数电模电第三章知识点

模拟电子第三章

13
(2)输入特性
iI/mA
-1.0 - 0.5
0.5
O
-0.5
1.0 1.5 2.0
1.4
uI/V
V
iI
mA
+
u_ I
Vcc
&
uO
-1.0
-1.5
40A
-2.0 (a)输入特性
(b)测试电路
①输入短路电流：IIS=-1.07mA
②输入漏电流：IIH= 1IB1( 1<0.01) 约为40 A
35
4.加电后，CMOS器件输入端不能悬空 ①输入电位不定（此时输入电位由保护二极管的反向电阻比来决定），从而破坏了电路的正常逻辑关系； ②由于输入阻抗高，易接受外界噪声干扰，使电路产生误动作； ③极易使栅极感应静电，造成栅击穿。
36
二、其它类型的CMOS电路
1.CMOS与非门 (1)电路结构两个反相器的负载管并联，驱动管串联。 (2)工作原理
图3.2.16 54LS/74LS系列与非门（54LS/74LS00)的电路结构
25
表3.2.1 不同系列TTL门电路的性能比较
参数名称
TTL门电路系列名称
54/74 54H/74H 54S/74S 54LS/74LS
tpd(ns) 10
6
4
10
功耗/每门 (mW)
10
22.5
20
2
pd(ns·mW) 100 135
IIH:负载门输入漏电流。
29
②只有一个OC门输出低电平：(uOUO(Lma)x)
V C C u O R L (I G (m m a IIx ) L)
RL
VC CuO IG(max)mIIL

数电电子技术第三章内容回顾

《数字电子技术基础》第五版数字电子技术基础》
第三章内容回顾
1
《数字电子技术基础》第五版数字电子技术基础》
获得高、获得高、低电平的基本原理
单开关电路
互补开关电路
2
《数字电子技术基础》第五版数字电子技术基础》
CMOS门电路门电路
一、MOS管的工作原理管的工作原理
+ —
S (Source)：源极： G (Gate)：栅极： D (Drain)：漏极： B (Substrate):衬底 (Substrate):衬底
V DD RL ( nI OH + mI IH ) ≥ VOH
VDD VOH ∴ RL ≤ = RL(max) nI OH + mI IH
(VDD VOL ) / RL + m′ I IL ≤ I OL(max)
①
恒流区
截止区
4
《数字电子技术基础》第五版数字电子技术基础》
MOS管的基本开关电路管的基本开关电路
因为 R O F F > 10 , R O N < 1 K
9
只要 R O N << R D < < R O F F , 则：
当vI =VIL < VGS(th) 当vI =VIH > VGS(th) T 截止 T 导通 vo=VOH≈VDD vo=VOL≈0
输入端负载特性
TTL反相器的输入端对地接上电阻 I 时，uI随RI 的变反相器的输入端对地接上电阻R 反相器的输入端对地接上电阻化而变化的关系曲线。化而变化的关系曲线。 RP vI = (VCC vBE1 ) RI + RP
在RP<<R1的条件下，vI几乎与RP成正比。的条件下，几乎与成正比。上升到1.4V以后，vB1钳位在了以后，钳位在了2.1V左右。左右。当vI上升到以后左右

模电各章节主要知识点总结

（2）若是开环（无反馈），或正反馈，则放大器处于饱和状态 2、理想运放条件： Ri ,由此得到虚断， i i 0
Avo ,由此得到虚短， v v
3、虚短和虚断：
RO 0 KCMRR
各种运算（比例，加减法，积分微分电路等）中，
i i 0,说明两个输入端无电流； v v,说明两个输入端等电位
2
Rb2
VCC
,

VE
VB
VBE
IE

VE RE
IC
VCE
VCC
IC (RC
RE )
（2）图解分析方法：
要求：（a）用图解分析方法，判断什么情况下会发生截止和饱和失真现象，如何解决？（b）对于共射极放大器，用直流负载线和交流负载线求解最大不失真输出电压幅度
Vom VCEQ VCES ,以及ICQ RL ' 二者取最小的，即为最大不失真输出电压幅度。
Feedback Amplifier
反馈判一、反馈性质判断（瞬时极性）断总结：下图是常见器件的瞬时极性，务必掌握！
输入
-
+
+
+
输入 +
输入
+
+
+
输入
二、输入端的链接方式（串联还是并联）
并联负反馈
(+) X i
(-) X f
串联负反馈
X(+i) (+) X f
并联负反馈
(+)
1、K1、K3闭合，K2断开； 2、K2、K3闭合，K1断开； 3、K1、K2闭合，K3断开； 4、K1、K2、K3闭合。

数电~ 第三章总结

第三章组合逻辑电路一、组合逻辑电路的特点组合逻辑电路在逻辑功能上的特点是电路任意时刻的输出状态，只取决于该时刻的输入状态，而与该时刻之前的电路输入状态和输出状态无关。

组合逻辑电路在结构上的特点是不含有具有存储功能的电路。

可以由逻辑门或者由集成组合逻辑单元电路组成，从输出到各级门的输入无任何反馈线。

二、组合逻辑电路的分析组合逻辑电路的分析就是根据给定的逻辑电路，通过分析找出电路的逻辑功能，或是检验所设计的电路是否能实现预定的逻辑功能，并对功能进行描述。

其一般步骤为：（1）根据逻辑图写出输出逻辑函数表达式由输入端逐级向后推（或从输出向前推到输入），写出每个门的输出逻辑函数表达式，最后写出组合电路的输出与输入之间的逻辑表达式。

有时需要对函数式进行适当的变换，以使逻辑关系简单明了。

（2）列出真值表列出输入逻辑变量全部取值组合，求出对应的输出取值，列出真值表。

（3）说明电路的逻辑功能根据逻辑表达式或真值表确定电路的逻辑功能，并对功能进行描述。

三、组合逻辑电路的设计根据给定的逻辑功能要求，设计出能实现这一功能要求的最简组合逻辑电路，就是设计组合逻辑电路的任务。

在设计组合逻辑电路时，电路的最简是我们追求的目标之一。

电路的“最简”含意是指所用器件数最少、器件的品种最少、器件间的连线也最少。

组合逻辑电路设计的一般步骤如下：(1)进行逻辑规定根据设计要求设计逻辑电路时，首先应分析事件的因果关系，确定输入与输出逻辑变量，并规定变量何时取1何时取0，即所谓逻辑状态赋值。

(2)列真值表并写出逻辑函数式根据输入、输出之间的因果关系，列出真值表。

至此，便将一个具有因果关系的事件表示为逻辑函数，并且是以真值表的形式给出。

真值表中输出为1时所对应的各最小项之和就是输出逻辑函数式。

(3) 对输出逻辑函数式化简可用代数法或卡诺图法对逻辑函数式化简。

输出逻辑函数式一般为与或表达式，如要求用指定的门电路实现，则须将逻辑表达式变换为相应的形式。

数电第三章讲解

TP管和TN管同时导通。在电源VDD和地之间建立
起低阻通道，形成较大的脉冲电流。不仅增加了CMOS电路的功耗，而且也成为CMOS 电路的内部干扰源。
22
3. CMOS反相器的输入特性
由于信号从栅极输入，输入电阻很大，又有一个小的寄生电容，如果输入端没有保护电路，输入端可能被静电感应充电至高压，造成绝缘栅击穿，使器件永久损坏。为避免造成栅极击穿，实际的CMOS集成电路的每一个输入端都设有输入保
第3章集成逻辑门电路
3.1 概述
逻辑门电路(门电路): 用来实现基本逻辑关系的电子电路集成逻辑门电路: 将若干个逻辑门电路集成在一块半导体材料基片上
1
集成逻辑门电路有两种类型器件：
（1）由三极管组成的双极型集成电路
例如：晶体管-晶体管逻辑电路（简称TTL：Transistor-Transistor Logic）
和增强型NMOS驱动管（TN）串联组成
11
TP的开启电压VGS(th)P < 0 TN的开启电压VGS(th)N > 0 电路正常工作的条件： VDD >∣VGS(th)P∣+ VGS(th)N，
且VGS(th)N =∣VGS(th)P∣， TN和TP具有相同的导通电阻
Ron和截止电阻Roff。
12
2．工作原理
当输入为低电平时： TN的VGSN = 0 v < VGS(th)N 管子截止。 TP的∣VGSP ∣= VDD 管子导通，输出为高电平VOH vO =VOH≈VDD
13
当输入为高电平VDD时
TN的VGSN = VDD >VGS(th)N，管子导通。 TP的VGSP = 0 v > VGS(th)P 负载管截止。输出为低电平VOL， vO =VOL≈0 v。

数电和模电知识点

数电和模电知识点模电复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。

5.杂质半导体--在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。

6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。

8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。

*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。

第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。

模电第三章第一节

3.1 半导体的基本知识3.1.1半导体材料3.1.2半导体的共价键结构3.1.3本征半导体3.1.4杂质半导体3.1.1半导体材料根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。

典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。

3.1.2半导体的共价键结构硅晶体的空间排列＋4惯性核价电子Ge ＋32Si＋14原子核电子轨道价电子(a )(b )(c )图1.1半导体的原子结构示意图3.1.2半导体的共价键结构硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构由图可见，各原子间整齐而有规则地排列着，使每个原子的4个价电子不仅受所属原子核的吸引，而且还受相邻4个原子核的吸引，每一个价电子都为相邻原子核所共用，形成了稳定的共价键结构。

每个原子核最外层等效有8个价电子，由于价电3.1.3本征半导体本征半导体——化学成分纯净的半导体。

它在物理结构上呈单晶体形态。

空穴——共价键中的空位。

电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。

空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填3.1.4杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。

掺入的杂质主要是三价或五价元素。

掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。

N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。

P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。

1. N型半导体因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。

在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。

提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。

2. P型半导体因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。

在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子，由热激发形成。

数字电子技术第三章1.pdf

G3 G2 G1 G0 0000 0001 0011 0010 0110 0111 0101 0100 1100 1101 1111 1110 1010 1011 1001 1000
自然二进制码至格雷码的转换
G3 = B3
GG12
= =
B3 B2
⊕ B2 ⊕ B1
G0 = B1 ⊕ B0
推广到一般，将n位自然二进制码转换成n位格
输出
Si Ci+1 00 10 10 01 10 01 01 11
全加器逻辑符号
Ci CI ∑
Si
Ai
Bi
CO
Ci+1
学生自己完成逻辑电路
例5：试将8421BCD码转换成余三BCD码。
（1）真值表
（2）卡诺图
B3BB12B0 00 01 11 10
00 0 0 0 0
01 0 1 1 1
11 ☓ ☓ ☓ ☓
BC A
00
01
11
10
00 0 0 1
10 1 1 1
BC A
00
01
11
10
00 0 0 1
10 1 1 1
两圈相切有险象
增加冗余圈克服险象
三、冒险现象的消除
1.增加冗余项
２. 增加选通信号
增加选通信号的方法比较简单，一般无需增加电路元件，但选通信号必须与输入信号维持严格的时间关系，因此选通信号的产生并不容易。
6 0 110 1 001
7 0 111 1 010
8 1 000 1 011
9 1 001 1 100
10 1 0 1 0 ☓ ☓ ☓ ☓
11 1 0 1 1 ☓ ☓ ☓ ☓

模电第三章习题答案

模电第三章习题答案模电第三章习题答案模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要学科，它研究的是模拟电路的设计与分析。

模电的第三章主要涉及放大器的基本概念和特性，包括放大器的分类、放大器的增益计算、放大器的频率响应等内容。

在学习模电的过程中，习题是巩固知识和提高解题能力的有效工具。

下面将给出模电第三章习题的详细解答。

1. 问题：计算电压放大倍数Av。

解答：电压放大倍数Av的计算公式为Av = Vout / Vin，其中Vout为输出电压，Vin为输入电压。

根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过欧姆定律和基尔霍夫定律来计算。

2. 问题：计算共模抑制比CMRR。

解答：共模抑制比CMRR的计算公式为CMRR = 20log10(Ad / Ac)，其中Ad为差模增益，Ac为共模增益。

根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。

3. 问题：计算输入阻抗Zin。

解答：输入阻抗Zin的计算公式为Zin = Vin / Iin，其中Vin为输入电压，Iin为输入电流。

根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。

4. 问题：计算输出阻抗Zout。

解答：输出阻抗Zout的计算公式为Zout = Vout / Iout，其中Vout为输出电压，Iout为输出电流。

根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。

5. 问题：计算最大输出功率Pmax。

解答：最大输出功率Pmax的计算公式为Pmax = Vout^2 / (4Rl)，其中Vout为输出电压，Rl为负载电阻。

根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。

通过以上习题的解答，我们可以加深对模电第三章内容的理解。

在实际应用中，我们需要熟练掌握放大器的基本概念和特性，以便能够正确设计和分析模拟电路。

同时，通过解题过程，我们也可以培养自己的逻辑思维和问题解决能力。

模电作为电子工程的重要学科，对于电子工程师的培养具有重要意义。

模电各章重点内容及总复习(2010[1].6)

《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。

它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。

5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。

6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。

其死区电压：S i管约0。

5V，G e管约为0。

1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，e0.1 V 。

其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。

（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。

11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。

是硅管。

b 、二极管反偏截止。

f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。

模拟电路与数字电路基础复习课件大全复习-第三章

定性分析：
中频段：各种电抗影响忽略，Au 与 f 无关；
低频段：隔直电容压降增大， Au 降低。与电路中电阻
Rb
C1 +
Rs +
U S
+
~
U i
--
Rc
+VCC
C2
++
U O
-
构成 RC 高通电路；
单管共射放大电路
高频段：三极管极间电容并联在电路中， Au 降低。而且，构成 RC 低通电路。
第三章放大电路的频率响应
3.1.2 下限频率、上限频率和通频带
Aum Au
0.707Aum
BW
O
fL
fH
f
fL ：下限频率； fH ：上限频率 BW ：通频带
BW = fH - fL
第三章放大电路的频率响应
3.1采用对数坐标；纵坐标是电压放大倍数幅值的对数 20lg Au ，即对数增益，单位是分贝（dB）。
第三章放大电路的频率响应
3.1 频率响应的一般概念
由于放大电路中存在电抗性元件，所以电路的放大倍数为频率的函数，这种关系称为频率响应或频率特性。
3.1.1 幅频特性和相频特性
电压放大倍数的幅值和相角都是频率的函数。即
A u Au ( f )( f )
Au ( f )：幅频特性
( f )：相频特性
第三章放大电路的频率响应
3.1.4 高通电路和低通电路
C
+
+
U i
R
U O
_
_
RC 高通电路
A u
1
1 1
j L
1 1- j
fL f

模电第三章课后题答案

模电第三章课后题答案模拟电路第三章课后题答案1. 什么是直流偏置？有哪些方法可以实现直流偏置？直流偏置是指在放大器电路中为信号输入提供一个基准电压或偏置电压的方法。

常用的直流偏置方法有四种：固定偏置、可调偏置、恒流源偏置和共射极稳压偏置。

2. 什么是共模反馈？可以用来做什么？共模反馈是指将输出信号的一部分通过反馈电路送回放大器输入端并与输入信号相加的一种反馈方式。

它可以用来降低输出的共模干扰、提高放大器的直流稳定性和增大输出阻抗等。

3. 论述共源放大器输入电阻的大小与管子的参数关系。

共源放大器输入电阻Ri与管子的参数关系为Ri=rd//rds。

其中rd和rds 分别为管子的内阻和漏极电阻，它们与管子的型号有关，可以通过数据手册或参数表找到。

4. 怎样理解源极负载共源放大器的“驱动能力”？源极负载共源放大器的“驱动能力”是指它可以驱动的负载电阻的大小。

它与放大器的工作状态有关，当放大器处于饱和状态时，它的驱动能力较强；当放大器处于截止状态时，它的驱动能力较弱。

5. 什么是运放的输入失调？有什么影响？运放的输入失调是指运放输入端的两路信号不对称，产生一个微小的偏置电压，从而影响运放的放大能力和输出的准确性。

其影响包括：增大输出的偏置电压、降低放大增益和导致失真等。

6. 什么是偏压稳定度？如何提高？偏压稳定度是指放大器直流工作点的稳定性，通常用温度系数来表示。

它可以通过采用合适的偏压电路设计、选用稳定性好的元器件、合理布局和散热等方式来提高。

7. 什么是负反馈？有哪些优点？如何设计？负反馈是指将部分输出信号送回放大器输入端，并与输入信号相减的一种反馈方式。

它的优点包括提高放大器的稳定性、降低失真、增加带宽和减小输出阻抗等。

负反馈的设计需要明确设计目标和反馈网络的参数，通过计算和仿真实现。

模电各章节主要知识点总结

06
第六章：信号发生器与信号变换器
信号发生器的定义和分类
总结词
信号发生器是用于产生所需信号的电子设备，根据产生信号的方式不同，可以分为振荡器和调制器两类。
详细描述
信号发生器是用来产生各种所需信号的电子设备，这些信号可以是正弦波、方波、脉冲波等。根据产生信号的方式不同，信号发生器可以分为两类：振荡器和调制器。振荡器是利用自激反馈产生所需信号的电子设备，而调制器则是利用调制技术将低频信号加载
THANKS
感谢观看
限流、分压、反馈等
电阻的串并联
串联增大阻值，并联减小阻值
电容
电容的种类
电解电容、瓷片电容、薄膜电容等
电容的参数
标称容量、允许偏差、额定电压、绝缘电阻等
电容的作用
隔直流通交流、滤波、耦合等
电容的充电放电
在交流电下，电容具有“隔直流通交流”的作用，即让高频信号通过，阻止低频信号通过
电感
电感的种类
信号变换器的工作原理和应用
• 总结词：模拟式信号变换器的工作原理是将输入的模拟信号进行采样、量化和编码，转换成数字信号输出；数字式信号变换器则是将输入的数字信号进行解码和数模转换，转换成模拟信号输出。
• 详细描述：模拟式信号变换器的工作原理是将输入的模拟信号进行采样、量化和编码，转换成数字信号输出。采样是将连续时间信号转换为离散时间信号的过程，量化是将采样后的离散值进行近似取整的过程，编码则是将量化后的离散值转换为二进制码元的过程。数字式信号变换器的工作原理是将输入的数字信号进行解码和数模转换，转换成模拟信号输出。解码是将输入的数字码元进行解码的过程，数模转换则是将解码后的离散值转换为连续时间信号的过程。模拟式和数字式信号变换器在通信、测量、控制等领域有着广泛的应用。

模电第三章课件(1)

集成运放电路的组成
两个输入端
一个输出端
若将集成运放看成为一个“黑盒子”，则可等效为一个双端输入、单端输出的差分放大电路。
集成运放电路四个组成部分的作用
偏置电路：为各级放大电路设置合适的静态工作点。采用电流源电路。
输入级：前置级，多采用差分放大电路。要求Ri大，Ad 大， Ac小，输入端耐压高。中间级：主放大级，多采用共射放大电路。要求有足够的放大能力。输出级：功率级，多采用准互补输出级。要求Ro小，最大不失真输出电压尽可能大。
A1
A2
R6
图3.34 两级放大电路
uo1
(1
R2 R1
) ui
uo
uo
R5 R4
uo1
uo
(1
R2 R1
)
R5 R4
ui
部分习题
求输出电压的表达式。
R1
R2
ui
R4
R5
10k
ui
10k
500k
uo1
R3
A1
uo A2
R
A
uo
R6
R1
R2
ui =0.5V
A
uo
uo
uo1
A2
ui
R3
A1
R4
10k
集成运放的主要性能指标
指标参数
F007典型值
• 开环差模增益 Aod • 差模输入电阻 rid • 共模抑制比 KCMR • 输入失调电压 UIO • UIO的温漂d UIO/dT(℃) • 输入失调电流 IIO (│ IB1- IB2 │) • UIO的温漂d UIO/dT(℃) • 最大共模输入电压 UIcmax • 最大差模输入电压 UIdmax • -3dB带宽 fH • 转换速率 SR(=duO/dt│max)

模电课件第三章三极

a
17
3.1.4 BJT的主要参数
1. 电流放大系数 (1)共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB vCE=const
a
18
3.1.4 BJT的主要参数
1. 电流放大系数
(2) 共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
a
19
3.1.4 BJT的主要参数
输出特性曲线的三个区域:
饱制截和的止区区区：域：i，Ci明C该接显区近受域零v内C的E，控
一此区线时般放区域的v，大域C，下E发区，＜相方射：曲0当。.结7i线i此CVB平正=基(时硅0偏行本的，管，于平曲)。集v行CE等轴距的。电vB结此E小正时于偏，死或发区反射电偏结压电正，压偏很，集电小集。结电反结偏反。偏。
基区基发极射，结用(BJe或) b表示集（电Ba结se(）Jc)
三极管符号
两种类型的三极管
a
3
结构特点：
• 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且
掺杂浓度最低。
管芯结a构剖面图
4
3.1.2 BJT的电流分配与放大原理
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。
a
11
4. 共射放大
若 vI = 20mV 使 iB = 20 uA 设 = 0.98
则 iC iB
1 iB
IC +iC
+
IB +iB b
c
RL vO
+
+ VBE+vBE e
vI
-
-
1k VCC

数电模电第三章知识点

模拟电子第三章

数电电子技术第三章 内容回顾

模电各章节主要知识点总结

数电~ 第三章总结

数电第三章讲解

数电和模电知识点

模电第三章第一节

数字电子技术第三章1.pdf

模电第三章习题答案

模电各章重点内容及总复习(2010[1].6)

模拟电路与数字电路基础复习课件大全复习-第三章

模电第三章课后题答案

模电各章节主要知识点总结

模电第三章课件(1)

模电课件第三章三极

数电电子技术第三章内容回顾