半导体器件可靠性与测试和主要研究内容
绪论-半导体器件可靠性物理
•金铝合金 •管腿腐蚀
•电迁移
•管腿损伤
•铝腐蚀
•漏气
•铝划伤
•外来物引起漏短路
•铝缺口
•绝缘珠裂缝
•台阶断铝 •标志不清
•过电应力烧毁
• 键合缺陷引起的失效：键合颈部损伤、键合强度不够、键合面沾污金－铝合金、
键合位置不当、键合丝损伤、键合丝长尾、键合应力过大损伤硅片。
• 表面劣化机理：钠离子沾污引起沟道漏电、辐照损伤，表面击穿、表面复合引
课程的重点
绪论
是什么？ 干什么？ 为什么学？ 学什么？
绪论
半导体可靠性物理学
产生过程
产生背景
其产生与其他边缘性学科(例如，环境工程学，系统工程学， 生物工程学)一样，是科学技术发展的必然。随着电子系统的
发展，其复杂性和可靠性成了尖锐的矛盾，系统越复杂，所用 元器件越多，失效的概率就越大，即可靠性越不易保证。
绪论
主要的失效机理
指器件失效的实质原因。即引起器件失效的物理或化学过程。
设计问题引 起的缺陷
体内退化 机理
氧化层 缺陷
金属化系 统退化
封装退化 机理
•版图 •工艺方案 •电路和结构
•二次击穿 •CMOS闩锁效应 •中子辐射损伤 •重金属沾污 •材料缺陷
•针孔 •厚度不均匀 •接触孔钻蚀 •介质击穿等
两个概念
研究领域和任务
强调两个概念：器件的失效和退化
在目前许多的文献中，二者是等效的。但严格地讲，二者有区别。
共同之处：器件特性偏离了正常指标
不同之处：失效－更强调出现不正确的器件、电路 功能
本课程中，二者可互相替换。
绪论
半导体可靠性物理学
研究领域、研究任务
半导体可靠性实验项目
半导体可靠性实验项目概述半导体可靠性实验项目是一个重要的研究领域，旨在评估和验证半导体器件在长时间运行和不同环境条件下的可靠性。
通过该实验项目，我们可以获取半导体器件的寿命、故障率以及在各种应力条件下的性能指标。
这些数据对于半导体产品的生产和使用具有重要意义，可以帮助制造商改进产品设计和制造工艺，提高产品的质量和可靠性。
实验目的该实验项目的主要目的是通过测试和分析来评估半导体器件的可靠性，具体目标包括：1. 了解半导体器件的寿命特性；2. 评估半导体器件在不同环境条件下的可靠性；3. 分析半导体器件的故障率以及故障模式。
实验内容半导体可靠性实验项目的内容主要包括以下几个方面： 1.试验准备：确定实验所需的半导体器件和测试设备，并准备相关的试验方案和流程。
2. 加速寿命试验：将半导体器件放置在高温、高湿、高电压等应力环境下进行长时间运行，记录器件的运行时间和性能变化。
3. 温度循环试验：将半导体器件在高温和低温之间进行循环变温，观察其在温度变化过程中的性能表现和故障情况。
4. 电压应力试验：在给定电压条件下，对半导体器件进行长时间稳定运行，记录器件的故障率和性能变化。
5. 湿度应力试验：将半导体器件置于高湿度环境中，观察其性能变化和故障情况。
6. 试验数据分析：对实验过程中获得的数据进行统计和分析，绘制可靠性曲线、寿命曲线等，评估半导体器件的可靠性指标。
实验步骤1.确定要测试的半导体器件的型号和数量，并选取适当的测试设备。
2.按照实验方案和流程进行试验准备工作，包括清洁和校准设备，搭建测试电路，设置参数等。
3.进行加速寿命试验，将半导体器件置于高温、高湿、高电压等应力环境下运行，记录器件的运行时间和性能变化。
4.进行温度循环试验，将半导体器件在高温和低温之间进行循环变温，观察其性能表现和故障情况。
5.进行电压应力试验，对半导体器件进行长时间稳定运行，记录器件的故障率和性能变化。
6.进行湿度应力试验，将半导体器件置于高湿度环境中，观察其性能变化和故障情况。
半导体技术的关键指标与性能评估方法
半导体技术的关键指标与性能评估方法在当今的科技领域，半导体技术被广泛应用于各个领域，包括通信、电子设备、能源、医疗等。
为了确保半导体产品的质量和性能，在开发和生产过程中，我们需要关注一些关键指标和使用适当的性能评估方法。
本文将介绍一些常见的关键指标和性能评估方法，以帮助读者更好地理解和应用半导体技术。
一、关键指标1. 器件尺寸：半导体器件尺寸是衡量其性能和功能的重要指标之一。
通常使用纳米单位（nm）来表示器件的尺寸，如纳米级晶体管（NMOS）和互补金属氧化物半导体（CMOS）等。
2. 衰减系数：衰减系数是指半导体材料在电磁波传输过程中对信号强度的减弱程度。
衰减系数越小，半导体器件的信号传输能力越好。
3. 效率：半导体器件的效率决定了其能量转换的效率。
在太阳能电池和发光二极管（LED）等应用中，高效率是一个重要的考虑因素。
4. 噪声：噪声是指在半导体器件中产生的干扰信号。
噪声水平对于电子设备的性能和可靠性起着重要的影响。
二、性能评估方法1. 电性能测试：电性能测试是评估半导体器件的主要方法之一。
通过测量器件的电阻、电容、电流和电压等参数，可以评估其电气特性和性能。
2. 温度测试：温度是影响半导体器件性能的重要因素之一。
通过在不同温度下对器件进行测试，可以评估其在不同条件下的工作性能和稳定性。
3. 可靠性测试：可靠性测试用于评估半导体器件的寿命和可靠性。
常见的可靠性测试方法包括加速寿命测试和热循环测试等。
4. 光谱测试：光谱测试是评估光学性能的一种方法。
通过测量器件在不同波长下的反射、透射和发射等光学性能，可以评估其在光学应用中的性能。
三、结论本文介绍了半导体技术的关键指标和性能评估方法。
了解和应用这些指标和方法对于开发和生产高质量的半导体产品至关重要。
通过电性能测试、温度测试、可靠性测试和光谱测试等方法，我们能够全面评估半导体器件的性能和可靠性，确保其在各个领域中的应用效果。
希望本文能为读者提供有益的信息，促进半导体技术的发展和应用。
浅谈半导体集成电路可靠性测试及数据处理方法
浅谈半导体集成电路可靠性测试及数据处理方法发表时间：2018-05-28T16:38:58.417Z 来源：《基层建设》2018年第8期作者：董英伟[导读] 摘要：集成电路是半导体器件中较为重要的一类，使用集成电路的电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。
恩智浦半导体（中国）有限公司天津 300385摘要：集成电路是半导体器件中较为重要的一类，使用集成电路的电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。
随着集成电路的发展和应用，对其的使用要求也在逐渐提高。
现在要求集成电路能够在高温、高压、高频、辐射强以及大功率的环境正常运行。
因此，对半导体集成电路可靠性测试也成了很重要的一部分。
本文对半导体集成电路可靠性进行分析，进而探讨了半导体集成电路可靠性测试以及数据的处理方法。
关键词：半导体集成电路；可靠性测试；数据处理一、半导体集成电路可靠性分析1.半导体可靠性集成电路是半导体构件中十分重要的组成部分，现在的集成电路具有高效率、低能耗、高精度等特点，集成度也有了明显的提高。
对于集成电路的研究尺寸渐渐趋向小工艺特点，提升构件二维效应进而提高内部的电流与电场密度，提升电路性敏感性。
伴随着集成电路的研发，能够应用在恶劣环境下，可以应对高温、高压、高频条件下，半导体集成电路可靠性问题日益显著。
2.集成电路技术可靠性评级和控制在产品提高可靠性的过程中，可以采取的主要措施和途径之一就是对制造工艺可靠性的研究，这也是研究产品可靠性的重要环节。
控制与评价技术的可靠性分析利用了较高的技术可靠性，这样为原产品可靠性提供了保障，成为分析的落脚点。
技术分析中，关于有关失效机理在各种状态下设置微电子检测结构，同时展开加速度检测确保得出有关数据。
检测结构中将产品可靠性标准与其标准之问的关系连接在一起，进行技术可靠性判定。
讨论分析中，载体利用的集成电路生产线来源于国内控制，在集成电路生产线前提下展开适用可靠性与评价形式分析。
半导体测试原理
半导体测试原理
半导体测试是一种评估半导体器件性能和可靠性的方法。
它通过对半导体器件进行一系列电学和物理测试，来确定其工作状态和质量特征。
半导体测试的主要目的是确保器件能够按照设计要求进行正常工作，并且能够在预期的环境下长时间稳定运行。
半导体测试通常包括以下几个方面：
1. 电学测试：这是半导体测试的核心部分。
通过对器件进行电流、电压、功率等电学参数的测量，可以评估器件的功能性能。
例如，通过测试电流特性，可以确定器件的静态和动态功耗；通过测试电压特性，可以了解器件的工作电压范围等。
2. 功能测试：这种测试主要是为了验证器件是否按照设计要求实现了各项功能。
这些功能可能包括逻辑门、存储器单元、模拟电路等。
通过输入特定的电信号，并观察输出信号，以确定器件是否正确执行了所需的功能。
3. 可靠性测试：这种测试用于评估器件在长时间使用和不同环境下的可靠性。
常见的可靠性测试包括温度循环测试、湿度测试、电热老化等。
通过模拟器件在实际使用中可能遇到的各种环境，可以预测其寿命和性能退化情况。
4. 外观检查：这是一种对器件外观进行检查和评估的测试。
通过目视检查、显微镜观察等方法，可以确定器件是否存在裂纹、磨损、划痕等表面缺陷。
这对于一些对外观要求较高的应用，
如汽车电子、消费电子等领域非常重要。
半导体测试原理基于电学和物理测试技术，通过对器件进行多种测试手段的组合，以全面评估器件的性能和可靠性。
测试结果将被用于判定器件是否合格，并进行进一步的工艺改进和性能调优。
最终目标是确保半导体器件的质量和可靠性，以满足不同领域应用的需求。
半导体行业中的质量管理与可靠性测试
半导体行业中的质量管理与可靠性测试在现代科技发展迅速的时代，半导体行业已成为推动信息技术发展的重要支柱之一。
然而，由于半导体设备的高度复杂性和制造工艺的精细化，质量管理和可靠性测试在该行业中显得尤为重要。
本文将探讨半导体行业中的质量管理和可靠性测试的关键问题，并分析其对行业发展的影响。
一、质量管理在半导体行业中的重要性半导体产品广泛应用于电子设备中，如计算机、手机、电视等。
质量管理在半导体行业中起着至关重要的作用，不仅决定着产品的质量和可靠性，还影响着整个产业的竞争力。
在质量管理方面，半导体企业需要重视以下几个方面：1. 原材料的质量控制半导体的制造离不开大量的原材料，如硅片、化学品等。
保证原材料的质量是确保产品稳定性和可靠性的关键因素之一。
因此，半导体企业需要与供应商建立长期合作关系，并建立起严格的原材料质量控制体系。
2. 制造工艺的控制半导体器件的制造工艺涉及到多个环节，包括晶圆加工、光刻、薄膜沉积等。
制造过程中的每一个环节都需要严格控制，以确保产品的一致性和稳定性。
因此，半导体企业需要引入先进的制造工艺和设备，并建立起标准化的制造流程。
3. 产品的质量检测在半导体行业中，质量检测是确保产品质量的最后一道防线。
半导体企业需要建立完善的质量检测体系，包括自动化测试、封装测试等，以确保产品的性能和可靠性符合要求。
二、可靠性测试在半导体行业中的应用在半导体行业中，可靠性测试是评估产品可靠性和故障率的重要手段。
通过可靠性测试，可以提前发现产品的潜在问题，从而采取相应措施进行改进和修复。
以下是几种常见的可靠性测试方法：1. 退化测试退化测试是通过对产品进行长时间高强度的工作状态测试，模拟产品在实际使用中的工作环境。
通过退化测试，可以评估产品的寿命和故障率，为产品的设计和制造提供参考依据。
2. 温度循环测试温度循环测试是通过对产品在不同温度下的循环工作进行测试，模拟产品在温度变化环境下的可靠性。
温度循环测试可以评估产品的热稳定性和温度敏感性，为产品的设计和制造提供指导意见。
半导体器件可靠性与失效分析微电子
半导体器件可靠性与失效分析微电子半导体器件可靠性与失效分析是微电子领域的重要课题。
半导体器件的可靠性是指在一定的使用环境和使用条件下，器件在规定时间内能够正常工作的概率。
而失效（Failure）是指器件不能在规定的时间内正常工作。
半导体器件的可靠性与失效分析旨在通过对器件的性能和可靠性进行评估和分析，找出器件失效的原因，并提出相应的改进措施，从而提高器件的可靠性。
1.可靠性评估：通过一系列实验和测试，评估器件在特定环境和使用条件下的可靠性。
常见的可靠性评估方法包括寿命测试、温度循环测试、湿度测试、可靠性建模等。
通过这些评估手段，可以得到器件的失效概率和失效的规律，进而为改进器件的设计和制造提供依据。
2.失效分析：失效分析是通过对失效的器件进行物理和电学特性分析，找出失效的原因和机制。
常见的失效分析方法包括显微镜观察、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散X射线光谱分析(EDX)、微动电压测量、故障注入方法等。
通过失效分析可以确定故障位置和失效原因，为改进器件的设计和制造提供指导。
3.失效模式与机制研究：失效模式与机制的研究是指通过理论和实验手段，研究器件失效的模式和机制。
通过对失效模式和机制的研究，可以了解器件失效的根本原因，并提出相应的改进措施。
例如，晶体管的漏电流增加、介质击穿等都是半导体器件失效的常见模式和机制。
4.退化机制分析：半导体器件的寿命会随着使用时间的增加而发生退化，导致器件性能下降甚至失效。
退化机制分析是指通过实验和测试，研究器件在使用过程中的退化机制。
常见的退化机制包括电子迁移、电子捕捉、热失效等。
通过退化机制分析可以确定退化的原因，为延长器件寿命提供参考。
半导体器件的可靠性与失效分析对于微电子行业具有重要的意义。
高可靠性的器件可以减少电子产品的故障率，提高产品的性能和稳定性。
同时，通过对失效原因和机制的研究，可以指导器件的设计和制造，提高器件的可靠性和寿命。
因此，半导体器件的可靠性与失效分析是微电子领域一个重要的研究方向，也是推动微电子技术发展的关键之一。
半导体元器件可靠性及其制造分析
半导体元器件可靠性及其制造分析摘要：半导体元器件较高可靠性以及制造的实现，是产品质量保证的重要指标，有效满足了人们生产生活的需要，促进了工业化建设的发展。
并且半导体元器件可靠性要从构思设计到使用报废全过程贯穿始终，为了充分发挥半导体元器件的作用，本文阐述了半导体元器件可靠性的主要内容与半导体元器件常见的失效分布及失效，对半导体元器件可靠性试验及可靠性筛选与制造进行了探讨分析。
关键词：半导体元器件；可靠性；内容；失效；分布；试验；筛选；制造半导体产品主要应用于工业方面，现在半导体制造技术是一些工业生产的关键技术，没有半导体元器件制造技术许多工业生产就无法进行。
半导体元器件具有重量轻、体积较小、功耗低以及较高可靠性等特征。
但是其由于构成设备和系统功能较复杂以及器件数量不断增多，而且使用环境比较严酷，导致半导体元器件退化和失效现象比较普遍。
基于此，以下就半导体元器件可靠性及其制造进行分析。
一、半导体元器件可靠性的主要内容分析半导体元器件的可靠性是在一定的时间和条件下实现预定功能的能力，它对规定条件、时间和规定功能有很大影响，通常可以用“概率”来衡量半导体元器件在规定时间内完成预定功能的能力大小。
半导体元器件的可靠性工作从设计开始就应进行质量控制，在器件生产后筛选抽样检测，对可靠性进行试验，并对器件进行初步分析、情况调查、外观检查和特性检测，对失效模式分类，进行失效机理分析、电分析、显微分析和先进设备分析，找出失效模式和机理，制定纠正措施，对器件设计、生产和测试进行反馈并加以改进。
二、半导体元器件常见的失效分布及失效分析1、半导体元器件失效分布的分析。
半导体元器件可靠性数量特征和其失效分布有很大的关系，不同的失效分布类型处理方式也不同。
基于半导体元器件自身特征，在没有恶劣外界条件影响情况下，早期失效最为明显，偶然失效期较长，失效率有缓慢下降的整体趋势。
半导体元器件的失效分布类型主要包括：第一、早期失效期。
半导体元器件检测标准
半导体元器件检测标准半导体元器件是现代电子设备中不可或缺的重要组成部分。
它们广泛应用于通信、计算机、汽车、医疗设备等各个领域。
然而，由于制造过程中的不可避免的缺陷和损伤，半导体元器件可能存在各种问题，如电性能不稳定、尺寸偏差、封装损坏等。
因此，制定和实施一套严格的检测标准对于确保半导体元器件质量和可靠性至关重要。
一、引言随着科技的进步和应用领域的扩大，对半导体元器件质量要求也越来越高。
因此，制定一套科学合理且能够实际应用的检测标准是必不可少的。
二、半导体元器件常见问题及其影响1. 电性能问题：电性能是衡量半导体元器件质量最重要的指标之一。
电性能问题可能表现为漏电流过大、击穿电压低等现象。
这些问题会直接影响到设备整体性能和稳定性。
2. 尺寸偏差：半导体元器件的尺寸偏差可能导致元器件的安装不稳定，进而影响到设备的可靠性和寿命。
3. 封装损坏：封装是保护半导体芯片的重要手段，而封装损坏可能导致芯片暴露在外界环境中，进而引发各种问题。
三、半导体元器件检测标准的重要性制定和实施半导体元器件检测标准具有以下重要意义：1. 保证产品质量：通过严格检测标准，可以及时发现和排除不合格产品，确保产品质量稳定可靠。
2. 提高设备性能：通过对半导体元器件进行全面检测和筛选，可以确保选用优质元器件，从而提高设备的性能和可靠性。
3. 降低生产成本：通过合理制定检测标准，并对生产过程进行严格控制，可以降低不良品率、提高生产效率，并从根本上降低生产成本。
四、半导体元器件检测标准制定过程1. 收集相关信息：收集有关半导体元器件及其相关行业的技术规范、标准、法规等信息，了解行业发展趋势和技术要求。
2. 制定标准框架：根据收集到的信息，制定一套完整的标准框架，明确标准的结构和内容。
3. 制定具体检测方法：根据半导体元器件的特点和问题，制定相应的检测方法和技术要求。
4. 标准验证与修订：制定完毕后，对标准进行验证实施，并根据实际应用情况对标准进行修订和完善。
半导体材料与器件的可靠性研究及优化
半导体材料与器件的可靠性研究及优化近年来，随着半导体技术的飞速发展，半导体材料与器件逐渐成为了现代科技发展的重要基石。
然而，由于半导体器件长期运行过程中可能会遭受物理、化学、微结构等多种因素的影响，因此半导体材料与器件的可靠性问题一直是业内关注的热点。
本文将探讨半导体材料与器件的可靠性研究及优化。
一、半导体材料的可靠性在半导体工艺中，材料的物理、化学性质对器件的可靠性具有极为重要的影响。
首先，在半导体器件加工过程中，如电子束曝光、蚀刻等环节中，会对材料表面进行清理和刻蚀，这些处理会对材料的表面形态和性能产生影响。
尤其是对于化合物半导体材料来说，如何控制该材料表面的品质至关重要。
此外，半导体材料在使用过程中，还存在一些不可忽视的问题，如材料的电性能和热性能都会对器件的可靠性产生影响。
硅材料在高温下具有较好的表现，但会在高温和较高（大于1000V）电场下发生击穿现象。
而些氮化物材料则在高温下具有较好的电学和光学性能。
在设计半导体器件时，需要综合考虑多个参数，并根据实际应用需求，对材料进行优选和调配。
二、半导体器件的可靠性半导体器件的可靠性问题包括器件的寿命、静电放电（ESD）等问题。
在设计半导体器件时，需要考虑材料选择、制造工艺及存储条件等因素。
此外，在使用过程中，器件可能会受到外部环境和操作条件的影响，如温度、湿度、电磁场、射线等，这些因素可能会使器件发生失效或寿命缩短。
因此，对于半导体器件的可靠性研究及优化，需要从多个层面出发进行探索。
从器件设计的角度出发，可以考虑采用多层反射结构等方式，优化器件本身的设计，增强其抗ESD和耐热性能。
而从制造工艺的角度来说，则需要对制造环节进行完善，如对沉积温度、沉积速率等参数进行优化，保证不同部分之间形成光电器件后性能的均匀性。
同时，也需要对器件的封装、保护、运输和储存等方面进行优化，保证其在使用过程中不会受到外界因素的损害。
三、半导体材料与器件可靠性的员工半导体技术的快速发展，对于半导体材料与器件的可靠性研究提出了更高的要求。
半导体器件可靠性与失效分析
半导体器件可靠性与失效分析引言：随着电子技术的不断发展，半导体器件在现代电子产品中发挥着至关重要的作用。
然而，由于半导体器件中存在着各种可能的失效机制，如漏电、击穿、热失效、氧化、迁移、应力等，因此对半导体器件的可靠性和失效分析进行深入研究对于保证电子产品的稳定工作和提高其寿命至关重要。
一、半导体器件的可靠性评估方法1.基于故障数据的可靠性评估方法：通过从大量的故障数据中提取出各种失效机制的特征参数，建立数学模型，从而预测和评估半导体器件的寿命和可靠性。
2.加速寿命试验方法：通过在实验室中对半导体器件施加高温、高电压、高湿等加速环境条件，加速其失效过程，得到失效时间与环境条件之间的关系，并在此基础上预测出正常使用条件下的寿命。
3.可靠性物理模型方法：通过对半导体器件内部结构和加工工艺进行深入分析和理解，建立器件的失效物理模型，从而直接预测失效机制和失效时间。
二、半导体器件失效分析方法1.失效分析的基本流程：a.收集失效器件并对其进行初步检测和筛选。
b.进行失效分析前的预处理操作，如外观检查、器件参数测试等。
c.施加不同的电压、电流和温度等条件，以及应力加速实验，观察和记录失效器件的失效特点和失效模式。
d.利用各种现代测试设备和分析手段，如电镜、扫描隧道显微镜、探针站等，对失效区域及元件内部的结构和性能进行深入分析。
e.通过失效分析技术和经验，找出失效根源和失效机制，并给出改进措施和提高器件可靠性的建议。
2.失效分析的常用技术和方法：a.毛细管技术：通过毛细管效应，观察电导材料中的微孔，从而检测出隐蔽的电导通道。
b.扫描电镜技术：通过扫描电镜的高分辨率成像，分析器件表面的异常情况，如磨损、腐蚀、裂纹等。
c.能谱分析技术：使用能谱仪对失效器件进行元素分析，以确定是否存在金属污染或元素组成异常。
d.探针测试技术：使用探针测试仪对器件的电路连通性和参数进行测试，找出可能存在的故障点。
e.热分析技术：通过热敏电阻或红外热像仪等热分析设备，观察器件在失效前后的温度变化情况，以判断是否因温度引起器件失效。
半导体测试与分析
半导体测试与分析半导体测试与分析是指对半导体器件进行各种测试和分析的过程。
随着半导体技术的不断发展，半导体测试与分析在半导体制造与研发中的重要性也越来越凸显。
本文将从半导体测试与分析的定义、目的、方法和应用等方面进行详细介绍。
一、半导体测试与分析的定义二、半导体测试与分析的目的1.确保器件的质量和性能符合规定的标准。
半导体器件作为电子产品的核心元件，其性能和质量直接影响到电子产品的性能和质量。
通过测试与分析，可以检测出器件中的缺陷和故障，并进行修复和改进，从而提高器件的质量和性能。
2.了解器件的工作原理和性能指标。
对于半导体器件的研发和设计来说，了解器件的工作原理和性能指标是非常重要的。
通过测试与分析，可以获取到器件的电特性曲线、动态响应以及其他关键参数，从而更好地理解器件的工作原理和性能特点。
3.查找和分析器件故障的原因。
半导体器件在使用过程中可能会出现故障，通过测试与分析可以找到故障的原因，并进行相应的修复和改进。
这对于提高半导体器件的可靠性和稳定性非常重要。
三、半导体测试与分析的方法1.物理测试方法。
物理测试方法是通过对器件进行物理观察和测试，如显微镜观察、导电测试、电镜观察等，来了解器件的结构特点和物理性能。
2.电学测试方法。
电学测试方法是通过对器件的电特性进行测量和分析，如电流-电压曲线测量、参数测试、频率特性测试等，来了解器件的电学性能和特点。
3.功能测试方法。
功能测试方法是通过对器件进行功能测试和性能测试，如功耗测试、性能测试、可靠性测试等，来了解器件的功能和性能指标。
4.分析测试方法。
分析测试方法是通过对器件的测试数据进行分析和处理，如概率分布分析、故障分析、可行性分析等，来了解器件的分析结果和可能存在的问题。
四、半导体测试与分析的应用1.半导体器件制造过程中的测试与分析。
在半导体器件制造过程中，需要对加工过程中的各个环节进行测试与分析，以确保每个环节的工艺参数和质量指标符合要求。
半导体测试与分析
半导体测试与分析半导体测试与分析可以分为两个主要方面：器件测试和性能分析。
器件测试是指对半导体器件参数进行测量，以确保其符合设计规格和要求。
性能分析则是对器件的工作性能进行评估，包括信号传输速度、功耗、散热等方面的测试与分析。
在进行半导体器件测试时，需要使用一系列的测试设备和方法。
常用的测试设备包括示波器、频谱分析仪、逻辑分析仪等。
使用这些设备可以测量器件的电压、电流、频率等参数，以确定器件的静态和动态电特性。
同时，还可以通过测试器件的响应时间、调制带宽等参数，来评估其运行速度和带宽。
半导体器件性能分析则是对器件工作情况进行全面的评估。
其中最常见的性能参数包括器件的工作温度、功耗、噪声、线性度等。
这些参数对于电路的设计和系统的性能都具有重要的影响。
例如，高功耗的器件会导致系统的整体效率降低，而高噪声的器件则会干扰其他电路的正常工作。
为了进行半导体器件测试与分析，需要制定一套完整的测试计划和流程。
首先需要确定测试的目标和要求，明确所需测试的参数和标准。
然后，选择适当的测试设备和方法，并进行测试数据的采集和分析。
最后，根据测试结果进行评估和优化，以提高器件的性能和可靠性。
在进行半导体测试与分析时，还需要注意一些常见的问题和挑战。
例如，测试过程中的电磁干扰可能会导致测试结果的失真，需要采取合适的屏蔽和隔离措施。
同时，不同的半导体器件有不同的测试方法和要求，需要针对具体器件的特点进行适当的调整和改进。
总之，半导体测试与分析是确保半导体器件性能和可靠性的重要环节。
通过全面、准确的测试与分析，可以提高器件的性能、可靠性和一致性，确保其符合设计规格和要求。
这对于电子设备的研发、生产和应用都具有非常重要的意义。
半导体器件的物理原理与可靠性
半导体器件的物理原理与可靠性半导体器件是现代电子技术的基石，它的发展和应用在电子通信、计算机、医疗设备等领域起到了极其重要的作用。
本文将探讨半导体器件的物理原理以及其可靠性。
一、半导体物理原理半导体器件是利用半导体材料的特性制作而成的电子元件。
半导体材料与金属材料和绝缘体材料相比，具有独特的电导特性。
在半导体中，电子的导电行为受到温度和掺杂的影响，同时由于带隙的存在，电子的能量状态也会发生变化。
半导体中的电导性主要来源于载流子，而载流子可以分为两类：电子和空穴。
在纯净的半导体中，电子和空穴的数量大致相等，称之为本征半导体。
当半导体材料被掺杂时，即在纯净半导体中加入少量杂质，就会产生额外的电子或空穴。
这个过程称为掺杂，掺杂分为n型和p型。
在n型掺杂中，掺入杂质的原子具有多余的电子，这些电子将成为半导体中的自由电子，在电场作用下进行移动，因此n型半导体具有较高的电导率。
而在p型掺杂中，掺入杂质的原子会带走半导体中的电子，使原子中形成空位，称为空穴。
空穴具有正电荷，可以在电场的作用下进行移动。
通过n型和p型半导体的结合，可以形成p-n结，这是半导体器件中最基本的结构之一。
在p-n结中，由于电子和空穴的扩散，会形成静止电势差，进而形成内建电场。
内建电场导致了能量位移，使得电子和空穴被迫向另一侧移动。
这种现象被称为漂移，它是半导体器件工作的基础。
半导体器件的其他基本原理包括：禁带宽度、霍尔效应、反向击穿等。
理解这些物理原理对于半导体器件的设计和应用非常重要。
二、半导体器件的可靠性可靠性是指在特定环境和使用条件下，半导体器件能够长期正常工作的能力。
半导体器件的可靠性与其物理原理密切相关。
半导体器件可能会受到温度、湿度、电压等外界因素的影响，这些因素会导致器件的性能衰减甚至失效。
热效应是其中的主要因素之一。
在半导体器件中，电子的能量和温度之间存在着密切的关系。
当半导体器件长期工作时，内部电阻会产生热量，如果不能进行有效的散热，温度将会上升。
半导体集成电路可靠性测试和数据处理
半导体集成电路可靠性测试和数据处理摘要：半导体集成电路工艺误差及其相关因素直接影响着其自身的可靠性。
因此，为了有效的提高半导体集成电路工艺的可靠性，降低产品成本，相关技术人员应该针对半导体集成电路进行可靠性测试，并合理的选择数据处理方法。
基于此，本文对半导体集成电路可靠性测试和数据处理进行了深入的研究，以供相关的工作人员参考借鉴。
关键词：半导体集成电路；可靠性测试；数据处理1半导体集成电路的可靠性测试的相关概述1.1半导体的可靠性在研究半导体式集成电路的行业中，我国主要利用被动筛选的方式检测产品的可靠性。
然而，这种方法的成本高、周期长，也无法根本性的提高半导体集成电路可靠性。
因此，要深入探讨和分析半导体集成电路的应用条件，探讨不同环境中集成电路器件失效、性能退化而出现的物理反应和诱发应力，以出现的诱发应力与物理反应参数对集成电路产品的可靠性进行设计。
在对半导体集成电路进行研究的过程中，要综合考虑优化和加固封装、线路和版图，保证器件寿命期限内电参数持续保持正常。
1.2半导体集成电路工艺的可靠性在研究集成电路产品的可靠性中，要分析制造技术会如何影响到半导体式集成电路使用的可靠性，对保证可靠性的工艺流程进行着重控制与监测，构建评价集成电路产品制作工艺可靠性的规范化程序和有效方法，这些程序与有效方法能够促进对半导体式集成电路可靠性的研究。
在评价和控制工艺可靠性的研究中，基本出发点是保证工艺的可靠性，从而保障产品的可靠性。
在研究工艺中，要依据不同的失效原理设计测试微电子可靠性的结构，并组织实施加速试验，得到失效机理下产品的有关参数和信息，在测试微电子的结构中构建可靠性测试与设备可靠性之间的联系，保证工艺具有较高的可靠性。
在工艺可靠性探索中，可以有效控制载体中生产集成电路的流程，借助我国生产集成电路已有生产线，以此为基础研究恰当的评价方法和控制集成电路可靠性的方法，以圆片级和封装级的LR为基础，建立评价工艺可靠性的平台。
半导体器件半导体器件的可靠性研究
半导体器件半导体器件的可靠性研究半导体器件的可靠性研究随着信息技术的飞速发展，半导体器件已经广泛应用于电子、计算机、通讯、医疗仪器等领域。
半导体器件较传统的电子器件具有高速性、高频性、小型化、低功耗等优点，但也存在着可靠性问题。
半导体器件可靠性研究是半导体工业不可或缺的一环，本文对半导体器件可靠性研究进行简要探讨。
半导体器件可靠性的概念半导体器件的可靠性是指其在长期工作条件下，保持其基本性能的能力。
半导体器件可靠性研究是对半导体器件在整个生命周期内的各种环境因素、力因素及生产因素的影响进行分析和判断，以确保产品能够在一定时间内保持拟定的既定使用寿命。
半导体器件可靠性研究的主要内容有：可靠性测试、可靠性建模、可靠性预测与设计。
半导体器件可靠性测试半导体器件可靠性测试是指对半导体器件在各种应力作用下，进行不断测试和分析，以在较短时间内评估半导体器件的可靠性水平。
半导体器件的可靠性测试主要分为加速寿命测试和环境应力测试两种。
加速寿命测试是模拟半导体器件在实际使用过程中所受到的各种应力因素，在较短时间内加强半导体器件的应力，以模拟半导体器件在实际使用过程中的寿命。
环境应力测试则是对半导体器件在实际使用过程中所受到的各种环境影响进行模拟和测试，以评估半导体器件在不同环境下的可靠性指标。
半导体器件可靠性建模半导体器件可靠性建模是在可靠性测试数据的基础上，建立半导体器件可靠性预测模型，以预测未来半导体器件的寿命和可靠性。
主要涉及的内容有可靠性分析、失效机理研究和可靠性模型建立。
可靠性分析是指对半导体器件的各种失效情况进行分析和评估，以判断半导体器件的可靠性水平。
失效机理研究则是探究半导体器件在长期使用过程中逐渐出现的各种失效情况，以达到预测半导体器件寿命和可靠性的目的。
可靠性模型建立则是建立半导体器件失效与时间、应力因素、环境因素等相关参数之间的数学模型，以实现对半导体器件寿命和可靠性的精确预测。
半导体器件可靠性预测与设计半导体器件可靠性预测与设计是指在可靠性测试和可靠性建模的基础上，通过引入可靠性修正因子、模拟失效机理、优化器件结构等方式，对半导体器件的可靠性进行修正和优化设计。
半导体基本测试原理
半导体基本测试原理半导体基本测试原理是指对半导体器件进行测试和验证其性能、可靠性和合格性的一系列测试方法和技术。
半导体器件是电子设备的重要组成部分，包括集成电路、晶体管、二极管等。
这些器件通常需要经过测试来验证其性能和质量，以确保在实际应用中能够正常工作。
1.电性能测试：电性能测试是对半导体器件的电参数进行测试，以确定其工作特性。
这些测试通常包括静态电参数测试和动态电参数测试。
静态电参数测试包括测量器件的电流、电阻和电容等静态电参数。
动态电参数测试包括测量器件的启动时间、关断时间、开关时间和工作频率等。
2.可靠性测试：可靠性测试是对半导体器件在不同工作条件下的可靠性进行验证。
这些测试通常包括温度老化测试、温湿度老化测试、震动测试和射频噪声测试等。
通过这些测试，可以评估器件在不同环境条件下的可靠性和寿命。
3.结构测试：结构测试是对半导体器件的结构进行测试，以验证其制造工艺和结构是否符合设计要求。
这些测试通常包括结构检测、工艺检测和缺陷检测等。
结构测试可以用来检测器件内部的材料、形状和尺寸等参数，以判断器件是否制造良好。
4.功能测试：功能测试是对半导体器件的功能进行测试，以验证其是否符合设计要求。
这些测试通常包括输入输出测试、工作状态测试和信号传输测试等。
功能测试可以用来验证器件的逻辑功能、输入输出特性和信号传输路径等。
1.测试系统：半导体基本测试通常需要使用专门的测试设备和测试工具。
测试系统通常包括测试仪器、测试程序和测试程序。
测试仪器用于测量器件的电参数和信号特性，测试程序用于控制测试仪器进行测试，测试夹具用于固定和连接被测试的半导体器件。
2.测试方法：半导体基本测试通常使用两种方法进行，即有源测试和无源测试。
有源测试是指在器件工作状态下进行测试，包括输入信号的施加和输出信号的测量。
无源测试是指在器件关闭状态下对其进行测试，主要包括输入输出特性的测试和工作状态的测试。
3.测试步骤：半导体基本测试通常包括以下几个步骤：确定测试需求和测试目标、准备测试设备和测试样品、设计测试程序和测试夹具、进行测试实验和数据收集、分析测试结果和生成测试报告。
半导体器件的可靠性设计与评估研究
半导体器件的可靠性设计与评估研究半导体器件在现代电子技术中具有重要的地位，随着电子产品的普及和应用场景的不断扩大，对于半导体器件的可靠性设计和评估研究也越来越重要。
本文将从多个角度对半导体器件的可靠性进行探讨与分析。
一、半导体器件的可靠性设计半导体器件的可靠性设计需要从以下几个方面进行考虑：1. 设计阶段的可靠性考虑在半导体器件的设计阶段，需要充分考虑到器件的可靠性，根据应用场景和使用条件进行设定，并采用有关覆盖率高的安全边际技术，以确保器件在使用中具有稳定性和可靠性。
2. 材料的质量控制半导体器件的材料应当满足质量要求，防止不良材料的影响，以保证器件的可靠性。
3. 设计的通信安全性在传输和处理半导体器件数据时，设计时要加强通信安全保护措施，将不良数据从设备中清除并保护系统免受恶意攻击和信息窃取。
同时，也要对设备通信机制做好安全性评估，确保设备在使用时不会受到攻击或干扰。
二、半导体器件的可靠性评估对半导体器件进行可靠性评估时，需要应用不同的测试手段和评估方法，接下来介绍其中的几种主流的可靠性测试方法：1. 加速龟速下环境试验加速龟速下环境试验是通过近似器件的使用环境，同时提高环境恶劣程度的方法来加速器件的老化并模拟长期使用的状态，从而评估半导体器件的可靠性。
可以选取的环境条件包括高温、低温、大气湿度、盐雾等等。
2. X光检查X光检查可通过观察到电子器件内部的微观裂纹或密度变化，依据锆数或者失分评估器件可靠性。
3. 变频诱导伤害变频诱导伤害是一种可靠性测试方法，在测试中通过提高电压或电流值来促进器件加速老化，进而评估器件的可靠性。
三、半导体器件的可靠性改进为了提高半导体器件的可靠性，可以从以下几个方面入手：1. 优化设计和工艺通过采取更优良的设计和工艺，可在降低成本，提高生产效率等优势的同时，提高器件的可靠性。
2. 选择优质原材料选择优质的原材料可以降低不良材料的占比，提升器件的整体质量和可靠性。
半导体器件可靠性与测试和主要研究内容
失效分析和反馈纠正措施可以显著提高器件的成品率和可靠性，减 少系统试验和现场使用期间的失效器件。
系统试验和现场使用期间发生故障的经济损失很大，排除故障的维 修费用颇高，并且这种费用随着可靠性等级的提高而指数地上升。
绪论
半导体可靠性物理学
绪论
主要的失效机理
指器件失效的实质原因。即引起器件失效的物理或化学过程。
设计问题引 起的缺陷
体内退化 机理
氧化层 缺陷
金属化系 统退化
封装退化 机理
•版图 •工艺方案 •电路和结构
•二次击穿 •CMOS闩锁效应 •中子辐射损伤 •重金属沾污 •材料缺陷
•针孔 •厚度不均匀 •接触孔钻蚀 •介质击穿等
半导体器件可靠性与测试和主要 研究内容
课程目的
课程的目的
1. 了解半导体器件可靠性研究的发展过程 2. 熟悉引起半导体电路失效的主要模式 3. 熟悉引起器件退化的主要退化机制 4. 基本掌握器件退化的主要表征技术和检测方法
课程要求
课程的要求
1. 知道引起MOS电路失效的主要几种失效模式 主要的失效规律
设计问题引起的缺陷体内退化机理氧化层缺陷金属化系统退化封装退化机理?版图?工艺方案?电路和结构?二次击穿?cmos闩锁效应?中子辐射损伤?重金属沾污?材料缺陷?针孔?厚度不均匀?接触孔钻蚀?介质击穿等?金铝合金?电迁移?铝腐蚀?铝划伤?铝缺口?台阶断铝?过电应力烧毁?管腿腐蚀?管腿损伤?漏气?外来物引起漏短路?绝缘珠裂缝?标志不清工艺和设计的纠正措施工艺质量控制可靠性试验使用和设计的纠正措施原材料生产工序工艺筛选机器装调和运行工艺规范失效分析产品筛选绪论器件失效分析的作用半导体器件的可靠性两个概念绪论研究领域和任务不同之处
半导体器件失效机制与可靠性分析研究
半导体器件失效机制与可靠性分析研究引言半导体器件(简称芯片)广泛应用于各种电子设备中，其可靠性对设备的正常运行至关重要。
然而，事实上，芯片失效是常见的现象，会给设备和系统带来不可预估的损失。
因此，芯片的可靠性分析和失效机制研究是极为必要的。
本文将详细探讨芯片失效机制及可靠性分析方法。
一、芯片失效机制1. 电迁移效应电迁移(Electromigration，简称EM)是指电子在导体中发生漂移的过程。
当电子在导体中移动时，它们将数量有限的金属原子拖着向一个方向移动，形成金属原子的“空洞区域”和“电子密集区域”。
这种移动会给导体带来功耗损失，同时会导致导体紧张而失效。
2. 热膨胀效应随着芯片的尺寸不断减小，局部金属结构不断复杂化，使得芯片内各部分承受的热应力越来越大。
当芯片内某个局部的温度变化较大时，局部产生的热膨胀效应可能会导致芯片的破坏。
3. 硅氧化物断裂芯片上的金属线和晶体管等电路元件与硅质基板通过氧化物颗粒绝缘层进行电隔离。
当硅氧化物层长时间受电场和热应力的影响，就可能出现氧化物层内部的应力积累和局部氧化，导致氧化物层崩裂，从而破坏整个芯片的结构和电性能。
4. 金属间物相反应芯片中不同种类金属之间的相互作用也会引起失效。
在一些环境下，金属层会相互反应而产生新的化合物和相变，从而改变芯片中元器件的性能或导致元器件失效。
二、可靠性分析方法芯片可靠性分析是定位失效原因和提高芯片可靠性的关键步骤。
目前，常用的芯片可靠性分析方法有以下几种。
1. 失效分析失效分析是指在芯片失效的情况下，对失效芯片进行各种测试手段、观察、分析、检测，确立失效点并推断失效原因的过程。
失效分析是目前芯片可靠性分析的主要手段，通过失效分析，可以找到芯片失效的根本原因。
2. 退化分析芯片在使用过程中，其物理性质可能会发生变化，一般而言表现为电气参数的变化或退化。
退化分析需要在芯片未失效的情况下，通过监测芯片的可靠性参数，预测芯片可能出现失效的概率，并对可能出现的问题进行预防或针对性的修复。
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• 失效因素增加－氧化层击穿、器件特性退化、电迁移、
与半导体物理学的区别
研究范畴
电应力(电压、电流、频率等)
氧化 层缺 陷
界面 态缺 陷
研究对象
绪论
半导体可靠性物理学
与半导体物理学的区别
t=0 半导体物理学
研究领域和任务
研究范围
半导体可靠性物理学
半导体物理学
半导体可靠性物理学
绪论
半导体可靠性物理学的主要分支
半导体器件的可靠性
研究领域和任务
器件可靠性指产品的寿命特点、使用维修情况、完 成任务的能力大小，是产品质量的重要指标之一。
课程内容
绪论
绪论
绪论
半导体可靠性物理学
研究领域、研究任务、 研究内容
半导体可靠性物理学
产生过程及其重要性
半导体可靠性物理学
课程的重点
是什么？ 干什么？
为什么学？
学什么？
绪论
半导体可靠性物理学
研究领域
是什么？ 六十年代后期崛起的一门新兴的边缘学科，目 前尚处于不断发展和完善阶段。
半导体可靠性物理学
3. 微电子器件可靠性，史保华、贾新章、张德胜， 西安电子科技大学出版社，1999
4. 硅－二氧化硅界面物理，郭维廉， 国防工业出版社，1988
半导体器件可靠性物理
• 绪论 • MOS器件退化机制和模型 • E2PROM退化机理和模型 • 静电放电(ESD)损伤 • 电极系统的退化、失效机理 • 电学退化的表征和测量技术
半导体物理学 半导体工艺学 材料学 化学 冶金学 电子学
环境工程学
系统工程学
绪论
干什么？
表征 技术
半导体可靠性物理学
研究任务
失效规律、模式 失效机理
可靠性评估、可靠性设计和使用规范等
简而言之，半导体可靠性物理学主要是从发生在半导体内部
的各种物理效应的角度，从原子、分子运动的角度来研究如何 提高半导体可靠性的一门学科。
绪论
主要的失效机理
指器件失效的实质原因。即引起器件失效的物理或化学过程。
设计问题引 起的缺陷
体内退化 机理
氧化层 缺陷
金属化系 统退化
封装退化 机理
•版图 •工艺方案 •电路和结构
•二次击穿 •CMOS闩锁效应 •中子辐射损伤 •重金属沾污 •材料缺陷
•针孔 •厚度不均匀 •接触孔钻蚀 •介质击穿等
两个概念
研究领域和任务
强调两个概念：器件的失效和退化
在目前许多的文献中，二者是等效的。但严格地讲，二者有区别。
共同之处：器件特性偏离了正常指标
不同之处：失效－更强调出现不正确的器件、电路 功能
本课程中，二者可互相替换。
绪论
半导体可靠性物理学
研究领域、研究任务
半导体可靠性物理学
产生过程及其重要性
半导体可靠性物理学
课程的重点
绪论
是什么？ 干什么？ 为什么学？ 学什么？
绪论
半导体可靠性物理学
产生过程
产生背景
其产生与其他边缘性学科(例如，环境工程学，系统工程学， 生物工程学)一样，是科学技术发展的必然。随着电子系统的
发展，其复杂性和可靠性成了尖锐的矛盾，系统越复杂，所用 元器件越多，失效的概率就越大，即可靠性越不易保证。
半导体器件可靠性与测试和主要 研究内容
课程目的
课程的目的
1. 了解半导体器件可靠性研究的发展过程 2. 熟悉引起半导体电路失效的主要模式 3. 熟悉引起器件退化的主要退化机制 4. 基本掌握器件退化的主要表征技术和检测方法
课程要求
课程的要求
1. 知道引起MOS电路失效的主要几种失效模式 主要的失效规律
器件可靠性问题也是产品质量问题
绪论
半导体器件可靠性问题
设计 芯片
晶片
半导体加工 制造过程 切割、封装
筛 选
Hale Waihona Puke 过报废、 失效程 产品
使用过程…
失效分析
半导体器件可靠性问题
主要研究内容
进行器件的失效分析
绪论
失效分析(failure analysis)系指产品失效后，通过对产品 及其结构、使用和技术文件的系统研究，从而鉴别失效 模式、确定失效原因、机理和失效演变的过程。这一门 技术就是失效分析。
半导体器件可靠性问题
主要研究内容
研究内容主要包括两个层次
绪论
如何提高可靠性
失效分析、失效物理 工艺监控、可靠性设计
评价可靠性水平
可靠性数学、可靠性实验 可靠性评估
虽然器件可靠性研究首先是从评价可靠性水平开始的，但研究重点逐 渐在转向如何提高可靠性方面。
绪论
失效分析的基本内容 失效情况调查
半导体器件可靠性问题
2. 了解MOS器件失效的主要退化机制 掌握相关的分析和判定方法
3. 熟悉目前主要的MOS器件退化检测方法和表征技术
课程参考书
课程的参考书
1. 半导体物理学，刘恩科、朱秉升、罗晋生编著， 西安交通大学出版社，1998
2. 半导体器件物理，SM.Z.，黄振岗译、魏策军校， 电子工业出版社，1987
3. 半导体器件可靠性物理，高光勃、李学信编著， 科学出版社，1987
起小电流增益减少等。
• 使用问题引起的损坏：静电损伤、电浪涌损伤、机械损伤，过高温度引起的破
坏、干扰信号引起的故障、焊剂腐蚀管腿等。
器件失效分析的作用
绪论
工艺和设计的纠正措施
原材料
工艺质量控制
失 效 分 析
可靠性试验
工艺规范
生产工序 工艺筛选
产品筛选
使用和设计的纠正措施
机器装调和运行
绪论
半导体器件的可靠性
•金铝合金 •管腿腐蚀
•电迁移
•管腿损伤
•铝腐蚀
•漏气
•铝划伤
•外来物引起漏短路
•铝缺口
•绝缘珠裂缝
•台阶断铝 •标志不清
•过电应力烧毁
• 键合缺陷引起的失效：键合颈部损伤、键合强度不够、键合面沾污金－铝合金、
键合位置不当、键合丝损伤、键合丝长尾、键合应力过大损伤硅片。
• 表面劣化机理：钠离子沾污引起沟道漏电、辐照损伤，表面击穿、表面复合引
主要研究内容
失效模式鉴别 失效特征描述
假设失效机理 证实失效机理
新失效因素的考虑
常见的失效模式 即失效的形式
开路
无功能
短路
特性退化
提出纠正措施
重测合格 结构不好
最常见的有烧毁、管壳漏气、管腿腐蚀或断腿、芯片表面内涂树脂裂缝、芯片 粘合不良、键合点不牢或腐蚀、芯片表面铝腐蚀、铝膜伤痕、光刻/氧化层缺陷、 漏电流大、PN结击穿、阈值电压漂移等等。
主要的研究内容
绪论
研究领域和任务
What failed? How did it failed? Why did it failed?
什么 怎么 为什么
器件失效(氧化层击穿、 器件特性退化)、电迁 移等
某种条件下，电学特 性的变化规律
判定退化机制及其对 器件行为的影响
绪论
半导体可靠性物理学
研究领域和任务