RAM、ROM和Flash的区别
NOR+flash和NAND+flash区别,RAM+和ROM区别
寸要比NOR器件小8 倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
B) 位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。
在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。
如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。
当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。
位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。
这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。
当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC 系统以确保可靠性。
C) 坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。
以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。
在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
5、易于使用:可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。
各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。
向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
6、软件支持:当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR 器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash等常见存储器概念辨析
RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash等常见存储器概念辨析常见存储器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM 又可分为SRAM（Static RAM/静态存储器）和DRAM（Dynamic RAM/动态存储器）。
SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。
DRAM是利用MOS（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
而通常人们所说的SDRAM 是DRAM 的一种，它是同步动态存储器，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。
使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。
在嵌入式系统中经常使用。
ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。
RAM或ROM_和FLASH存储的区别总结
储存器IC：RAM随机储存器ROM只读储存器一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。
它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。
根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。
存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。
因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。
02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。
每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。
03.VRAM（Video RAM，视频内存）它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。
它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。
多用于高级显卡中的高档内存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。
传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。
而FRM DRAM 在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。
由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。
各类ROM.FLASH,RAM,内存芯片理解
接口ROM Real Only Memory，EEPROM .flash现在俗称都可以算ROMNAND FLASH 仅有IO口，地址和数据复用IO口，其他片选,时钟等类似，掉电保持。
可以将程序写在NAND中，ARM中有控制器会将NAND中的程序引导至片上RAM然后运行，读写是按扇区NOR FLASH 地址口，数据口分开，同时可以EIP,execute in place片上执行，听说是作为启动FLASH的好东西，读取方式和SDRAM是一样的EEPROM 在FLASH之前，统治ROM很久，目前使用的，最大区别是，读写简单，很多使用SPI或者I2C接口，存储用字节，很适合在程序运行过程中，存储一些运行数据，而FLASH更多用于存程序而不是运行数据，因为写入EEPROM写入要比FLASH简单RAM 各类SDRAM,SRAM,DRAM等都属于RAM。
RamdomAccessMemory，指能够在任意时刻在任意存储位置进行读写，读写速度与数据位置无关，区别于早期的顺序存储Sequential Access，如磁带等。
这里的随机，我个人觉得意思接近于随意，任意的意思，而不是随机的不定SRAM Static RAM，不需要刷新，既可以保持数据，掉电丢失。
贵，通常用于CPU内部的片上内存-Cache缓存DRAM dynamic RAM，区别于SRAM，需要刷新电路才可以保持数据，否则数据就会丢失。
掉电一样丢数据,一般以SDRAM形式出现。
SDRAM Synchronous Dynamic RAM，同步的DRAM，注意S是同步，不是静态！同步意思之前已经了解了，即通讯时双方需要建立时钟同步，CLK引脚实现。
时钟片选读写许可，地址口，数据口DDR SDRAM 有的时候会简称DDR，因为现在基础速度的SDRAM已经很落后，DDR-Dual Date Rate SDRAM,双倍速度，在CLK上升沿和下降沿均传输一次数据。
单片机FLASH与RAM、ROM的关系
单片机FLASH主要用作程序存贮器,就是替代以前的ROM,最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写,目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大,擦写次数从1000~10万的都有,但存储时间可以保证40年,在选用时要注意.还有一些廉价的单片机为了集成可掉电的数据存储器,没有选用价格昂贵的EEPROM,而用FALSH来做的,但要注意其寿命最多就10万次,而且擦写不能字节擦写,这要注意使用的场合其寿命是否满足要求.
RAM是数据存储器,跟计算机里面的内存差不多,主要是用来存放程序运行中的过程数据,掉电后就会丢失之前的数据,所以程序在上电时需要进行初始化,否则上电后的数据是一个随机数,可能导致程序奔溃.
ROM就是程序存储器,掉电后数据不会丢失,但在程序运行过程中其数据不会改变.早期的单片机的ROM因为擦写修改麻烦,价格昂贵或者价格低廉的OTP型无法修改数据等原因已经被现在的FLASH存储器替代了.因为FLASH的擦写很容易,现在的部分单片机支持在线内部编程,通过特定的程序执行方式可以修改FALSH 的内容,而实现在线修改程序存储器.这与上面说的程序存储器的内容在运行的时候不可被改变是不冲突的,因为在程序正常运行时,其内容不会改变,只工作在只读状态下的.
现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储
器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼上说的很好
另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失。
DRAM、ROM、RAM、SRAM and FLASH
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH这是我最近收集的一部分资料，希望对大家在设计中有一定的help。
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM 和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。
在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM 来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM 有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM 相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。
在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM 后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。
寄存器概念整理
寄存器、RAM、ROM、Flash相关概念区别整理寄存器寄存器是中央处理器内的组成部份。
它跟CPU有关。
寄存器是有限存贮容量的高速存贮部件，它们可用来暂存指令、数据和位址。
在中央处理器的控制部件中，包含的寄存器有指令寄存器(IR)和程序计数器(PC)。
在中央处理器的算术及逻辑部件中，包含的寄存器有累加器(ACC)。
存储器存储器范围最大，它几乎涵盖了所有关于存储的范畴。
你所说的寄存器，内存，都是存储器里面的一种。
凡是有存储能力的硬件，都可以称之为存储器，这是自然，硬盘更加明显了，它归入外存储器行列，由此可见——。
内存内存既专业名上的内存储器，它不是个什么神秘的东西，它也只是存储器中的沧海一粟，它包涵的范围也很大，一般分为只读存储器和随即存储器，以及最强悍的高速缓冲存储器（CACHE），只读存储器应用广泛，它通常是一块在硬件上集成的可读芯片，作用是识别与控制硬件，它的特点是只可读取，不能写入。
随机存储器的特点是可读可写，断电后一切数据都消失，我们所说的内存条就是指它了。
CACHE高速缓冲存储器（Cache）其原始意义是指存取速度比一般随机存取记忆体（RAM）来得快的一种RAM，一般而言它不像系统主记忆体那样使用DRAM技术，而使用昂贵但较快速的SRAM技术，也有快取记忆体的名称。
CACHE是在CPU中速度非常块，而容量却很小的一种存储器，它是计算机存储器中最强悍的存储器。
由于技术限制，容量很难提升，一般都不过兆。
ROM、RAM的区别：ROM（只读存储器或者固化存储器）RAM（随机存取存储器）ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），当数据被存入其中后不会消失。
Flash、RAM、ROM的区别
一、ROM(Read Only Memory)ROM(Read Only Memory),只读存储器。
用来存储和保存数据。
ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。
即使是断电，ROM也能够保留数据。
ROM也有很多种:PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM;EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM；EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写,写入时间很长，写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器。
特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。
这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。
具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。
因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。
二、RAM(Random Access Memory)RAM(Random Access Memory),随机存取存储器。
是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫内存。
它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介,当电源关闭时RAM不能保留数据。
RAM可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。
静态RAM（Static RAM/SRAM）:SRAM速度非常快，不需要刷新电路即能保存数据，是目前读写最快的存储设备了，但是集成度较低，非常昂贵，多用于CPU的一级缓存，二级缓存(L1/L2Cache)。
动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短(需要内存刷新电路，每隔一段时间，刷新充电一次，否则数据会消失)，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
ROM RAM Flash区别
ROM和RAM区别ROM（Read Only Memory，只读存储器）在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
ROM、PROM、EPROM、EEPROM区别ROM（Read Only Memory，只读存储器）：生产过程中烧录程序，用户无法更改。
在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM中。
ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。
如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。
ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。
PROM（Programmable ROM，可编程ROM）：用户可以烧录程序，但只能烧录一次。
由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM。
最初从工厂中制作完成的PROM 内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。
PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）：可重复擦除和写入，但操作不方便。
EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。
EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12~24V，随不同的芯片型号而定）。
EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。
SRAM、DRAM、PROM、EPROM、EEPROM、NOR NAND FLASH区别
RAM / ROM 存储器ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM 有两大类：1) 静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
2) 动态RAM（Dynamic RAM / DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM 慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM（Double-Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM 是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准——Rambus DRAM。
在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
ROM也有很多种：1) PROM(可编程ROM)，是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了；2) EPROM (可擦除可编程ROM)，是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。
3) EEPROM，是通过电子擦除，价格很高，写入时间很长，写入很慢。
举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通话记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。
flash，Rom，RAM，nvram的区别（思科设备）
flash，Rom，RAM，nvram的区别（思科设备）路由器的启动过程简单来说分为三个部分1.硬件检查2.运⾏IOS3.导⼊配置⽂件。
要了解路由器的启动过程⾸先要来了解⼀下路由器的主要存储硬件和它们的作⽤。
ROM是⼀个⽤于维护路由器的硬件它存储着POST程序bootstrap程序以及Mini IOS。
Flash它是⽤来存储路由器完整IOS镜像的硬件。
IOS就相当于思科路由器的没有IOS或者IOS镜像损坏的路由器是⽆法⼯作的。
NVRAM是⽤于存放路由器的启动配置⽂件Startup-config的硬件。
路由器启动前最后⼀次保存的配置都储存在这⾥。
RAM存储路由器启动时由启动配置⽂件拷贝⽽来的运⾏配置⽂件Running-config解压后的IOS以及学习到的路由表Routing-table和包队列。
接下来详细了解⼀下思科路由器的启动过程⼀、路由器加电后⾸先运⾏ROM中的POST程序Power On Self Test对路由器的硬件进⾏检测俗称加电⾃检。
⼆、检测通过后紧接着执⾏ROM中的引导程序bootstrap并根据寄存器值register来决定启动⽅式。
寄存器值的格式为0x21YZ Y列的状态0x210Z从nvram加载配置⽂件0x214Z不从nvram加载配置⽂件Z列的状态0x21Y0从rommon启动提⽰符为路由器启动时按CtrlBreak0x21Y1从mini ios启动提⽰符为Routerboot0x21Y，从flash启动提⽰符为Router我们经常使⽤的两个寄存器值0x2102正常0x2142不读取保存的配置。
三、如果正常启动则按引导程序到Flash中查找IOS镜像。
如果找到IOS镜像则读取后正常启动。
如果没有找到IOS镜像则进⼊即Mini IOS启动。
下可使⽤TFTP上的IOS或使⽤TFTP/X-modem为路由器重新灌⼀个IOS。
如果Mini IOS也启动失败则进⼊rom monitor模式。
嵌入式学习之彻底搞清ROM、RAM、DRAM和FLASH
嵌入式学习之彻底搞清ROM、RAM、DRAM和FLASHROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。
在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。
ROMRAMFLASH知识汇总
ROMRAMFLASH知识汇总ROM（只读存储器）：ROM是一种只能读取数据的存储器，它是一种非易失性存储器，不断电时数据不会丢失。
ROM是在制造时被写入数据的，因此它的内容在使用时不能被修改或删除。
ROM广泛应用于电子设备中，如计算机、手机、电视等。
ROM主要有以下几种类型：1. Mask ROM：也称为固化ROM，它是在制造过程中使用工艺将数据硬编码到存储芯片中的。
Mask ROM具有稳定的性能和可靠性，但其数据无法改变。
2.PROM（可编程只读存储器）：PROM可以在生产时由用户自行编程，但一旦编程完成，数据便无法修改或删除。
3.EPROM（可擦除可编程只读存储器）：EPROM在编程前需要先擦除数据，擦除方式可以通过紫外线照射或电子擦除。
擦除后，EPROM的存储单元可以重新编程，但编程次数有限。
4.EEPROM（电可擦可编程只读存储器）：EEPROM与EPROM相似，但擦除和编程过程可以在电子设备中进行，无需移除芯片。
EEPROM可以通过电压调节存储单元的电荷来编程和擦除数据。
5. Flash ROM：它是一种使用闪存技术的ROM，具有电可擦可编程的特性。
Flash ROM主要用于存储固件、操作系统和用户数据。
Flash ROM可以通过特定的技术和算法擦除和重新编程数据。
RAM（随机存取存储器）：RAM是一种适于读写操作的存储器，它可以读取或写入数据，并且数据可以随机访问，也能够将数据保存在电源关闭时。
RAM是一种易失性存储器，当断电时数据将丢失，因此通常需要一个电源来保持数据的持久性。
RAM有两种主要类型：1.SRAM（静态随机存取存储器）：SRAM使用触发器电路来存储每个位的数据。
SRAM速度快，存取时间短，但它的功耗较高，在相同容量下会占用较多的芯片面积。
2.DRAM（动态随机存取存储器）：DRAM使用电容来存储每个位的数据，每个位都需要不断刷新来保持数据的持久性。
DRAM速度相对较慢，但它的功耗低，在相同容量下占用较少的芯片面积。
ROM、RAM、Flash memory的区别
NAND Flash
性能比较
1、NOR Flash的读速度比NAND Flash的读速度；
2、NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多；
3、NAND Flash的4ms擦出速度远比NOR Flash的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。
4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。
PROM、EPROM、E2PROM
速度
较快
较慢
ROM
不同ROM
特点
Mask ROM
PROMEPROME2 NhomakorabeaROMFlash ROM
写入次数
一次性由厂家写入数据，用户无法修改
出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据
通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复写入
通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢
2、NAND Flash读和写操作采用512B的块，有点像硬盘管理操作。因此基于NAND Flash结构可以取代硬盘或其他设备。
容量和成本
1、NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash的一半，由于生产过程更为简单，NAND Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也相应地降低了价格。
接口差别
1、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NAND Flash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。
单片机flash和ram-ROM的区别
单片机flash和ram/ROM的区别常规上ROM是用来存储固化程序的，RAM是用来存放数据的。
由于FLASH ROM比普通的ROM读写速度快，擦写方便，一般用来存储用户程序和需要永久保存的数据。
譬如说，现在家用的电子式电度表，它的内核是一款单片机，该单片机的程序就是存放在ROM里的。
电度表在工作过程中，是要运算数据的，要采集电压和电流，并根据电压和电流计算出电度来。
电压和电流时一个适时的数据，用户不关心，它只是用来计算电度用，计算完后该次采集的数据就用完了，然后再采集下一次，因此这些值就没必要永久存储，就把它放在RAM里边。
然而计算完的电度，是需要永久保存的，单片机会定时或者在停电的瞬间将电度数存入到FLASH里。
--ROM存放指令代码和一些固定数值，程序运行后不可改动；RAM用于程序运行中数据的随机存取，掉电后数据消失..code就是指将数据定义在ROM区域，具只读属性，例如一些LED显示的表头数据就可以定义成code存储在ROM。
ROM：（Read Only Memory）程序存储器在单片机中用来存储程序数据及常量数据或变量数据，凡是c文件及h文件中所有代码、全局变量、局部变量、’const’限定符定义的常量数据、startup.asm文件中的代码（类似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，一些低端的单片机是没有这个的）通通都存储在ROM中。
RAM：（Random Access Memory）随机访问存储器用来存储程序中用到的变量。
凡是整个程序中，所用到的需要被改写的量，都存储在RAM中，“被改变的量”包括全局变量、局部变量、堆栈段。
程序经过编译、汇编、链接后，生成hex文件。
用专用的烧录软件，通过烧录器将hex文件烧录到ROM中（究竟是怎样将hex文件传输到MCU内部的ROM中的呢？），因此，这个时候的ROM中，包含所有的程序内容：无论是一行一行的程序代码，函数中用到的局部变量，头文件中所声明的全局变量，const声明的只读常量，都被生成了二进制数据，包含在hex文件中，全部烧录到了ROM里面，此时的ROM，包含了程序的所有信息，正是由于这些信息，“指导”了CPU的所有动作。
到底什么是nandflash,norflash,sdram,emmc,rom,ram
到底什么是nandflash,norflash,sdram,emmc,rom,ram最近被nandflash,norflash,sdram,emmc,rom,ram搞的有点头⼤，所以在这⾥总结⼀下，也为了更好的分清他们之间的关系，以⾄于别⼈问的时候不⾄于说不清。
我们不谈这些名次的由来，只说明他们是做什么的，能⽤来⼲什么，在哪⾥我们⽤到过三部分说明1、Nandflash是flash⾮易失性闪存，即⼀种快速存储的芯⽚。
是⽤来存储数据的，类似于SD卡是⽤于我们⼿机内存等，但⼿机内存⼀般是flash和DDR合起来的芯⽚2、Norflash是flash⾮易失性闪存，即⼀种快速存储的芯⽚，与Nandflash相似是⽤来存储数据的玩过mini2440的同学都知道他有个nandflash启动和norflash启动，现在看来其实没什么差别，只是速度和操作⽅式的不同，当然存储的⼤⼩也不同，norflash⽐较贵，现在⼀般都⽤nandflash因为存储能⼒⽐较⼤嘛3、ram是随机存储内存，断电数据丢失，存储短时间使⽤程序。
是⽤来存储当前数据的，⽐如⼿机程序运⾏时需要占⽤内存是为机器运⾏软件提供内存的芯⽚sdram就是ram器件4、rom是只读内存，是⾮易失性固态半导体存储器⽐如flash就是rom器件对⽐ram和rom可以类⽐电脑的内存和硬盘，⼿机或者嵌⼊式产品使⽤的内存是sdram(DDR),⽽使⽤的存储设备⼤多是flash;电脑内存指的是内存条，其实也是DDR，⽽硬盘有的是机械的还有固态硬盘，机械的就是磁头和扇区组成的，固态硬盘其实就是flash和DRAM芯⽚组成的;ram的作⽤其实就是程序的运⾏以及数据的交换，⽽rom芯⽚负责存储各种⽂件，程序，软件等。
我们现在使⽤的ARM芯⽚其实是内置多少G，多少M的SDRAM，现在SDRAM已经打到DDR3，即速度已经⾮常之快。
那么emmc技术则是现在最先进的⼀项技术了，有时间的可以了解⼀下。
RAM、ROM和FLASH三大类常见存储器简介
最近因为在找实习工作,做了一些大公司的硬件笔试题,发现很多公司都有
对存储器的考察,从来没有系统的整理过存储器的种类，是时候来一波整理了
以下主要讲了：RAM、ROM和FLASH三大类。
RAM包括：SRAM、DRAM、SDRAM、DDRSDRAM、DDR2SDRAM
和DDR3SDRAM
ROM包括：PROM、EPROM和EEPROM
FLASH包括：NORFLASH和NANDFLASH
RAM
速度最快，掉电丢失数据，容量小，价格贵
RAM英文名randomaccessmemory，随机存储器，之所以叫随机存储器
是因为：当对RAM进行数据读取或写入的时候，花费的时间和这段信息所
EEPROM：升级版，可以多次编程更改，使用电擦除
FLASH
掉电不丢失数据，容量大，价格便宜
FLASH：存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电
子可擦ห้องสมุดไป่ตู้可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读
取数据。分为NANDFLASH和NORFLASH，NORFLASH读取速度比
ROM
掉电不丢失数据，容量大，价格便宜
ROM英文名Read-OnlyMemory，只读存储器，里面数据在正常应用的时
候只能读，不能写，存储速度不如RAM。
PROM：（P指的programmable）可编程ROM，根据用户需求，来写入
内容，但是只能写一次，就不能再改变了
EPROM：PROM的升级版，可以多次编程更改，只能使用紫外线擦除
SDRAM是同步（S指的是synchronous）DRAM，同步是指内存工作需要
RAM, ROM 以及Flash Memory 之间的区别
RAM, ROM 以及Flash Memory 之间的区别提要:RAM: 是Random Access Memory的缩写, 随机高效能存储器.ROM: 是Read Only Memory的缩写, 意思是只读存储器或只读内存.通俗点说，RAM就像电脑的内存，ROM就像电脑的硬盘，而存储卡就像外接硬盘，比如U 盘，而移动硬盘等等。
RAM 就像电脑的内存, 用来存储和保存数据. 在任何时候都可以读写, 通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质, 可称为"系统内存". ROM就像电脑的硬盘, 用来存储和保存数据. ROM 数据不能随意更新, 在任何时候都可以读取. 即使是断电, ROM 也能保存数据. 但是资料一旦写入以后只能用特殊方法更改或更本无法更改.RAM 和ROM 最大的区别在于, 断电以后RAM上的保存的数据会自动消失, 而ROM 上的饿数据就不会.而存储卡就像外界硬盘, 如U盘/移动硬盘.因为ROM 不易更改的特性让更新资料变得非常麻烦, 因此就有了Flash memory 的发展.单价比ROM 高.详细：RAM（Random Access Memory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。
它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作系统内存）。
不过，当电源关闭时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中（例如硬盘）。
正因为如此，有时也将RAM称作“可变存储器”。
RAM内存可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。
DRAM由于具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的主记忆。
ROM（Read Only Memory）的全名为唯读记忆体，它相当于PC机上的硬盘，用来存储和保存数据。
ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。
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一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Mxic，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba及Hynix。
ROM(Read Only Memory)的全名为唯读记忆体，它相当于PC机上的硬盘，用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。但是资料一但写入后只能用特殊方法或根本无法更改，因此ROM常在嵌入式系统中担任存放作业系统的用途。现在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。
内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于 1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。
RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM就不会。
由于ROM不易更改的特性让更新资料变得相当麻烦，因此就有了Flash Memory的发展 ，Flash Memory具有ROM不需电力维持资料的好处，又可以在需要的时候任意更改资料，不过单价也比普通的ROM要高。
RAM、ROM和Flash的区别
RAM(Random Access Memory)的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存)。
不过，当电源关闭时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘)。正因为如此，有时也将RAM称作"可变存储器"。RAM 内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类。DRAM由于具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的主记忆。
举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中)，因为当时有很重要工作(通话)要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。
FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备，然而近年来Flash(NOR Flash)全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘 -- NADN Flash)。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。