磁控溅射靶靶型分类
磁控溅射（1讲义理论）
磁控溅射（1讲义理论）磁控溅射【实验目的】1、了解磁控溅射基本原理。
2、了解射频磁控溅射仪器构造及使用方法。
3、了解利用射频磁控溅射制备薄膜。
【实验仪器】DHRM-3射频磁控溅射镀膜装置【实验原理】1、磁控溅射原理：用高能粒子（大多数是由电场加速的正离子）撞击固体表面，在与固体表面的原子或分子进行能量交换后，从固体表面飞出原子或分子的现象称为溅射。
按照溅射理论的级联碰撞模型如图1所示，当入射离子与靶原子发生碰撞时把能量传给靶原子，在准弹性碰撞中，通过动量转移导致晶格的原子撞出，形成级联碰撞。
当级联碰撞延伸到靶表面，使表面粒子的能量足以克服结合能时，表面粒子逸出成为溅射粒子。
溅射粒子沉积到基底或工件表面形成薄膜的方法称为溅射镀膜法。
对于直流溅射，靶材是需要溅射的材料，它作为阴极，相对于基底有数千伏的电压。
对系统预抽真空以后，充入适当压力的惰性气体。
例如Ar2作为气体放电的载体，压力一般为1～10Pa的范围内。
在正负极高压的作用下，极间的气体原子将被大量电离。
电离过程使Ar原子电离成为Ar+离子和可以独立运动的电子e。
其中电子飞向阳极，而带正电荷的Ar＋离子则在高压电场的加速作用下高速飞向作为阴极的靶材，并与靶材原子发生级联碰撞而使靶表面粒子逸出，沉积在基底上而形成薄膜。
直流溅射只能沉积金属膜，而不能沉积绝缘介质膜。
其原因是由于，当溅射绝缘介质靶材时，轰击绝缘介质靶材表面的正离子和电荷无法中和，于是导致靶面电位升高，外加电压几乎都加在靶（绝缘介质）上，极间的粒子加速与电离就会变小，以至于溅射不能维持。
如果在靶和基底之间加一射频电压，那么溅射将可以维持。
这是因为在溅射靶电极处于高频电压的负半周时，正离子对靶材进行轰击引起溅射。
与此同时，在介质靶面积累了大量的正电荷。
当溅射靶电极处于高频电压的正半周时，由于电子对靶材进行轰击中和了积累在介质靶面的正电荷，就为下一周期的溅射创造了条件。
这样，在一个周期内正离子和电子可以交替地轰击靶子，从而实现溅射材料实质的目的。
磁控溅射
磁控反应溅射。
就是用金属靶，加入氩气和反应气体如氮气或氧气。
当金属靶材撞向零件时由于能量转化，与反应气体化合生成氮化物或氧化物。
若磁铁静止，其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%。
为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。
但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。
冷却水管。
旋转磁场多用于大型或贵重靶。
如半导体膜溅射。
用磁控靶源溅射金属和合金很容易，点火和溅射很方便。
这是因为靶（阴极），等离子体，和被溅零件/真空腔体可形成回路。
但若溅射绝缘体如陶瓷则回路断了。
于是人们采用高频电源，回路中加入很强的电容。
这样在绝缘回路中靶材成了一个电容。
但高频磁控溅射电源昂贵，溅射速率很小，同时接地技术很复杂，因而难大规模采用。
为解决此问题，发明了磁控溅射磁控溅射是为了在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。
通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法。
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar 和新的电子；新电子飞向基片，Ar在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。
在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。
若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。
随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下最终沉积在基片上。
由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。
磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。
入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。
广州脉冲磁控溅射分类
广州脉冲磁控溅射分类
1. 直流磁控溅射：使用直流电源将陶瓷靶材中的粒质喷溅到基板上。
2. 隧道磁控溅射：在陶瓷靶材和基板之间设置隧道，使靶材中的粒子通过隧道穿过基板表面。
3. 磁场过渡溅射：通过改变磁场的方向和强度来调节溅射生成的粒子运动轨迹和击中基板的位置。
4. 自组装式磁控溅射：利用表面活性剂等物质在溅射过程中自组装成固定形状，生成具有特定结构和性质的薄膜。
5. 双离子束溅射：利用两个离子束同时轰击靶材，可提高薄膜的质量和均匀性。
6. 多极磁控溅射：使用多极磁场来调节溅射过程中的粒子运动轨迹，使生成的薄膜更加均匀。
磁控溅射相关
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靶材性能对溅射效果影响
靶材纯度
高纯度靶材可以减少薄膜中的杂质含 量，提高薄膜性能。
靶材致密度
高致密度靶材可以提高溅射速率和薄 膜质量。
靶材晶粒大小
细小晶粒的靶材可以提高薄膜的均匀 性和附着力。
靶材成分与组织
不同成分和组织的靶材会影响溅射过 程中粒子的能量和角度分布，从而影 响薄膜的结构和性能。
04
多功能化和智能化
未来的磁控溅射设备将实现多功能化和智能化，具备自动调节、远程监控、数据分析等 功能，提高设备的易用性和生产效率。
环保和可持续发展
环保和可持续发展是未来磁控溅射技术发展的重要方向，将采用更环保的材料和工艺， 降低能耗和废弃物排放。
未来研究方向和挑战
新材料和新工艺的探索
未来需要探索新的靶材、基材 以及工艺参数，以适应不同领 域和应用的需求，并提高磁控 溅射技术的性能。
关键技术参数与性能指标
溅射速率
单位时间内溅射到基片上的物 质质量或厚度，与靶材成分、 电源功率、真空度等因素相关
。
薄膜均匀性
基片上薄膜厚度的均匀程度， 受磁场分布、基片位置、溅射 角度等因素影响。
靶材利用率
靶材被有效利用的比例，与靶 材形状、磁场设计、溅射方式 等因素有关。
设备稳定性与可靠性
设备在长时间运行过程中的稳 定性和故障率，是评价设备性
06
磁控溅射技术应用实例分析
在微电子领域应用案例
薄膜晶体管（TFT）制造
利用磁控溅射技术，在玻璃或塑料基板上沉积薄膜，用于制造TFT显示器，如液晶显示屏 （LCD）和有机发光二极管（OLED）显示屏。
PVD设备及工艺简介
溅射源 圆柱靶磁铁布局及说明（图）：
a. 由于相对应靶材面不一样,圆柱靶磁铁布局相对平面靶磁铁布局要紧促的多,图中宽度 还不到平面靶的一半(50mm). b. 由于磁铁相对紧促,区域磁铁之间(之间)安装有导磁材料,既方便安装又可有效 的固定磁铁和磁路的控制. c. 圆柱靶磁铁也采用了强力磁铁(4.5Kgauss),中间区域的磁铁安装为尺寸较宽的规格,外 围区域的磁铁安装尺寸较窄的规格、区域之间磁铁极性必须保持相反,跟平面靶布局 同等原理.如图中区域磁铁磁极可为NSN,也可为SNS(根据工艺自行决定),检查时 跟平面靶一样,手持一块磁铁,根据磁铁同极相斥,异极相吸的原理,逐个单一的判定磁 铁极性是否安装错误. d. 相对圆柱靶靶材为管形,和平面靶材不一样,所以固定磁铁的磁铁座为凸形,如图中所 示.而平面靶磁座则为平面。
抽空系统 2. 技术要求: 2.1 品种规格及性能: （见右表） . 热偶计测量的是各种蒸汽 和永久气体的总压力,而麦化 计只能测出永久气体占的分 压力. . 几何抽速是根据几何尺寸 算出的抽速在大气压力时,实 际抽速与几何抽速基本相符 合,在各种不同的压力时,抽 速有一定下降. . 温升是指泵温稳定后,在 排气阀门处的油的温度与室 温之差.
溅射源 平面靶磁铁布局及说明（图）
安装磁铁过程中,外围区域的磁铁磁极必须保持一致.中间区域的磁铁磁极与外围区域磁 铁磁极必须保持相反.如图区磁铁磁极可为NSN,也可为SNS.可手挡一块磁铁,根据磁 铁同极相斥,异极相吸的原理,逐个单一的判定磁铁极性是否安装错误)。
溅射源 (二). 圆柱形磁控溅射靶 1、结构与说明（图）：
PVD设备及工艺简介
目 录
PVD设备简介 泵 靶 真空测量 真空检漏 PVD工艺简介 PVD相关概念定义 真空度量单位 磁控溅射 铂阳生产线相关工艺简介 合金靶的溅射 金属氧化物的溅射
磁控溅射原理
Making the IMPOSSIBLE possible
中频（MF）磁控溅射
15
中频交流磁控溅射可用在单个阴极靶系统中。 工业上一般使用孪生靶溅射系统。
让不可能成为可能
Making the IMPOSSIBLE possible
16
中频（MF）磁控溅射
中频交流孪生靶溅射的两个靶位上的工作波形
让不可能成为可能
Making the IMPOSSIBLE possible
磁控溅射分类
11
• 射频（RF）磁控溅射 • 直流（DC）磁控溅射 • 中频（MF）磁控溅射
让不可能成为可能
Making the IMPOSSIBLE possible
射频（RF）磁控溅射
12
右图为射频磁控溅射实验装 置示意图。
让不可能成为可能
Making the IMPOSSIBLE possible
三种磁控溅射对比
23
DC
MF
RF
电源价格
便宜
一般
昂贵
靶材
圆靶/矩形靶 平面靶/旋转靶 实验室一般用圆平面靶
靶材材质要求
导体
无限制
无限制
抵御靶中毒能力
弱
强
强
靶材利用率
15％ / 30％
30％ / 70％
应用
金属
金属/化合物 工业上不采用此法
磁控溅射原理
直流辉光放电
• 右图为直流辉光放电的发光区电位分布 及净空间电荷沿极间距的分布图。
• 靠近阴极有一明亮的发光区，称为阴极
辉光区。
• 电子在阴极暗区发生大量的电离碰撞， 正离子被加速射向阴极。但是正离子的 迁移率远低于电子的迁移率，净空间电 荷呈正值，在阴极表面附近形成一个正 离子壳层。
磁控溅射用金属及合金靶材
磁控溅射用金属及合金靶材
磁控溅射是一种新型的物理气相沉积方式，它利用电子枪系统将电子发射并聚焦在被镀的材料上，使其被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离材料飞向基片淀积成膜。
在磁控溅射中，金属及合金靶材的选择和使用是至关重要的。
常见的金属及合金靶材包括高纯度金属靶材（如铝、铜、钛等）、高熔点金属靶材（如钨、钼等）、贵金属靶材（如金、银等）以及各种合金靶材（如不锈钢、镍合金等）。
这些靶材的纯度和质量对沉积膜层的性能有着重要影响。
一般来说，高纯度靶材可以获得高纯度的沉积膜层，而合金靶材则可以获得具有特定性能的合金膜层。
在选择金属及合金靶材时，需要考虑以下因素：
1. 纯度：靶材的纯度对沉积膜层的纯度和质量有着重要影响。
一般来说，高纯度靶材可以获得高纯度的沉积膜层。
2. 密度：靶材的密度对沉积膜层的致密性和硬度有着重要影响。
一般来说，高密度靶材可以获得高致密性和硬度的沉积膜层。
3. 晶粒结构：靶材的晶粒结构对沉积膜层的结晶度和力学性能有着重要影响。
一般来说，粗晶粒靶材可以获得粗晶粒的沉积膜层，而细晶粒靶材则可以获得细晶粒的沉积膜层。
4. 抗腐蚀性：靶材的抗腐蚀性对沉积膜层的耐腐蚀性和使用寿命有着重要影响。
一般来说，耐腐蚀性好的靶材可以获得耐腐蚀性好的沉积膜层。
5. 成本：不同种类和质量的靶材成本差异较大，因此在选择靶材时需
要考虑成本因素。
总之，在选择磁控溅射用金属及合金靶材时，需要根据具体的应用需求和工艺条件进行综合考虑，选择合适的靶材以获得最佳的沉积膜层性能。
磁控溅射技术
磁控溅射技术磁控溅射原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。
氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。
二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。
磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。
电子的归宿不仅仅是基片，真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。
但一般基片与真空室及阳极在同一电势。
磁场与电场的交互作用（ E X B drift）使单个电子轨迹呈三维螺旋状，而不是仅仅在靶面圆周运动。
至于靶面圆周型的溅射轮廓，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。
磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。
在E X B shift机理下工作的不光磁控溅射，多弧镀靶源，离子源，等离子源等都在次原理下工作。
所不同的是电场方向，电压电流大小而已。
真空镀膜过程均匀性真空镀膜过程非常复杂，由于镀膜原理的不同分为很多种类，仅仅因为都需要高真空度而拥有统一名称。
所以对于不同原理的真空镀膜，影响均匀性的因素也不尽相同。
并且均匀性这个概念本身也会随着镀膜尺度和薄膜成分而有着不同的意义。
薄膜均匀性的概念：1.厚度上的均匀性，也可以理解为粗糙度，在光学薄膜的尺度上看（也就是1/10波长作为单位，约为100A），真空镀膜的均匀性已经相当好，可以轻松将粗糙度控制在可见光波长的1/10范围内，也就是说对于薄膜的光学特性来说，真空镀膜没有任何障碍。
但是如果是指原子层尺度上的均匀度，也就是说要实现10A甚至1A的表面平整，是现在真空镀膜中主要的技术含量与技术瓶颈所在，具体控制因素下面会根据不同镀膜给出详细解释。
磁控溅射镀膜靶材料
磁控溅射镀膜靶材料磁控溅射镀膜技术作为一种重要的表面修饰方法，在电子、光电、材料等领域有着广泛的应用。
而作为磁控溅射镀膜技术的核心材料——靶材，其选择和使用直接关系到溅射膜层的质量和性能。
本文将介绍磁控溅射镀膜靶材料的分类、常见材料及其特点，并讨论靶材的制备工艺和质量控制方法，旨在为磁控溅射镀膜相关科研和工业应用提供指导。
首先，磁控溅射镀膜靶材料可以按照化学性质和物理性质进行分类。
从化学性质上看，主要分为金属靶材、合金靶材和化合物靶材等。
金属靶材主要包括铜、铝、钛等，合金靶材常见的有镍铬合金、钴铬合金等，化合物靶材则包括氮化物、氧化物等。
从物理性质上看，靶材可以分为导体靶材和绝缘体靶材。
常见的磁控溅射镀膜靶材包括铝、铜、钛等金属靶材。
这些材料具有较高的导电性和良好的热稳定性，可以在真空环境下长时间稳定地发挥作用。
另外，氮化铝、二氧化硅等绝缘体靶材也广泛应用于磁控溅射镀膜领域。
绝缘体靶材的使用可以改变溅射过程中的离子束能量分布，提高溅射膜层的质量和均匀性。
靶材的制备工艺对镀膜质量及性能起着至关重要的作用。
首先，靶材的制备要求其成分纯净，无杂质。
通常采用电弧熔炼、电子束熔炼等方法制备金属靶材；而化合物靶材的制备则需要采用化学气相沉积、固相反应等特殊工艺。
其次，制备过程中要确保靶材的均匀性，避免出现微观或宏观缺陷。
同时，靶材的密度和结构也需要进行严格控制，以确保其在溅射过程中的稳定性和利用率。
为了保证磁控溅射镀膜的质量，还需要对靶材进行质量控制。
首先，靶材的表面需要进行表面处理，以去除氧化物和杂质，提高溅射效率。
其次，靶材的形状和尺寸需要进行严格控制，以确保靶材与阴极的匹配度和镀膜的均匀性。
最后，溅射过程中需要监测靶材的损耗情况，及时更换和调整靶材，以保证膜层的一致性和稳定性。
综上所述，磁控溅射镀膜靶材是影响溅射膜层质量和性能的重要因素。
不同的靶材具有不同的特点和适用范围，其制备和质量控制工艺也需要注意。
PVD设备及工艺简介
学习改变命运,知 识创造未来
PVD设备及工艺简介
抽空系统
1.2 设计特点: 1.2.1 送气方向垂直由上向下. 1.2.2 在较宽的压力范围内有较大的抽速. 1.2.3 起动快. 1.2.4 对被抽气体中含有粉尘和水蒸气不敏感. 1.2.5 泵腔内无油,可获得清洁真空. 1.2.6 驱动功率小,运转维护费用低.
学习改变命运,知 识创造未来
PVD设备及工艺简介
抽空系统 3.结构及说明:
学习改变命运,知 识创造未来
PVD设备及工艺简介
抽空系统
学习改变命运,知 识创造未来
PVD设备及工艺简介
抽空系统
注:
1.齿轮箱
2.端板
5.从动转子
6.支撑架
9.压盖
10.甩油盘
13.封套
14.减压阀
17.排气口托环 18.轴承1
如被抽除的气体中含有较高的蒸汽气体时,在气体受到压缩而其蒸汽的分压强超过此蒸 汽在泵内温度下的饱和压力时,此时蒸汽被压缩成为液体,真空泵无法排出而混在真空油 内,使泵的性能大大降低,如果掺入适量的空气,使蒸汽在受到压缩时其分压力也低于泵温 时的饱和压力,则蒸汽在变成液体前就能被排出泵外去,故本系列2X-1以上的泵都装有能 放入一定量气体的掺气阀11(见下图)。
识创造未来
PVD设备及工艺简介
抽空系统
（2）.涡轮分子泵
涡轮分子泵输送气体 应满足二个必要条件:
1）. 涡轮分子泵必须 在分子流状态下工作 。 2）. 分子泵的转子叶 片必须具有与气体分 子速度相近的线速度 。
学习改变命运,知 分子泵的转速越高
识创造未来
PVD设备及工艺简介
抽空系统
(3).复合分子泵
学习改变命运,知 识创造未来
材料表面工程_ 物理气相沉积与磁控溅射_
Materials Surface Engineering 材料表面工程
第1章气相沉积技术与磁控溅射
第七章气相沉积技术
一、气相沉积技术及其分类
气相沉积技术是近年来迅速发展的表面技术，它利用气相在各种材料或制品的表面进行沉积，制备单层或多层薄膜，使材料或制品获得所需的各种优异性能。
该技术也被称为“干镀”，主要分PVD 和CVD ：物理气相沉积（Physical Vapor Deposition ）化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition ）等离子化学气相沉积（Plasma Chemical Vapor Deposition ）气相沉积技术
（1）物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）：是在真空条件下，采用各种物理方法，将固态的镀料转化为原子、分子或离子态的气相物质后，再沉积于基体表面从而形成固体薄膜的一类薄膜制备方法。
（2）化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）：把还有构成薄膜元素的一种或几种化合物、单质气体提供给基体，借助气相作用或基体表面上的化学作用形成薄膜。
（3）兼具二者优势的等离子化学气相沉积（ＰＣＶＤ）
气相沉积的特点
①气相沉积的环境为密闭的高真空环境，原料的转化率高，
减少材料的浪费。
②气相沉积可降低来自空气的污染，所得的沉积膜纯度高。
③能在低温条件下制备高熔点物质。
④便于制备多层复合膜，层状复合材料和梯度材料。
成
具
机械零件
塑料模具
冲压模具
汽
车工业︱发动机零
件。
磁控溅射靶靶型分类
磁控溅射靶靶型分类发布时间：2010-11-11磁控溅射靶靶型分类靶型开发的历程大致如下：首先开发的是轴状靶→圆盘形平面靶→S-枪→矩形平面靶→各种异形靶→对靶或孪生靶→靶面旋转的圆柱靶→靶-弧复合靶→……，目前应用最广泛的是矩形平面靶，未来最受关注的是旋转圆柱靶和靶-弧复合靶。
同轴圆柱形磁控溅射在溅射装置中该靶接500-600V的负电位，基片接地、悬浮或偏压，一般构成以溅射靶为阴极、基片为阳极的对数电场和以靶中永磁体提供的曲线形磁场。
圆柱形磁控溅射靶的结构1—水咀座；2—螺母；3—垫片；4—密封圈；5—法兰；6—密封圈；7—绝缘套；8—螺母；9—密封圈；10—屏蔽罩；11—密封圈；12—阴极靶；13—永磁体；14—垫片；15—管；16—支撑；17—螺母；18—密封圈；19—螺帽圆柱形磁控溅射靶的磁力线在每个永磁体单元的对称面上，磁力线平行于靶表面并与电场正交。
磁力线与靶表面封闭的空间就是束缚电子运动的等离子区域。
在异常辉光放电中，离子不断地轰击靶表面并使之溅射，而电子如下图那样绕靶表面作圆周运动。
在圆柱形阴极与同轴阳极之间发生冷阴极放电时的电子迁移简图平面磁控溅射圆形平面磁控溅射圆形平面靶采用螺钉或钎焊方式紧紧固定在由永磁体（包括环形磁铁和中心磁柱）、水冷套和靶外壳等组成的阴极体上。
如下图所以结构：圆形平面磁控溅射靶的结构1—冷却水管；2—轭铁；3—真空室；4—环形磁铁；5—水管；6—磁柱；7—靶子；8—螺钉；9—压环；10—密封圈；11—靶外壳；12—屏蔽罩；13—螺钉；14—绝缘垫；15—绝缘套；16—螺钉通常，溅射靶接500-600V负电压；真空室接地；基片放置在溅射靶的对面，其电位接地、悬浮或偏压。
因此，构成基本上是均匀的静电场。
永磁体或电磁线圈在靶材表面建立如下图的曲线形静磁场：圆形平面磁控靶的磁力线1—阴极；2—极靴；3—永久磁铁；4—磁力线该磁场是以圆形平面磁控靶轴线为对称轴的环状场。
pvd磁控溅射靶结构
pvd磁控溅射靶结构
PVD（Physical Vapor Deposition）磁控溅射是一种常用的薄膜制备技术。
在PVD磁控溅射过程中，通过在真空环境中加热靶材并施加外加磁场，使靶材表面的原子或分子获得足够的能量，从而击打到基底材料上，形成薄膜。
而溅射靶结构是指用于溅射的靶材的组成和特点。
一般来说，PVD磁控溅射靶结构主要包括靶材、靶材支撑和背板。
靶材是溅射过程中主要提供薄膜材料的源头，通常由金属或合金制成。
靶材支撑是支撑靶材的结构，可以保证靶材在溅射过程中的稳定性和位置准确度。
背板则是提供支撑及电流引入的基础。
在PVD磁控溅射过程中，通过在靶材上施加直流或脉冲电压，并在靶材周围施加外加磁场，使靶材表面的原子或分子被击打出来并沉积在基底材料上，形成所需的薄膜。
总体而言，PVD磁控溅射靶结构的设计和选择取决于所需薄膜材料的性质、溅射工艺参数以及应用要求等因素。
具体的靶结构可以根据具体需求进行优化和调整，以获得所需的薄膜性能。
磁控溅射矩形靶材尺寸
磁控溅射矩形靶材尺寸
磁控溅射是一种常用的薄膜制备技术，通过磁场控制离子束的轨迹，使得金属靶材表面的原子或分子得以蒸发并沉积在基底上，形成一层薄膜。
矩形靶材尺寸在磁控溅射中起到了非常重要的作用。
磁控溅射靶材的形状通常有一些标准的尺寸，如矩形、圆形等，而矩形靶材较为常见。
对于磁控溅射矩形靶材的尺寸，通常会涉及到以下几个方面的考虑：
1.靶材大小：磁控溅射靶材的尺寸决定了溅射过程中靶材表面暴露的面积，也决定了薄膜形成速率和均匀性。
从实际应用的角度来看，矩形靶材的尺寸可以根据具体的需求进行选择，一般会根据基底尺寸、薄膜厚度等因素来确定。
2.靶材比例：在制备薄膜过程中，靶材的形状和尺寸会对膜层的成分和均匀性产生影响。
为了保持溅射过程的稳定和薄膜的均匀性，磁控溅射靶材的比例尽量保持合适的长宽比。
通常情况下，矩形靶材的长宽比可以在1:1到3:1之间选择。
3.溅射功率：矩形靶材的尺寸还会对溅射过程中的功率分布产生影响。
在溅射过程中，较大的靶材尺寸往往需要更高的溅射功率来保持恒定的薄膜生长速率。
因此，在选择矩形靶材尺寸时需要考虑到实际的溅射设备能够提供的功率范围。
总之，矩形靶材的尺寸在磁控溅射中具有重要的意义。
实际的选择应该根据基底要求、设备性能和薄膜特性等因素进行综
合考虑。
同时，为了确保薄膜的均匀性和稳定性，还需要注意靶材的比例和溅射功率的选择。
溅射靶材说明
溅射靶材说明磁控溅射镀膜是一种物理气相镀膜方式，现技术已较为成熟，主要应用于以下领域：装饰薄膜靶材，建筑玻璃、汽车玻璃、低辐射玻璃，平面显示器，光通讯/光学工业，光数据存储工业，光数据存储工业，磁数据存储工业。
一、磁控溅射原理在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为Ar氩气)，永久磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。
在电场的作用下，Ar气电离成正离子和电子，靶上加有一定的负高压，从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大，在阴极附近形成高密度的等离子体，Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，以很高的速度轰击靶面，使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。
磁控溅射一般分为二种：支流溅射和射频溅射，其中支流溅射设备原理简单，在溅射金属时，其速率也快。
而射频溅射的使用范围更为广泛，除可溅射导电材料外，也可溅射非导电的材料，同时还司进行反应溅射制备氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。
若射频的频率提高后就成为微波等离子体溅射，目前常用的有电子回旋共振(ECR)型微波等离子体溅射。
二、磁控溅射镀膜靶材按照形状分可分为圆片靶，圆柱靶，台阶圆靶，矩形靶，薄片靶，台阶片靶，环状靶，管状靶。
按照材质可分为：金属靶材、合金靶材、陶瓷靶材等。
材料的纯度按照需求，可从99.9%到99.999%。
详细资料可参考(/Cn/Cn_Sputtering_Target.html)三、晶方使用靶材AlCu4 Target现使用的是铝铜合金靶材，供应商为瑞士Umicore ，主要成分为纯度为99.9995%的铝（96%）和铜（4%）。
应用在半导体硅晶片的真空射频溅镀制程，使用设备为瑞士Oerlicon 公司LLS EVO II Sputtering System 。
作用是在硅晶片表面利用铝铜进行镀层，以便制作导电线路，连结和导通CMOS 芯片pad 与表面锡球。
圆柱形平面式磁控溅射靶的特点与设计原理
圆柱形平面式磁控溅射靶的特点与设计原理作者：admin来源：本站发表时间：2010-2-2 9:49:13点击：2557磁控溅射膜常见故障的排除膜层灰暗及发黑(1)真空度低于0.67Pa。
应将真空度提高到0.13-0.4Pa。
(2)氩气纯度低于99．9％。
应换用纯度为99．99％的氩气。
(3)充气系统漏气。
应检查充气系统，排除漏气现象。
(4)底漆未充分固化。
应适当延长底漆的固化时间。
(5)镀件放气量太大。
应进行干燥和封孔处理膜层表面光泽暗淡(1)底漆固化不良或变质。
应适当延长底漆的固化时间或更换底漆。
(2)溅射时间太长。
应适当缩短。
(3)溅射成膜速度太快。
应适当降低溅射电流或电压膜层色泽不均(1)底漆喷涂得不均匀。
应改进底漆的施涂方法。
(2)膜层太薄。
应适当提高溅射速度或延长溅射时间。
(3)夹具设计不合理。
应改进夹具设计。
(4)镀件的几何形状太复杂。
应适当提高镀件的旋转速度膜层发皱、龟裂(1)底漆喷涂得太厚。
应控制在7—lOtan厚度范围内。
(2)涂料的粘度太高。
应适当降低。
(3)蒸发速度太快。
应适当减慢。
(4)膜层太厚。
应适当缩短溅射时间。
(5)镀件温度太高。
应适当缩短对镀件的加温时间膜层表面有水迹、指纹及灰粒(1)镀件清洗后未充分干燥。
应加强镀前处理。
(2)镀件表面溅上水珠或唾液。
应加强文明生产，操作者应带口罩。
(3)涂底漆后手接触过镀件，表面留下指纹。
应严禁用手接触镀件表面。
(4)涂料中有颗粒物。
应过滤涂料或更换涂料。
(5)静电除尘失效或喷涂和固化环境中有颗粒灰尘。
应更换除尘器，并保持工作环境的清洁膜层附着力不良(1)镀件除油脱脂不彻底。
应加强镀前处理。
(2)真空室内不清洁。
应清洗真空室。
值得注意的是，在装靶和拆靶的过程中，严禁用手或不干净的物体与磁控源接触，以保证磁控源具有较高的清洁度，这是提高膜层结合力的重要措施之一。
(3)夹具不清洁。
应清洗夹具。
(4)底涂料选用不当。
应更换涂料。
(5)溅射工艺条件控制不当。
磁控溅射
磁控溅射技术摘要: 可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。
直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧密接触的阴极，从而该方法只能溅射导体材料，不适于绝缘材料，因为轰击绝缘靶材时表面的离子电 ...可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。
直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧密接触的阴极，从而该方法只能溅射导体材料，不适于绝缘材料，因为轰击绝缘靶材时表面的离子电荷无法中和，这将导致靶面电位升高，外加电压几乎都加在靶上，两极间的离子加速与电离的机会将变小，甚至不能电离，导致不能连续放电甚至放电停止，溅射停止。
故对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材，须用射频溅射法（RF）。
溅射过程中涉及到复杂的散射过程和多种能量传递过程：首先，入射粒子与靶材原子发生弹性碰撞，入射粒子的一部分动能会传给靶材原子，某些靶材原子的动能超过由其周围存在的其它原子所形成的势垒(对于金属是5-10eV)，从而从晶格点阵中被碰撞出来，产生离位原子，并进一步和附近的原子依次反复碰撞，产生碰撞级联。
当这种碰撞级联到达靶材表面时，如果靠近靶材表面的原子的动能大于表面结合能(对于金属是1-6eV)，这些原子就会从靶材表面脱离从而进入真空。
溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。
通常，利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。
阴极靶由镀膜材料制成，基片作为阳极，真空室中通入0.1-10Pa的氩气或其它惰性气体，在阴极(靶)1-3KV直流负高压或13.56MHz的射频电压作用下产生辉光放电。
电离出的氩离子轰击靶表面，使得靶原子溅出并沉积在基片上，形成薄膜。
目前溅射方法很多，主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。
由于被溅射原子是与具有数十电子伏特能量的正离子交换动能后飞溅出来的，因而溅射出来的原子能量高，有利于提高沉积时原子的扩散能力，提高沉积组织的致密程度，使制出的薄膜与基片具有强的附着力。
磁控溅射金属靶刻蚀区表面形貌及其溅射机理研究_概述说明
磁控溅射金属靶刻蚀区表面形貌及其溅射机理研究概述说明1. 引言1.1 概述磁控溅射技术是一种常用的表面处理方法，能够在材料表面形成高质量的薄膜。
通过利用磁场控制离子在真空环境中的运动轨迹，使其沉积到靶材上并溅射到基底表面，实现阳极溅射蚀刻作用。
本文主要研究了磁控溅射过程中金属靶刻蚀区的表面形貌及其溅射机理。
1.2 文章结构本文分为五个部分。
引言部分对文章的背景和目标进行简要介绍。
第二部分将重点研究磁控溅射金属靶刻蚀区表面形貌，在此基础上进行表面粗糙度和结构分析，并利用原子力显微镜观察结果进行深入解读。
第三部分将着重讨论磁控溅射金属靶的溅射机理，包括溅射过程、靶材与基底之间的相互作用以及溅射粒子动能和射流传输机制。
第四部分将根据所得结果展开讨论，解释表面形貌和结构分析结果，并对溅射机理与蚀刻区域之间的相关性进行探讨。
最后一部分是结论与展望，总结本文的研究成果并提出未来研究方向和建议。
1.3 目的本文旨在通过对磁控溅射金属靶刻蚀区表面形貌及其溅射机理的研究，深入了解该技术在材料加工过程中的表现和影响因素，并为优化工艺参数以实现更高质量薄膜的制备提供依据。
通过分析结果可帮助了解磁控溅射技术在微电子器件、光学涂层等领域中的应用潜力，并为进一步改善工艺提供新思路。
2. 磁控溅射金属靶刻蚀区表面形貌研究2.1 蚀刻区域特征分析在磁控溅射金属靶中，蚀刻区域是指溅射过程中被离子束轰击并发生材料剥离的地方。
该部分的表面形貌变化受多种因素的影响，如离子束能量、角度、镀膜条件等。
为了了解蚀刻区域的特征，我们对不同参数下得到的样品进行了详细分析。
首先，通过光学显微镜观察发现，蚀刻区域呈现出一定的粗糙度和颗粒状结构，并且表面质量较基底有所降低。
这可能是由于离子束轰击导致的原子排列改变和微观结构损伤所引起的。
其次，通过扫描电子显微镜（SEM）观察到，在高倍放大下可以看到更为详细的表面形貌特征。
蚀刻区域常常呈现出不规则、凹凸不平的特点，并具有一定数量和大小的坑洞。
磁控溅射
2. 陶瓷靶材
ITO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶，、二氧化铪靶，二硼化钛靶，二硼化锆靶，三氧化钨靶，三氧化二铝靶五氧化二钽，五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、硒化锌靶、氮化铝靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化钛靶，碳化硅靶，铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶、溅射靶材等。
溅射过程中涉及到复杂的散射过程和多种能量传递过程：首先，入射粒子与靶材原子发生弹性碰撞，入射粒子的一部分动能会传给靶材原子，某些靶材原子的动能超过由其周围存在的其它原子所形成的势垒(对于金属是5-10eV)，从而从晶格点阵中被碰撞出来，产生离位原子，并进一步和附近的原子依次反复碰撞，产生碰撞级联。当这种碰撞级联到达靶材表面时，如果靠近靶材表面的原子的动能大于表面结合能(对于金属是1-6eV)，这些原子就会从靶材表面脱离从而进入真空。
பைடு நூலகம்特点
利用外加磁场捕捉电子，延长和束缚电子的运动路径，搞高离化率，增加镀膜速率。
1)溅射粒子(主要是原子，还有少量离子等)的平均能量达几个电子伏，比蒸发粒子的平均动能kT高得多(3000K蒸发时平均动能仅0.26eV)，溅射粒子的角分布与入射离子的方向有关。(2)入射离子能量增大(在几千电子伏范围内)，溅射率(溅射出来的粒子数与入射离子数之比)增大。入射离子能量再增大，溅射率达到极值；能量增大到几万电子伏，离子注入效应增强，溅射率下降。(3)入射离子质量增大，溅射率增大。(4)入射离子方向与靶面法线方向的夹角增大，溅射率增大(倾斜入射比垂直入射时溅射率大)。(5)单晶靶由于焦距碰撞(级联过程中传递的动量愈来愈接近原子列方向)，在密排方向上发生优先溅射。(6)不同靶材的溅射率很不相同。
真空磁控溅射技术
真空磁控溅射技术真空磁控溅射技术磁控溅射是目前应用最广泛的一种溅射沉积方法。
它是在二极直流溅射的基础上，在靶表面附近增加一个磁场。
电子由于受电场和磁场的作用，做螺旋运动，大大提高了电子的寿命，增加了电离产额，从而放电区的电离度提高，即离子和电子的密度增加。
放电区的有效电阻变小，电压下降。
另外放电区集中在靶表面，放电区中的离子密度高，所以入射到靶表面的离子密度大大提高，因而溅射产额大大增加。
也就是磁场控制溅射方式。
所谓溅射(sputtering)是指被加速的正离子轰击阴极（靶）表面时，将自身的能量传给阴极表面的原子，原子离开阴极沉积在基体上。
是动量传递过程。
利用溅射现象沉积薄膜的技术称溅射沉积技术。
溅射理论：公认的是碰撞理论，入射离子与固体表面原子发生弹性碰撞后，将其中一部分能量给了原子，该原子的动能超过它与其他原子形成的势垒（对金属约5--10ev)时，原子就会从晶格点阵碰出，形成离位原子，又与其他附近原子发生反复碰撞--联级碰撞。
当原子动能超过结合能（1--6ev)时，原子离开表面进入真空室沉积在设置的基体上，形成薄膜。
入射正离子轰击固体表面后除产生原子外，还有其他现象产生，主要是原子和电子。
原子沉积在基体上形成薄膜，电子用来维持辉光放电的继续。
产生原子的多少用溅射产额（S)表示。
一、溅射产额及其影响因素溅射产额--单位离子入射到表面后产生的原子数，单位：原子数/离子，也叫溅射率或溅射系数。
决定阴极被剥离的速度，并在很大程度上决定薄膜的沉积速率。
溅射产额与入射离的能量、质量、种类、入射角度及被溅材料的种类有关。
1、溅射产额与入射离子的关系：1）与入射离子种类的关系：对于同一种被溅材料，当轰击离子的质量增加时，溅射产额随之增加，而且最大溅射产额出现在周期表惰性气体上；2）与入射离子能量的关系：在入射离子的能量很低的一个范围内，没有或者几乎没有溅射发生，随着离子能量的增加，溅射产额也增加，当能量继续增加超过某一个值时，溅射产额不但不增加反而还要下降（S=0时的最高能量称为溅射的域值能量，一般为10--30ev）；3）与离子入射角的关系：当入射角从0°（离子垂直入射到靶面）逐渐增加时，最初的溅射产额（S)也随之增加，当达到某一值（Al为75°）时，S达到最大，角度再增加S反而下降，至90°时，溅射产额下降到零。
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磁控溅射靶靶型分类
发布时间：2010-11-11
磁控溅射靶靶型分类
靶型开发的历程大致如下：首先开发的是轴状靶→圆盘形平面靶→S-枪→矩形平面靶→各种异形靶→对靶或孪生靶→靶面旋转的圆柱靶→靶-弧复合靶→……，目前应用最广泛的是矩形平面靶，未来最受关注的是旋转圆柱靶和靶-弧复合靶。
同轴圆柱形磁控溅射
在溅射装置中该靶接500-600V的负电位，基片接地、悬浮或偏压，一般构成以溅射靶为阴极、基片为阳极的对数电场和以靶中永磁体提供的曲线形磁场。
圆柱形磁控溅射靶的结构
1—水咀座；2—螺母；3—垫片；4—密封圈；5—法兰；6—密封圈；
7—绝缘套；8—螺母；9—密封圈；10—屏蔽罩；11—密封圈；12—阴极靶；
13—永磁体；14—垫片；15—管；16—支撑；17—螺母；18—密封圈；19—螺
帽
圆柱形磁控溅射靶的磁力线
在每个永磁体单元的对称面上，磁力线平行于靶表面并与电场正交。
磁力线与靶表面封闭的空间就是束缚电子运动的等离子区域。
在异常辉光放电中，离子不断地轰击靶表面并使之溅射，而电子如下图那样绕靶表面作圆周运动。
在圆柱形阴极与同轴阳极之间发生冷阴极放电时的电子迁移简图
平面磁控溅射
圆形平面磁控溅射
圆形平面靶采用螺钉或钎焊方式紧紧固定在由永磁体（包括环形磁铁和中心磁柱）、水冷套和靶外壳等组成的阴极体上。
如下图所以结构：
圆形平面磁控溅射靶的结构
1—冷却水管；2—轭铁；3—真空室；4—环形磁铁；5—水管；6—磁柱；
7—靶子；8—螺钉；9—压环；10—密封圈；11—靶外壳；12—屏蔽罩；
13—螺钉；14—绝缘垫；15—绝缘套；16—螺钉
通常，溅射靶接500-600V负电压；真空室接地；基片放置在溅射靶的对面，其电位接地、悬浮或偏压。
因此，构成基本上是均匀的静电场。
永磁体或电磁线圈在靶材表面建立如下图的曲线形静磁场：
圆形平面磁控靶的磁力线
1—阴极；2—极靴；3—永久磁铁；4—磁力线
该磁场是以圆形平面磁控靶轴线为对称轴的环状场。
从而实现了电磁场的正交和对等离子体区域的封闭的磁控溅射所必备的条件。
由磁场形状决定了异常辉光放电等离子区的形状，故而决定了靶材刻蚀区是一个与磁场形状相对称的圆环，其形状如下图：
圆形平面靶刻蚀形状
冷却水的作用是控制靶温以保证溅射靶处于合适的冷却状态。
温度过高将引起靶材熔化，温度过低则导致溅射速率的下降。
屏蔽罩的设置，是为了防止非靶材零件的溅射，提高薄膜纯度。
并且该屏蔽罩接地，还能起着吸收低能电子的辅助阳极的作用。
其位置，可以通过合理设计屏蔽罩与阴极体之间的间隙来确定，其值应小于二次电子摆线轨迹的转折点距离d t,一般≤3mm。
磁控溅射的磁场时由磁路结构和永久磁体的剩磁（或电磁线圈的安匝数）所决定的。
最终表现为溅射靶表面的磁感应强度B的大小及分布。
通常，圆形平面磁控溅射靶表面磁感应强度的平行分量B1为0.02-0.05T，其较好值为0.03T左右。
因此，无论磁路如何布置，磁体如何选材，都必须保证上述B1要求。
矩形平面磁控溅射靶
一个典型的矩形平面靶断面结构图
其结构与圆形平面磁控溅射靶基本相同，只是靶材是矩形的而不是圆形平面。
其磁力线形状见下图：
矩形平面磁控溅射靶的磁力线
磁体布局
磁体的布局直接影响溅射靶的刻蚀均匀程度和沉积膜厚均匀性。
为了改进该均匀性，可采用下图所示磁体布局：
矩形阴极改进了沉积膜厚度分布后的磁铁排布情况：
（a）—双环；（b）—带隙磁铁；注明了实验测定的均匀度可见，矩形平面磁控溅射靶的两个端部是刻蚀和膜厚分布不均匀问题最严重的部位。
其原因是端部磁场不均匀并与中部存在着差异。
因此，保证磁路的长宽比大于3，基片应沿矩形靶的宽度方向运动或矩形靶加长使其端部位于基片之外。
靶材的安装
安装方式分直接水冷和间接水冷两种形式。
采用间接水冷，为了保证靶材的冷却效果，应将其紧紧压在水冷背板上，为此，压框与水冷却背板得间隙y必须大于0.5mm。
我们一般采用的是在靶材上开螺钉孔，直接用螺钉将靶材连接到水冷背板上，为了使传热效果更好，在两者之间压一层薄薄的石墨纸。
此外，也可以采用钎焊技术将靶材焊接在水冷背板上。
安装形式如下图：
靶材冷却型式
（a）—直接冷却；（b）—间接冷却；
1—压框；2—靶材；3—背板；4—密封圈；5—冷却水；6—阴极体
靶材刻蚀区域
对比如下两图：
平面磁控溅射的工作特性
）电压、电流及气压的关系：通常，平面磁控溅射的工作条件为阴极电压300-600V、电流密度4-60mA /cm2、氩气压力0.13-1.3Pa、功率密度1-36W/cm2。
（a）—各种气压下, 矩形平面磁控阴极的电流——电压特性
（b）—恒定的阴极平均电流密度数值下，阴极电压与气压的关系
）沉积速率
沉积速率是表征成膜速度的物理量，其值与溅射速率成正比。
由于溅射靶的不均匀溅射和基片的运动方式决定了薄膜沉积的不均匀性。
平面磁控溅射的基片运动方式
（a）—行星运动；（b）—有小孔屏蔽极的平面运动；
（c）—鼓形转动；（d）—直线运动
因此，一般以膜的平均厚度除以沉积时间所定义的平均沉积速率（nm/min）来表征沉积速率。
平均沉积速率与溅射靶的功率密度（W/cm2）的比值称为功率效率。
在靶尺寸、磁路及功率密度一定时，沉积速率将随着靶材变化。
对于非铁磁性材料，该变化是由于溅射率
的差别而引起的。
下表列出了600eV离子能量的溅射速率：
气体压力对平面磁控溅射沉积速率的影响如下图：
可见，对于具体的溅射装置和溅射条件，有一个最佳的气体压力值。
为尽可能地提高沉积速率，基片应尽量靠近溅射靶，但必须保证稳定地异常辉光放电。
通常，其最小间距为5-7cm。
最大功率密度是限制沉积速率的另一个主要因素。
综上所述，溅射靶刻蚀区尺寸及其功率密度、靶-基距、靶材、气压、磁路及磁物等参数均是影响沉积速率的因素。
溅射靶的热学特性和机械特性则是限制最大沉积速率的因素。