圈的匝数成(① 正比,②反比,③不成比例),与回路中磁阻成(①正比,②反比, ③不成比例)。
4、传感器是能感受规定的被测量并按照一定规律转换成可用输
出信号的器件或装置,传感器通常由直接响应于被测量的敏感元件 和产生可用信号输出的转换元件以及相应的信号调节转换电路组成。
绝对误差③引用
除(① 变面积 (2分)
5、热电偶所产生的热电热是由两种导体的接触电热和单一导体
的温差电热组成。
2、电阻应变片式传感器按制造材料可分为①金属材料和
②半导体—体材料。它们在受到外力作用时电阻发生变化,其中
①的电阻变化主要是由_电阻应变效应形成的,而②的电阻变化
主要是由温度效应造成的。半导体材料传感器的灵敏度较大。
5.磁电式传感器是利用导体和磁场发生相对运动而在导体两端产生感应电势的。而霍尔式传感器为霍尔元件在磁场中有电磁效应(霍尔效应)而输出电势的。霍尔式传感器可用来测量电流,磁场_ 位移,压力。(6 分)
8.测量系统的静态特性指标通常用输入量与输出量的对应关系来表征(5分)简答题
二、用镍铬-镍硅热电偶测量某低温箱温度,把热电偶直接与电位差计相连接。在某时刻,从电位差计测得热电势为-1.19mv,此时电位
差计所处的环境温度为15C,试求该时刻温箱的温度是多少度?(20 分)
镍铬-镍硅热电偶分度表
2简述热电偶的工作原理。(6分)
答:热电偶的测温原理基于物理的“热电效应”。所谓热电效应,
就是当不同材料的导体组成一个闭合回路时,若两个结点的温度不
同,那么在回路中将会产生电动势的现象。两点间的温差越大,产生的电动势就越大。引入适当的测量电路测量电动势的大小,就可测得温度的大小。
3以石英晶体为例简述压电效应产生的原理。(6分)
答:石英晶体在沿一定的方向受到外力的作用变形时,由于内部
电极化现象同时在两个表面上产生符号相反的电荷,当外力去掉后, 恢复到不带电的状态;而当作用力方向改变时,电荷的极性随着改变。
晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。这种现象称为正压电效应。反之,如对石英晶体施加一定变电场,晶体本身将产生机械变形,外电场撤离,变形也随之消失,称为逆压电效应。
石英晶体整个晶体是中性的,受外力作用而变形时,没有体积变
形压电效应,但它具有良好的厚度变形和长度变形压电效应。
4简述电阻应变片式传感器的工作原理(6分)
答:电阻应变片的工作原理是基于电阻应变效应,即在导体产生
机械变形时,它的电阻值相应发生变化。
1、什么是传感器动态特性和静态特性,简述在什么频域条件下只研究静态特就能够满足通常的需要,而在什么频域条件下一般要研究传感器的动态特性?( 10分)答:传感器的特性是指传感器所特有性质的总称。而传感器的输入输出特性是其基本特性,一般把传感器作为二端网络研究时,输入输出特性是二端网络的外部特性,即输入量和输出量的对应关系。由于输入量的状态(静态、动态)不同分静态特性和动态特性。静态特性是指当输入量为常量或变化极慢时传感器输入 -输出特性。动态特性指当输入量随时间变化时传感器的输入 -输出特性。可以从时域和频域来研究动态特性
2、简述霍尔电动势产生的原理。(5分)
答:一块半导体薄片置于磁感应强度为 B的磁场(磁场方向垂直于薄片)中,当有电流I流过时,电子受到洛仑兹力作用而发生偏转。结果在半导体的后端面上电子有所积累。而前端面缺少电子,因此后端面带负电,前端面带正电,在前后端面形成电场,该电场产生的力阻止电子继续偏转当两力相平衡时,电子积累也平衡,这时在垂直于电流和磁场的方向上将产生电场,相应的电势称为霍尔电势U H。
3、分析应变片式传感器在使用单臂电桥测量电路时由于温度变化而产生测量误差的过程。(10分)答:在外界温度变化的条件下,由于敏感栅温度系数耳及栅丝与试件膨胀系数(P g与P s)之差异性而产生虚假应变输出有时会产生与真实应变同数量级的误差。
二、寄生电容与电容传感器相关联影响传感器的灵敏度,它的变化为
虚假信号影响传感器的精度。试阐述消除和减小寄生电容影响的几种方法和原理。(15分)
三、在生产过程中测量金属板的厚度,非金属板材的镀层厚度时常用涡流传感器。