模拟电子技术基础简明教程习题及其答案

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《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案

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精品行业资料,仅供参考,需要可下载并修改后使用!《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案题2-1 判断图中放大电路有无放大作用,说明理由。

a) 因为E 结反偏,C 结正偏,所以无放大作用。

应将+VCC 改成-VCC b) 电源未给发射结正偏——无放大作用。

应将Rb 连在电源和基极之间c) 输入交流信号会因交流通路中VCC 的接地而被短路,无法作用在三极管的发射结——无放大作用。

应在电源和基极之间接一个电阻d) 由于电容的隔直作用,发射结没有得到正偏——无放大作用。

应将电容C 移走 e) 有放大作用f) 无放大作用,原因:电容C2在交流时短路输出电压无法引出,而始终为零。

改正方法:将电容C2放在集电极和电压引出端之间。

g) 无放大作用,原因:电容Cb 在交流时短路而使输入交流信号被短路,无法作用在三极管的发射结。

改正方法:将电容Cb 去掉。

h) 无放大作用 i) 无放大作用题2-5VR I I V U mAI mA R R U V I CEQ 82.3)(7.2,027.0)1(c BQ CQ CC CQ bc BEQ CC BQ =+-===++-=β题2-6题2-13 1)I BQ=20uA, I CQ=2mA, U CEQ=-4V2) r be=1.5K, 3) A U=-100, 4)截止失真,应减小Rb 题2-15(2) 画出微变等效电路题2-16 1)I BQ =10uA, I CQ =1mA, U CEQ =6.4V2) r be =2.9K Ω,RL=∞时,R e /‘=5.6K ,A U =0.99, RL=1.2K 时,R e /‘=0.99K ,A U =0.979, 3) RL=∞时,R i ‘=282K Ω, RL=1.2K 时,R i ‘=87K Ω 4) R o ‘=29Ω 题2-17e be e be L1)(1)(1R βr R βR βr R βU U C io ++-=++-=' e be 2)(1)(1R βr R βU U e i o +++= R C ‘= R e 时,U O1 ‘≈ -U O2, 两者波形反相题2-25题2-26。

《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案杨素行第三版)第一章习题答案

《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案杨素行第三版)第一章习题答案

精品行业资料,伏供参考,需要可下栽井修改后使用!《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案杨素行第三版)第一章习题答案题1-10本造的意图是掌握8与;的含义及二者之间的关系解:(a)α1=0.99当时I IU=IOμA时Jc=990M A∕t1¾1000μA=1mA.(b)仄=19若I E2=ImA,则1po.95nιA「I iU Q50∕ιA题1—13(a)发射结正偏,集电结反偏,故BJT工作在放大区。

(b)发射结和集电结均反偏,故BJT工作在截止区。

(c)发射结正偏,集电结反偏,故BJT工作在放大区。

(d)发射结和集电结均正偏,故BJT工作在饱和区。

(e)发射结和集电结均反偏,故BJT工作在截止区。

(f)发射结正偏,集电结电压为0,故BJT处于临界饱和状态。

(g)发射结正偏,集电结反偏,故BJT工作在放大区。

(h)发射结正偏,集电结反偏,故BJT工作在放大区。

题1-15本题的意图是训练根据放大电路中三极管的各极电位识别引脚,并判断三极管的类型。

答:注意本题的前提是两个三极管均工作在放大区。

(a) 1---- 发射极e,3 ------- 基级b,2 ------- 集电极c o三极管类型是NP∖错管。

(b) 2 --- 发射极e,3 ------- 基级b,1——集电极C0三极管类型是PNP硅■1-14本题的意图是根据电路参数判断三极管工作在什么区,并在输出特性曲线上画出工作点的位置,以便形象地建立工作点的概念。

H:(a)∕β=0.065mA/产3∙25mAU CE=3.5V三极管工作在放大区,见图1.5.4中A点。

(b) ∕D=0.0465mA/产2.325mAU cE=5.35V三极管工作在放大区,见图1.5.4中B点。

(c) I a=0.465mA/产23.25mAUCE=-36.5V以上计算出的I c与UcE值是荒谬的,实质上此时三极管已工作在饱和区,故,I B=0∙465mA,人eVcJR=5mA,U CE=Uc E Sko.3V,见图154中C点。

模拟电子技术基础简明教程[第三版]习题答案解析1

模拟电子技术基础简明教程[第三版]习题答案解析1

第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ,u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得,开启电压U GS(th)=2V ,I DO =2.5mA ,4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P 型沟道或N 型沟道,增强型或耗尽型)。

如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ;如为增强型,标出其开启电压U GS(th)。

(a)绝缘栅型N 沟道增强型;(b)结型P 沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P 沟道增强型。

习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ,I DO =4mA ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ,夹断电压U GS(off)=4V ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-18图习题1-19图R b R e i U +oU R i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=L R '=定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数将增u A ↑。

u A ,↓。

u A ↓。

u A ④增大β,则I BQ 基本不变u A完美WORD 格式编辑i U +oU +(b)解:①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=Q 1完美WORD 格式编辑Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ,u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线, 2.67.2点,且斜率为,其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60,V ,R b =530k Ω,R L =5M Ω,试:①估算静态工作点;值;,输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答:①测静态工作点Q :直流稳压电源、万用表(直流电压档):直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。

模拟电子技术基础简明教程课后习题答案详解

模拟电子技术基础简明教程课后习题答案详解

模拟电子技术基础简明教程(第二版)课后 习题答案习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理 想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2 假设一个二极管在 50C 时的反向电流为10卩A , 试问它在20C 和80C 时的反向电流大约分别为多大?已知 温度每升高10C ,反向电流大致增加一倍。

解:在20C 时的反向电流约为:2°x 10# A= 1.25卩A在80C 时的反向电流约为:2310」A = 80」A习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:① 如在二极管两端通过 1k ?的电阻加上1.5V 的电压,如图(b),此时二极管的电流 I 和电压U 各为多少?② 如将图(b)中的1.5V 电压改为3V ,贝V 二极管的电流和电 压各为多少? 解:根据图解法求解 ①电源电压为1.5V 时1.5 二 U II 0.8A, U : 0.7V②电源电压为3V 时3二U II 2.2A, U : 0.8V可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,贝匸 极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。

1.5V 1k? (b)习题1-4 已知在下图中,U| = 10sin® t (V), R L=1k?,试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波形,并在波形图上标出幅值。

设二极管的正向压降和反向习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z、动态电阻X Z以及温度系数a u,是大一些好还是小一一些好?答:动态电阻r Z愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z愈大, 则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数a u的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

第三版模拟电子技术基础简明教程及答案

第三版模拟电子技术基础简明教程及答案

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=benasda习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管,已知第一个管子的,当该管的时,其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

模拟电子技术基础简明教程第三版课后练习题含答案

模拟电子技术基础简明教程第三版课后练习题含答案

模拟电子技术基础简明教程第三版课后练习题含答案第一章电子元件选择题1.在下列元器件中,最早被发明的是()。

A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案:B2.电子元器件中的电容器,按其结构可分为()。

A. 稳电容和电解电容B. 变电容和稳电容C. 活电容和稳电容D. 电解电容和金属电容答案:D3.直流电阻通常用()表示。

A. RB. LC. CD. F答案:A填空题1.何为有源元件?有什么作用?答:具有放大作用的电子元器件称为有源元件。

有源元件可以实现信号的放大、变化、增强等功能。

2.何为稳压电源?答:稳压电源是一种能输出稳定电压的电源。

稳压电源可以在电压波动或负载变化时,自动调节输出电压,保证稳定不变。

3.何为金属电阻?答:金属电阻是应用金属材料制成的电子元器件。

金属电阻通过电阻值大小表示电流经过它时所受到的阻力。

计算题1.某稳压电源额定输出电压为12V,输出电流为5A,直流输入电压为220V,输入电流为2A。

求稳压电源的效率。

(效率定义为输出电功率与输入电功率之比)答:输入电功率为220×2=440W,输出电功率为12×5=60W。

稳压电源的效率为60/440×100%=13.6%。

2.已知电路中串联的两个电阻R1=100Ω,R2=200Ω,电源电压为12V,求电路中的电流大小和总电阻。

(请使用以下两个公式:电阻的串联公式:R=R1+R2;串联电路中电流大小公式:I=U/R)答:总电阻为R=100+200=300Ω,电流大小为I=12/300=0.04A。

简答题1.稳定电源的分类及其优缺点答:稳定电源按照控制方式可以分为线性稳压电源和开关稳压电源两种。

线性稳压电源的优点是输出电压稳定,调节范围大,输出纹波较小;缺点是效率比较低,对大功率应用场合不适用。

开关稳压电源的优点是效率高、体积小,适用于大功率应用场合;缺点是输出纹波较高。

2.金属电阻与电位器的区别答:金属电阻与电位器都是电阻器的一种,但二者的区别在于应用场合和阻值调节的方式。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-[1]

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-[1]

习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用,简单说明理由。

答:(a)无放大作用(发射结反偏);(b)不能正常放大(发射结无直流偏置);(c)无放大作用(集电结无直流偏置);(d)无放大作用(发射结无直流偏置);(e)有放大作用(是射极跟随器);(f)无放大作用(输出交流接地);(g)无放大作用(输入交流接地);(h)不能正常放大(栅极无直流偏置);(i)无放大作用(电源极性接反);R b(a)交流通路R i U +--o UR (b)交流通路i U +--oU R 1(c)交流通路i U '+-21i i N U U N '=23L N R R N ⎛⎫'= ⎪⎝⎭习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。

①增大R b ;②增大V CC ;③增大β。

答:①增大R b ,则I BQ 减少,I CQ 减少,U CE Q 增大。

②增大V CC ,则I BQ 增大,I CQ 增大,U CE Q 不确定。

③增大β,则I BQ 基本不变,I CQ 增大,U CE Q 减少。

定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数将增u A ↓,↑。

u A ,↓。

u A ↓。

u A ④增大β,则I BQ 基本不变,r be ↑,基本不变u Ai U +--oU +(b)解:①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程:10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处,0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3放大电路如图P2-7(a)所示,试按照给定参数,P2-7(b)中:①画出直流负载线;R b 211k Ωi U oU _(b)图P2-7(b)mA的一条水平线, 2.67.2点,且斜率为,其中1LR -'R b 211k Ωi U oU ++C图P2-6(b),输入电阻。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)-杨素行-课后答案

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+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

第三版模拟电子技术基础简明教程及答案

第三版模拟电子技术基础简明教程及答案

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=benasda习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管,已知第一个管子的,当该管的时,其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

第三版模拟电子技术基础简明教程及答案

第三版模拟电子技术基础简明教程及答案

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=benasda习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管,已知第一个管子的,当该管的时,其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案

模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案
在80℃时的反向电流约为� 23 �10� A � 80� A
+
习题1-3 某二极管的伏安特性如图(a)所示�
①如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压�如图 (b)�此时二极管的电流 I 和电压U各为多少�
②如将图(b)中的1.5V电压改为3V�则二极管的电流和电
压各为多少�
I/mA
解�根据图解法求解 3

I � U �U Z � 30mA R
� IZ � I � I RL � 30 � 6 � 24mA

I RL
� UZ RL
� 3mA
� IZ � I � I RL � 20 � 3 � 17mA
习题1-8 设有两个相同型号的稳压管�稳压值均为6V� 当工作在正向时管压降均为0.7V�如果将他们用不同的方 法串联后接入电路�可能得到几种不同的稳压值�试画出
2kΩ 20kΩ
10V
(c)
IB � 0.465mA IC � 23.25mA U CE � �36.5V
以上算出的IC 与UCE值是荒谬 的�实质上此时三极管巳工作 在饱和区�故IB=0.465 mA� IC≈ VCC/ RC=5mA� UC E=UC ES ≈0.3V�见图P1-14(g)中C点。
习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性 曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线�并 由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UGS(th )和 IDO值�以及 当 uDS =15V� uGS =4V时的跨导 gm。
uDS=15V
由图可得�开启电压 UGS(th )=2V� IDO =2.5mA�
(b)交流通路
习题1-4 已知在下图中�uI = 10sinωt (V)�RL=1kΩ�试 对应地画出二极管的电流 iD、电压uD以及输出电压uO的波 形�并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向

模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案

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+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案

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+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

模拟电子技术基础简明教程习题答案

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模拟电子技术基础简明教程习题答案《模拟电子技术基础简明教程》习题答案第一章1-1 二极管的正向电阻愈小愈好,反向电阻愈大愈好。

1-7 ① I Z =14mA ② I Z =24mA ③ I Z =17mA1-13 (a )放大区(b )截止区(c )放大区(d )饱和区(e )截止区(f )临界饱和(g )放大区(h )放大区1-15 (a )NPN 锗管(b )PNP 硅管第二章2-1 (a )无(b )不能正常放大(c )有(d )无(e )有(f )无(g )无(h )不能正常放大(i )无 2-7 ②U BQ =3.3V ,I CQ = 2.6mA ,U CEQ =7.2V2-8 ① 饱和失真2-10 ① I BQ = 10μA ,I CQ = 0.6mA ,U CEQ ≈3V② r be = 2.6k Ω③ uA =-51.7,R i ≈2.9 k Ω, R o =5 k Ω 2-11 先估算Q 点,然后在负载线上求Q 点附近的β,最后估算r be 、 u A 、R i 、R o ,可得r be ≈1.6k Ω,uA =-80.6,R i =0.89 k Ω, R o =2 k Ω 2-14 ① I BQ = 20μA ,I CQ = 1mA ,U CEQ ≈6.1V②r be = 1.6k Ω,uA =-0.94,R i =84.9 k Ω, R o =3.9 k Ω 2-16 ① I BQ ≈10μA ,I CQ = 1mA ,U CEQ ≈6.4V② r be = 2.9k Ω,当R L =∞时,R e /= R e ∥R L = 5.6 k Ω, uA ≈0.99; 当R L =1.2 k Ω时,R e /= R e ∥R L = 0.99 k Ω, uA ≈0.97。

③ 当R L =∞时,R i ≈282 k Ω;当R L =1.2 k Ω时,R i ≈87 k Ω ④ R o ≈2.9k Ω2-19 (a )共基组态(b )共射组态(c )共集组态(d )共射组态(e )共射-共基组态第三章3-2 如︱u A ︱=100,则20lg ︱uA ︱=40dB; 如20lg ︱u A ︱=80dB, 则︱uA ︱=10000。

模拟电子技术基础简明教程课后答案(第三版)高等教育出版社

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习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80A μ60Aμ40A μ20Aμ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8C BO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

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模电答案及其教程
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3
210 1.25A A
μμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A A
μμ⨯=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?
答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i A
μ=80A
μ60A μ40A μ20A μ0A
μ0.9933.22
安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I A
βμ=+=50℃时,8CBO I A
μ≈()
()
()0
5020
011%3011%301301%39
t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mA
βμ=+==
习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?
②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

解:①查图可知,I CE O =0.5mA ,死区电压约为0.2V ;
②为了使三极管工作在放大区,对PNP 型:u BE <0,u BC >0;对NPN 型:u BE >0,u BC <0。

F
D 、E
A
B
C
图P1-14(g)
DS =15V ,u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V
由图可得,开启电压U GS(th)=2V ,I DO =2.5mA ,
4 1.2
2.84.5
3.5
D m GS i g mS u ∆-=
==∆-
习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P 型沟道或N 型沟道,增强型或耗尽型)。

如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ;如为增强型,标出其开启电压U GS(th)。

(a)绝缘栅型N 沟道增强型;(b)结型P 沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P 沟道增强型。

习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)
= +3V ,I DO
=4mA ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ,夹断电压U GS(off)=4V ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-18图
习题1-19图
习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用,简单说明理由。

答:(a)无放大作用(发射结反偏);
(b)不能正常放大(发射结无直流偏置);(c)无放大作用(集电结无直流偏置);(d)无放大作用(发射结无直流偏置);(e)有放大作用(是射极跟随器);(f)无放大作用(输出交流接地);(g)无放大作用(输入交流接地);(h)不能正常放大(栅极无直流偏置);(i)无放大作用(电源极性接反);
R b
R e i U +
-
-
o U
R i U +
-
-
o
U R 1i U '+
-2
1
i i N U U N '=
L R '=
习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。

①增大R b ;②增大V CC ;③增大β。

答:①增大R b ,则I BQ 减少,I CQ 减少,U CE Q 增大。

②增大V CC ,则I BQ 增大,I CQ 增大,U CE Q 不确定。

③增大β,则I BQ 基本不变,I CQ 增大,U CE Q 减少。

定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数将增u A ↓,↑。

u A ,↓。

u A ↓。

u A ④增大β,则I BQ 基本不变,r be ↑,
基本不变
u A
i U +--o
U +
(b)
解:①可先用近似估算法求I BQ
100.7
0.0220510
CC BEQ
b V U mA A
R μ--=
=
≈=直流负载线方程:10CE CC C C u V i R =-=-Q 1
静态工作点Q 点处,0.5,
U V I ≈≈Q 1
Q 2
Q 1
Q 2
因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3
放大电路如图P2-7(a)所示,试按照给定参数,P2-7(b)中:
①画出直流负载线;
R b 2
11k Ω
i U o
U (b)
P2-7
(b)
mA
的一条水平线, 2.6
7.2
点,且斜率为,其中1
L
R -
'R b 2
11k Ω
2i U o
U +
C
图P2-6(b)
,输入电阻u A i
U o U +_β(u R A β=-
//R r =≈(u R A β=-
//R R r =
=10k Ω,则电压放大倍数
?o
u i
U A U =
=o i
i i o
U R U R R =+i U o U +
_(u R A β=-
i
U o U +_R e 2k Ω(u be A r β=-+//R R r =⎡⎣R b 1
+-
R i U s
U o
U +-
i U
R b
-
s
U +-R +
-
o
U i
U (1(1u be A r +=
+(1(1u be A r +=
+
习题2-17 P107
R +
-
1o U i
U 2
o U r be
R c
R e
R b
-
i
U 1o U 2o U -+-
1o i be U U r =-+2(1(1)o i be e
U U r R β+=
++c =R e 时,12o o U U ≈-
o
U R b 2=10R c =3k R =3(//c u be
R A r β=3c R k =Ω
习题2-19 P107
解:(a)共基电路
(b)共射电路(c)共集电路(d)共射电路(e)共射-共基电路
R 1
i U o
U +
-
g m =1.5mS
(1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(//1o m d i U g R R A U ==-+
R S
D
gs
U o m gs s
U g U R =(1)i gs o m s gs
U U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+
12
u be A r =-
C R E 1
R S
s
U
习题2-27
P110
答:①测静态工作点Q :直流稳压电源、万用表(直流电压档)
②测电压放大倍数A u :直流稳压电源、正弦波信号发生器、示波器、交流毫伏表。

③测最大输出电压幅度U om :同②④测输入电阻R i :同②⑤测输出电阻R o :同②。

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