模电 半导体三极管和场效应管
三极管与mos管的异同
三极管与mos管的异同1. 引言大家好，今天咱们来聊聊电子元件中的两个大咖——三极管和MOS管。
这两位可不是简单的电子元件，而是现代电子设备中不可或缺的“扛把子”。
如果你在电路中看见它们，就像看到明星一样，心里肯定会一阵小激动。
不过，尽管它们都很牛，但还是有不少不同之处，今天咱们就来“深挖”一下这两位的异同，看看它们究竟有啥过人之处。
2. 三极管的特点2.1 基本原理首先，咱们先来聊聊三极管。
三极管就像是电子世界的小开关，它主要有三个端口：发射极、基极和集电极。
想象一下，基极就像是一个调节器，微微一动就能控制发射极和集电极之间的电流，简直就是电子界的“指挥家”。
这种特性使得三极管在放大和开关电路中都能大显身手。
2.2 应用场景那么三极管到底用在哪里呢？其实它的应用范围可广泛了，比如音频放大器、开关电源等等，几乎随处可见。
你在听歌的时候，音响里的三极管正在默默地为你服务，让声音更清晰动人。
想想看，它就像个舞台上的隐形英雄，虽不显眼却功不可没。
3. MOS管的特点3.1 基本原理再来说说MOS管，或者叫金属氧化物半导体场效应管，听上去是不是很高大上？其实它的原理也不复杂。
MOS管主要由源极、漏极和栅极组成，栅极就像个神奇的开关，只要给它施加电压，就能在源极和漏极之间形成通道。
这样一来，电流就能“畅通无阻”，感觉就像开了“绿灯”，非常高效。
3.2 应用场景MOS管的应用也不少，尤其在数字电路和微处理器中，简直是无处不在。
你打开手机，背后那些复杂的电路中，MOS管在高频率下稳定工作，帮助你顺畅地刷社交媒体。
可以说，MOS管就是现代科技的“幕后推手”，让我们的生活更加便利。
4. 三极管与MOS管的比较4.1 工作方式的不同好啦，咱们现在来看看三极管和MOS管的不同之处。
首先，三极管是电流控制型的元件，也就是说，它需要通过基极的电流来控制集电极和发射极之间的电流。
而MOS管呢？它是电压控制型的，只需在栅极施加电压，就能实现对电流的控制。
湘潭大学模电老师题
一、填空题1、少子为空穴的参杂半导体是，多子为空穴的参杂半导体是。
2、N沟道场效应管处于放大状态，栅源电压的极性要求分别是：结型、增强型MOS管、耗尽型MOS管。
3、当希望抑制50Hz交流电源的工频干扰时，应选用的滤波器类型是，当希望抑制10KHz以下信号时，应选用的滤波器类型是。
4、某放大电路的幅频响应曲线如图1所示，则该放大电路的中频电压放大倍数为A u= 倍，上限截止频率f H= Hz，在截止频率处放大器的实际电压增益为dB。
5、振荡幅值平衡条件是，其振荡频率是由条件决定。
6、三极管电流放大系数β=98，则α= 。
7、需要稳定静态工作点时，引入的反馈是。
若希望提高放大电路的输入电阻应引入的反馈类型是、需要稳定输出电压，应引入的反馈类型是。
8、半导体三极管和场效应管，属于双极型器件是、单极型器件是；电压控制型器件是、电流控制型器件是。
二、判断题1、直接耦合多级放大电路的Q点相互影响（），可以放大直流信号。
（）2、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（）3、场效应管是由电压即电场来控制电流的器件。
（）4、放大电路级数越多，引入负反馈后越容易产生高频自激振荡。
（）5、放大器件的极间电容决定高频响应频率、耦合电容与旁路电容决定低频响应频率。
（）6、增强型MOS管工作在恒流区时，其u gs大于零。
（）7、同相比例运算电路中集成运放的共模输入电压为零。
（ ） 8、P 型半导体带正电（ ），N 型半导体带负电。
（ ）三、分析计算题1、电路如图所示，T1和T2的饱和压降|U CES |=0V ，U BE =0.7V ，RL=4Ω，输入电压ui 为正弦波。
试求： （1）估算最大输出信号幅值、最大输出信号功率。
（2）估算T1和T2管的最大管耗。
（3）提出改进交越失真的解决方案？2、放大电路如图，已知：β=80， u BE =0.7V ，所有电容视为交流短路。
（1）试确定电路的静态工作点参数； （2）画出该电路的微变等效电路； （3）计算0,,R R A i u3、试求解输出电压与输入电压的运算关系。
三极管和mos面试知识点
三极管和mos面试知识点三极管和MOS是电子学中非常重要的两种器件，它们在电路设计和集成电路中起着至关重要的作用。
以下是关于三极管和MOS的面试知识点：1. 三极管的工作原理：三极管是一种半导体器件，由发射极、基极和集电极组成。
它的工作原理是通过控制基极电流来控制集电极电流。
当在基极-发射极之间施加正向偏置电压时，发射结和基结被正向偏置，电子注入基区，从而使得集电结被反向偏置，集电极电流被控制。
这种特性使得三极管可以作为放大器、开关等电路中使用。
2. MOS场效应晶体管的工作原理：MOSFET是一种主要由金属-氧化物-半导体构成的场效应晶体管。
它的工作原理是通过栅极电压控制通道中的电子或空穴浓度，从而控制漏极和源极之间的电流。
当栅极施加正向电压时，电子或空穴被吸引到通道中，形成导电通道，从而使得漏极和源极之间的电流增大。
MOSFET因其高输入阻抗和低功耗而被广泛应用于集成电路和数字电路中。
3. 三极管和MOS的区别：三极管和MOSFET虽然都是用于放大和开关的器件，但它们有一些重要的区别。
三极管是双极型器件，其控制极和输出极之间的电流由输入极控制，而MOSFET是场效应型器件，其控制极和输出极之间的电流由栅极电压控制。
此外，MOSFET的输入电阻比三极管高，功耗低，速度快，适合于集成电路的制造。
4. 应用领域：三极管在模拟电路中广泛应用，例如放大器、振荡器和开关等。
而MOSFET主要应用于数字集成电路、功率放大器、开关电源等领域。
以上是关于三极管和MOS的一些面试知识点，希望能够帮助你更好地理解这两种重要的电子器件。
模电填空题
1．在本征半导体中，有电子和空穴两种载流子。
2．与反向偏置相比，正向偏置时PN结的宽度窄、等效电阻小。
3．晶体管工作在放大区时，要求发射结正向偏置、集电结反向偏置。
4．在晶体管三种基本放大电路中，输入电压与输出电压同相并具有电压放大能力的是共基极放大电路，没有电压放大能力的是共集电极放大电路。
5．在多级放大电路中常用的三种耦合方式中，只能放大交流信号的耦合方式有阻容耦合和变压器耦合两种。
6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻E R，可以使电路的共模电压放大倍数降低，共模抑制比提高。
7．负反馈放大电路产生自激振荡的条件是幅度平衡条件和相位平衡条件。
8．在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在开环或正反馈状态。
9．组成正弦波振荡器的电路单元除了有放大电路、正反馈网络外，还有选频网络和稳幅环节。
10．整流电路的功能是将交流电压转换成单向脉动电压，滤波电路主要用来滤除整流电路输出中的交流分量（纹波）1．掺杂半导体有 N 型半导体和 P 型半导体两类。
2．PN结的电容效应用扩散电容和势垒电容等效。
3．当温度升高时，晶体管的 和CBO I 增大 ；BE u （B i 不变) 下降 。
4．基本放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真。
5．直接耦合放大电路有两个特殊问题，它们是 零点漂移 和 耦合 。
6．为了使放大电路的o R 增大应引入 电流负 反馈；深反馈的条件是 |1+AF|>>1 。
7．文氏电桥正弦波振荡电路用 RC 串并联 网络选频，当电路产生正弦波振荡时，该网络反馈系数的模F = 1/3 。
8．乙类互补推挽功率放大电路的静态功耗为 零 ，在理想情况下的最高能量转换效率可达到 78.5% 。
9．运放组成的方波-三角波发生器由 迟滞比较器 和 稳压环节两个单元电路组成。
10．在整流电路的输入电压相等的情况下，半波、全波、桥式三种整流电路中，输出电压平均值最低的是 半波 整流电路，二极管承受反向电压最高的是 全波 整流电路。
三极管和场效应管应用场景
三极管和场效应管应用场景三极管和场效应管作为主要的电子器件，广泛应用于各个领域。
下面将分别介绍三极管和场效应管的应用场景。
三极管是一种具有放大作用的电子元件，常用于电子放大器、开关电路和逻辑电路等方面。
在电子放大器中，三极管可以将微小的输入信号放大成更大的输出信号，用于电视、汽车音响、收音机等电子产品中，提供高质量的音频放大效果。
在开关电路中，三极管可以实现电路的开关控制，常常被应用于计算机内存存取和逻辑控制等方面。
此外，三极管还可以用于构建逻辑电路，将二进制的高低电平转化为逻辑推理的过程，用于计算机和电子器件。
场效应管也是一种常用的电子器件，主要应用于放大器、开关电路和数模转换器等领域。
在放大器中，场效应管可实现较高功率的信号放大，应用于音频功率放大器、射频功率放大器等方面，提供强大的信号放大能力。
在开关电路中，场效应管可实现高速的电路开关，用于高频开关电源、逆变器和驱动电机等方面。
在数模转换器中，场效应管可以将模拟信号转换成数字信号，实现模数转换器和数模转换器的功能，用于音频采样、传感器信号处理等方面。
总的来说，三极管和场效应管的应用场景非常广泛。
它们在电子放大器、开关控制和电路逻辑等方面发挥着重要作用。
无论是在消费电子产品中，还是在工业控制和通信领域，三极管和场效应管都扮演着不可或缺的角色。
因此，学习和掌握三极管和场效应管的原理和应用，对于电子工程师和电子爱好者来说都具有重要的指导意义。
只有深入理解它们的特性和应用场景，才能更好地设计和实现各种电子电路，提高电子产品的性能和功能。
三极管、场效应管、IGBT的区别
三极管、场效应管、IGBT的区别一、三极管三极管是一种（电流）控制体器件，它的主要作用是把微弱（信号）放大，输入阻抗低，例如在基极b给一个很小的电流Ib，在集电极c上得到一个比较大的电流Ic。
它是电流放大器件，但是在实际时候通常通过一个电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用，因此，只要电路参数设置合适，一般输出电压可以比输入电压高很多倍。
它有三个工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。
三极管一般是弱电中使用，而且出现在开关作用、电流放大作用，例如蜂鸣器驱动、（数码）管驱动、直流小风扇驱动等方面。
1）三极管驱动数码管如果由于（单片机）I/O口驱动能力有限，可以加三极管扩大驱动电流2）三极管驱动蜂鸣器二、场效应管场效应管是电压控制器件，它是继三极管之后的新一代放大元件，场效应（晶体管）可分为耗尽型效应晶体管和增强型效应晶体管，同时又有N沟道和P沟耗尽型之分。
场效应管一般用于开关作用，有开关用以及有功率用。
特别是（电机）、（开关电源）等，应用场合一般都是出现在需要耐压高、耐电流大、频率特性高的时候。
三、（IGBT）IGBT是电压控制电流，可是说是集成块三极管和场效应管的优点的一种器件，它利用电压来控制PN结，在大电流应用比较广泛，因此比较适合强电开关，强电功率使用，例如（变频器）、逆变器、电力（控制系统）等，很多场合以IGBT作为逆变器件，工作电流3000kVA以上，频率达25kHz以上。
如下图是直流电机驱动主电路。
四、总结1）三极管是电流控制器件、而场效应管和IGBT是电压驱动器件。
三极管特点是能够将电流放大，场效应管特点是噪声小、功耗低、没有二次击穿现象等，IGBT特点是高耐压、导通压降低、开关速度快等；2）三者都可以作为（电子）开关用，三极管一般是小型开关、信号放大场合应用，如果对于信号源需要更多的电流时候可以采用三极管，否则就用场效应管，而IGBT更适合于大电流、大电压的（电力系统），它是（电力电子）重要的大功率主流器件之一。
天津大学模电三极管特性曲线参数及场效应管
2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向
饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应 的Y坐标的数值。如图02.09所示。
图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置
(1) 输入特性曲线
(2)输出特性曲线
共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以 iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明， 当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当vCE稍增大时， 发射结虽处于正向电压 之下，但集电结反偏电 压很小，如
vCE< 1 V vBE=0.7 V vCB= vCE- vBE= <0.7 V 集电区收集电子的能力 很弱，iC主要由vCE决定。
半导体三极管的参数
半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数
(1)直流参数
①直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数
=（IC－ICEO）/IB≈IC / IB vCE=const
在放大区基本不变。在共发射极输出特性
曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求 取IC / IB ，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大 时， 会有所减小，这一关系见图02.08。
时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电 流ICM。但当 IC＞ICM时，并不表 示三极管会损坏。
图02.08 值与IC的关系
②集电极最大允许功率损耗PCM
集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE，
因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。
电子管,晶体管,三极管,场效应管,MOS以及CMOS的区别和联系
电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS的区别和联系
电子管：一种在气密性封闭容器中产生电流传导，利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振
荡的电子器件，常用于早期电子产品中。
晶体管（transistor）：一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。
晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常
之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
电子管与晶体管代表了电子元器件发展过程中的两个阶段：电子管——晶体管——集成电路。
电子管可分为电子二极管，电子三极管等，晶体管也分为半导体二极管，半导体三极管等。
三极管：半导体三极管的简称，是一种电流控制型半导体器件，由多子和少子同时参与导电，也称双极型
晶体管（BJT）或晶体三极管。
场效应管(FET)：Field Effect Transistor，一种电压控制型半导体器件，由多数载流子参与导电,也称为单极
型晶体管。
MOS：场效应管的一种。
CMOS：互补金属氧化物半导体，是一种类似MOS管设计结构的多MOS结构组成的电路，是一种由无数
电子元件组成的储存介质。
模电一练习题
一、填空1.本征半导体掺入杂质,导电能力显著提高。
若掺入三价硼则形成型半导体，在该型半导体中多数载流子是。
2.PN结阳极接电源的正极，阴极接电源的负极，称为PN结正偏。
此时测量PN结的电阻为。
3.若三极管处于放大状态，则其发射结偏置，集电结偏置。
4.静态工作点应设置在直流负载线的中点位置，静点过高可能引起输出波形的失真，使输出波形被削平。
静点过低可能引起失真，使输出波形被削平。
5.要提高放大器的输入电阻且稳定输出电压，应引入负反馈。
6.三极管和场效应管相比，是电压控制元件，电流控制元件。
7.直流稳压电源中，整流电路由元件构成，其作用是，滤波电路由元件构成，其作用是滤掉部分交流成分，输出稳定的直流成分。
8.理想运放的输入电阻为，在输入端虚短的意思为。
9.在纯净的半导体中则半导体的导电能力显著提高，若掺入三价硼原子则形成型半导体，在该型半导体多数载流子是。
10.二极管具有单向导电性，当加电压时呈现低阻导通状态。
理想二极管导通时其两端相当于状态，齐纳二极管工作在反向击穿区时，有作用。
11.晶体三极管具有放大作用，其工作在饱和区的条件是发射U近似为 V，CE之间相结，集电结，三极管截止时CE当于开关状态。
12.静态工作点应设置在线的中点位置，静点过高可能引起输出波形的失真，饱和失真使输出波形被。
静点过低可能引起失真。
13.共集放大电路（射极输出器）输出电压与输入电压的关系是。
14.把输出电量的一部分送回到输入端并影响输入信号这种电路称为。
若送回的电量使净输入信号增大这称为。
若要稳定输出电流同时增大输入电阻应引入反馈。
15.甲乙类互补对称功放其静点工作在位置，当设有直流偏置电压时，输出波形能够克服失真。
16.P型半导体的多数载流子是，少数载流子是。
17.某放大电路中晶体管的三个管脚1、2、3电位分别是-2V、-6V、-2.3V，则管脚1、2、3对应的电极分别是、、。
18. 三极管是 控制元件，场效应管是 控制元件。
模电3章课后知识题
填空1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。
2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。
3. 三极管工作在放大状态时，发射结应正偏置，集电结应反偏置。
若工作在饱和状态时，发射结应正偏置，集电结应正偏置。
若工作在截止状态时，发射结应反偏置，集电结应反偏置。
4. 三极管电流放大系数β＝50，则α＝0.98 ；若α＝0.99，则β＝99 。
5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β增大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE| 减小。
6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变大；若负载电阻R L变小时，其电压增益将变小。
7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态Ic偏小；产生饱和失真的原因是Ic偏大；若两种失真同时产生，其原因是输入信号太大。
8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是共集电路；通频带较宽的是共基电路；输入电阻较小的是共基电路；输出电阻较小的是共集电路；输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路；电压增益小于1的是共集电路；带负载能力较强的是共集电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路。
9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频率f H时，这时电路的实际增益为-77.7 ，其输出与输入信号的相位相差-225 度。
10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为100 倍，上限频率f H＝2×106Hz，下限频率f L＝20 Hz，当信号频率恰好为f H或f L时，实际电压增益为37 dB。
11. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产生的，漂移运动是载流子在内电场作用下产生的。
模电基础：二极管三极管与晶闸管场效应管
编号：__________模电基础：二极管三极管与晶闸管场效应管（最新版）编制人：__________________审核人：__________________审批人：__________________编制单位：__________________编制时间：____年____月____日二极管以硅（或锗）作为基板，将掺杂了磷和砷的Negative 型半导体（电子不足，空穴较多）和掺杂了硼和镓的Positive 型半导体（电子多余）结合在一起，就称为二极管（PN 结）。
二极管具有单向导电性（单向导通），因此具备整流作用，即让电流只朝一个方向运动。
三极管三极管也称为双极性晶体管，全称叫做双极性结型晶体管，缩写为BJT，因为种具有三个终端，所以俗称为三极管。
将P 型、N 型半导体做成三明治状从而形成NPN 结与PNP 结，中间的那层称为基级Base，两侧的称为发射级Emitter或集电极Collector，即三极管，也称为双极性结型晶体管。
三极管具有如下3 种工作状态：1、截止状态：当发射极电压小于PN 结导通电压，基极电流为零，集电极和发射极的电流都为零，此时三极管失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态。
2、放大状态：当发射极电压大于PN 结导通电压，并处于某一恰当值时，三极管发射结正向偏置，集电结反向偏置，此时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用（放大倍数β=ΔIc/ΔIb）。
3、饱和导通：当发射极电压大于PN 结导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某个确定值的附近不再变化，此时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间电压很小，相当于开关的导通状态。
晶闸管晶闸管是晶体闸流管的简称，又被称为可控硅整流器，泛指具有四层及以上交错PN 层的半导体元件，具体可分为单向晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管等种类。
模电课件：第三章三极管
动态：输入信号不为零时，放大电路的工作
状态，也称交流工作状态。
电路处于静态时，三极管个电极的电压、电
流在特性曲线上确定为一点，称为静态工作点，
常称为Q点。一般用IB、 IC、和VCE （或IBQ、ICQ、 和VCEQ ）表示。
# 放大电路为什么要建立正确的静态？
3.2 共 射极放 大电路
5. 直流通路和交流通路 （思考题）
Rc CCbb22
TTT Cb2
VVCCCC
Rb
VBB
(d) ((bf))
3.3 图解分析法
3.3.1 静态工作情况分析
用近似估算法求静态工作点 用图解分析法确定静态工作点
3.3.2 动态工作情况分析
交流通路及交流负载线 输入交流信号时的图解分析 BJT的三个工作区 输出功率和功率三角形
BJT的三种组态
共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;
4. 共射放大
若 vI = 20mV 使 iB = 20 uA 设 = 0.98
则 iC iB
1 iB
1. 输入特性曲线
（以共射极放大电路为例）
iB=f(vBE) vCE=const
(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收
集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。
vCE = 0V vCE 1V
得到
且
IE= (1+ ) IB
IC
IB
电路中三极管、场效应管放大功能的区别
电路中三极管、场效应管放大功能的区别
三极管和场效应管都是常见的放大器件，但它们的工作原理和放大功能有所区别。
1. 工作原理:
三极管是一种双极型半导体器件，通过控制少数载流子对多数载流子的注入和流动，实现电流放大。
三极管的放大功能依赖于基极电流控制集电极电流的特性。
场效应管是一种单极型半导体器件，通过控制栅极电压调节通道中的电子浓度和电导率，实现电流放大。
场效应管的放大功能依赖于栅极电压控制漏极电流的特性。
2. 调节方式:
三极管中，放大比例通常是通过改变基极电流实现的。
基极电流的小幅度变化能够导致较大范围的集电极电流变化，实现对信号的放大。
场效应管中，放大比例主要是通过改变栅极电压实现的。
栅极电压的变化会调节漏极电流，从而实现对信号的放大。
3. 运行电压:
三极管通常需要一个较高的工作电压，如数十伏甚至上百伏的电压，以使其工作在适当的工作区间。
场效应管相比之下，通常可以在较低的电压下工作。
4. 输入电阻:
三极管的输入电阻较低，对输入信号的衰减较小，适用于输入信号比较弱的情况。
场效应管的输入电阻较高，对输入信号的影响较小，适用于输入信号比较强的情况。
总的来说，三极管和场效应管在放大功能上虽然有所区别，但它们都可以实现电流或电压的放大。
具体使用哪种放大器件，需要根据具体的应用和设计要求来选择。
电子技术模拟电路知识点总结
电子技术模拟电路知识点总结一、模拟电路基础概念模拟电路处理的是连续变化的信号，与数字电路处理的离散信号不同。
在模拟电路中，电压和电流可以在一定范围内取任意值。
这是理解模拟电路的关键起点。
二、半导体器件1、二极管二极管是最简单的半导体器件之一，具有单向导电性。
当正向偏置时，电流容易通过；反向偏置时，电流极小。
二极管常用于整流电路，将交流转换为直流。
2、三极管三极管分为 NPN 型和 PNP 型。
它具有放大电流的作用，通过控制基极电流，可以实现对集电极电流的控制。
三极管在放大电路中应用广泛。
3、场效应管场效应管分为结型和绝缘栅型。
它是电压控制型器件，输入电阻高，噪声小，常用于集成电路中。
三、基本放大电路1、共射放大电路共射放大电路具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数，但输入电阻较小，输出电阻较大。
2、共集放大电路共集放大电路又称射极跟随器，电压放大倍数接近 1，但输入电阻高，输出电阻小，具有良好的跟随特性。
3、共基放大电路共基放大电路具有较高的频率响应和较好的高频特性。
四、集成运算放大器集成运算放大器是一种高增益、高输入电阻、低输出电阻的直接耦合放大器。
1、理想运算放大器特性具有“虚短”和“虚断”的特点。
“虚短”指两输入端电位近似相等，“虚断”指两输入端电流近似为零。
2、运算放大器的应用包括比例运算电路、加法运算电路、减法运算电路、积分运算电路和微分运算电路等。
五、反馈电路反馈可以改善放大器的性能。
1、正反馈和负反馈正反馈会使系统不稳定，但在某些特定情况下，如正弦波振荡器中会用到。
负反馈能稳定放大倍数、改善频率特性等。
2、四种反馈组态电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈和电流并联负反馈，它们对电路性能的影响各不相同。
六、功率放大电路功率放大电路的主要任务是向负载提供足够大的功率。
1、甲类、乙类和甲乙类功率放大电路甲类功放效率低，但失真小；乙类功放效率高，但存在交越失真；甲乙类功放则是介于两者之间。
场效应管与三极管
场效应管 与 三极管场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。
三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。
场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。
场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。
电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。
就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。
1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换；5、场效应管的频率特性不如三极管；6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。
场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）的简称。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。
普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。
场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。
在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。
模电课件第三章场效应管及其基本电路
iD
I
D
0
(1
uGS U GSoff
)2
ID0表示uGS=0时所对应的漏极电流。
式中:
ID0
unCox 2
W L
(U
2 GSoff
)
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iD
ID0
UGSoff
0
uGS
(a) 图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号 (a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号
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3―1―2 结型场效应管的特性曲线
一、转移特性曲线
uGS≤0, iD≥0
iD f (uGS ) uDS C
恒流区中:
iD
IDSS (1
uGS UGSoff
)2
式中: IDSS——饱和电流，表示uGS=0时的iD值；
UGSoff——夹断电压，表示uGS=UGSoff时iD为
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D
P
P
UGS
横向电场作用: ︱UGS︱↑→ PN结耗尽层宽度↑ →沟道宽度↓
S
(b) UGS负压增大, 沟道变窄 图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图
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D
P
P
UGSoff——夹断电压
UGS
S
(c) UGS负压进一步增大, 沟道夹断 图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图
(2) uGS固定, uDS增大, iD增大极小。
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模电知识点总结
第一章绪论1.把握放大电路的要紧性能指标：输入电阻，输出电阻，增益，频率响应，非线性失真2.依照增益，放大电路有那些分类：电压放大，电流放大，互阻放大，互导放大第二章预算放大器1.集成运放适合于放大差模信号2.判定集成运放2个输入端虚短虚断如：在运算电路中，集成运放的反相输入端是不是均为虚地。
3.运放组成的运算电路一样均引入负反馈4.当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，确实是低电平。
5.依照输入输出表达式判定电路种类同相：两输入端电压大小接近相等，相位相等。
反相：虚地。
第三章二极管及其大体电路1.二极管最要紧的特点：单向导电性2.半导体二极管按其结构的不同，分为面接触型和点接触型3.面接触型用于整流。
点接触型用于高频电路和数字电路4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关5.搀杂半导体中多数载流子要紧来源于搀杂6.在常温下硅二极管的开启电压为伏，锗二极管的开启电压为伏7.硅二极管管压降伏，锗二极管管压降伏8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容9.PN结加电压时,空间电荷区的转变情形正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,减弱内电场,扩散加重反向电压:外电场使空间电荷区变宽,增强内电场,阻止扩散运动进行10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区12.稳压管称为齐纳二极管13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压下进行,反向电流随光照强度的增加而上升14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判定二极管的质量好坏?用万用表的欧姆档测量二极管的电阻,记录下数值,然后互换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.那个读数相差越多,二极管的质量越好.当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路第四章双极结型三极管及放大电路1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件2.采纳微变等效电路求放大电路在小信号运历时,动态特性参数3.晶体三极管能够工作在:放大区,发射结正偏,集电极反偏饱和区,发射结集电极正偏截止区,发射结集电极反偏4.NPN,PNP,硅锗管的判定5.工作在放大区的三极管，假设当Ib 以12Aμ增大到22Aμ时，Ic从1mA变成2mA，β约为1006.直流偏置电路的作用是给放大电路设置一个适合的静态工作点，假设工作点选的太高——饱和失真。
三极管MOS管原理
三极管MOS管原理三极管和MOS管是常用的半导体器件，具有不同的工作原理和应用。
下面将分别介绍三极管和MOS管的工作原理。
一、三极管的工作原理三极管是一种具有三个电极的半导体器件，包括基极（B），发射极（E）和集电极（C）。
它可以作为放大器、开关或其他电子电路的核心元件。
1.NPN型三极管NPN型三极管是一种npn型结构，其三个区域分别由一层n型半导体夹在两层p型半导体之间形成。
基极与发射极之间的结为正偏，而基极与集电极之间的结为反偏。
当基极与发射极之间施加正向电压时，它将注入电子到发射区域，从而形成电流流动。
这个电流是由于少数载流子的注入，所以它是个小电流。
当集电极与发射极之间施加一定的正向电压时，由于集电区域存在很多空穴，电流会通过集电区域。
2.PNP型三极管PNP型三极管是一种pnp型结构，其三个区域分别由一层p型半导体夹在两层n型半导体之间形成。
基极与发射极之间的结为正偏，而基极与集电极之间的结为反偏。
当基极与发射极之间施加正向电压时，它将注入空穴到发射区域，从而形成电流流动。
当集电极与发射极之间施加一定的正向电压时，由于集电区域存在很多电子，电流会通过集电区域。
二、MOS管的工作原理MOS管是金属氧化物半导体场效应管的简称，即Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor。
它由两个p型半导体区域和一个n型半导体区域组成，n型区域被夹在两个p型区域之间。
MOS管也经常用作放大器和开关。
1.nMOS管nMOS管由一个n型沟道和两个p型区域（源和漏）组成。
当正电压施加到栅极时，栅极和沟道之间形成一个正电场，导致沟道形成导电通道，可以流过电流。
这种情况下，nMOS处于导通状态。
2.pMOS管pMOS管由一个p型沟道和两个n型区域（源和漏）组成。
当负电压施加到栅极时，栅极和沟道之间形成一个负电场，导致沟道形成导电通道，可以流过电流。
这种情况下，pMOS处于导通状态。