模拟电子技术基础_课后答案

第一章

1．杂质半导体分为 ( N ) 型和 ( P ) 型。自由电子是 ( N ) 型半导体中的多子。空穴是 (P ) 型半导体中的少子。

2．杂质半导体中的少子因 ( 本征激发 ) 而产生，多子主要因 ( 掺杂 ) 而产生。

3．常温下多子浓度等于 ( 杂质 ) 浓度，而少于浓度随 ( 温度 ) 变化显著。

4．导体中的 ( 扩散 ) 电流与载流子浓度梯度成正比； ( 漂移 ) 电流与电场强度成正比。

5．当 ( P ) 区外接高电位而 ( N ) 区外接低电位时，PN 结正偏。 6，PN 结又称为 ( 空间电荷区 )、( 耗尽层 )、( 阻挡层 )和 ( 势垒区 )。

7．PN 结的伏安方程为( )1(/ T D U u S e I )。该方程反映出PN 结的基本特性是 ( 单向导电性 ) 特性。此外，PN 结还有 ( 电容 ) 效应和 (反向击穿 )特性。

8．PN 结电容包括( 势垒 )电容和( 扩散 ) 电容。PN 结反偏时，只存在 ( 势垒) 电容。反偏越大，该电容越 ( 越小 )。

9．普通Si 二极管的导通电压的典型值约为 ( 0.7 ) 伏，而Ge 二极管导通电压的典型值约为( 0.3 )伏。

10．( 锗 ) 二极管的反向饱和电流远大于( 硅 ) 二极管的反向饱和电流。

11．PN 结的反向击穿分为( 齐纳 )击穿和( 雪崩 )击穿两种机理。

12．稳压管是利于PN 结( 反向击穿 )特性工作的二极管。

13．变容二极管是利于PN 结( 反向 )特性工作的二极管。

14．二极管交流电阻r d 的定义式是( )，r d 的估算式是

)，其中热电压U T 在T =300K 时，值约为 ( 26 )mV 。 15．当发射结正偏，集电结反偏时，BJT 工作在( 放大 )区，当发射结和集电结都( 正偏 )时，BJT 饱和；当发射结和集电结都 ( 反偏 ) 时，BJT 截止。

16．放大偏置的NPN 管，三电极的电位关系是( E B C U U U >> )。而放大偏置的PNP 管，三电极的电位关系是( E B C U U U << )。

17．为了提高β值，BJT 在结构上具有发射区杂质密度 ( 远远高于 )基区杂质密度和基区( 很薄 )的特点。

18．I CBO 表示( 集电极反向饱和电流 )，下标O 表示( 发射极开路 )。I CEO 表示( C-E 间的穿透电流 )，下标O 表示( 基极开路 )。这两个电流之间的关系是( CBO CEO I I β= )。

19．在放大区i C 与i B 的关系为 (CBO B C I i i +=β )，对Si 管而言i C ≈ (B i β )。

20．共射直流放大系数β与共基直流电流放大系数α的关系是

)。

21．在放大区，i E 、i C 和i B 近似成( 线性 )关系，而这些电流与u BE 则是( 指数 )关系。

22．放大偏置的BJT 在集电结电压变化时，会通过改变基区宽度而影响各级

电流，此现象称为( 基区宽度调制效应 )。

23．一条共射输入特性曲线对应的函数关系是

( )。一条共射输出特性曲线对应的函数关系是

)。

24．当温度增加时，β ( 增大 )，I CBO ( 增大 )，而共射输入特性曲线( 左移 )使得U BE 减小。

25．BJT 的三个主要极限参数是(max C I )、( CM P )和()(CEO BR U )。

26．交流β的定义式为(

)；直流α的定义式为(

)。

27．当|β（f ）|＝1时的频率称为BJT 的( 特征频率 )。

28．r be 和交流β其实是两个共射H 参数，它们与混合π参数的关系是r be =( e b b b r r ''+ )，β=( e b m r g ' )。

29．引入厄利电压U A 是为了便于估算反映基调效应的混合π参数( ce r )和( c b r ' )。

第二章

1．放大器的直流通路可用来求( 静态工作点 )。在画直流通路时，应将电路元件中的( 电容 )开路，( 电感 )短路。

2．交流通路只反映( 交流 )电压与( 交流 )电流之间的关系。在画交流通路时，应将耦合和傍路电容及恒压源( 短路 )。

3．题 2.13(3)所示共射放大器的输出直流负载线方程近似为( )(e C C C CE R R I E U +-= )。该电路的交流负

载线是经过( Q )点，且斜率为(

)的一条直线。共射放

大器的交流负载线是放大器工作时共射输出特性曲线上的动点( ),(C CE i u )的运动轨迹。

4．CE 放大器工作点选在( 交流负载线 )的中点时，无削波失真的输出电压最大。

5．放大器信号源的等效负载是放大器的( 输入 )电阻，而向放大器的负载R L 输出功率的等效信号源的内阻是放大器的( 输出 )电阻。

6．多级放大器的增益等于各级增益分贝数( 相加 )。若放大器A u = -70．7倍，则A u 的分贝数=( 37 )。

7．级联放大器常用的级间耦合方式有( 直接 )耦合，( 阻容 )耦合和( 变压器 )耦合。

8．放大器级间产生共电耦合的原因是(直流电源存在内阻)，消除共电耦合的方法是采用( 电源去耦 )电路。

9．高增益直流放大器要解决的一个主要问题是( 零点漂移（温漂） )。

（a ） （b ）

图P2．13(13) 10．在多级放大器中，中间某一级的( 输入 )电阻是上一级的负载。

11．任何放大器的( 功率 )增益总是大于一。

12．从频谱分析的角度而言，放大器非线性失真的主要特征是( 有谐波产生（输出信号产生了新的频率成分） )。

13．图P2．13（a ）和（b ）是两个无源单口网络。图（a ）的端口等效电阻R a 等于( 51.1k Ω )。图（b ）的端口等效电阻R b 等于( 0.02 k Ω )。

14．图P2．14是某放大器的通用模型。如果该放大器的端电压增益A u = -100，则该放大器的A us =( ≈39 )dB ，A uo =( 40.4 )dB ，A i =( 34 )dB ，A p =( 37 )dB 。

15．在BJT 三种基本放大器中，CE 组态使用较多的一个原因是( 功率 )增益最大。

16．当温度增加时，晶体管的直流参数( β )和( CEO I )增加，而 图P2．13(18)

图P2．13(14) 100Ω

2K Ω