练习3 场效应管及放大电路
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练习3 场效应管及放大电路
1.场效应管是利用外加电压产生的________来控制漏极电流的大小的。
A. 电流
B. 电场
C. 电压
2.场效应管是________器件。
A. 电压控制电压
B. 电流控制电压
C. 电压控制电流
D. 电流控制电流
3.三极管是_________器件。
A. 电压控制电压
B. 电流控制电压
C. 电压控制电流
D. 电流控制电流
4.结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。
A. 反偏电压
B. 反向电流
C. 正偏电压
D. 正向电流
5.场效应管漏极电流由_________的漂移运动形成。
A. 少子
B. 电子
C. 多子
D. 两种载流子
6.P沟道结型场效应管的夹断电压V p为_________。
A. 正值
B. 负值
C.v GS
D. 零
7.N沟道结型场效应管的夹断电压V P为_________。
A. 正值
B. 负值
C. 零
8.P沟道耗尽型MOS管的夹断电压V P为_________。
A. 正值
B. 负值
C. 零
9.v GS=0时，不能工作在放大区的场效应管是________。
A. 结型管
B. 耗尽型MOS管
C. 增强型MOS管
10.N沟道耗尽型MOS管产生预夹断的条件是_________。
A. |v DS|≥|v GS-V P|
B. v DS≥v GS–V T及v GS＞V T
C. |v DS|≥|v GS-V T|
D. v DS≥v GS–V P及v GS＞V P
11.N沟道增强型MOS管产生预夹断的条件是_________。
A. |v DS|≥|v GS-V P|
B. v DS≥v GS–V T及v GS＞V T
C. |v DS|≥|v GS-V T|
D. v DS≥v GS–V P及v GS＞V P
12.各种场效应管对电压v DS极性的要求由_________决定。
A. v GS的极性
B. 耗尽型还是增强型
C. 沟道的类型
13.结型场效应管中，外加电压vGS和vDS 的极性_________。
A. 无特殊要求
B. 必须相反
C. 必须相同
14.P沟道耗尽型MOS管中，外加电压v GS的极性为_________。
A. 正
B. 负
C. 可正可负
15.P沟道耗尽型MOS管中，外加电压v DS的极性为_________。
A. 正
B. 负
C. 可正可负
16.P沟道增强型MOS管中，外加电压v GS的极性为_________。
A. 正
B. 负
C. 可正可负
17.P沟道增强型MOS管中，外加电压v DS的极性为_________。
A. 正
B. 负
C. 可正可负
18.结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路，即自偏压方式和分压式自偏压电路。
A. 正确
B. 错误
19.增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。
A. 正确
B. 错误
20.耗尽型MOS管不能采用自偏式方式。
A. 正确
B. 错误
21.下图所示电路中能进行正常放大的是电路_________。
A.(a)
B.(b)
C.( c)
(a) (b)
(c)
22.为使下图所示电路具有放大作用，必须_________。
A. 在源极加一电阻R
B. 在栅极与R g2间加一电阻R g3
C. 去掉电阻R g2
D. 将电源+V DD改为-V DD
23.电路如下图所示，其中
图(a)是___ _组态。
A.共源-共射
B.共漏-共射
C.共漏-共集
D.共源-共集
图(b)是____组态。
A.共源-共射
B.共漏-共射
C.共漏-共集
D.共源-共集
(a) (b)
24. 两级放大电路的组成框图如下图所示，给你提供的元件有三级管(其β = 100,r be =1kΩ )，场效应管(其g m=2ms),R c或R d约为10kΩ，R e或R(源极电阻)约为1kΩ。信号源的频率范围为20Hz-10kHz。要求当信号源内阻R s从1kΩ变到100kΩ，负载电阻R L从10kΩ变到1kΩ
时，且，同时希望和R L的接入不影响该电路的静态工作点，电路的体积、重量要小。
该电路应选用____耦合方式。
A.直接耦合
B.阻容耦合
C.变压器耦合
第一级放大电路应选用____组态。
A.共源
B.共射
C.共漏
D.共集
第二级放大电路应选用____组态。
A.共源
B.共射
C.共基
D.共集
练习3 场效应管及放大电路
1. B
2. C
3. D
4. A
5. B
6. A
7. B
8. A
9. C
10. A
11. B
12. A