PIN 、肖特基、变容二极管
第二章-半导体分立器件
例：
后缀，以进 一步标明半 导体器件的 特性或对器 件进行进一 步的分类。
3. 二极管 半导体二极管是由一个PN结、引出线和管壳三 部分构成的。 符号：
P N
+
-
① 按照工艺结构分类
◆点接触型二极管
结构：由管心、引线和玻璃管壳组成。管心是一根 金属触须（半径约为0.1mm的钨丝或金丝）压接在 半导体晶体上，利用电形成工艺来获得PN结。
S
（f）增强型PMOS管
结电容（pF）
反向偏压（v）
④ 二极管极性的识别及测量
◆二极管极性的识别
根据标志识别：一般印有红色点一 端为正极，印有白色点一端为负极。 根据结构识别：对于玻 璃封装的点接触式二极 管，可透过玻璃外壳观 察其内部结构来区分极 性，金属丝一端为正极， 半导体晶片一端为负极。
_
+
根据正反向电阻识别： 万用表拨到R×100Ω或R×1kΩ档，测量二 极管的直流电阻。 正向电阻﹤反向电阻 用万用表测小功率二极管的直流电阻时，不 能使用R×1Ω和R×10kΩ档，因为R×1Ω档电流 很大，容易烧坏二极管，R×10kΩ档的电压较高， 容易使二极管的PN结击穿。
七、半导体分立器件 1. 分类
① 半导体二极管 普通二极管：整流二极管、检波二极管、稳压二极管 、恒流二极管、开关二极管等； 特殊二极管：肖特基势垒管（SBD）、隧道二极管（ TD）、位置显示管（PIN）、变容二极管、雪崩二极 管等。
② 晶体三极管 锗管：高频小功率管、低频大功率管； 硅管：高频小功率管、超高频小功率管、高速开关管、 低噪声管、微波低噪声管； 专用器件：单结晶体管和可编程晶体管。
2S502的改进型
JEIA登记号
NPN高频晶体管
肖特基二极管参数及特点
肖特基二极管参数及特点肖特基二极管肖特基（Schottky ）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
肖特基二极管参数：（1） VF 正向压降Forward Voltage Drop（2） VFM 最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop（3） VBR 反向击穿电压Breakdown Voltage（4） VRMs 能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage（5）VRRM峰值反复反向电压Peak RepeTITIve Reverse Voltage（6）VRsM Non-RepeTITIve Peak Reverse Voltage （halfwave，single phase，60 Hz）非反复反向峰值电压（半波，单相，60Hz ）（7） VRwM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage （8） Vpc 最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage （9） Trr 反向恢复时间Reverse Recovery Time（10） Ip（Av 正向电流Forward Current（11）IrsM 最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent（12） IR 反向电流Reverse Current（13） Ta 环境温度或自由空气温度Ambient Temperature（14） Tj 工作结温Operating Junction Temperature（15） TsTG 储存温度Storage Temperature Range（16） Tc 管子壳温Case Temperature肖特基二极管特点：1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
二极管 mos管 肖特基二极管
肖特基二极管又称肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），是一种特殊的二极管，其结构和特性与普通的二极管有所不同。
它利用了肖特基效应（Schottky effect）的原理，具有低漏电流、快速开关速度和低压降等优点，因此在各种电子电路中得到广泛应用。
一、肖特基二极管的结构肖特基二极管由金属和半导体材料组成，其结构如下：1. 金属-半导体接触面：用金属和半导体材料制成金属-半导体接触面，形成势垒；2. P型半导体材料：通常采用P型硅（p-Si）材料制成。
二、肖特基二极管的特性肖特基二极管相比普通二极管具有以下特点：1. 低漏电流：由于金属-半导体接触面的势垒形成，使得肖特基二极管的漏电流比普通二极管小很多；2. 快速开关速度：肖特基二极管的导通和截止速度较快，因此在高频电路中得到广泛应用；3. 低压降：肖特基二极管在导通时的压降比普通二极管小，对电路的功耗影响较小。
三、肖特基二极管的应用肖特基二极管在电子电路中有广泛的应用，主要体现在以下几个方面：1. 短波无线电接收机：肖特基二极管可以作为高频检波二极管，实现无线电信号的检波和解调；2. 低功耗电路：由于肖特基二极管的低漏电流和低压降特性，适合用于设计低功耗的电路；3. 微波频率倍频器：肖特基二极管在微波频率电路中具有较高的性能，常被用作频率倍增器；4. 太阳能电池：肖特基二极管作为太阳能电池的组成部分，可以将光能转化为电能。
四、肖特基二极管与MOS管的比较肖特基二极管与MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构和特性上有所不同。
1. 结构：肖特基二极管由金属和P型半导体材料组成，而MOS管由金属氧化物和半导体材料组成。
2. 功能：肖特基二极管主要用于整流和高频开关电路中，而MOS管主要用于放大和开关电路中。
3. 特性：肖特基二极管的优点在于低漏电流和快速开关速度，但其直流特性和温度特性较差；MOS管的特点在于良好的输入输出特性和高集成度，但功耗较大。
肖特基二极管结构原理及参数 知乎
一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。
普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的，而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。
具体而言，肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的，通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上，形成一种金属－半导体接触。
二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说，有一些关键的参数需要我们了解。
其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度，记作Φ_B。
它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。
另外，肖特基二极管还有正向电压降（V_F）、反向漏电流（I_R）、最大反向工作电压（V_RRM）等参数，这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。
三、深度探讨：肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管，肖特基二极管具有许多优势和特点。
它的正向压降较小，约为0.3V左右，这意味着在一些特定的应用场合中，肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管，实现更低的功耗和更高的效率。
肖特基二极管的开关速度非常快，这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。
四、广度探讨：肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性，在许多领域都有着广泛的应用。
在通信领域，肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中，用于实现信号的调制和解调。
在开关电源和电源管理领域，肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。
在光伏领域、功率电子领域和微波领域，肖特基二极管也都有着重要的应用。
五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨，我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。
肖特基二极管作为一种特殊的二极管，在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势，因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。
希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管，并在实际应用中发挥其重要作用。
二极管的分类
半导体二极管的分类（一）按使用的半导体材料分类二极管按其使用的半导体材料可分为锗(Ge)二极管、硅二极管和砷化镓（GaAs）二极管、磷化镓（GaP）二极管等。
（二）按结构分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。
因为构造简单，所以价格便宜。
对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。
与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。
多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。
在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。
正向电压降小，适于大电流整流。
因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。
因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。
最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
5、台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。
初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此，又把这种台面型称为扩散台面型。
半导体二极管分类
半导体二极管整流管：整流管因为其正向工作电流较大，工艺上多采用面结型结构，结电容大，因此整流二极管工作频率一般小于3KHZ .例：2CZ31 反向工作电压： 50-800V 正向电流：>1A正向压降：<0.8V 反向电流：<5 UA 瞬时电流：> 20A 最高温度：>150C例：2CZ56 反向工作电压： 100-2000V 正向电流：3A正向压降：<0.8V 反向电流：<20 UA 瞬时电流：>65A 最高温度：>140C注：桥式整流器以此此类推。
彩电用高频高压硅整流堆：例：2DGL20 反向工作电压：>20KV正向电流：> 5MA正向压降：<40V 反向电流：<2 UA 反向恢复时间：<1.2us 检波二极管：一般检波二极管采用锗材料点接触型结构，要求正向压降小，检波效率高，结电容小，频率特性好，其外形一般采用玻璃封装EA结构。
例：2AP9 反向工作电压：> 10V 正向电流：>8MA 反向峰值击穿电压：>20V 最大整流电流：>5MA截止频率：〉100MHZ 零偏压电容：《1PF检波效率：》65% 反向电流：《200 UA例：2AP30C 反向工作电压：〉10V 正向电流：〉2M A反向峰值击穿电压：〉20V 最大整流电流：〉5MA 截止频率：〉400MHZ零偏压电容：《0.6PF 反向电流：》50 UA开关二极管：二极管从截止到导通称为开通时间，从开通到截止称为反向恢复时间，两者之和称为开关时间。
开通时间较短，一般可以忽略，反向恢复时间较长，他反应了二极管的特性好坏，trr 定义为从加反向偏压开始到反向电流下降到初始值的1/10所用的时间。
2AK系列为点接触锗金键开关二极管，适于中速开关电路，2CK系列为平面硅二极管，适于高速开关电路。
例：2CK70E(IN4148) 反向工作电压：> 60V 反向击穿电压：>90V正向电流：>10MA 正向压降：<0.8V 零偏压电容：《4PF 反向恢复时间：〈3ns 额定功率：30mwFR151-158常用于高频整流，升压，有些厂阻尼二极管：主要应用于电视机行扫描中做阻尼和升压整流用，要求其承受较高的反向工作电压和峰值电流，且要求正向压降越小越好，因此他是一种特殊的高频高压整流二极管，也可看作是高反压开关二极管的一种。
pin二极管的工作原理
pin二极管的工作原理
pin二极管，又称为肖特基二极管，是一种半导体元件，其工作原理基于肖特基效应。
肖特基效应是指在半导体材料中，当P型半导体和N型半导体接触时，因两者能带结构不同，形成了一个能带突变区，导致载流子在此区域内产生强烈的漂移运动，形成肖特基势垒。
这个势垒可以阻挡大部分反向电流，从而使得pin二极管只有在正向电压下才能够导通。
具体来说，当正向电压作用于pin二极管时，p区中的空穴与n区中的电子被加速，穿过肖特基势垒，形成电流。
而当反向电压作用于pin二极管时，肖特基势垒增高，电子与空穴被阻挡，形成了非常小的反向电流，这种电流称为反向饱和电流。
与普通二极管相比，pin二极管具有以下特点：
1.正向电压下具有非常低的正向电阻，可以承受高电流和高功率的负载。
2.反向电压下具有非常高的反向击穿电压，可以防止电路因过压而损坏。
3.反向电流非常小，可用于高精度电流检测和放大。
4.具有非常快的开关速度和响应时间，可用于高频应用。
5.具有非常低的噪声和失真，可用于高质量音频应用。
由于pin二极管具有以上特点，因此被广泛应用于电源管理、射频放大、音频放大、压控振荡器等领域。
pin二极管的工作原理是基于肖特基效应，其具有低正向电阻、高反向击穿电压、低反向电流、快速开关速度和低噪声失真等特点，是一种重要的半导体元件。
电路板中常用7大类二极管
电路板中常用7大类二极管一、肖特基二极管肖特基二极管，即肖特基势垒二极（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管。
它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
二、变容二极管变容二极管又称"可变电抗二极管"，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。
反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其最大值为几十皮法到几百皮法，最大区容与最小电容之比约为5:1。
它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等，例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。
变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。
反向偏压与结电容之间的关系是非线性的，变容二极管的电容值与反向偏压值的关系：(a) 反向偏压增加，造成电容减少；(b) 反向偏压减少，造成电容增加。
电容误差范围是一个规定的变容二极管的电容量范围。
数据表将显示最小值、标称值及最大值，这些经常绘在图上。
三、稳压二极管英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。
利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。
在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。
变容二极管调频原理
变容二极管调频原理一、变容二极管调频原理简介变容二极管（又称肖特基二极管）是一种特殊的二极管，其主要特性是在反向偏置下具有可变的电容值。
这种特殊的二极管可用于调频（Frequency Modulation，FM）电路中，实现信号的调制与解调。
二、调频方式的基本原理在调频电路中，信号的频率起着关键的作用。
调频的基本原理是通过改变信号的频率来携带信息。
变容二极管通过改变电容值来调制信号的频率。
三、变容二极管调频的原理及过程1. 调制过程：- 步骤1：将待调制的信号输入到变容二极管的输入端，在电路中形成一个振荡器。
- 步骤2：控制变容二极管的电压，使其在频率调制范围内的电容值随时间变化。
- 步骤3：根据信号的幅度和方向为变容二极管施加不同的电压，使其电容值相应地改变。
2. 解调过程：- 步骤1：将调频信号输入到变容二极管的输入端。
- 步骤2：将变容二极管的电容值传递到解调器电路中。
- 步骤3：通过解调器电路的处理，提取出原始的调制信号。
四、变容二极管调频的优势- 变容二极管调频的优势在于其频率范围广泛，可实现高精度的频率调制和解调。
- 由于变容二极管可以在微秒级别内响应电压变化，因此调频速度快，可满足高要求的调频应用。
五、变容二极管调频的应用领域- 广播电台：使用变容二极管调频技术可以实现音乐、语音等信号的传输和接收。
- 通信系统：调频技术可用于无线通信系统，实现高质量的语音和数据传输。
- 遥控设备：变容二极管调频可用于遥控设备中，如遥控器、汽车智能钥匙等。
六、结论变容二极管调频原理是一种重要的调频技术，通过改变变容二极管的电容值来实现信号的调制与解调。
在广播、通信和遥控等领域有着广泛的应用前景。
二极管的种类和符号
二极管的种类和符号
二极管是一种电子器件，只允许电流在一个方向上流动。
它们通常由半导体材料制成，最常见的类型是硅二极管和锗二极管。
二极管在电路中有着广泛的应用，如整流、检波、开关等。
种类：
1.硅二极管：硅二极管是最常见的一种二极管，它的特点
是工作电压较高，但电流较小。
硅二极管的导通电压通常在0.7V左右。
2.锗二极管：锗二极管的导通电压较低，通常在0.3V左
右，因此它通常用于低电压的电路中。
3.肖特基二极管：肖特基二极管是一种高效能的二极管，
它的导通电压较低，而且恢复时间较短，因此常用于高频电路中。
4.快恢复二极管：快恢复二极管的恢复时间较短，因此它
也常用于高频电路中。
5.稳压二极管：稳压二极管是一种特殊的二极管，它的特
点是稳压性能好，可以将电压稳定在一个特定的值。
6.变容二极管：变容二极管是一种特殊的二极管，它的特
点是电容值可以随着外加电压的变化而变化，因此常用于调频和调相电路中。
符号：
二极管的符号如下图所示：
其中，A表示阳极，K表示阴极；在图形中加一个横杠表示反向阻断，不加横杠表示正向导通。
以上是对二极管的种类和符号的基本介绍。
二极管的常见类型
二极管的常见类型
二极管是一种由半导体材料制成的电子元件，具有单向导电性。
二极管可以根据其功能用途进行分类，常见的类型包括：
1.整流二极管：用于将交流电转换为直流电。
它具有
较大的正向电压降，通常为0.6-0.7伏。
2.稳压二极管：具有稳定电压作用。
它在反向击穿状
态下工作，具有一定的稳定电压值。
3.光敏二极管：在光照下产生电流。
它主要用于光电
探测、光电控制、光电转换等领域。
4.发光二极管：在电流通过时发光。
它主要用于显
示、照明、指示等领域。
5.检波二极管：用于从信号中提取直流成分。
它具有
较大的反向电阻，可以有效地防止直流成分的损
失。
6.变容二极管：其电容值随其正向电压或反向电压的
变化而变化。
它主要用于调谐、滤波、振荡等领
域。
7.双向触发二极管：在正负两侧都具有导电性。
它主
要用于电路的保护、控制等领域。
除了上述常见的类型外，还有其他一些二极管类型，例如：
1.肖特基二极管：具有较小的正向电压降和较快的反
向恢复时间。
2.隧道二极管：具有较大的正向电压降和较小的反向
电阻。
3.雪崩二极管：在反向击穿状态下具有较大的反向电
流。
4.齐纳二极管：在反向击穿状态下具有较小的反向电
流变化。
二极管是一种重要的电子元件，在许多电子电路中都有广泛应用。
二极管类别(带图实图)
晶体二极管的分类一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。
因为构造简单，所以价格便宜。
对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。
与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。
多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。
在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。
正向电压降小，适于大电流整流。
因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。
因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。
最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。
初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此，又把这种台面型称为扩散台面型。
对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。
二极管的符号参数类别
二极管的符号、判别、参数和分类二极管符号二极管（国标）二极管的判别及参数1.简述半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。
半导体最重要的两种元素是硅(读“guī”)和锗(读“zhě”)。
我们常听说的美国硅谷，就是因为那里有好多家半导体厂商。
二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。
很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。
二极管最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。
我们用万用表来对常见的1N4001型硅整流二极管进行测量，红表笔接二极管的负极，黑表笔接二极管的正极时，表针会动，说明它能够导电；然后将黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极，这时万用表的表针根本不动或者只偏转一点点，说明导电不良(万用表里面，黑表笔接的是内部电池的正极)。
常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等几种。
像它的名字，二极管有两个电极，并且分为正负极，一般把极性标示在二极管的外壳上。
大多数用一个不同颜色的环来表示负极，有的直接标上“—”号。
大功率二极管多采用金属封装，并且有个螺母以便固定在散热器上。
2．半导体二极管的极性判别及选用(1) 半导体二极管的极性判别一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7，2AP11～2AP17等。
如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。
塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4000系列。
无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图T304。
根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到电阻挡(一般用R×100或R×1k挡。
不要用R×1或R×10k挡，因为R×1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子)。
肖特基二极管结构原理及参数 知乎
肖特基二极管结构原理及参数知乎肖特基二极管是一种常见且重要的半导体器件，具有许多独特的特性和广泛的应用。
它与普通二极管相比，拥有更高的开关速度、较低的反向电流以及更低的电压下的工作能力。
那么，让我们深入探讨一下肖特基二极管的结构原理和参数，并了解其在实际应用中的重要性。
一、结构原理肖特基二极管由P型半导体和n型金属或合金构成。
正如其名字所示，这种二极管是以物理学家沃尔特·肖特基的名字命名的。
1.1 结构示意图肖特基二极管的结构由两个主要部分组成：P型区和肖特基金属结区。
P型区与n型金属之间形成一个肖特基势垒，这种势垒具有吸收和透射电子的特性。
1.2 肖特基势垒形成原因肖特基势垒的形成是由P型区和n型金属之间的结合引起的。
具体来说，当P型区与n型金属接触时，通过复杂的界面反应，形成了一个类似PN结的界面。
在该界面上，P型区中电子的能级高于n型金属中电子的能级，因此会发生电子从P型区向n型金属的扩散。
而由于肖特基金属的特殊属性，它可以使这些从P型区扩散过来的电子透射到n型金属中。
这个过程将导致P型区与n型金属之间形成一个肖特基势垒，使得肖特基二极管具备了与普通二极管截然不同的性能。
二、参数分析了解肖特基二极管的结构原理之后，让我们来探讨一些与该器件相关的重要参数。
2.1 肖特基二极管的正向电压和反向电压能力正向电压是指在正向偏置下，肖特基二极管中电流开始流动的最低电压。
与普通二极管相比，肖特基二极管的正向电压往往更低，通常在0.2V至0.5V之间。
这意味着在正向工作条件下，肖特基二极管比普通二极管具有更低的能耗和更高的效率。
反向电压能力是指肖特基二极管能够承受的最大反向电压。
由于肖特基势垒较低，该参数通常在比较低的范围内，一般为20V至50V。
2.2 肖特基二极管的开关速度开关速度是指肖特基二极管从导通到截止的转换时间。
由于肖特基势垒的形成，肖特基二极管的开关速度往往比普通二极管更快。
这使得它特别适用于高频应用。
pin二极管和肖特基二极管
pin二极管和肖特基二极管在电子世界里，二极管就像是我们生活中那些不起眼却不可或缺的小角色。
今天，我们就来聊聊两种常见的二极管——pin二极管和肖特基二极管，咱们就把它们当作电子界的两位明星，看看它们各自的魅力何在。
1. 二极管的基本概念首先，咱们得搞清楚，二极管是什么。
简单来说，它是一种只允许电流在一个方向流动的小器件，听起来是不是有点像单行道？就像咱们平常开车，只有在特定的路段才能行驶，二极管就是把电流的走向给定下来了。
1.1 pin二极管的“特长”说到pin二极管，它的名字可不是随便起的。
pin代表着“P型半导体、内层（i）、N型半导体”。
这种结构让它在处理高频信号时表现得相当出色。
可以这么说，它就像是电子行业里的“调音师”，调节着信号的质量，保证你的音频和视频传输不掉链子。
1.2 pin二极管的应用pin二极管常常被用在射频开关和调制解调器中。
要是你爱听收音机，那可能就跟它有点关系。
它也被广泛应用于激光二极管中，像是激光打印机里，它可真是个隐形的英雄，默默无闻却又至关重要。
咱们这儿得提一下，pin二极管的反向恢复时间也比较长，所以它在某些场合用起来得小心翼翼，不然就容易掉链子。
2. 肖特基二极管的“超能力”接下来，咱们来聊聊肖特基二极管。
它可不是个普通的二极管，听名字就知道，这家伙有点“狠”。
肖特基二极管最大的特点就是它的开关速度极快，几乎可以用“瞬间”来形容。
它的结构比较简单，没有内层，所以可以更快速地响应电流变化。
2.1 肖特基二极管的优点因为这个特性，肖特基二极管在高频电路中非常受欢迎。
无论是电源转换器还是脉冲信号处理，肖特基二极管都能游刃有余地应对。
说它是“高效能选手”一点都不过分。
还有，肖特基二极管的正向压降相对较低，这就意味着它在工作的时候不会浪费太多的能量，真是个省电小能手！2.2 肖特基二极管的应用在日常生活中，肖特基二极管常常出现在开关电源、电视、电脑等设备中。
每当你按下开关，打开电视时，背后可能就有肖特基二极管在默默工作。
调制管研究报告
调制管研究报告
调制管是一种应用于通信系统中的电子器件，主要用于调制（modulation）及解调（demodulation）信号。
常见的调制管有VARACTOR（变容二极管）、PIN二极管（Positive-Intrinsic-Negative，正-内-负二极管）和Schottky二极管（肖特基二极管）。
VARACTOR调制管的电容-C可通过改变反向偏置电压-Vr实现。
在通
信系统中，VARACTOR调制管通常用于频率调制和振荡电路中的频率稳定器。
除此以外，VARACTOR调制管还可用于调制信号的相位和幅度，用于
操作在微波频段的通信系统中。
当PIN二极管的正负两端的电压偏向时，内部的电子和空穴区域会扩大。
而在内部的内部高不纯度的n型区域中，电子和空穴会大量产生，形
成大量载流子。
由此，PIN二极管可用于控制电流和电阻，通常用于高频
无源器件的研究与设计中。
与普通二极管不同，Schottky二极管的p区不是为了控制流过它的
电流而设计的，而是为了在金属和半导体接口上形成一个屏障，该屏障能
够快速响应电场的变化。
这一结构在高频通信系统、射频器件和数字系统
中得到广泛应用。
二极管选型规范（仅供参考）
二极管选型规范（仅供参考）1、二极管发展状态及选型原则1.1 二极管产品行业发展状态（1）信号二极管的发展趋势：1）表贴化：小信号二极管插件封装基本淘汰，全部都是表贴封装2）小型化：SOT23向SOT323、SOT523、SOD52、SOD923、0402封装演进3）平引脚：翼型引脚和弯角引脚向平引脚切换，散热和通流性能更优另外，小型化发展还有两种趋势，即CSP（Chip ScalePackage）封装和QFN（Quad Flat No-lead Packge）封装。
2者相比较而言，由于CSP封装是芯片级封装，与QFN相比具有如下几个优点：1）具有小的寄生参数，对于RF 应用有更优异的表现2）高的封装可靠性，能支持至少3次加工返工3）由于封装较小，更加能节约PCB面积（2）功率二极管的发展趋势：SMX封装：通流能力增强：SMA通流能力达到2A；SMB通流能力到达4A；SMC通流能力达到5A；引脚优化：弯引角演进为直引脚，散热机器稳定性更强DPAK/D2PAK：对于200-400V整流二极管需求，可以选用此类封装器件高度扁平化，另外可以选用SMPC封装，通流能力更强。
TO-220/TO-247：对于600V以上的二极管需求，主流推荐选用TO-220/TO-247封装插件封装：目前功率二极管推荐以TO-22和TO-247封装为优选封装1.2 选用原则二极管物料分类表1 二极管分类二极管类型用途应用场景PIN二极管调频调相。
开关射频电路变容二极管调频，高配电路匹配调制解调电路快恢复二极管整流、续流AC-AC、AC-DC整流二极管整流AC-DC肖特基二极管整流、续流、开关AC-AC、AC-DC开关二极管开关开关电路桥堆整流AC-DC稳压管稳压稳压电路瞬态抑制二极管/晶闸管瞬态电压保护、ESD保保护电路护PIN二极管微波开关利用PIN管在直流正-反偏压下呈现近似导通或断开的阻抗特性,实现了控制微波信号通道转换作用. PIN 二极管的直流伏安特性和PN结二极管是一样的，但是在微波频段却有根本的差别。
二极管种类与作用
电子电路中二极管的作用非常之强大，看懂电路首先要了解电路中各类电子元件所起到的作用，以下是我收集到的二极管的学习资料，分享一下二极管种类与作用一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。
因为构造简单，所以价格便宜。
对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。
与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。
多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。
在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。
正向电压降小，适于大电流整流。
因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。
因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。
最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
5、台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。
初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此，又把这种台面型称为扩散台面型。
对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
半导体二极管的类型
半导体二极管的类型半导体二极管是一种非常重要的电子元件，广泛应用于电子电路中的整流、开关、放大、保护等功能。
根据不同的工作原理和结构，半导体二极管可以分为多种类型。
1. pn结二极管: pn结二极管是最基本的半导体二极管。
它是由p型半导体和n型半导体组成的。
p型半导体中载流子主要是空穴，n型半导体中载流子主要是电子。
在pn结二极管中，当正向电压施加在p端，而负向电压施加在n端时，就会产生一个电场，阻止电子和空穴的再结合，形成电流。
而当施加的电压方向相反时，就会出现反向击穿现象，此时几乎没有电流通过。
2. 效应二极管: 效应二极管是在pn结二极管的基础上发展起来的。
它是基于场效应晶体管的一种类似于二极管的电子元件。
效应二极管的结构与晶体管的栅极-源极结构类似。
它的导电性能依赖于栅极电源的电压。
当栅极电源施加正向电压时，效应二极管变得导电，当施加负向电压时，效应二极管呈现高阻态。
3. 变容二极管: 变容二极管是一种随着施加的偏压的不同而产生电容变化的二极管。
它的结构类似于 pn结二极管，但是在表面上采用了一层绝缘层。
变容二极管的电容值取决于偏压的大小。
在施加正向偏压时，电容值较小；而在施加负向偏压时，电容值较大。
变容二极管广泛应用于调谐电路中，用于选频和频率变换的功能。
4. 光电二极管: 光电二极管是一种能够将光信号转换为电信号的二极管。
它是基于内部光电效应工作的。
当光照射到光电二极管上时，光电二极管中的载流子会被激发，从而产生电流。
光电二极管广泛应用于光通信、光电检测、光电转换等领域。
5. 快恢复二极管: 快恢复二极管是一种具有快速恢复特性的二极管。
它通过优化结构和材料，将二极管的恢复速度提高到很高的水平。
快恢复二极管能够在高频率和高电压下工作，具有低反向恢复时间和低反向电流等特点。
因此，它被广泛应用于开关电源、逆变器、变频器等高效能电子设备中。
除了以上几种常见的半导体二极管类型外，还有其他一些特殊的二极管。
各种二极管的分类及参数
二极管符号二极管（国标）二极管的判别及参数1.简述半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。
半导体最重要的两种元素是硅(读“guī”)和锗(读“zhě”)。
我们常听说的美国硅谷，就是因为那里有好多家半导体厂商。
二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。
很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。
二极管最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。
我们用万用表来对常见的1N4001型硅整流二极管进行测量，红表笔接二极管的负极，黑表笔接二极管的正极时，表针会动，说明它能够导电；然后将黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极，这时万用表的表针根本不动或者只偏转一点点，说明导电不良(万用表里面，黑表笔接的是内部电池的正极)。
常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等几种。
像它的名字，二极管有两个电极，并且分为正负极，一般把极性标示在二极管的外壳上。
大多数用一个不同颜色的环来表示负极，有的直接标上“—”号。
大功率二极管多采用金属封装，并且有个螺母以便固定在散热器上。
?2．半导体二极管的极性判别及选用(1) 半导体二极管的极性判别一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7，2AP11～2AP17等。
如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。
塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4000系列。
无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图T304。
根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到电阻挡(一般用R×100或R ×1k挡。
不要用R×1或R×10k挡，因为R×1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子)。
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PIN 二极管
特点： • 低电容、高隔离度 • 低电阻 • 低失真 Skyworks 的精选 PIN 二极管是世界上应用最广的 PIN 二极 管之一，适用于卫星电视接收器低噪声降频器 (LNB) 中的 RF 开关、汽车车库开门装置和有线电视自动电平控制等。 PIN二极管属于三层二极管，由高度掺杂的阳极（“P”层）、 高度掺杂的阴极（“N”层）以及用于分隔阳极和阴极的基 本无掺杂本征层（“I” 层）构成。在正向偏压作用下，强制 P 层和 N 层的载流子进入 I 层，从而降低了其 RF 阻抗。 当向 PIN 二极管施加反向偏压时，会清除 I 层的全部自由 载流子，从而导致其 RF 阻抗增大。这一直流可变 RF 阻抗 或低频偏置信号性能使 PIN 二极管可用于承受高正向偏压 或反向偏压的 RF 开关电路应用；或在 RF 衰减电路中，通 过控制流过二极管的直流偏置电流的幅度，用作连续可 变的 RF 阻抗。
调谐变容二极管
特点： • 电容值变化范围大，适合宽带宽应用 • 低电阻，低损耗 Skyworks 的精选硅调谐变容二极管系列用作压控振荡器 (VCO)、压控移相器和电压调谐滤波器 (VTF) 中的电气调 谐元件。此二极管系列包括适用于低损耗窄带电路的突 变结调谐变容二极管以及适用于宽带宽 VCO 和 VTF 及宽 相位范围可变移相器的超突变结变容二极管。 调谐变容二极管属于 PN 结二极管。在二极管结处形成的 耗尽区形成近似理想的绝缘层，将高度掺杂的阳极层与 阴极层隔开，从而形成平板电容器。可通过向该二极管 施加反向偏置电压来增大耗尽层的厚度。
Green Initiative™
在 Green Initiative,™（绿色倡议）的指引下，我们致力于生产符合全球各个政府的指令和行业要求的 绿色产品。
Skyworks 在 RF、模拟和混合信号 IC 领域持续创新。关于 Skyworks 的最新产品介绍和信息，请访问我们的网站 有关我们丰富全面的产品组合的其它信息，请联系您当地的销售办事处，或给我们发送电子邮件 sales@。
VCC
阴极层的掺杂分布经仔细设计，具备控制严密的电容-反 向偏置电压性能特征。突变结二极管的阴极层的整个厚 度上的掺杂浓度均匀，因此具有很低的串联电阻和较大 的电容-偏置电压变化率。超突变结二极管则刚好相反， 其阴极层的掺杂浓度在几微米的厚度上改变几个数量 级。超突变结二极管阴极层的掺杂浓度随厚度的变化产 生了相对反向电压很大的电容值变化，因此非常适合宽 带宽或移相范围应用。
RF
RF
RF VR L
C2
可变移相器
使用一对共阴极调谐变容滤波器
用于 VCO、电压调谐滤波器和移相器的调谐变容二极管
产品描述 低电容调谐变容二极管 低电容高 Q 值调谐变容二极管 中等电容、宽调谐范围二极管 高电容、宽调谐范围二极管 低电阻、高 Q 值突变调谐二极管 主要特点 低电容（6.3 pF @ 1 V、2 pF @ 6 V），低电阻 (0.8 Ω) 低电容（7 pF @ 0.3 V、0.7 pF @ 4.7 V）、高 Q 值 (1500) 中等电容（31 pF @ 0.3 V、2.6 pF @ 4.7 V） 高电容（64 pF @ 0.3 V、5.2 pF @ 4.7 V） 低电阻 (0.35 Ω)、高 Q 值 (2400)、低电容（6.4 pF @ 1 V、 1.75 pF @ 30 V） 封装 (mm) SOD-323 2.52 x 1.25 x 1.04 SC-79 1.6 x 1.8 x 0.6 SC-79 1.6 x 1.8 x 0.6 SC-79 1.6 x 1.8 x 0.6 SC-79 1.6 x 1.8 x 0.6 部件号 SMV1234-011LF SMV1247-079LF SMV1249-079LF SMV1255-079LF SMV1413-079LF
Skyworks Solutions, Inc. 20 Sylvan Road, Woburn, MA 01801 美国：(781) 376-3000 • 亚洲：886 2 2735 0399 欧洲：33 (0)1 43548542 • 传真：(781) 376-3100 电子邮件：sales@ •
用于 VCO、电压调谐滤波器和移相器的调谐变容二极管
特点 超突变二极管 SMV1234-011LF SMV1247-079LF SMV1249-079LF SMV1255-079LF 突变二极管 SMV1413-079LF 低电阻 (0.35 Ω)、高 Q 值 (2400)、低电容（6.4 pF @ 1 V、 1.75 pF @ 30 V） 通用 低电容（6.3 pF @ 1 V、2 pF @ 6 V）、低电阻 (0.8 Ω) 低电容（7 pF @ 0.3 V、0.7 pF @ 4.7 V）、高 Q 值 (1500) 中等电容（31 pF @ 0.3 V、2.6 pF @ 4.7 V） 高电容（64 pF @ 0.3 V、5.2 pF @ 4.7 V） 通用 通用 通用 通用 市场
RF RF
肖特基结是通过在 n 型掺杂硅（低或中势垒高度）或 p 型 掺杂硅（ZBD 势垒高度）上沉积特定金属而形成的。该二 极管的特性由半导体材料上沉积的金属的类型、半导体 层内的掺杂物类型以及其它因素决定。
单肖特基二极管检波器
用于混频器和检波器的肖特基二极管
产品描述 零偏置检波器肖特基二极管 检波器肖特基二极管 串联对检波器肖特基二极管 低势垒检波器肖特基二极管 检波器或混频器肖特基二极管 主要特点 势垒高度最低，灵敏度最佳 势垒高度低、电容小 势垒高度低、电容小，用于电压倍频器检波器 势垒高度低，击穿电压 >8 V 势垒高度中等，击穿电压 >20 V 封装 (mm) SC-79 1.6 x 1.8 x 0.6 SC-79 1.6 x 1.8 x 0.6 SOT-23 2.37 x 2.92 x 1.0 SC-79 1.6 x 1.8 x 0.6 SOT-23 2.37 x 2.92 x 1.0 部件号 SMS7630-079LF SMS7621-079LF SMS7621-006LF SMS3922-079LF SMS3923-011LF
用于混频器和检波器的肖特基二极管
检波二极管 SMS7630-079LF SMS7621-079LF SMS7621-006LF SMS3922-079LF SMS3923-011LF 灵敏度佳，电容小 串联对 势垒高度低，击穿电压高 势垒高度中等 特点 势垒高度最低，灵敏度最佳 通用 LNB 及更多 通用 通用 市场 WLAN 及更多
PIN、肖特基、变容二极管
可用于样机或批量生产的二极管，现货供应充足
Skyworks Solutions 提供丰富的系列二极管产品，现货充足多样，可满足您要求苛严的应 用需求。 这些精选的二极管包括最流行的 PIN、肖特基、调谐变容二极管，可以直接从库存中以 3000 片卷盘包装发货。这些器件具有非常优秀的性能，特别适合以下这些应用：低噪声 降频器 (LNB)、多路开关、无线局域网 (WLAN)、蜂窝电话网络、有限电视 (CATV)、汽车、 测试和测量设备、陆地移动无线电系统等。
BRO387-11A 1/11 再生纸印制。
L1 C1 J1 D1 SMP1345-040LF
C2
L3 C3 J2 D2 L2 SMP1345-040LF
宽带宽单刀双掷开关
用于开关和衰减器的 PIN 二极管
产品描述 高隔离度开关 PIN 二极管 快速开关／高隔离度 PIN 二极管 高隔离度（LNB／多路开关）PIN 二极管 高功率并联 PIN 二极管 低失真／高 IP3 衰减器 PIN 二极管 主要特点 电容极小 (0.14 pF)、隔离度 40 dB 电容小、串联电阻低 电容小、串联对 功率容量高达 50 W CW 低失真、4 PIN 二极管衰减器 封装 (mm) 0402 1 x 0.6 x 0.46 SC-79 1.6 x 0.8 x 0.6 SOT-23 2.37 x 2.92 x 1.0 QFN 2 x 2 x 0.9 SOT-5 2.8 x 2.9 x 1.8 部件号 SMP1345-040LF SMP1340-079LF SMP1321-005LF SMP1302-085LF SMP1307-027LF
特点 开关 PIN 二极管 SMP1345-040LF SMP1340-079LF SMP1321-005LF SMP1302-085LF 衰减器 PIN 二极管 SMP1307-027LF 低失真、（4 二极管）PIN 二极管配置 CATV、PON 及更多 高隔离度 快速开关 高隔离度 高功率容量 通用 通用 LNB 多路开关及更多 陆地移动无线电、WiMAX 及更多 市场
ICTRL1 RF ICTRL2
Tx RF RF 1
L1 C8 C1 RF R1 C6 R2 C5 RF
SMP1307-027LF
R6
C7 C2 R3 R8
R7 R4 R5 C4
C9
宽带宽 PIN 二极管可变衰减器
1 RF
RF
Rx
SMP1302-085LF
SMP1302-085LF
高功率 SPDT PIN 开关
肖特基二极管
特点： • 低电容，高工作频率 • 出色的灵敏度 • 高反向击穿电压 Skyworks 系列精选肖特基二极管最适宜用作检波器和混频 器二极管，工作频率低至 10 MHz 以下，最高可达 20 GHz。 此产品系列包括具有低结电容和低串联电阻特性的中、 低和零偏置检波器 (ZBD) 势垒高度肖特基结。
市场
• 卫星电视接收器低噪声降 频器 (LNB) • 蜂窝电话基础架构和手持 设备 • 无线局域网 (WLAN) • 汽车 • 智能电网的远程抄表 • 测试和测量 • 军事通信 • 有线电视 (CATV) • 点对点微波无线电通讯 • 地面移动无线电系统 • 无线微波接入 (WiMAX) • 无源光纤网络 (PON) 用于开关和衰减器的 PIN 二极管